CN106957173A - 一种锡钛酸钡厚膜陶瓷及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种锡钛酸钡厚膜陶瓷及其应用，厚膜陶瓷由以下方法制得：将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；将烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨得到预混物；将预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂为邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；将流延浆料流延，得到膜带；将膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。该厚膜陶瓷首先通过固相法合成锡钛酸钡，再通过采用特定粘结剂、塑化剂和分散剂制备流延浆料，通过流延法制得，该陶瓷其具有较高的介电常数，还具有较高的击穿场强度和大的电卡效应。
Description
技术领域
本发明涉及功能陶瓷技术领域，尤其涉及一种锡钛酸钡厚膜陶瓷及其应用。
背景技术
钛酸钡是制备多层陶瓷电容器的重要介电材料。不进行掺杂的钛酸钡陶瓷的烧结温度较高，室温相对介电常数较小，介电损耗较大，在相变处存在较强的介电峰。这些不利因素限制了钛酸钡陶瓷的应用，因而需要通过掺杂改性等方法改善钛酸钡的容温变化率、调控晶粒尺寸分布、降低介电损耗，使它的电学性能符合电子陶瓷行业标准。
如申请号为CN 201510377085.X的中国专利公开了锡钛酸钡陶瓷及其制备方法，依照配方BaTi1-xSnO3调整锡取代钛酸钡陶瓷的配比，采用固相烧结技术，以碳酸钡、氧化锡和氧化钛为原料，再经过混合球磨、低温预烧和高温烧结后，得到锡钛酸钡陶瓷。该方法制备的锡钛酸钡陶瓷的介电调谐率较高，但是介电常数较低。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种锡钛酸钡厚膜陶瓷及其应用，该锡钛酸钡厚膜陶瓷具有较高的介电常数。
本发明提供了一种锡钛酸钡厚膜陶瓷，由以下方法制得：
将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；
将所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物；
将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；
将所述流延浆料流延，得到膜带；
将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。
优选地，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为45～55μm。
优选地，所述流延浆料的粘度为4#蔡恩杯15～30s。
优选地，所述溶剂为乙醇和丁酮的混合物。
优选地，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为50μm。
优选地，所述膜带烧结的温度为1310～1350℃；所述膜带烧结的时间为2.5～3.5h。
优选地，所述SnO2、部分粘结剂和部分分散剂的质量比为1.5～6：1：1。
优选地，所述SnO2、剩余粘结剂、塑化剂和剩余分散剂的质量比为1.5～6：3～5：2～3：0.8～1.2。
优选地，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的具体组成为BaSn0.05Ti0.95O3、BaSn0.10Ti0.90O3、BaSn0.15Ti0.85O3或BaSn0.20Ti0.80O3。
本发明提供了一种上述技术方案所述锡钛酸钡厚膜陶瓷在多层陶瓷电容器制备中的应用。
本发明提供了一种锡钛酸钡厚膜陶瓷，由以下方法制得：将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；将所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物；将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；将所述流延浆料流延，得到膜带；将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。本发明提供的锡钛酸钡厚膜陶瓷首先通过固相法合成锡钛酸钡，再通过采用特定粘结剂、塑化剂和分散剂制备流延浆料，通过流延法制得，该方法制得的厚膜陶瓷其具有较高的介电常数，另外还具有较高的击穿场强度；在理论计算中的绝热温变ΔT和熵变ΔS明显上升，说明其具有大的电卡效应。实验结果表明：锡钛酸钡厚膜陶瓷的介电常数为21000～34000；锡钛酸钡厚膜陶瓷在12MV/m的电场下的熵变ΔS，最大值达到2.02J·kg-1·K-1；锡钛酸钡厚膜陶瓷在12MV/m的电场下的绝热温变ΔT，最大值达到1.80K。
附图说明
图1为本发明实施例1～4制备的烧结产物的XRD谱图；
图2为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的SEM图；
图3为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的介温关系曲线图；
图4为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的变温电致回线图；
图5为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT曲线图；
图6为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS曲线图。
具体实施方式
本发明提供了一种锡钛酸钡厚膜陶瓷，由以下方法制得：
将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；
将所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物；
将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；
将所述流延浆料流延，得到膜带；
将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。
本发明提供的锡钛酸钡厚膜陶瓷首先通过固相法合成锡钛酸钡，再通过采用特定粘结剂、塑化剂和分散剂制备流延浆料，通过流延法制得，该方法制得的厚膜陶瓷其具有较高的介电常数，另外还具有较高的击穿场强度；在理论计算中的绝热温变ΔT和熵变ΔS明显上升，说明其具有大的电卡效应。
本发明将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物。在本发明，所述SnO2、TiO2和BaCO3的质量比优选为6～27：2～11：0.8～1.2。本发明优选在本领域技术人员熟知的球磨罐中进行球磨；所述球磨时采用的溶剂优选为酒精；球磨时优选采用直径为8cm和12cm的圆形锆球进行球磨；球磨时采用的锆球、原料总质量和溶剂的质量比优选为3～5：0.8～1.2：0.8～1.2，更优选为4：1：1。所述球磨的时间优选为22～26h，更优选为24h。将球磨后的原料在60℃下的烘箱中烘干。本发明优选将烘干后的球磨产物过筛备用；优选过70目筛。本发明优选将过筛的粉末烧结，得到烧结产物；所述过筛的粉末烧结的温度优选为1200～1300℃；所述过筛的时间优选为2～3h。
本发明对烧结产物进行XRD分析，观察是否有杂相杂峰生成。
得到烧结产物后，本发明优选将烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物。在本发明中，所述烧结产物、部分粘结剂和部分分散剂的质量比优选为25～50：0.8～2.0：0.8～2.0。烧结产物滚磨优选采用直径为3mm、1mm和0.5mm的锆球；直径为3mm、1mm和0.5mm的锆球的质量比为2：1:1；所述直径为3mm、1mm和0.5mm锆球的总质量与所述SnO2、TiO2和BaCO3总质量的比优选为4～6：1。在本发明中，所述烧结产物滚磨时采用的粘结剂优选选自聚乙烯醇缩丁醛(PVB)；所述烧结产物滚磨时采用的分散剂优选为辛基酚聚氧乙烯醚；更优选为型号X100的辛基酚聚氧乙烯醚。所述SnO2、部分粘结剂和部分分散剂的质量比优选为25～50：2～8：0.8～1.2。所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂滚磨的时间优选为22～26h，更优选为24h。
得到预混物后，本发明将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料。在本发明中，所述粘结剂优选为聚乙烯醇缩丁醛；所述聚乙烯醇缩丁醛的型号为B72或B76或B79。塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚。在本发明中，所述SnO2、剩余粘结剂、塑化剂和剩余分散剂的质量比为1.5～6：3～5：2～3：0.8～1.2，更优选为1.5～6：4：2：1。所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂滚磨的时间优选为22～26h，更优选为24h。
得到流延浆料后，本发明将所述流延浆料流延，得到膜带。本发明优选采用本领域技术人员熟知的流延机进行流延。在本发明中，所述流延浆料的粘度优选为4#蔡恩杯15～30s。
得到膜带后，本发明将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为45～55μm。本发明优选在膜带烧结前进行热压；本发明优选在本领域技术人员熟知的热等静压机中进行热压；所述热压的温度优选为55～65℃，更优选为60℃；所述热压的时间优选为5～7min，更优选为6min。在本发明中，所述烧结的温度优选为1310～1350℃，更优选为1325℃；所述膜带烧结的时间优选为2.5～3.5h，更优选为3h。
本发明制备的锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为45～55μm，优选为50μm。厚膜陶瓷的厚度较薄，相应的介电常数和击穿场强变高，在理论计算中的绝热温变ΔT和熵变ΔS明显上升。实验结果表明：本发明提供的厚膜陶瓷在12MV/m的电场下的熵变ΔS，最大值达到2.02J·kg-1·K-1；在12MV/m的电场下的绝热温变ΔT，最大值达到1.8K。
本发明制备的厚膜陶瓷的组成为BaSnxTi1-xO3，0＜x≤0.2；在本发明的具体实施例中，所述厚膜陶瓷的具体组成为BaSn0.05Ti0.95O3、BaSn0.10Ti0.90O3、BaSn0.15Ti0.85O3或BaSn0.20Ti0.80O3。
本发明采用扫描电子显微镜观察陶瓷的微观结构，包括晶粒大小，均匀程度。本发明利用介温关系测试仪测出它的介电常数与温度的关系。施加合适的电场并且改变温度得到变温的电致回线并且计算其电卡效应。
本发明还提供了一种上述技术方案所述锡钛酸钡厚膜陶瓷在多层陶瓷电容器制备中的应用。本发明提供的锡钛酸钡厚膜陶瓷具有较大的电卡效应，可以制作制冷器件。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种锡钛酸钡厚膜陶瓷及其应用进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
以下实施例中，所述的实验药品为纯度为99％的TiO2，纯度为99.5％的SnO2和浓度为99％的BaCO3。
实施例1
用天平称量SnO2 1.50g、TiO2 15.33g和BaCO3 39.87g，将原料放入球磨罐中，球磨罐中的锆球：原料：酒精比为4:1:1，球磨24h，之后烘干原料，将原料研磨过70目的筛。后将原料在1250℃下烧结2h，得到烧结产物，之后用日本理学原位分析型X射线衍射仪测量XRD观察无杂相杂峰，见图1中曲线(a)，图1为本发明实施例1～4制备的烧结产物的XRD谱图，由图1中曲线(a)可以看出：实施例1制备的烧结产物中无杂相杂峰。
将粉料进行二次球磨，此次球磨锆球直径分别为3mm，1mm和0.5mm，其质量配比为2:1:1，总共200g，同时加入1g分散剂，1g粘结剂PVB，配比乙醇和丁酮1:1，各25g。待滚磨24h后，再加入1g分散剂，4g粘结剂PVB，2g塑化剂，同时根据黏稠度适当添加溶剂的量。24h后，即可将配好的浆料进行流延，调整流延机的转速为50r/min，根据黏稠度适当调整刀口的参数，流延完后将膜带进行剪切，在热等静压机中保持60℃热压6min，然后将膜带在1325℃下烧结3h，得到厚膜陶瓷BaSn0.05Ti0.95O3。
本发明采用日本日立公司生产的S-3400N(II)型扫描电子显微镜拍摄晶粒图片如图2中(a)，图2为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的SEM图。由图2中(a)可以看出：晶粒尺寸在20～50μm，比较致密。
本发明用惠普的介温关系测试仪测试其介温关系如图3中(a)，图3为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的介温关系曲线图，由图3中(a)中可以看出，实施例1制备的厚膜陶瓷的介电常数最大值达到23026。
本发明采用美国RADIANTRT-66A标准铁电测试系统加12MV/m的电场，厚膜陶瓷的变温电致回线如图4中(a)所示，图4为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的变温电致回线图；由图4中(a)可以得出：随着温度升高，极化强度变化明显，最大的极化强度达到23.3μC/cm2。
本发明理论计算绝热温变ΔT和熵变ΔS如图5中曲线a和图6中曲线a，其中，图5为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT曲线图，图6为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS曲线图，由图5中曲线a可以得出：实施例1制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT为0.47K；由图6中曲线a可以得出：实施例1制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS为0.58J·kg-1·K-1。
实施例1制备的厚膜陶瓷的厚度为50μm，可以应用与多层陶瓷电容器的制备中。
实施例2
用天平称量SnO2 3.03g、TiO2 14.52g、BaCO3 39.87g，将原料放入球磨罐中，球磨罐中的锆球：原料：酒精比为4:1:1，球磨24h，之后烘干原料，将原料研磨过70目的筛。后将原料在1250℃下烧结2h，得到烧结产物，之后用日本理学原位分析型X射线衍射仪测量XRD观察无杂相杂峰，见图1中曲线(b)。由图1中曲线(b)可以看出：实施例2制备的烧结产物中无杂相杂峰。
将粉料进行二次球磨，此次球磨锆球为3mm，1mm，0.5mm的，配比2：1:1，总共200g，同时加入1g分散剂，1g粘结剂PVB，配比乙醇和丁酮1:1，各25g。待滚磨24h后，再加入1g分散剂，4g粘结剂PVB，2g塑化剂，同时根据黏稠度适当添加溶剂的量。24h后，即可将配好的浆料进行流延，调整流延机的转速为50r/min，根据黏稠度适当调整刀口的参数，流延完后将膜带进行剪切，在热等静压机中保持60℃热压6min，然后将膜带在1325℃下烧结3h，得到厚膜陶瓷BaSn0.10Ti0.90O3。
本发明采用日本日立公司生产的S-3400N(II)型扫描电子显微镜拍摄晶粒图片如图2中(b)，图2为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的SEM图。由图2中(b)可以看出：晶粒大小在10μm左右，比较致密。
本发明用惠普的介温关系测试仪测试其介温关系如图3中(b)，图3为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的介温关系曲线图，由图3中(b)中可以看出，实施例2制备的厚膜陶瓷的介电常数最大值达到33051。
本发明采用美国RADIANTRT-66A标准铁电测试系统加12MV/m的电场，厚膜陶瓷的变温电致回线如图4中(b)所示；由图4中(b)可以得出：随着温度升高，极化强度变化明显，最大的极化强度达到22.4μC/cm2。
本发明理论计算绝热温变ΔT和熵变ΔS如图5中曲线b和图6中曲线b，由图5中曲线b可以得出：实施例2制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT为1.00K；由图6中曲线b可以得出：实施例2制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS为1.16J·kg-1·K-1。
实施例2制备的厚膜陶瓷的厚度为50μm，可以应用与多层陶瓷电容器的制备中。
实施例3
用天平称量SnO2 4.54g、TiO2 13.71g、BaCO3 39.87g，将原料放入球磨罐中，球磨罐中的锆球：原料：酒精比为4:1:1，球磨24h，之后烘干原料，将原料研磨过70目的筛。后将原料在1250℃下烧结2h，得到烧结产物，之后用日本理学原位分析型X射线衍射仪测量XRD观察无杂相杂峰，见图1中曲线(c)，由图1中曲线(c)可以看出：实施例3制备的烧结产物中无杂相杂峰。
将粉料进行二次球磨，此次球磨锆球为3mm，1mm，0.5mm的，配比2：1:1，总共200g，同时加入1g分散剂，1g粘结剂PVB，配比乙醇和丁酮1:1，各25g。待滚磨24h后，再加入1g分散剂，4g粘结剂PVB，2g塑化剂，同时根据黏稠度适当添加溶剂的量。24h后，即可将配好的浆料进行流延，调整流延机的转速为50r/min,根据黏稠度适当调整刀口的参数，流延完后将膜带进行剪切，在热等静压机中保持60℃热压6min，然后将膜带在1325℃下烧结3h，得到厚膜陶瓷BaSn0.15Ti0.85O3。
本发明采用日本日立公司生产的S-3400N(II)型扫描电子显微镜拍摄晶粒图片如图2中(c)，图2为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的SEM图。由图2中(c)可以看出：晶粒尺寸在20～30μm，比较致密。
本发明用惠普的介温关系测试仪测试其介温关系如图3中(c)，图3为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的介温关系曲线图，由图3中(c)中可以看出，实施例3制备的厚膜陶瓷的介电常数最大值达到21137。
本发明采用美国RADIANTRT-66A标准铁电测试系统加12MV/m的电场，厚膜陶瓷的变温电致回线如图4中(c)所示；由图4中(c)可以得出：随着温度升高，极化强度变化明显，最大的极化强度达到21.7μC/cm2。
本发明理论计算绝热温变ΔT和熵变ΔS如图5中曲线c和图6中曲线c，由图5中曲线c可以得出：实施例3制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT为1.80K；由图6中曲线c可以得出：实施例3制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS为2.02J·kg-1·K-1。
实施例3制备的厚膜陶瓷的厚度为51μm，可以应用与多层陶瓷电容器的制备中。
实施例4
用天平称量SnO2 6.06g，TiO2 12.90g、BaCO3 39.87g，将原料放入球磨罐中，球磨罐中的锆球：原料：酒精比为4:1:1，球磨24h，之后烘干原料，将原料研磨过70目的筛。后将原料在1250℃下烧结2h，得到烧结产物，之后用日本理学原位分析型X射线衍射仪测量XRD观察无杂相杂峰，见图1中曲线(d)，由图1中曲线(d)可以看出：实施例4制备的烧结产物中无杂相杂峰。
将粉料进行二次球磨，此次球磨锆球为3mm，1mm，0.5mm的，配比2：1:1，总共200g，同时加入1g分散剂，1g粘结剂PVB，配比乙醇和丁酮1:1，各25g。待滚磨24h后，再加入1g分散剂，4g粘结剂PVB，2g塑化剂，同时根据黏稠度适当添加溶剂的量。24h后，即可将配好的浆料进行流延，调整流延机的转速为50r/min，根据黏稠度适当调整刀口的参数，流延完后将膜带进行剪切，在热等静压机中保持60℃热压6min，然后将膜带在1325℃下烧结3h，得到厚膜陶瓷BaSn0.20Ti0.80O3。
本发明采用日本日立公司生产的S-3400N(II)型扫描电子显微镜拍摄晶粒图片如图2中(d)，图2为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的SEM图。由图2中(d)可以看出：晶粒尺寸在30～40μm，比较致密。
本发明采用惠普的介温关系测试仪测试其介温关系如图3中(d)，图3为本发明实施例1～4制备的厚膜陶瓷的介温关系曲线图，由图3中(d)中可以看出，实施例4制备的厚膜陶瓷的介电常数最大值达到21137。
本发明采用美国RADIANTRT-66A标准铁电测试系统加12MV/m的电场，厚膜陶瓷的变温电致回线如图4中(d)所示；由图4中(d)可以得出：随着温度升高，极化强度变化明显，最大的极化强度达到8.6μC/cm2。
本发明理论计算绝热温变ΔT和熵变ΔS如图5中曲线d和图6中曲线d，由图5中曲线d可以得出：实施例4制备的厚膜陶瓷的绝热温变ΔT为0.85K；由图6中曲线d可以得出：实施例4制备的厚膜陶瓷的熵变ΔS为0.88J·kg-1·K-1。
实施例4制备的厚膜陶瓷的厚度为49μm，可以应用与多层陶瓷电容器的制备中。
由以上实施例可知，本发明提供了一种锡钛酸钡厚膜陶瓷，由以下方法制得：将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；将所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物；将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；将所述流延浆料流延，得到膜带；将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。本发明提供的锡钛酸钡厚膜陶瓷首先通过固相法合成锡钛酸钡，再通过采用特定粘结剂、塑化剂和分散剂制备流延浆料，通过流延法制得，该方法制得的厚膜陶瓷其具有较高的介电常数，另外还具有较高的击穿场强度；在理论计算中的绝热温变ΔT和熵变ΔS明显上升，说明其具有大的电卡效应。实验结果表明：锡钛酸钡厚膜陶瓷的介电常数为21000～34000；锡钛酸钡厚膜陶瓷在12MV/m的电场下的熵变ΔS，最大值达到2.02J·kg-1·K-1；锡钛酸钡厚膜陶瓷在12MV/m的电场下的绝热温变ΔT，最大值达到1.80K。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种锡钛酸钡厚膜陶瓷，由以下方法制得：
将SnO2、TiO2和BaCO3混合，依次进行球磨、烘干和烧结，得到烧结产物；
将所述烧结产物与部分粘结剂、部分分散剂混合，滚磨，得到预混物；
将所述预混物与剩余粘结剂、塑化剂、剩余分散剂、溶剂混合，滚磨，得到流延浆料，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；塑化剂选自邻苯二甲酸二丁酯和/或邻苯二甲酸二辛酯；分散剂为辛基酚聚氧乙烯醚；
将所述流延浆料流延，得到膜带；
将所述膜带烧结，得到锡钛酸钡厚膜陶瓷。
2.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为45～55μm。
3.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述流延浆料的粘度为4#蔡恩杯15～30s。
4.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述溶剂为乙醇和丁酮的混合物。
5.根据权利要求3所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的厚度为50μm。
6.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述膜带烧结的温度为1310～1350℃；所述膜带烧结的时间为2.5～3.5h。
7.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述SnO2、部分粘结剂和部分分散剂的质量比为1.5～6：1：1。
8.根据权利要求1所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述SnO2、剩余粘结剂、塑化剂和剩余分散剂的质量比为1.5～6：3～5：2～3：0.8～1.2。
9.根据权利要求5所述的锡钛酸钡厚膜陶瓷，其特征在于，所述锡钛酸钡厚膜陶瓷的具体组成为BaSn0.05Ti0.95O3、BaSn0.10Ti0.90O3、BaSn0.15Ti0.85O3或BaSn0.20Ti0.80O3。
10.一种权利要求1～9任意一项所述锡钛酸钡厚膜陶瓷在多层陶瓷电容器制备中的应用。
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