CN106914705B - 一种蓝膜切割工艺 - Google Patents

一种蓝膜切割工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN106914705B
CN106914705B CN201710049535.1A CN201710049535A CN106914705B CN 106914705 B CN106914705 B CN 106914705B CN 201710049535 A CN201710049535 A CN 201710049535A CN 106914705 B CN106914705 B CN 106914705B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
ring
cover body
blue
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710049535.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106914705A (zh
Inventor
奂微微
陈浪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Five Photoelectric Material Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Five Photoelectric Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Five Photoelectric Material Co Ltd filed Critical Suzhou Five Photoelectric Material Co Ltd
Priority to CN201710049535.1A priority Critical patent/CN106914705B/zh
Publication of CN106914705A publication Critical patent/CN106914705A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106914705B publication Critical patent/CN106914705B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/02—Polysilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/04—Antistatic

Abstract

本发明公开了一种蓝膜切割工艺。依次包括步骤：覆膜、激光切割、扩膜、转盘、检测和倒膜，覆膜使用的是蓝色静电膜，蓝色静电膜表面涂有防静电硅胶，该切割工艺中底膜选用蓝膜，选用该蓝膜的切割工艺无需解胶步骤，节约成本，生产效率也有所提高。

Description

一种蓝膜切割工艺
技术领域
本发明涉及一种光电技术领域滤光片等元件的加工，具体涉及蓝膜切割工艺。
背景技术
新型的激光切割属于非接触式加工，无应力，切边平直整齐，无损坏；不存在道具磨损问题，不会损伤滤色片结构；切割速度快，切割深度极易控制，可以在维持速度不变的条件下，加大输出功率来增加切割厚度。滤色片或滤光片在进行切割时需要覆有底膜，现有底膜为UV膜，UV膜在切割加工时需要进行解胶，工艺繁琐，生产效率较低，且不利于节约成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种蓝膜切割工艺，该切割工艺中底膜选用蓝膜，选用该蓝膜的切割工艺无需解胶步骤，节约成本，生产效率也有所提高。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种蓝膜切割工艺，包括步骤：
（1）在蓝色静电膜正面中部贴附至少一个中片，然后将第一晶圆环沿蓝色静电膜周缘贴于蓝色静电膜正面，形成片材组件；
（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；
（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜；
（4）转盘，将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，所述第二晶圆环小于第一晶圆环的尺寸；
（5）检验，将片材组件置于显微镜下检验；
（6）倒膜，用保护贴膜替换蓝色静电膜。
优选的，步骤（3）中扩膜时，扩膜温度恒定在40-50℃，扩膜结束后降温至室温。
优选的，步骤（4）中，转盘后的小片与小片之间的距离大于0.15mm。
优选的，步骤（4）中，转盘后的小片与小片之间的距离为0.15mm---0.175mm。
优选的，所述蓝色静电膜至少在正面涂有防静电硅胶。
优选的，所述防静电硅胶包括以下组份：有机硅粘接剂、丙烯酸类聚合物和抗静电微粒。
进一步优选的，按重量份数计，有机硅粘接剂100份，丙烯酸类聚合物20-30份，抗静电剂1-5份，进一步优选的，有机硅粘接剂为聚二甲基硅氧烷或聚二苯基硅氧烷和硅酸酯树脂的缩合物。抗静电微粒为聚噻吩类或金属类抗静电微粒，微粒尺寸优选为5nm-10μm。更进一步优选的，丙烯酸类聚合物由包含甲基丙烯酸甲酯单体和含羟基的单体作为必要单体形成的，且甲基丙烯酸甲酯单体重量占合成丙烯酸类聚合物所有单体重量的10-30%。
优选的，所涂有的防静电硅胶厚度为5-500μm。
优选的，步骤（3）中所用扩膜机结构为：
包括：
工作平台，所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座；
盖体，所述盖体相对所述扩膜基座开合设置，所述盖体包括盖本体和子盖体，所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔，子盖体相对所述扩膜基座设置，且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触；
子环和母环，子环设于扩膜基座上，母环设于子盖体上，且子环和母环接触时能够卡合在一起。
优选的，所述扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。
优选的，所述子盖体与所述盖本体之间沿周向设有若干导向柱，所述子盖体连有动力装置。
优选的，所述盖体铰接于工作平台，所述盖体还设有将盖体固于所述工作平台上的锁定机构。
优选的，所述扩膜基座、通孔基所述子盖体均为圆形。
在使用扩膜机扩膜时，步骤（3）包括步骤：
（3-1）在扩膜基座上放置子环，在子盖体上放置母环，然后将蓝色静电膜加热至40-50℃，恒温下置于扩膜基座上，蓝色静电膜正面朝上，且第一晶圆环置于工作平台上；进一步优选的温度为45℃；
（3-2）合上盖体，盖本体压住第一晶圆环，上升扩膜基座，此时扩膜基座抵住其上部的蓝色静电膜，使蓝色静电膜扩展，最终带动小片与小片之间的距离扩大；
（3-3）下降子盖体，使子盖体上的母环与子环接触并卡合；
（3-4）打开盖体，取下带有子环和母环的片材组件，冷却。 冷却至室温，能够进一步保证蓝色静电膜的稳定性，避免蓝色静电膜回缩，保证小片之间的间隙，同时也能够避免切割后的小片在转移过程中遗落，保证甚至提高粘接力。
本发明所达到的有益效果：
本发明的切割工艺较现有工艺提高了生产效率，节约了人工成本。本发明使用的蓝膜（即蓝色静电膜）不用担心曝光时间长短，覆膜后膜表面平整，无气泡、褶皱等，扩膜后间隙稳定，不会出现回缩，切割后倒膜不用解胶，避免了残胶的出现。即使有温度变化，放置时间超过12h，倒膜和转盘时也无胶转移脏污出现。
附图说明
图1是扩膜机的结构示意图；
图2是片材组件的结构示意图（切割后，扩膜前）；
图3是片材组件的结构示意图（扩膜后）；其中：
1. 第一晶圆环，2. 蓝膜，3. 片材，4. 水平基座，5. 旋转台，6. 工作平台，7. 扩膜基座，8. 盖体，81. 盖本体，82. 子盖体，83.铰链，84. 导向柱。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
一种蓝膜切割工艺，包括步骤：
（1）在蓝色静电膜正面中部贴附四个中片，然后将第一晶圆环沿蓝色静电膜周缘贴于蓝色静电膜正面，形成片材组件；蓝色静电膜表面涂有防静电硅胶；
（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；
（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜，扩膜温度恒定在45℃，扩膜结束后降温至室温；
（4）转盘，将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，第二晶圆环为8寸，第一晶圆环为10寸；
（5）检验，将片材组件置于显微镜下检验，具体是置于红光显微镜下检测
（6）倒膜，用保护贴膜替换蓝色静电膜，保护膜厚度小于蓝色静电膜厚度。
实施例2
如图1所示，一种扩膜机，包括：
工作平台，工作平台上具有能够相对该工作平台升降的扩膜基座；具体的，扩膜基座连有气缸等升降机构；
盖体，盖体相对扩膜基座开合设置，盖体包括盖本体和子盖体，盖本体具有相对扩膜基座开设的通孔，子盖体相对扩膜基座设置，且子盖体能穿过通孔与扩膜基座接触；具体的，子盖体与所述盖本体之间沿周向设有若干导向柱，子盖体连有动力装置，本实施例中该动力装置为升降气缸。
子环和母环，子环设于扩膜基座上，母环设于子盖体上，且子环和母环接触时能够卡合在一起。
在扩膜完成之前，子盖体是位于盖本体上方的，合上盖体时，子盖体是不与扩膜基座基待加工组件接触的，扩膜完成后，启动升降气缸，子盖体在导向柱配合下朝向待加工组件靠近，最终子盖体上的母环与扩膜基座上的子环卡合，然后打开盖体，取出加工组件，完成扩膜。
为了便于加工，扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。
开合式的盖体可以是这样的实现方式：盖体通过铰链铰接于工作平台，盖体还设有将盖体固于所述工作平台上的锁定机构。还可以利用升降装置带动盖体上下开合。
利用上述扩膜机进行蓝膜切割工艺，包括步骤：
（1）在蓝色静电膜正面中部贴附四个中片，然后将第一晶圆环沿蓝色静电膜周缘贴于蓝色静电膜正面，形成片材组件；
（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；如图2所示；
（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜；如图3所示。扩膜包括以下步骤：
（3-1）在扩膜基座上放置子环，在子盖体上放置母环，然后将蓝色静电膜加热至45℃，恒温下置于扩膜基座上，蓝色静电膜正面朝上，且第一晶圆环置于工作平台上；
（3-2）合上盖体，盖本体压住第一晶圆环，上升扩膜基座，此时扩膜基座抵住其上部的蓝色静电膜，使蓝色静电膜扩展，最终带动小片与小片之间的距离扩大；
（3-3）下降子盖体，使子盖体上的母环与子环接触并卡合；
（3-4）打开盖体，取下带有子环和母环的片材组件，冷却。 冷却至室温，能够进一步保证蓝色静电膜的稳定性，避免膜回缩，保证小片之间的间隙，同时也能够避免切割后的小片在转移过程中遗落，保证甚至提高粘接力。
扩膜后的小片与小片之间的距离为0.15mm---0.175mm。
（4）转盘，将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，所述第二晶圆环小于第一晶圆环的尺寸；
（5）检验，将片材组件置于显微镜下检验；
（6）倒膜，用保护贴膜替换蓝色静电膜。
本实施例中，蓝色静电膜表面涂有100μm的防静电硅胶。
该防静电硅胶包括以下组份：按重量分数计，有机硅粘接剂100份、丙烯酸类聚合物25份，抗静电微粒1.5份。
有机硅粘接剂为聚二甲基硅氧烷或聚二苯基硅氧烷和硅酸酯树脂的缩合物。抗静电微粒为聚噻吩类或金属类抗静电微粒，微粒尺寸为5nm-10μm。丙烯酸类聚合物由包含甲基丙烯酸甲酯单体和含羟基的单体作为必要单体形成的，且甲基丙烯酸甲酯单体重量占合成丙烯酸类聚合物所有单体重量的10-30%。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种蓝膜切割工艺，其特征在于，包括步骤：
（1）在蓝色静电膜正面中部贴附至少一个中片，然后将第一晶圆环沿蓝色静电膜周缘贴于蓝色静电膜正面，形成片材组件；
（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；
（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜；
（3-1）在扩膜基座上放置子环，在子盖体上放置母环，然后将蓝色静电膜加热至45℃，恒温下置于扩膜基座上，蓝色静电膜正面朝上，且第一晶圆环置于工作平台上；
（3-2）合上盖体，盖本体压住第一晶圆环，上升扩膜基座，此时扩膜基座抵住其上部的蓝色静电膜，使蓝色静电膜扩展，最终带动小片与小片之间的距离扩大；
（3-3）下降子盖体，使子盖体上的母环与子环接触并卡合；
（3-4）打开盖体，取下带有子环和母环的片材组件，冷却；冷却至室温，能够进一步保证蓝色静电膜的稳定性，避免膜回缩，保证小片之间的间隙，同时也能够避免切割后的小片在转移过程中遗落，保证甚至提高粘接力；
（4）转盘，将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，所述第二晶圆环小于第一晶圆环的尺寸；
（5）检验，将片材组件置于显微镜下检验；
（6）倒膜，用保护贴膜替换蓝色静电膜；
所述蓝色静电膜至少在正面涂有防静电硅胶；
所述防静电硅胶包括以下组份：有机硅粘接剂、丙烯酸类聚合物和抗静电微粒；
步骤（3）中扩膜时，扩膜温度恒定在40-50℃，扩膜结束后降温至室温；
蓝膜切割设备包括工作平台，所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座；盖体，所述盖体相对所述扩膜基座开合设置，所述盖体包括盖本体和子盖体，所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔，子盖体相对所述扩膜基座设置，且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触；子环和母环，子环设于扩膜基座上，母环设于子盖体上，且子环和母环接触时能够卡合在一起；所述扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。
2.根据权利要求1所述的一种蓝膜切割工艺，其特征在于，步骤（4）中，转盘后的小片与小片之间的距离大于0.15mm。
3.根据权利要求2所述的一种蓝膜切割工艺，其特征在于，步骤（4）中，转盘后的小片与小片之间的距离为0.15mm-0.175mm。
4.根据权利要求1所述的一种蓝膜切割工艺，其特征在于，所涂有的防静电硅胶厚度为5-500μm。
CN201710049535.1A 2017-01-23 2017-01-23 一种蓝膜切割工艺 Active CN106914705B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710049535.1A CN106914705B (zh) 2017-01-23 2017-01-23 一种蓝膜切割工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710049535.1A CN106914705B (zh) 2017-01-23 2017-01-23 一种蓝膜切割工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106914705A CN106914705A (zh) 2017-07-04
CN106914705B true CN106914705B (zh) 2019-12-31

Family

ID=59453805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710049535.1A Active CN106914705B (zh) 2017-01-23 2017-01-23 一种蓝膜切割工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106914705B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110957398B (zh) * 2018-09-26 2021-03-12 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种通过改进翻膜方式提高led芯片作业效率的方法
CN112397607A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 福建金石能源有限公司 一种硅基柔性电池及其模组的制作方法
CN111018334A (zh) * 2019-12-28 2020-04-17 深圳中科光子科技有限公司 一种荧光玻璃陶瓷的激光加工方法及激光加工装置
CN113299594B (zh) * 2021-05-25 2022-12-30 江西信芯半导体有限公司 Tvs芯片贴蓝膜后加工方法
CN113770557A (zh) * 2021-10-22 2021-12-10 无锡韦感半导体有限公司 一种去除激光切割晶圆静电方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202495466U (zh) * 2011-08-04 2012-10-17 厦门市弘瀚电子科技有限公司 一种全自动扩膜机
US8497189B1 (en) * 2012-01-24 2013-07-30 Disco Corporation Processing method for wafer
CN103545254A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103545253A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103586587A (zh) * 2013-10-18 2014-02-19 苏州斯尔特微电子有限公司 一种激光切割硅片的方法
CN103794683A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 陈荧荧 一种新的倒膜工艺

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030062346A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Asia Ic Mic-Process, Inc. Method of vacuum holes formation on carrier film of chemical mechanical polishing machine

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202495466U (zh) * 2011-08-04 2012-10-17 厦门市弘瀚电子科技有限公司 一种全自动扩膜机
US8497189B1 (en) * 2012-01-24 2013-07-30 Disco Corporation Processing method for wafer
CN103545254A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103545253A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103794683A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 陈荧荧 一种新的倒膜工艺
CN103586587A (zh) * 2013-10-18 2014-02-19 苏州斯尔特微电子有限公司 一种激光切割硅片的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106914705A (zh) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106914705B (zh) 一种蓝膜切割工艺
US9451708B2 (en) Vacuum thermal bonding apparatus
TW574538B (en) Compositions and processes for format flexible roll-to-roll manufacturing of electrophoretic displays
EP1989038B1 (en) Method for providing a polarizing layer on an optical element
TWI651554B (zh) 附黏著劑層的偏光板
KR101193308B1 (ko) 서포트플레이트의 첩부장치
US20090065152A1 (en) Adhesive chuck and substrate bonding apparatus
TW201509687A (zh) 積層體及其應用
CN105122427B (zh) 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法
KR101783290B1 (ko) 반도체 장치 제조용 가접착제, 그것을 사용한 접착성 지지체, 및 반도체 장치의 제조 방법
US20130168027A1 (en) Device for separating a substrate from a carrier substrate
KR101625730B1 (ko) 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법
KR101844805B1 (ko) 적층체 및 그 응용
CN207725004U (zh) 一种亚克力板覆膜装置
CN106249548A (zh) 基板干燥装置
KR20190063341A (ko) 임시접합필름 박리장치 및 방법
JP5359138B2 (ja) ラミネート装置及びラミネート方法
CN104730609B (zh) 一种偏光片及应用该偏光片的平板显示装置及其制备方法
JP2011233683A (ja) 基板貼合装置
JP2013105858A (ja) 支持部材、支持構造及び板状物の加工方法
CN109980044A (zh) 一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法
JP6213252B2 (ja) 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体
CN104155731B (zh) 一种plc芯片的粘接方法
WO2017221625A1 (ja) 接合体の製造方法、接続方法
CN212934583U (zh) 自动粘脱设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant