CN106898696A - 一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法 - Google Patents

一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106898696A
CN106898696A CN201611180952.1A CN201611180952A CN106898696A CN 106898696 A CN106898696 A CN 106898696A CN 201611180952 A CN201611180952 A CN 201611180952A CN 106898696 A CN106898696 A CN 106898696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pbx
film
polyolefin
porous membrane
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611180952.1A
Other languages
English (en)
Inventor
陆军建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan University of Humanities Science and Technology
Original Assignee
Hunan University of Humanities Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan University of Humanities Science and Technology filed Critical Hunan University of Humanities Science and Technology
Priority to CN201611180952.1A priority Critical patent/CN106898696A/zh
Publication of CN106898696A publication Critical patent/CN106898696A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Cell Separators (AREA)

Abstract

一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,属于有机光电材料的制备技术领域。将PbX2溶解于有机溶剂中,配置成溶液。将聚烯烃多孔膜浸泡到上述含PbX2的有机溶液中,静止一段时间,真空干燥后制备聚烯烃多孔膜/PbX2复合薄膜。将CH3NH3I溶解在有机溶剂中,配制成溶液。将制备的聚烯烃多孔膜/PbX2复合薄膜浸泡在含CH3NH3I的有机溶液中,静止,取出。将聚烯烃/CH3NH3PbX2I多孔薄膜在真空烘箱内,在一定的压力下进行退火处理。

Description

一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法
技术领域
本发明属于有机光电材料的制备领域。
背景技术
近期,基于CH3NH3PbI3的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的研发受到高度关注。在过去的五年里,钙钛矿太阳能电池的光电转化效率从3.8%飙升到20.1%。最近的研究表明,在相对湿度(RH)25%环境中,在57天后,有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜吸收会衰减到其原始值的一半。因此,提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的环境稳定性成为该领域研究的重点和热点问题之一。为了提高有机-无机杂化钙钛矿薄膜稳定性,其中的方法之一是将有机-无机杂化钙钛矿内部吸附的水分子脱吸附。例如,陈等课题组研究表明,采用化学气相传输法控制钙钛矿薄膜成分的纯度和形貌,所制备的钙钛矿薄膜太阳能电池环境稳定性显著提高,在高相对湿度40%环境中100天内无衰减。韩课题组采用碳纳米管薄膜作为保护层保护CH3NH3PbI3薄膜,光电转换效率(PCE)超过40天仍高达12.3%。提高CH3NH3PbI3材料稳定性的另外一种方法是在CH3NH3PbI3内掺杂溴原子,如所制备的(FAPbI3)0.85(MAPbBr)0.15在中等潮湿环境条件下钙钛矿薄膜的稳定性有明显改善。因此,探究如何提高有机-无机杂化钙钛矿薄膜稳定性的方法在钙钛矿光伏电器件中具有较好的潜在应用价值。
发明内容
本发明的目的在于一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法。
本发明的技术方案如下:
1)将PbX2溶解于有机溶剂中,配置成溶液,PbX2中的X代表卤素元素中的一种或者组合;
2)将聚烯烃多孔膜浸泡在上述PbX2的有机溶液中,静止;
3)将浸泡后的聚烯烃多孔膜真空干燥;
4)将CH3NH3I溶解在有机溶剂中,配制成溶液;
5)将干燥后的聚烯烃多孔薄膜浸泡在CH3NH3I溶液中,静止,取出;
6)将取出的上述薄膜放置在两块玻璃片之间,然后将夹有聚烯烃/CH3NH3PbX2I多孔薄膜的玻璃片放置在真空烘箱内,在一定的压力下进行退火处理;
7)将玻璃片打开,取出所制备的聚烯烃多孔膜为支架的有机-无机杂化钙钛矿复合薄膜。
本发明以溶液浸泡两步法制备了以聚烯烃多孔膜为支架的有机-无机杂化钙钛矿复合薄膜,该复合薄膜在一定的压力下进行退火处理,该薄膜的结晶度显著提高,薄膜的环境稳定性显著改善。一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法在钙钛矿太阳能电池器件中有较好的潜在应用价值。该方法工艺简单,操作简便,制备条件易控,易于工业化生产。
本发明所用的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、丁内酯、N-甲基吡咯烷酮、异丙醇、二甲基亚砜、过氧化二碳酸二异丙酯中的一种或者混合溶剂。
本发明所用的聚烯烃多孔膜为聚乙烯多孔薄膜、聚丙烯多孔薄膜、聚偏氟乙烯多孔薄膜中的一种或者组合。
本发明中的PbX2中的X代表碘、溴、氯原子中的一种或者组合。
本发明中复合钙钛矿薄膜的退火温度为100℃,压力为6-10kPa,时间为20-80min。
附图说明
图1为实施例1所制备的多孔聚丙烯基CH3NH3PbX2I复合薄膜SEM图;
图2为实施例1所制备的在不同的退火时间下制备的多孔聚丙烯基CH3NH3PbX2I复合薄膜XRD图。
具体实施方式
【例1】
称取0.80g碘化铅溶于5ml洁净的试剂瓶中,加入20ml N,N-二甲基甲酰胺混合均匀并充分溶解。将CH3NH3I溶解在异丙醇中配置10mg/ml的溶液。将聚乙烯多孔膜薄膜浸泡在碘化铅的N,N-二甲基甲酰胺溶液中10分钟,取出,将浸泡后的聚乙烯多孔膜在80℃下真空干燥5分钟。将干燥后的碘化铅/聚乙烯多孔膜复合薄膜浸泡在CH3NH3I的异丙醇溶液中5分钟,将复合薄膜取出后放置在两块玻璃片之间,然后将夹有聚乙烯/CH3NH3PbI3多孔复合薄膜的玻璃片放置在真空烘箱内,在6kPa的压力下,100℃退火处理40min。然后将玻璃片打开,取出所制备的聚乙烯多孔膜为支架的有机-无机杂化钙钛矿复合薄膜,试验图谱参见附图1和2。
【例2】
称取0.80g氯化铅溶于5ml洁净的试剂瓶中,加入20ml N,N-二甲基甲酰胺混合均匀并充分溶解。将CH3NH3I溶解在异丙醇中配置10mg/ml的溶液。将聚丙烯多孔膜薄膜浸泡在氯化铅的N,N-二甲基甲酰胺溶液中10分钟,取出,将浸泡后的聚丙烯多孔膜在80℃下真空干燥5分钟。将干燥后的碘化铅/聚丙烯多孔膜复合薄膜浸泡在CH3NH3I的异丙醇溶液中5分钟,将复合薄膜取出后放置在两块玻璃片之间,然后将夹有聚乙烯/CH3NH3PbI3多孔复合薄膜的玻璃片放置在真空烘箱内,在10kPa的压力下,100℃退火处理80min。然后将玻璃片打开,取出所制备的聚丙烯多孔膜为支架的有机-无机杂化钙钛矿复合薄膜。

Claims (5)

1.一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,其特征在于包括以下几个步骤:
1)将PbX2溶解于有机溶剂中,配置成溶液,PbX2中的X代表卤素元素中的一种或者组合;
2)将聚烯烃多孔膜浸泡在上述PbX2的有机溶液中,静止;
3)将浸泡后的聚烯烃多孔膜真空干燥;
4)将CH3NH3I溶解在有机溶剂中,配制成溶液;
5)将干燥后的聚烯烃多孔薄膜浸泡在CH3NH3I溶液中,静止,取出;
6)将取出的上述薄膜放置在两块玻璃片之间,然后将夹有聚烯烃/CH3NH3PbX2I多孔薄膜的玻璃片放置在真空烘箱内,在一定的压力下进行退火处理;
7)将玻璃片打开,取出所制备的聚烯烃多孔膜为支架的有机-无机杂化钙钛矿复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,其特征在于所用的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺,丁内酯,N-甲基吡咯烷酮,异丙醇,二甲基亚砜,过氧化二碳酸二异丙酯中的一种或者混合溶剂。
3.根据权利要求1所述的提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,其特征在于聚烯烃多孔膜为聚乙烯多孔薄膜,聚丙烯多孔薄膜,聚偏氟乙烯多孔薄膜中的一种或者组合。
4.根据权利要求1所述的提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,其特征在于PbX2中的X代表碘,溴,氯原子中的一种或者组合。
5.根据权利要求1所述的提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法,其特征在于聚烯烃/CH3NH3PbX2I多孔薄膜在一定的压力下进行退火处理。
CN201611180952.1A 2016-12-12 2016-12-12 一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法 Pending CN106898696A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611180952.1A CN106898696A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611180952.1A CN106898696A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106898696A true CN106898696A (zh) 2017-06-27

Family

ID=59198315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611180952.1A Pending CN106898696A (zh) 2016-12-12 2016-12-12 一种提高CH3NH3PbX2I薄膜环境稳定性的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106898696A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403610A (zh) * 2020-03-19 2020-07-10 武汉理工大学 高性能有机无机杂化钙钛矿光电材料及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403610A (zh) * 2020-03-19 2020-07-10 武汉理工大学 高性能有机无机杂化钙钛矿光电材料及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104250723B (zh) 一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法
Zhang et al. Nitrogen-doped graphene as a cathode material for dye-sensitized solar cells: effects of hydrothermal reaction and annealing on electrocatalytic performance
CN104022185B (zh) 一种钙钛矿膜及其制备与应用方法
CN105588860B (zh) 过渡金属氧化物表面异质外延金属有机框架壳层及其制备方法和用途
Cruickshank et al. Electrodeposition of ZnO nanostructures on molecular thin films
CN109004048A (zh) 一种铯铅溴无机钙钛矿量子点薄膜的制备方法及基于其的光伏器件
CN105925954B (zh) 一种半导体氮化碳薄膜的制备方法
Galstyan et al. Vertically aligned TiO2 nanotubes on plastic substrates for flexible solar cells
CN106981570A (zh) 一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用
CN105523580B (zh) 一种钙钛矿型化合物的制备方法
CN107620052A (zh) 一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法及基于其的光伏器件
CN106024929B (zh) 一种基于无铅变形钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法
CN109360895B (zh) 一种钙钛矿材料、制备方法及其太阳能电池器件
Zein El Abedin et al. Free‐standing aluminium nanowire architectures made in an ionic liquid
Xu et al. Controllable and large-scale fabrication of rectangular CuS network films for indium tin oxide-and Pt-free flexible dye-sensitized solar cells
Ji et al. Highly-ordered TiO2 nanotube arrays with double-walled and bamboo-type structures in dye-sensitized solar cells
CN107117831A (zh) 一种wo3纳米片阵列的制备方法
CN106992040B (zh) 一种pedot柔性透明电极的制备方法
CN110246917A (zh) 一种无机钙钛矿太阳能电池及制备方法
Lu et al. Efficient perovskite solar cells based on novel three-dimensional TiO 2 network architectures
CN111874941A (zh) CsPbBr3钙钛矿及其制备方法和器件
CN108258120A (zh) 一种廉价稳定的钙钛矿太阳能电池及驱动的光电催化装置
CN107154460A (zh) 一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
CN107381624A (zh) 一种基于化学气相沉积的超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇的制备方法
CN108539025A (zh) 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Lu Junjian

Document name: Notification of Acceptance of Patent Application

PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170627

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication