CN108539025A - 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108539025A
CN108539025A CN201810353697.9A CN201810353697A CN108539025A CN 108539025 A CN108539025 A CN 108539025A CN 201810353697 A CN201810353697 A CN 201810353697A CN 108539025 A CN108539025 A CN 108539025A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
thin film
perovskite thin
sno
dimension
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810353697.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108539025B (zh
Inventor
袁宁
袁宁一
蒋君
丁建宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu University
Original Assignee
Changzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou University filed Critical Changzhou University
Priority to CN201810353697.9A priority Critical patent/CN108539025B/zh
Publication of CN108539025A publication Critical patent/CN108539025A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108539025B publication Critical patent/CN108539025B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)

Abstract

本发明涉及太阳电池制造技术领域，尤其是一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法。其中钙钛矿薄膜是以高结晶度、竖直生长、多孔性二维氧化锡纳米片薄膜作为基底而制得的具有高取向性、厚度为400‑450nm的二维片状薄膜，其制备方法主要包括如下步骤：首先，清洗导电玻璃衬底，然后吹干；将导电玻璃衬底放入SnCl2的水溶液中反应，清洗吹干后得到SnO2纳米薄膜，然后通过两步法将钙钛矿薄膜沉积在SnO2纳米片薄膜上。本发明有机‑无机杂化钙钛矿薄膜结晶度高，受氧化钛基底形貌的限域影响其结晶具有垂直生长特性，具有高稳定性。

Description

一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备 方法
技术领域
本发明涉及太阳电池制造技术领域，尤其涉及一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法。
背景技术
自2009年首例有机-无机杂化钙钛矿太阳电池被报道以来，效率由最初的3.8％一路飙升到2017年的22.1％。甲基铵铅碘钙钛矿材料作为吸收层的具有理想的带隙(约为1.5eV)、低激子束缚能(约为35-75eV)、高吸收系数(大于104cm-1)、并且具有较长的电子空穴扩散长度，这些优点使其非常适合应用于太阳电池中。对于新型高效太阳电池而言，高质量的钙钛矿薄膜是实现钙钛矿太阳能电池高光电转换效率的关键，制备具有高取向性的二维杂化钙钛矿薄膜能够有效改善薄膜的电子传输，从而提高太阳电池的光电转换效率。
甲基铵铅碘是研究最为广泛的钙钛矿材料，通过溶液法制备得到的MAPbI3薄膜通常是多晶薄膜，因此晶粒的结晶性和晶界是其主要微观特征，并决定着钙钛矿薄膜的质量和最后器件的性能。MAPbI3的结晶质量对电荷传输的具有深刻的影响。目前的工艺都很难同时兼顾这两个方面，如反溶剂、退火和加入添加剂等工艺可以成功制备出高结晶性平整的大晶粒钙钛矿薄膜，但其薄膜中的晶粒的取向通常是无序的。因此迫切需要寻找一种能够在保留薄膜均匀性的基础上对MAPbI3钙钛矿薄膜的晶粒和晶界同时进行调控的方法，以期望得到具有高取向性的薄膜以接近单晶薄膜所具有的特性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法。
进一步的，所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜，利用SnO2基底作为框架诱导钙钛矿薄膜的定向生长，两步法成膜，得到结晶度高、具有高度取向性的二维杂化钙钛矿薄膜，使得立方相结构的钙钛矿形成二维的片状结构，致密且具有较好的堆叠取向，厚度为400-450nm。
进一步的，所述基底为80-100nm厚度的氧化锡纳米片薄膜。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜，是以高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2纳米片薄膜作为基底生长出的具有高取向性的厚度为400-450nm的二维片状薄膜。
其中SnO2纳米片薄膜的XRD图谱显示，衍射峰位置26.611°，33.893°和51.789°对应晶面为(110)，(101)及(211)晶面。
一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：将导电玻璃衬底洗净吹干；
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的导电玻璃衬底放入浓度为5～15mmol/L的SnCl2水溶液中，加压密闭环境下反应5～8h，反应温度为150～200℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品进行烘干处理，然后静置冷却至室温备用制得厚度为80～100nm的SnO2纳米片薄膜衬底，制得的SnO2纳米片薄膜的XRD图谱显示：出峰位置26.611°，33.893°和51.789°对应晶面为(110)，(101)及(211)晶面；(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步，将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。
进一步的，骤(1)中导电玻璃衬底是方块电阻为10～15欧姆且透过率为90％的FTO衬底/ITO衬底。步骤(1)中导电玻璃衬底的洗净吹干方法为：依次用乙醇，丙酮，异丙醇，乙醇清洗，然后用氮气吹干。
进一步的，步骤(2)中的SnCl2水溶液的浓度为11.25mmol/L，反应温度为180℃，反应时间为6h；所述步骤(2)中SnO2纳米片薄膜样品的烘干处理方法为：在100℃条件下烘干20min。
进一步的，步骤(3)中PbI2薄膜的制备方法是：在手套箱中，用旋涂仪将PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，制得PbI2薄膜。
更进一步的，旋涂仪转速为1200～1800rpm/min，所述PbI2的DMF溶液的浓度为450～462mg/mL，所制得的PbI2薄膜的厚度为280～350nm。
更进一步的，旋涂仪转速为1500rpm/min，所述PbI2的DMF溶液的浓度为462mg/mL；所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
进一步的，步骤(3)中CH3NH3I晶体的异丙醇溶液的浓度为8～10mg/mL。
进一步的，步骤(3)中CH3NH3I晶体的异丙醇溶液的浓度为10mg/mL，所述浸入时间为40s，所述退火处理方法是100℃退火30分钟。
本发明的有益效果是：1)本发明提供的由基底调控的高取向性生长的二维杂化钙钛矿薄膜，是以高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2纳米片薄膜作为基底生长出的具有高取向性的厚度为400-450nm的二维片状薄膜，其对钙钛矿太阳能电池的高光电转换效率具有关键作用；2)采用水浴法，在FTO衬底上生成高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2的薄膜；3)创造性的利用高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2薄膜作为框架，诱导定向生长层状钙钛矿薄膜，进而实现钙钛矿在衬底限域作用下结晶的垂直生长；4)本发明提供的以高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2薄膜作为衬底制备PbI2薄膜的方法更好的保证了PbI2薄膜的表面形貌具有较高的平整度和100％覆盖率；进一步的，通过向此PbI2薄膜引入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液，再进行退火处理制备二维杂化钙钛矿薄膜，保证了二维杂化钙钛矿薄膜生长的高度堆叠取向性，并使制得的钙钛矿薄膜具有较高结晶度及较高致密性，并具有更低的缺陷态密度；5)本发明提供的制备方法能够改善其钙钛矿薄膜载流子的传输特性，从而提高其应用于钙钛矿太阳电池吸收层的光电转换效率，提高电池性能；6)本发明所用原材料低廉易得，制备方法简单，能耗低。
附图说明
图1是本发明的一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法示意图。
图2是本发明的FTO玻璃基底上生成的SnO2薄膜衬底及二维杂化钙钛矿薄膜的结构示意图。
具体实施方式
现在结合具体实施例对本发明作进一步的说明。本发明所述附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本发明的基本步骤，因此其仅显示与本发明有关的构成。
(实施例1)
如图1所示，一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：选择方块电阻10Ω、透过率90％的FTO作为导电玻璃衬底材料，然后依次用乙醇、异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗20min，然后用N2吹干。
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的FTO基底放入浓度为5mmol/L的SnCl2的水溶液中，在加压密闭环境下反应5h，反应温度为150℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品于100℃条件下烘干处理20min，然后静置冷却至室温备用，制得厚度为80nm的SnO2纳米片薄膜衬底。
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。具体的：
首先，在手套箱中，用旋涂仪将浓度为450mg/mL的PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，进而得到厚度为280nm的PbI2薄膜。旋涂过程中设置旋涂仪转速为1200rpm/min，所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
然后，将制得的PbI2薄膜浸入到浓度为8mg/mL的CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入40s后取出，然后100℃退火30分钟，即可得到具有高度取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维杂化钙钛矿薄膜。
(实施例2)
一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：选择方块电阻12Ω、透过率90％的ITO作为导电玻璃衬底材料，然后依次用乙醇、异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗20min，然后用N2吹干。
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的ITO基底放入浓度为11.25mmol/L的SnCl2的水溶液中，在加压密闭环境下反应6h，反应温度为180℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品于100℃条件下烘干处理20min，然后静置冷却至室温备用，制得厚度为100nm的SnO2纳米片薄膜衬底。
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。具体的：
首先，在手套箱中，用旋涂仪将浓度为462mg/mL的PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，进而得到厚度为350nm的PbI2薄膜。旋涂过程中设置旋涂仪转速为1500rpm/min，所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
然后，将制得的PbI2薄膜浸入到浓度为10mg/mL的CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入40s后取出，然后100℃退火30分钟，即可得到具有高度取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维杂化钙钛矿薄膜。
(实施例3)
一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：选择方块电阻15Ω、透过率90％的FTO作为导电玻璃衬底材料，然后依次用乙醇、异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗20min，然后用N2吹干。
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的FTO基底放入浓度为15mmol/L的SnCl2的水溶液中，在加压密闭环境下反应8h，反应温度为200℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品于100℃条件下烘干处理20min，然后静置冷却至室温备用，制得厚度为90nm的SnO2纳米片薄膜衬底。
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。具体的：
首先，在手套箱中，用旋涂仪将浓度为458mg/mL的PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，进而得到厚度为300nm的PbI2薄膜。旋涂过程中设置旋涂仪转速为1800rpm/min，所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
然后，将制得的PbI2薄膜浸入到浓度为9mg/mL的CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入40s后取出，然后100℃退火30分钟，即可得到具有高度取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维杂化钙钛矿薄膜。
(对比实施例1)
一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：选择方块电阻15Ω、透过率90％的FTO作为导电玻璃衬底材料，然后依次用乙醇、异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗20min，然后用N2吹干。
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的FTO基底放入浓度为15mmol/L的SnCl2的水溶液中，在加压密闭环境下反应8h，反应温度为250℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品于100℃条件下烘干处理20min，然后静置冷却至室温备用，制得厚度为90nm的SnO2纳米片薄膜衬底。
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。具体的：
首先，在手套箱中，用旋涂仪将浓度为458mg/mL的PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，进而得到厚度为300nm的PbI2薄膜。旋涂过程中设置旋涂仪转速为1800rpm/min，所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
然后，将制得的PbI2薄膜浸入到浓度为9mg/mL的CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入40s后取出，然后100℃退火30分钟，即可得到具有高度取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维杂化钙钛矿薄膜。
本实施例，制备SnO2纳米片薄膜的温度较高，生成的SnO2薄膜表面形貌较差，在表面形貌较差的SnO2薄膜上，PbI2前驱液的浸润性差，不易渗透，钙钛矿晶粒变小，并且产生较多缺陷。
(对比实施例2)
一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)前处理：选择方块电阻15Ω、透过率90％的FTO作为导电玻璃衬底材料，然后依次用乙醇、异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗20min，然后用N2吹干。
(2)制备TiO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的FTO基底放入浓度为15mmol/L的TiCl2的水溶液中，在加压密闭环境下反应8h，反应温度为200℃，反应结束后，取出TiO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将TiO2纳米片薄膜样品于100℃条件下烘干处理20min，然后静置冷却至室温备用，制得厚度为90nm的TiO2纳米片薄膜衬底。
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在TiO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。具体的：
首先，在手套箱中，用旋涂仪将浓度为458mg/mL的PbI2的DMF溶液旋涂在TiO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的TiO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，进而得到厚度为300nm的PbI2薄膜。旋涂过程中设置旋涂仪转速为1800rpm/min，所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
然后，将制得的PbI2薄膜浸入到浓度为9mg/mL的CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入40s后取出，然后100℃退火30分钟，即可得到具有高度取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维杂化钙钛矿薄膜
基于TiO2结构的钙钛矿太阳能电池性能劣化明显，器件中的有机无机杂化钙钛矿材料容易发生分解，这类器件性能的不稳定性制约了其潜在的实用可能性。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (9)

1.一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜，其特征在于：所述钙钛矿薄膜是以高结晶度、竖直生长、多孔性二维SnO2纳米片薄膜作为基底生长出的具有高取向性的厚度为400-450nm的MAPbI3二维片状薄膜。
2.如权利要求1所述的一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
(1)前处理：将导电玻璃衬底洗净吹干；
(2)制备SnO2纳米片薄膜：将洗净吹干后的导电玻璃衬底放入浓度为5～15mmol/L的SnCl2水溶液中，加压密闭环境下反应5～8h，反应温度为150～200℃，反应结束后，取出SnO2纳米片薄膜样品，然后依次用去离子水和乙醇冲洗样品，并用N2吹干，经N2吹干后再将SnO2纳米片薄膜样品进行烘干处理，制得厚度为80～100nm的SnO2纳米片薄膜衬底，然后静置冷却至室温备用；
(3)两步法制备钙钛矿薄膜：第一步，在SnO2纳米片薄膜衬底上制备PbI2薄膜；第二步，将制得的PbI2薄膜浸入CH3NH3I晶体的异丙醇溶液中，浸入时间至少为40s，再经退火处理，制得钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求2所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中导电玻璃衬底是方块电阻为10～15欧姆且透过率为90％的FTO衬底/ITO衬底；所述步骤(1)中导电玻璃衬底的洗净吹干方法为：依次用乙醇，丙酮，异丙醇，乙醇清洗，然后用氮气吹干。
4.根据权利要求2所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的SnCl2水溶液的浓度为11.25mmol/L，所述反应温度为180℃，反应时间为6h；所述步骤(2)中SnO2纳米片薄膜样品的烘干处理方法为：在100℃条件下烘干20min。
5.根据权利要求2所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中PbI2薄膜的制备方法是：在手套箱中，用旋涂仪将PbI2的DMF溶液旋涂在SnO2纳米片薄膜上，然后将旋涂有PbI2的DMF溶液的SnO2纳米片薄膜经热台加热烘干去除其中的DMF溶剂，再将其冷却至室温，制得PbI2薄膜。
6.根据权利要求5所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述旋涂仪转速为1200～1800rpm/min，所述PbI2的DMF溶液的浓度为450～462mg/mL，所制得的PbI2薄膜的厚度为280～350nm。
7.根据权利要求5所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述旋涂仪转速为1500rpm/min，所述PbI2的DMF溶液的浓度为462mg/mL；所述热台温度为100℃，加热时间为10min。
8.根据权利要求2所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中CH3NH3I晶体的异丙醇溶液的浓度为8～10mg/mL。
9.根据权利要求2所述的由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中CH3NH3I晶体的异丙醇溶液的浓度为10mg/mL，所述浸入时间为40s，所述退火处理方法是100℃退火30分钟。
CN201810353697.9A 2018-04-19 2018-04-19 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法 Active CN108539025B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810353697.9A CN108539025B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810353697.9A CN108539025B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108539025A true CN108539025A (zh) 2018-09-14
CN108539025B CN108539025B (zh) 2022-03-25

Family

ID=63478555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810353697.9A Active CN108539025B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108539025B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110729403A (zh) * 2019-11-13 2020-01-24 山西大学 一种高质量有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及应用
GB2577492A (en) * 2018-09-24 2020-04-01 Oxford Photovoltaics Ltd Method of forming a crystalline or polycrystalline layer of an organic-inorganic metal halide perovskite
CN111200065A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 杭州纤纳光电科技有限公司 一种制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN111235635A (zh) * 2020-03-02 2020-06-05 广西大学 一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法
CN114023877A (zh) * 2021-11-03 2022-02-08 陕西科技大学 一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150005771A (ko) * 2013-07-04 2015-01-15 연세대학교 산학협력단 이산화티타늄 나노시트로 코팅된 이산화주석 나노입자, 이를 포함하는 염료감응형 태양전지 및 이의 제조방법
CN104576932A (zh) * 2015-01-19 2015-04-29 武汉大学 一种氧化锡电子传输层介观钙钛矿光伏电池及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150005771A (ko) * 2013-07-04 2015-01-15 연세대학교 산학협력단 이산화티타늄 나노시트로 코팅된 이산화주석 나노입자, 이를 포함하는 염료감응형 태양전지 및 이의 제조방법
CN104576932A (zh) * 2015-01-19 2015-04-29 武汉大学 一种氧化锡电子传输层介观钙钛矿光伏电池及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
班会涛: "《中国优秀硕士学位论文全文数据库》", 15 December 2016 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2577492A (en) * 2018-09-24 2020-04-01 Oxford Photovoltaics Ltd Method of forming a crystalline or polycrystalline layer of an organic-inorganic metal halide perovskite
WO2020065282A1 (en) 2018-09-24 2020-04-02 Oxford Photovoltaics Limited Method of forming a crystalline or polycrystalline layer of an organic-inorganic metal halide perovskite
GB2577492B (en) * 2018-09-24 2021-02-10 Oxford Photovoltaics Ltd Method of forming a crystalline or polycrystalline layer of an organic-inorganic metal halide perovskite
US11634440B2 (en) 2018-09-24 2023-04-25 Oxford Photovoltaics Limited Method of forming a crystalline or polycrystalline layer of an organic-inorganic metal halide perovskite
CN111200065A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 杭州纤纳光电科技有限公司 一种制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN111200065B (zh) * 2018-11-19 2022-09-02 杭州纤纳光电科技有限公司 一种制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN110729403A (zh) * 2019-11-13 2020-01-24 山西大学 一种高质量有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及应用
CN110729403B (zh) * 2019-11-13 2021-03-30 山西大学 一种高质量有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及应用
CN111235635A (zh) * 2020-03-02 2020-06-05 广西大学 一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法
CN114023877A (zh) * 2021-11-03 2022-02-08 陕西科技大学 一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法
CN114023877B (zh) * 2021-11-03 2023-07-11 陕西科技大学 一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108539025B (zh) 2022-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108539025A (zh) 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法
CN106384785B (zh) 一种锡掺杂甲基铵基碘化铅钙钛矿太阳能电池
CN109449295B (zh) 一种基于两步法印刷制备钙钛矿薄膜的方法
CN102181825B (zh) 籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法
CN106611819A (zh) 太阳能电池用钙钛矿薄膜的微纳结构界面诱导生长方法
CN106816535A (zh) 利用离子液体添加剂提高钙钛矿太阳能电池效率的方法
CN105932114A (zh) 基于水浴和后硒化制备太阳能电池吸收层薄膜的方法
CN109273601B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105810831B (zh) 一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用
CN112289932A (zh) 钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
CN102094191B (zh) 一种制备择优取向铜锡硫薄膜的方法
CN107460535A (zh) 原位生长单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜材料的制备方法
CN107093671A (zh) 单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法
CN114203848A (zh) 一种柔性硒化锑太阳电池及其制备方法
CN108281550B (zh) 基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN102503161A (zh) 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法
TW201234625A (en) Compound semiconductor thin-film solar cell and method for producing thereof
CN105322094A (zh) 一种用于钙钛矿型太阳电池的二氧化钛薄膜制备方法
CN109390470A (zh) 一种基于“热风法”制备的钙钛矿纳米薄膜及其制备方法与在太阳能电池中的应用
CN110808335B (zh) 一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用
CN112259620A (zh) 一种Sb2Se3薄膜太阳能电池及其制备方法
CN104465891A (zh) 一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法
CN106531845A (zh) 化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法
CN103400893A (zh) 一种制备铜锌锡硫光电薄膜的方法
Xia et al. Synthesis and properties of SnS thin films by chemical bath deposition

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20181019

Address after: No. 1, Wujin District, Wujin District, Changzhou, Jiangsu

Applicant after: Changzhou University

Applicant after: Jiangsu University

Address before: No. 1, Wujin District, Wujin District, Changzhou, Jiangsu

Applicant before: Changzhou University

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant