CN106898559A - 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法 - Google Patents

一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106898559A
CN106898559A CN201510958531.6A CN201510958531A CN106898559A CN 106898559 A CN106898559 A CN 106898559A CN 201510958531 A CN201510958531 A CN 201510958531A CN 106898559 A CN106898559 A CN 106898559A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film magazine
particle
wafer
gas
semiconductor crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510958531.6A
Other languages
English (en)
Inventor
赵而敬
曹孜
刘建涛
李宗峰
盛方毓
冯泉林
闫志瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
You Yan Semi Materials Co Ltd
Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
Original Assignee
You Yan Semi Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by You Yan Semi Materials Co Ltd filed Critical You Yan Semi Materials Co Ltd
Priority to CN201510958531.6A priority Critical patent/CN106898559A/zh
Publication of CN106898559A publication Critical patent/CN106898559A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0078—Testing material properties on manufactured objects
    • G01N33/0081—Containers; Packages; Bottles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。本发明可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒颗粒是否洁净，确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。

Description

一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法
技术领域
本发明涉及一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，属于硅片加工技术领域。
背景技术
近年来，半导体用硅片使用率越来越高，用量也越来越大，硅片的尺寸也逐渐增大，到12英寸，甚至是18英寸。但是半导体集成电路中使用的硅片集成度加大，线宽减小，对硅片质量的要求越来越严格。硅片的质量参数主要包括表面颗粒或者缺陷、表面金属含量、体内金属(FE)含量、少子寿命、扩散长度等参数，在生产加工硅片过程中，要严格对这些参数性能的监控和分析。
硅片表面的表面颗粒会影响集成电路中电学性能，颗粒过多硅片在后续加工外延，或者器件过程中，形成外延表面缺陷过多或器件失效、器件金属线的断裂、相邻金属线的短路，进而导致产品质量损失，造成产品成品率降低。这就需要严格控制硅片表面颗粒数量。
半导体晶圆厂硅片经过加工，清洗检测，颗粒数量满足要求，装入片盒，厂区传递或者出厂运输到外延厂家以及器件厂家。在运输和传递过程，要确保过程颗粒不会增加，这就要求晶圆片盒颗粒洁净度良好，以避免片盒带来的晶圆硅片的颗粒沾污。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，以快速、高效、批量性获得颗粒洁净度高的晶圆片盒。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：
一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：
(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；
(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；
(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
其中，所述待测片盒为半导体硅片运输或传递所用片盒。
所述气源供应的气体为压缩空气或者氮气。
所述气路上的部件均为洁净半导体用塑料管件。
本发明的优点在于：
本发明的半导体晶圆片盒颗粒检测方法可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒是否洁净，确保检测合格的硅片在片盒内的颗粒不会增加，从而确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。
附图说明
图1为半导体晶圆片盒颗粒检测方法所用装置的结构示意图。
具体实施方式
下面通过附图和具体实施方式对本发明做进一步说明，但并不意味着对本发明保护范围的限制。
如图1所示，本发明半导体晶圆片盒颗粒检测方法中，需要准备洁净的硅片2、待测试的半导体用晶圆片盒1、气路。气路包括气管3、颗粒过滤器4、开关5等，所涉及部件均为洁净半导体用塑料管件。具体过程为：
1、准备洁净的硅片2，数量3片，分别用颗粒测试仪测试硅片的表面颗粒，记录数据；
2、然后将硅片2分别装入晶圆片盒1内，硅片间隔放置，位于晶圆片盒两端各一片，中间一片，如附图1，然后在晶圆片盒的盒盖上留有小间隙；
3、将带有颗粒过滤器4的气管3放入晶圆盒盖的间隙内，注意不要接触硅片，打开气源开关5，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；关掉气源开关5，拿出气管，取出硅片，利用颗粒测试仪测试硅片2表面颗粒数目；
4、将硅片2表面颗粒数据进行前后对比，看颗粒有无增加，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
实施例
本实施例以可装25片的12inch硅晶圆片盒为例说明。
1、取12片12inch抛光硅片，4个晶圆片盒(前开式晶圆盒或晶圆运输盒(FOUP/FOSB))；
2、利用表面颗粒测试仪KLA Tencor SP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据前值；
3、将12片12inch抛光硅片分为四组，分别装入4个晶圆片盒(FOUP/FOSB)的两端和中间位置，将片盒盖子半盖，留有一定间隙，然后分别将气管放入四个晶圆片盒间隙中(注意不要接触硅片)，打开开关，每个吹气1min；
4、将12片12inch抛光硅片取出，再利用表面颗粒测试仪KLA Tencor SP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据后值；
5、将前后数据对比，如下：
6、增加值均小于3个，判定所测试半导体用晶圆盒洁净度满足要求。

Claims (4)

1.一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；
(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压为15～30psi，保持气源吹扫1min；
(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述待测片盒为半导体硅片运输或传递所用片盒。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述气源供应的气体为压缩空气或者氮气。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述气路上的部件均为洁净半导体用塑料管件。
CN201510958531.6A 2015-12-18 2015-12-18 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法 Pending CN106898559A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510958531.6A CN106898559A (zh) 2015-12-18 2015-12-18 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510958531.6A CN106898559A (zh) 2015-12-18 2015-12-18 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106898559A true CN106898559A (zh) 2017-06-27

Family

ID=59189742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510958531.6A Pending CN106898559A (zh) 2015-12-18 2015-12-18 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106898559A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108051347A (zh) * 2017-11-28 2018-05-18 上海超硅半导体有限公司 一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法
CN109904087A (zh) * 2019-01-14 2019-06-18 全球能源互联网研究院有限公司 一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置
CN111879542A (zh) * 2020-07-30 2020-11-03 徐州鑫晶半导体科技有限公司 清洗机清洗能力的检测方法和检测装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203134763U (zh) * 2013-01-22 2013-08-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 片盒晶圆实时检测装置
CN104713588A (zh) * 2015-03-20 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 一种监控电子显微镜真空腔体洁净度的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203134763U (zh) * 2013-01-22 2013-08-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 片盒晶圆实时检测装置
CN104713588A (zh) * 2015-03-20 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 一种监控电子显微镜真空腔体洁净度的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108051347A (zh) * 2017-11-28 2018-05-18 上海超硅半导体有限公司 一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法
CN109904087A (zh) * 2019-01-14 2019-06-18 全球能源互联网研究院有限公司 一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置
CN111879542A (zh) * 2020-07-30 2020-11-03 徐州鑫晶半导体科技有限公司 清洗机清洗能力的检测方法和检测装置
CN111879542B (zh) * 2020-07-30 2023-02-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 清洗机清洗能力的检测方法和检测装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106898559A (zh) 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法
CN112530822A (zh) 线性检测系统
KR101565091B1 (ko) 반도체 공정 오염감시용 웨이퍼 이송장치
CN110517946A (zh) SiC衬底的制造方法
US20070062561A1 (en) Method And Apparatus For Testing Particulate Contamination In Wafer Carriers
CN109935528A (zh) 一种硅片表面处理方法
US20130137196A1 (en) Method for monitoring devices in semiconductor process
CN111986984A (zh) 一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法
CN115602530A (zh) 碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法
CN104716069B (zh) 晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置
JP2005286102A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
CN111052330A (zh) 硅晶圆的评价方法及硅晶圆的制造方法
CN102403248A (zh) 硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法
TW202006813A (zh) 半導體晶圓的洗淨方法及使用該洗淨方法的半導體晶圓的製造方法
Case et al. Impact of FOUP environment on product yield in advanced technologies
TWI707144B (zh) 積體電路測試裝置的清潔方法
CN107492492A (zh) 退火设备工艺能力的监控方法
KR20130079745A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
KR101356400B1 (ko) 웨이퍼의 오염 방지 방법, 검사 방법 및 제조 방법
CN110514461A (zh) 一种化学机械研磨机台缺陷检测方法
JP7251517B2 (ja) エピタキシャル成長前処理条件の評価方法
CN104201093A (zh) 湿法清洗工艺设备颗粒监控方法
JP6771016B2 (ja) フィルム貼付によってｓｏｉの縁のｓｔｉｒを変更する方法
CN212693817U (zh) 一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置
Van Roijen et al. Optimizing Wet Clean operations in an established manufacturing environment

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170627