CN106898559A - 一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。本发明可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒颗粒是否洁净，确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，属于硅片加工技术领域。
背景技术
近年来，半导体用硅片使用率越来越高，用量也越来越大，硅片的尺寸也逐渐增大，到12英寸，甚至是18英寸。但是半导体集成电路中使用的硅片集成度加大，线宽减小，对硅片质量的要求越来越严格。硅片的质量参数主要包括表面颗粒或者缺陷、表面金属含量、体内金属(FE)含量、少子寿命、扩散长度等参数，在生产加工硅片过程中，要严格对这些参数性能的监控和分析。
硅片表面的表面颗粒会影响集成电路中电学性能，颗粒过多硅片在后续加工外延，或者器件过程中，形成外延表面缺陷过多或器件失效、器件金属线的断裂、相邻金属线的短路，进而导致产品质量损失，造成产品成品率降低。这就需要严格控制硅片表面颗粒数量。
半导体晶圆厂硅片经过加工，清洗检测，颗粒数量满足要求，装入片盒，厂区传递或者出厂运输到外延厂家以及器件厂家。在运输和传递过程，要确保过程颗粒不会增加，这就要求晶圆片盒颗粒洁净度良好，以避免片盒带来的晶圆硅片的颗粒沾污。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，以快速、高效、批量性获得颗粒洁净度高的晶圆片盒。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：
一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：
(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；
(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；
(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
其中，所述待测片盒为半导体硅片运输或传递所用片盒。
所述气源供应的气体为压缩空气或者氮气。
所述气路上的部件均为洁净半导体用塑料管件。
本发明的优点在于：
本发明的半导体晶圆片盒颗粒检测方法可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒是否洁净，确保检测合格的硅片在片盒内的颗粒不会增加，从而确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。
附图说明
图1为半导体晶圆片盒颗粒检测方法所用装置的结构示意图。
具体实施方式
下面通过附图和具体实施方式对本发明做进一步说明，但并不意味着对本发明保护范围的限制。
如图1所示，本发明半导体晶圆片盒颗粒检测方法中，需要准备洁净的硅片2、待测试的半导体用晶圆片盒1、气路。气路包括气管3、颗粒过滤器4、开关5等，所涉及部件均为洁净半导体用塑料管件。具体过程为：
1、准备洁净的硅片2，数量3片，分别用颗粒测试仪测试硅片的表面颗粒，记录数据；
2、然后将硅片2分别装入晶圆片盒1内，硅片间隔放置，位于晶圆片盒两端各一片，中间一片，如附图1，然后在晶圆片盒的盒盖上留有小间隙；
3、将带有颗粒过滤器4的气管3放入晶圆盒盖的间隙内，注意不要接触硅片，打开气源开关5，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；关掉气源开关5，拿出气管，取出硅片，利用颗粒测试仪测试硅片2表面颗粒数目；
4、将硅片2表面颗粒数据进行前后对比，看颗粒有无增加，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
实施例
本实施例以可装25片的12inch硅晶圆片盒为例说明。
1、取12片12inch抛光硅片，4个晶圆片盒(前开式晶圆盒或晶圆运输盒(FOUP/FOSB))；
2、利用表面颗粒测试仪KLA Tencor SP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据前值；
3、将12片12inch抛光硅片分为四组，分别装入4个晶圆片盒(FOUP/FOSB)的两端和中间位置，将片盒盖子半盖，留有一定间隙，然后分别将气管放入四个晶圆片盒间隙中(注意不要接触硅片)，打开开关，每个吹气1min；
4、将12片12inch抛光硅片取出，再利用表面颗粒测试仪KLA Tencor SP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据后值；
5、将前后数据对比，如下：
6、增加值均小于3个，判定所测试半导体用晶圆盒洁净度满足要求。
Claims (4)
1.一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；
(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压为15～30psi，保持气源吹扫1min；
(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述待测片盒为半导体硅片运输或传递所用片盒。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述气源供应的气体为压缩空气或者氮气。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，所述气路上的部件均为洁净半导体用塑料管件。
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