CN106876253A - 一种锐角金属图形剥离方法 - Google Patents
一种锐角金属图形剥离方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106876253A CN106876253A CN201710141637.6A CN201710141637A CN106876253A CN 106876253 A CN106876253 A CN 106876253A CN 201710141637 A CN201710141637 A CN 201710141637A CN 106876253 A CN106876253 A CN 106876253A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acute angle
- metallic pattern
- polyimide layer
- sharply angled
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体制作技术领域,具体涉及一种锐角金属图形剥离方法,包括以下步骤:S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干;S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶,采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置;S3、根据所述打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层,定义出锐角位置,锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠;S4、在所述锐角位置再次沉积金属;S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形。本发明在传统lift‑off工艺的基础上,进行二次金属沉积,由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠,区域较小,有利于湿法药水进入锐角处,便于光刻胶去除,更易于完成具有完整锐角的金属图形。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种锐角金属图形剥离方法。
背景技术
金属lift-off工艺由于剥离精度高、形貌好、控制容易,已广泛地应用于半导体制造业。整个lift-off工艺为:(1)在衬底上涂覆一层光刻胶,把掩膜版图案在衬底表面上准确对准,通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上,并通过显影把掩膜版图案复刻到光刻胶上,得到图形化衬底,如图1(a)所示;(2)采用金属蒸发、溅射或化学气相淀积薄膜工艺,在图形化衬底上沉积一层金属1,如图1(b)所示;(3)去除光刻胶,得到金属图形,如图1(c)所示。
在整个半导体工艺中,为了节约成本,提高效率,在去除光刻胶时,一般采用物理撕除(tape- peeling)结合湿法的方式快速去除光刻胶。在金属图形存在锐角时,湿法药水不易进入锐角区域,加之物理撕除的引入,极易造成金属图形的锐角缺损,如图4(a)所示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锐角金属图形剥离方法,该夹具可以很好地解决传统lift-off工艺极易造成金属图形缺损,无法得到具有完成锐角的金属图形的问题。
为达到上述要求,本发明采取的技术方案是:提供一种锐角金属图形剥离方法,包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤,还包括以下步骤:
S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干;
S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶,采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置;
S3、根据所述打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层,定义出锐角位置,锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠;
S4、在所述锐角位置再次沉积金属;
S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
(1)在传统lift-off工艺的基础上,进行二次金属沉积,由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠,区域较小,有利于湿法药水进入锐角处,便于光刻胶去除,更易于完成具有完整锐角的金属图形;
(2)聚酰亚胺作为锐角定义层,容易刻蚀出坡度较缓的表面图形,利于金属爬坡。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为lift-off工艺过程中形成的器件结构的剖视图;
图2为本发明方法的流程图;
图3为本发明工艺过程中形成的器件结构的剖视图;
图4(a)为lift-off工艺形成的具有缺损锐角的金属图形的俯视图;图4(b)为聚酰亚胺层打开位置的俯视图;图4(c)为具有完整锐角的金属图形的俯视图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本申请作进一步地详细说明。为简单起见,以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图2所示,本实施例提供一种锐角金属图形剥离方法,包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤,锐角缺损的金属图形如图4(a)所示;还包括以下步骤:
S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层2并烘干,作为锐角定义层,如图3(a)所示;
S2、在聚酰亚胺层2上涂覆光刻胶PR,采用光刻显影在光刻胶PR上定义出聚酰亚胺层2的打开位置,打开位置即图3(b)中光刻胶PR的缺口;
S3、根据打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层2,定义出锐角位置,锐角位置即图3(c)中聚酰亚胺层2的缺口,也为图4(b)中的虚线位置;锐角位置的一个自由端与锐角缺损的金属图形的一条边部分重叠,锐角位置的另一个自由端与锐角缺损的金属图形的另一条边部分重叠,如图3(c)和图4(b)所示,单边重叠的长度m不小于0.5μm;
S4、在锐角位置再次沉积金属3,且再次沉积的金属3单边长度n不超过10μm,如图3(d)和图4(c)所示;由于步骤S3中的部分重叠,能保证再次沉积的金属3与原缺损锐角金属1完全连接;
S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形,如图3(e)所示;
S6、在具有完整锐角的金属图形晶圆表面沉积SiO2或SiN,克服聚酰亚胺层2的吸水性。
当然,通过任意其他工艺制成的锐角缺损的金属图形,采用该方法制得具有完整锐角金属图形的情况,也落入本申请的保护范围。
以上实施例仅表示本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。
Claims (4)
1.一种锐角金属图形剥离方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干;
S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶,采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置;
S3、根据所述打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层,定义出锐角位置,锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠;
S4、在所述锐角位置再次沉积金属;
S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形。
2.根据权利要求1所述的锐角金属图形剥离方法,其特征在于,所述步骤S3中,锐角位置与锐角缺损的金属图形单边重叠长度不小于0.5μm。
3.根据权利要1或2所述的锐角金属图形剥离方法,其特征在于,所述步骤S4中再次沉积的金属单边长度不超过10μm。
4.根据权利要3所述的锐角金属图形剥离方法,其特征在于,所述步骤S5之后还包括步骤S6:在所述具有完整锐角金属图形晶圆表面沉积SiO2或SiN。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710141637.6A CN106876253B (zh) | 2017-03-10 | 2017-03-10 | 一种锐角金属图形剥离方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710141637.6A CN106876253B (zh) | 2017-03-10 | 2017-03-10 | 一种锐角金属图形剥离方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106876253A true CN106876253A (zh) | 2017-06-20 |
CN106876253B CN106876253B (zh) | 2019-06-04 |
Family
ID=59170101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710141637.6A Active CN106876253B (zh) | 2017-03-10 | 2017-03-10 | 一种锐角金属图形剥离方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106876253B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030001231A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Samir Chaudhry | Multi-layer inductor formed in a semiconductor substrate |
CN104022017A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法 |
US20160002778A1 (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with more uniform edge purge |
EP2983195A1 (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | EpiGan NV | Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure |
-
2017
- 2017-03-10 CN CN201710141637.6A patent/CN106876253B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030001231A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Samir Chaudhry | Multi-layer inductor formed in a semiconductor substrate |
CN104022017A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法 |
US20160002778A1 (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with more uniform edge purge |
EP2983195A1 (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | EpiGan NV | Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106876253B (zh) | 2019-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910010043B1 (ko) | 스페이서를 이용한 미세선폭 형성방법 | |
US11537016B2 (en) | Method of manufacturing array substrate, and array substrate | |
CN104576323B (zh) | 一种金属图形化结构及方法 | |
CN105931995B (zh) | 阵列基板及其制作方法 | |
CN102556950A (zh) | 一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法 | |
US8486608B2 (en) | Printing substrate for liquid crystal display, and manufacturing method thereof | |
CN102915911A (zh) | 一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法 | |
CN102117767A (zh) | 基于溶胶式全透明tft有源矩阵制造方法 | |
GB2312073A (en) | Method for manufacturing a liquid crystal display | |
WO2013143280A1 (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法 | |
CN103576445A (zh) | 作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法 | |
CN106876253A (zh) | 一种锐角金属图形剥离方法 | |
CN107086220A (zh) | 一种主动开关阵列基板及其制造方法、显示面板 | |
CN106653580B (zh) | 一种锐角金属图形制作方法 | |
US20150194660A1 (en) | 3d barrier substrate, manufacturing method thereof and display device | |
JP2010040693A (ja) | パターン形成方法 | |
CN103996604A (zh) | 一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法 | |
CN106783555B (zh) | 一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板 | |
CN110310921A (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
WO2021189608A1 (zh) | 显示器件及其制作方法 | |
CN106298643B (zh) | 一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法 | |
JPS60182134A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
CN103996602B (zh) | 一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法 | |
JPH0545514A (ja) | 多層干渉パターンの形成方法 | |
JPS59926A (ja) | アルミニウム膜の選択エツチング法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |