CN106856227A - 一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,通过采用纺织物或纸类材料作为柔性衬底,用简单成熟的成膜工艺在衬底上沉积电极层、量子点发光层和各种功能层,制备出柔性量子点发光二极管;为满足不同透气性和穿戴要求,进一步在制备的柔性量子点发光二极管上进行打孔,最终得到高柔韧性、透气、稳定、性能高效、可加工性强的可穿戴量子点发光二极管,该器件可以以任意方式沿任意方向和任意角度对其进行折叠,或以任意方式对其进行裁剪、分割或拼接,处理后的量子点发光二极管仍保持其独立完整的器件结构以及发光性能。因此,本发明提出的一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,有效解决了现有柔性QLED器件中对衬底要求高、结构脆弱、柔韧性差、发光效率低、透气性差、可穿戴性差、以及不利于大规模生产的问题。
Description
技术领域
本发明涉及量子点技术领域,尤其涉及一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode, QLED)是一种新兴的显示器件,其结构与有机发光二极管(Organic light-emitting diode, QLED)相似,主要由发光层、电极、以及各种功能层组装成三明治结构。与传统发光二极管以及OLED相比,QLED的主要特点是其发光材料采用性能更优异、材料更稳定的无机半导体量子点,其具有独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、表面效应等特点,使其展现出出色的物理性质,尤其是优异的光学性能,如发射光谱窄、光色纯度高、发光效率高、发光颜色可调、发光稳定性好等。此外,使用量子点组装成的QLED器件具有寿命长、色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等优点,有望成为下一代的平板显示器,具有广阔的发展前景。
目前主流的QLED器件采用固态的硬质材料作为基底,具有典型的平面结构,其优点是器件结构简单,制作方法简便,适用于大多数的组装工艺。此外,柔性电致发光器件作为柔性显示技术的重点研究方向,以其轻型便捷的视觉体验,成为人们对下一代显示技术的关注焦点,而且柔性电致发光器件将在电子报纸、可穿戴设备上具有巨大的应用前景。目前报道的柔性发光二极管大多采用超薄玻璃、金属箔片、透明聚合物(如PET、PES、PEN等)、或玻璃-聚合物复合材料等作为柔性衬底,但金属箔片质量大,不方便携带;超薄玻璃较脆、机械稳定性和柔韧性差;而聚合物材料虽然具有较好的机械稳定性和柔韧性,但其水氧透过率和热化学稳定性较差,且不能承受高温,因此目前报道的大部分柔性发光器件并不能很好地满足柔性便携且稳定的要求。此外,对于柔性可穿戴发光器件,器件的特点与材料的性质还需要同时满足透气、亲肤、柔韧性舒适、可穿戴等基本要求。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有的柔性QLED器件结构脆弱、发光效率低、柔韧性差、透气性差、可穿戴性差以及不利于大规模生产的问题。
本发明的技术方案如下:
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,依次包括柔性衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极,其中,所述柔性衬底为纺织物或纸类材料中的一种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述量子点发光二极管上设置有多个透气孔。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述透气孔的内表面涂覆有保护胶或封装胶。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述纺织物为纯纺织物、混纺织物、混并织物或交织织物中的一种或多种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述纸类材料为无尘纸、牛皮纸或卡纸中的一种或多种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述底电极的材料为导电碳、导电金属氧化物或金属浆料中的一种或多种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述空穴注入层的材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。
所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其中,所述电子传输层的材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:
A、将导电材料溶液沉积在纺织物或纸类材料上,烘干后形成至少一层底电极;
B、在底电极上沉积至少一层空穴注入层;
C、在空穴注入层上沉积至少一层空穴传输层;
D、在空穴传输层上沉积至少一层量子点发光层;
E、在量子点发光层上沉积至少一层电子传输层;
F、在电子传输层上沉积至少一层顶电极,得到柔性量子点发光二极管;
G、在所述柔性量子点发光二极管上打孔,得到柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
有益效果:本发明提供一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,通过采用纺织物或纸类材料作为柔性衬底,用简单成熟的成膜工艺在衬底上沉积电极层、量子点发光层和各种功能层,制备出柔性量子点发光二极管;为满足不同透气性和穿戴要求,进一步在制备的柔性量子点发光二极管上进行打孔,最终得到高柔韧性、透气、稳定、性能高效、可加工性强的可穿戴量子点发光二极管,该器件可以以任意方式沿任意方向和任意角度对其进行折叠,或以任意方式对其进行裁剪、分割或拼接,处理后的量子点发光二极管仍保持其独立完整的器件结构以及发光性能。因此,本发明提出的一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,有效解决了现有柔性QLED器件中对衬底要求高、结构脆弱、柔韧性差、发光效率低、透气性差、可穿戴性差、以及不利于大规模生产的问题。
附图说明
图1为本发明一种柔性透气性可穿戴量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明一种柔性透气性可穿戴量子点发光层二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1为本发明一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图,如图所示,本发明实施例以正型量子点发光二极管为例,从下至上依次包括柔性衬底10、底电极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60以及顶电极70,其中,所述柔性衬底10为纺织物或纸类材料中的一种。
具体地,为了制备出具有较强柔韧性以及稳定性的量子点发光二极管,本发明将纺织物或纸类材料中的一种作为衬底;较佳地,所述纺织物为纯纺织物、混纺织物、混并织物或交织织物中的一种或多种,进一步,所述纺织物包括但不限于棉织物、毛织物、丝织物、涤纶织物、尼龙、尼富纺、丝绸、不织布等材料。
更进一步,所述纸类材料为各种类型的纸制品,包括但不限于无尘纸、牛皮纸、卡纸中的一种或多种;采用所述纺织物或纸类材料作为柔性衬底,再用简单成熟的成膜工艺在所述柔性衬底上沉积电极层、量子点发光层和各种功能层后,即可制备出大面积柔性量子点发光二极管。
进一步,为满足柔性量子点发光二极管的透气性和可穿戴要求,可在制备的大面积柔性量子点发光二极管上进行打孔,也就是说,可在量子点发光二极管上设置多个透气孔,所述透气孔可设置成任意形状,且透气孔的排列方式可为有序结构或无序结构;较佳地,所述透气孔可设置为圆形,孔径为5~100mm(例如20mm),且所述透气孔有序排列;通过该方法可制得高柔韧性、透气、稳定、性能高效、可加工性强的可穿戴量子点发光二极管;
更进一步,本发明制备的柔性透气可穿戴量子点发光二极管还可以以任意方式沿任意方向和任意角度进行折叠,或以任意方式对其进行裁剪、分割或拼接,且处理后的量子点发光二极管仍保持其独立完整的器件结构以及较好的发光性能。
进一步,由于所述量子点发光二极管在打孔后会暴露出各层断面,本发明通过在所述透气孔的内表面涂覆保护胶或封装胶,以保护量子点发光二极管中打孔后暴露出的各层断面。
进一步,在本发明中,所述底电极和顶电极的材料均为导电碳、导电金属氧化物或金属浆料中的一种或多种;具体地,所述导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管溶液、掺杂或非掺杂石墨烯溶液、掺杂或非掺杂氧化石墨烯溶液、C60溶液、石墨溶液、碳纤维溶液、多孔碳溶液、以及它们的混合物;所述导电金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)溶胶、氟掺杂氧化锡(FTO)溶胶、锑掺杂氧化锡(ATO)溶胶、铝掺杂氧化锌(AZO)溶胶、以及它们的混合物;所述金属浆料包括但不限于银浆、金浆、铝浆、铜浆、以及它们的混合物,其中所述的金属浆料中,所包含的金属颗粒形态包括但不限于纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、以及它们的混合物;优选地,所述的底电极材料为碳纳米管溶液、石墨烯溶液、纳米银线溶液。
进一步,在本发明中,所述空穴注入层的材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种;其中,所述的过渡金属氧化物包括但不限于掺杂或非掺的MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO、或它们的混合物;所述的金属硫系化合物包括但不限于掺杂或非掺杂的MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS、或它们的混合物。
进一步,在本发明中,所述空穴传输层材料可选自具有空穴传输能力的有机材料,包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物;
所述的空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的掺杂或非掺杂无机材料,包括但不限于掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3、CuO、或它们的混合物。
进一步,在本发明中,所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地,所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶,比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物;III-V族半导体的纳米晶,比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物;所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。
进一步,在本发明中,所述电子传输层的材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种;优选地,所述电子传输层为LiF、ZnO。
基于上述柔性透气可穿戴量子点发光二极管,本发明还提供一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管的制备方法,其中,如图2所示,包括步骤:
S1、将导电材料溶液沉积在纺织物或纸类材料上,烘干后形成至少一层底电极;
S2、在底电极上沉积至少一层空穴注入层;
S3、在空穴注入层上沉积至少一层空穴传输层;
S4、在空穴传输层上沉积至少一层量子点发光层;
S5、在量子点发光层上沉积至少一层电子传输层;
S6、在电子传输层上沉积至少一层顶电极,得到柔性量子点发光二极管;
S7、在所述柔性量子点发光二极管上打孔,得到柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
具体地,在所述步骤S1中,所述导电材料溶液的浓度为0.01~80 wt%;烘干温度为20~200 °C,并且所述导电材料溶液在纺织物或纸类材料上的沉积方法可以是化学法或物理法,其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种;优选地,由于衬底为多孔疏松的纺织物或纸类材料,所述的导电材料溶液在其上的沉积方法优选为浸渍提拉法、印刷法、打印法中的一种或多种。
进一步,当采用浸渍提拉法沉积导电材料溶液时,其具体过程如下:先将碳纳米管溶解在溶剂中,得到碳纳米管溶液,接着将纺织物或纸类材料浸泡在所述的碳纳米管溶液中,然后取出烘干,得到在纺织物或纸类衬底上和/或内部沉积有碳纳米管的导电层。其中,所述的碳纳米管为掺杂或非掺杂、活化或非活化、改性或非改性的碳纳米管;所述的溶剂为水、和/或有机溶剂,包括但不限于去离子水、醇类溶剂、醚类溶剂、酮类溶剂、酯类溶剂、烷烃类溶剂、芳香类溶剂、酰胺类溶剂、以及它们的混合物;所述的碳纳米管溶液的浓度为0.01~80 wt%;所述的浸泡时间为0.5~300 s,其中,浸泡次数可根据材料所需膜厚确定,具体地,浸泡次数为1~200;所述的烘干温度为20~200 °C。优选地,所述碳纳米溶液的浓度为40wt%,所述的浸泡时间为150 s,浸泡次数为30,所述的烘干温度为100°C;在该条件下可制得柔韧性强、电化学活性高的柔性衬底。
进一步,为了底电极的导电性或电化学活性,在纺织物或纸类材料上和/或内部沉积导电电极层后,还可进一步采用金属或金属氧化物对该导电层进行修饰。
进一步,在本发明步骤S2-S7中,所述各层的沉积方法可以是其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种;优选地,所用的沉积方法为印刷法、喷墨法、打印法、浸渍提拉法中的一种或多种。
进一步,在所述步骤S7中,用针或打孔机在所述柔性量子点发光二极管上打孔,所述针的直径为10-7~5 mm,所述打孔机的孔尺寸为5~100 mm。
下面通过具体实施例对本发明方案做进一步的讲解:
实施例1
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其制备方法如下:
步骤一、将一张洁净的无尘纸浸泡在1 wt%的碳纳米管(CNT)水分散液中,浸泡1 min后取出,然后于80 °C中烘干;重复此步骤5次,得到沉积有碳纳米管的无尘纸,其面电阻为0.75 Ω/□;
步骤二、采用印刷方法在上述沉积有碳纳米管的无尘纸上打印一层PEDOT:PSS层;
步骤三、采用印刷方法在上述PEDOT:PSS层上打印一层TFB层;
步骤四、采用印刷方法在上述TFB层上打印一层CdSe/ZnS量子点发光层;
步骤五、采用印刷方法在CdSe/ZnS量子点发光层上打印一层LiF层;
步骤六、采用印刷方法在LiF层上打印一层Ag纳米线导电层,得到以无尘纸为衬底的柔性量子点发光二极管;
步骤七、用孔径为5 mm的圆形打孔机在得到的柔性量子点发光二极管上打孔,得到以无尘纸为衬底的柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
实施例2
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其制备方法如下:
步骤一、将一张洁净的无尘纸浸泡在2 wt%的石墨烯的乙醇分散液中,浸泡30 s后取出,然后于80 °C中烘干;重复此步骤5次,得到沉积有石墨烯的无尘纸,其面电阻为0.5 Ω/□;
步骤二、采用印刷方法在上述沉积有石墨烯的无尘纸上打印一层PEDOT:PSS层;
步骤三、采用印刷方法在上述PEDOT:PSS层上打印一层PVK层;
步骤四、采用印刷方法在上述PVK层上打印一层CdSe/ZnS量子点发光层;
步骤五、采用印刷方法在CdSe/ZnS量子点发光层上打印一层LiF层;
步骤六、采用印刷方法在LiF层上打印一层Ag纳米线导电层,得到以无尘纸为衬底的柔性量子点发光二极管;
步骤七、用孔径为5 mm的圆形打孔机在得到的柔性量子点发光二极管上打孔,得到以无尘纸为衬底的柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
实施例3
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其制备方法如下:
步骤一、将一张洁净的尼龙布浸泡在2 wt%的碳纳米管(CNT)水分散液中,浸泡30 s后取出,然后于50 °C中烘干;重复此步骤12次,得到沉积有碳纳米管的无尘纸,其面电阻为0.9 Ω/□;
步骤二、采用印刷方法在上述沉积有碳纳米管的尼龙布上打印一层PEDOT:PSS层;
步骤三、接着,采用印刷方法在上述PEDOT:PSS层上打印一层PVK层;
步骤四、然后,采用印刷方法在上述PVK层上打印一层CdSe/ZnS量子点发光层;
步骤五、然后,采用印刷方法在CdSe/ZnS量子点发光层上打印一层LiF层;
步骤六、最后,采用印刷方法在LiF层上打印一层Ag纳米线导电层,得到以尼龙布为衬底的柔性量子点发光二极管;
步骤七、用孔径为10 mm的方形打孔机在得到的柔性量子点发光二极管上打孔,得到以尼龙布为衬底的柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
实施例4
一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其制备方法如下:
步骤一、将一张洁净的不织布浸泡在10 wt%的碳纤维水分散液中,浸泡30 s后取出,然后于50 °C中烘干;重复此步骤8次,得到沉积有碳纤维的无尘纸,其面电阻为0.6 Ω/□;
步骤二、采用印刷方法在上述沉积有碳纤维的不织布上打印一层PEDOT:PSS层;
步骤三、接着,采用印刷方法在上述PEDOT:PSS层上打印一层TFB层;
步骤四、然后,采用印刷方法在上述TFB层上打印一层CdSe/ZnS量子点发光层;
步骤五、然后,采用印刷方法在CdSe/ZnS量子点发光层上打印一层LiF层;
步骤六、最后,采用印刷方法在LiF层上打印一层Ag纳米线导电层,得到以不织布为衬底的柔性量子点发光二极管;
步骤七、用孔径为5 mm的方形打孔机在得到的柔性量子点发光二极管上打孔,得到以不织布为衬底的柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
综上所述,本发明提供一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,通过采用纺织物或纸类材料作为柔性衬底,用简单成熟的成膜工艺在衬底上沉积电极层、量子点发光层和各种功能层,制备出柔性量子点发光二极管;为满足不同透气性和穿戴要求,进一步在制备的柔性量子点发光二极管上进行打孔,最终得到高柔韧性、透气、稳定、性能高效、可加工性强的可穿戴量子点发光二极管,该器件可以以任意方式沿任意方向和任意角度对其进行折叠,或以任意方式对其进行裁剪、分割或拼接,处理后的量子点发光二极管仍保持其独立完整的器件结构以及发光性能。因此,本发明提出的一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管及其制备方法,有效解决了现有柔性QLED器件中对衬底要求高、结构脆弱、柔韧性差、发光效率低、透气性差、可穿戴性差、以及不利于大规模生产的问题。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管,依次包括柔性衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极,其特征在于,所述柔性衬底为纺织物或纸类材料中的一种。
2.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光二极管上设置有多个透气孔。
3.根据权利要求2所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述透气孔的内表面涂覆有保护胶或封装胶。
4.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述纺织物为纯纺织物、混纺织物、混并织物或交织织物中的一种或多种。
5.据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述纸类材料为无尘纸、牛皮纸或卡纸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述底电极的材料为导电碳、导电金属氧化物或金属浆料中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述空穴注入层的材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的柔性透气可穿戴量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层的材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。
10.一种柔性透气可穿戴量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:
A、将导电材料溶液沉积在纺织物或纸类材料上,烘干后形成至少一层底电极;
B、在底电极上沉积至少一层空穴注入层;
C、在空穴注入层上沉积至少一层空穴传输层;
D、在空穴传输层上沉积至少一层量子点发光层;
E、在量子点发光层上沉积至少一层电子传输层;
F、在电子传输层上沉积至少一层顶电极,得到柔性量子点发光二极管;
G、在所述柔性量子点发光二极管上打孔,得到柔性透气可穿戴量子点发光二极管。
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