CN1068157A - 钽酸锂单晶的无金极化工艺 - Google Patents

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张世贵
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Abstract

一种LT单晶无金极化工艺。将LT单晶原棒 退火后,置于坩埚中心,在LT单晶Z面方向左右立 二根接线电极,晶体及电极四周用一定细度LT单、 多晶细砂填充、捣实。升温、极化、降温冷却。该工艺 节约贵重金属降低成本。简化极化工艺,提高产品质 量,具有明显的经济、社会效益。

Description

本发明涉及压电材料钽酸锂(简称LT)单晶的单畴化处理技术,当LT单晶在拉成以后,通常都要进行极化处理,使LT单晶单畴化,才能进行加工制件。从钽酸锂晶体极化条件研究(山东大学学报1985年一期);津屋、电子材料(日),12,1(1973)121等四篇文献报道:目前LT晶体极化多采用黄金被电极极化法、铂金制被电极极化法、银被电极极化法。这三个极化工艺大致流程如下,LT晶体退火→Z面磨毛→涂敷金浆或银浆(或电子溅射铂金)即被电极→予烧→检查电极→清洗→装炉→升温、极化→降温→极化效果检查→细磨→抛光。
图1为当前被电极予烧装置结构示意图,其中(1)LT晶体,(2)金浆(或铂金、银浆)涂层(被敷电极),(3)磨平打毛Z面,(4)氧化铝予烧炉,
图2为当前LT晶体极化装置结构示意图。其中(1)LT晶体,(2)被敷电极,(4)氧化铝极化炉,(5)氧化铝垫块,(6)电极,(7)氧化铝压块,(8)电源引线。
安装后接线升温,用约100°/h速率升温,约8小时左右,极化恒温约1小时,降温约3小时,从极化温度降至室温。
现有极化工艺存在问题是:须在LT晶体Z面表面磨平磨毛,被贵重金属电极后,在极化过程中,有金属离子渗入,污染晶体,造成色芯,影响晶体的透明度和光学性能;极化工艺复杂,必须磨平晶体Z面,劳动强度大,晶体磨损严重;应用贵重金属被电极,成本高,极化成品率低,可靠性差,因贵重金属被敷不好,极化不上,影响产品质量,所以国内外同行都正视上述存在问题。
本发明的目的是:节约贵重金属,简化极化工艺,杜绝金属离子进入晶体,提高产品质量,降低成本。
无金极化工艺的技术方案是:将拉制成的原装棒形钽酸锂单晶退火后置于氧化铝陶瓷钳锅中心,在LT单晶Z面方向左右各立一根接线电极,LT晶体及电极四周用一定细度LT单、多晶细砂填充、捣实。
电极高度要大于或等于被极化LT单晶棒高度,电极和晶体Z面之间选择一定合适距离。
极化直流电压与电极和晶体Z面间距离有关,要求直流电压可调范围大。
无金极化新工艺的升、降温、极化、温度控制与现有工艺基本相同。
应用无金极化工艺时,由于单晶棒与电极之间有一层LT单、多晶砂、故接触电阻很大,所以在极化时,需提高直流电压,因每次装炉时,电极与Z面距离不可能保持一致,故每次所加电压幅度变化较大。
图3为LT单晶无金极化装置府视结构示意图。
图4为LT单晶无金极化装置侧视剖视图。
实施例:LT单晶规格φ43mm×58mm,将原装圆棒形LT单晶置于氧化铝钳锅中,在单晶Z面左右方向选择好合适距离,立二根接线电极,电极高于单晶棒,四周用LT单、多晶细砂充填、捣实。选好,直流电压,图3中,(1)LT单晶,(4)氧化铝陶瓷钳锅,(6)电极,(9)LT单、多晶细砂;图4中,(1)LT单晶,(4)氧化铝陶瓷钳锅,(6)电极,(9)LT单、多晶细砂。其升、降温、极化温度控制,与现有工艺基本一样。
接通电源、升温60-100%/h,7小时后达650-720℃,恒温约30分钟,加极化电流1.2-2.5mA,再恒温15分钟,降温60-100℃/h,,降至450℃,去掉极化电流。降至400℃关炉,自然冷却至室温。
应用该工艺已将300公斤LT单晶无金极化,节约铂金154g,价值1.38万元,每公斤LT单晶极化成本降低56.2元,其产品质量经上海硅酸盐所、中科院声学研究所、物理所测试,均匀性好。据航天部25所、浙江德清电子器件厂、青岛电子元件厂、南阳晶体管厂、上海广播器材厂等用户反映良好。
该工艺的实施,节约贵重金属,简化工艺,提高LT单晶极化质量,具有明显的经济、社会效益。

Claims (3)

1、一种钽酸锂单晶(LT单晶)无金极化工艺,本发明的特征是:将拉制成的原装圆棒形LT单晶退火后置于氧化铝钳锅中心,在LT单晶Z面方向左右立二根接线电极,单晶体及电极四周用一定细度的LT单晶、多晶细砂填充、捣实。
2、根据权利要求1所述的LT单晶无金极化工艺,其特征是:电极高度要大于或等于极化LT单晶棒高度,电极和Z面之间应选择一定的合适距离。
3、根据权利要求1或2所述的LT单晶无金极化工艺,其特征是:极化直流电压与电极和Z面间距离有关,要求直流电压可调范围大。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104946879A (zh) * 2015-05-21 2015-09-30 西安工业大学 一种控制铁电晶体电畴的方法和装置
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