CN106784406A - 一种oled器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：a.提供基板，在基板上依次制备阳极和缓冲层；b.将制备了阳极和缓冲层的基板进行酸处理；c.将所述基板烘干，在缓冲层上制备液态发光层；d.提供盖板，在盖板上依次制备阴极和电子传输层；e.将制备了阴极和电子传输层的盖板进行酸处理；f.将所述盖板和所述基板压合，得到OLED器件。在本发明中，使用酸对所述基板和盖板进行处理，使其表面附上H+，在基板和盖板压合后，使液态发光层与基板和盖板连接更有效，提供了载流子传输通道。提高了电子空穴的复合几率，使器件性能得到稳定的提高，加强发光效率。
Description
技术领域
本发明属于电子发光器件领域，涉及一种OLED器件的制备方法。
背景技术
在目前的照明和显示领域中，由于有机发光二极管(OLED)具有低启动电压、轻薄、自发光等特点，受到越来越多的关注，被广泛研究应用于开发照明产品及面板行业中。
柔性OLED显示是一个主要的研究方向，但是目前制备柔性器件主要的问题在于基板弯折后，膜层之间的结构容易受到应力的影响，导致分子链断裂，性能发生衰减。因此，有研究引入液态发光层，液态发光材料由于其是液态或半固态状态，可以用于制备柔性器件，其分子间的连接不会受弯曲的影响。然而，虽然液态发光层结构简单，但是由于液态发光层需要与基板以及盖板进行压合，这种物理结合方式，会导致有机层之间的结合能力下降，使膜层之间的连接下降。
因此，有必要研究一种方法，提高膜层之间的结合能力。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
a.提供基板，在基板上依次制备阳极和缓冲层；
b.将制备了阳极和缓冲层的基板进行酸处理；
c.将所述基板烘干，在缓冲层上制备液态发光层；
d.提供盖板，在盖板上依次制备阴极和电子传输层；
e.将制备了阴极和电子传输层的盖板进行酸处理；
f.将所述盖板和所述基板压合，得到OLED器件。
根据本发明的优选实施方式，所述基板和盖板的酸处理条件相同，所述酸处理使用的酸为稀酸，酸的质量分数为5％-30％，例如盐酸、硫酸、醋酸和硝酸中的一种或多种。酸处理过程为将所述基板放在酸溶液中进行浸泡。优选地，在所述酸处理过程中对溶液进行加热，以加快附着速度。优选地，所述酸处理温度为25℃-40℃，酸处理时间为4-12h。
本发明中，阳极材料选用常用的材料，如银、金或氧化铟锡化合物等。
根据本发明的优选实施方式，所述步骤b中，缓冲层的制备采用旋涂、喷墨或涂布的方式，制备缓冲层后进行烘烤，再进行酸处理。
根据本发明的优选实施方式，所述缓冲层材料为掺杂或改性的PEDOT:PSS，PEDOT为聚3,4-二氧乙基噻吩，PSS为聚苯磺酸盐。
根据本发明的优选实施方式，所述液态发光层材料为磷光分子的同系物。
根据本发明的优选实施方式，所述步骤c中，为了防止发光层的流动，在液态发光层之后还包括制备间隔层的步骤。所述间隔层材料选用适合蒸镀的金属材料，例如银、镁和金中的一种或多种。
根据本发明的优选实施方式，所述电子传输层材料为二氧化钛，电子传输层厚度为5-15μm。
本发明提供的方法中，使用酸对所述基板制备缓冲层以后进行处理，在所述基板表面附着上一层H+，之后制备液态发光层，由于氢键的作用，液态发光层中的氧原子与缓冲层表面的H+键合，使液态发光层锚定在缓冲层表面，加强层间结合能力以及电子之间的传输。同理，在盖板上制备电子传输层之后使用酸处理，使液态发光层与电子传输层之间结合能力增强。在基板和盖板压合后，使液态发光层与基板和盖板连接更有效，提供了载流子传输通道。提高了电子空穴的复合几率，使器件性能得到稳定的提高，加强发光效率。
附图说明
图1是本发明OLED器件结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明进行详细说明，但本发明并不受下述实施例限定。
实施例1
一种OLED器件，采用以下方法制备：
1)基板的制备：提供一玻璃基板，在玻璃基板上制备阳极，常规的银、金、氧化铟锡化合物等阳极材料均可以用于制备阳极。在阳极上使用旋转涂布的方式制备缓冲层，缓冲层材料选用PEDOT:PSS，然后进行烘烤。将制备了阳极和缓冲层的基板放在28％质量分数的盐酸溶液中进行浸泡酸处理，浸泡温度为28℃，浸泡时间为10h。之后将浸泡好的基板烘干，使基板表面上附着上一层H+，然后制备液体发光层，液体发光层材料为磷光分子的同系物。
2)盖板的制备：在盖板上制备阴极，在阴极上旋涂或喷涂一层二氧化钛，厚度为5-15μm。之后将上述盖板放在28％质量分数的盐酸溶液中进行浸泡酸处理，浸泡温度为28℃，浸泡时间为10h。将浸泡好的基板烘干，使基板表面上附着上一层H+。
最后将基板和盖板压合，得到OLED器件。
实施例2
一种OLED器件，采用以下方法制备：
基板的制备：在玻璃基板上制备阳极，常规的银、金、氧化铟锡化合物等阳极材料均可以用于制备阳极。在阳极上使用旋转涂布的方式制备缓冲层，缓冲层材料选用PEDOT:PSS，然后进行烘烤。将制备了阳极和缓冲层的基板放在15％质量分数的硫酸溶液中进行浸泡酸处理，浸泡温度为32℃，浸泡时间为8h。将浸泡好的基板烘干，使基板表面上附着上一层H+，然后制备液体发光层，液体发光层材料为磷光分子的同系物。为了防止发光层的流动，在液体发光层上制备间隔层，间隔层材料选用适合蒸镀的金属材料，如银、镁、金等均可以。
盖板的制备：在盖板上制备阴极，在阴极上旋涂或喷涂一层二氧化钛，厚度为5-15μm。之后将上述盖板放在15％质量分数的硫酸溶液中进行浸泡酸处理，浸泡温度为32℃，浸泡时间为8h。将浸泡好的基板烘干，使基板表面上附着上一层H+。
最后将基板和盖板压合，得到OLED器件。
虽然在上文中已经参考了一些实施例对本发明进行了描述，然而在不脱离本发范围的情况下，可以对其进行各种改进，本发明所披露的各个实施例中的各项特征均可通过任意方式相互结合起来使用，在本说明书中未对这些组合的情况进行穷举性的描述仅仅是出于省略篇幅和节约资源的考虑。因此，本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是落入权利要求的范围的所有技术方案。
Claims (10)
1.一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
a.提供基板，在基板上依次制备阳极和缓冲层；
b.将制备了阳极和缓冲层的基板进行酸处理；
c.将所述基板烘干，在缓冲层上制备液态发光层；
d.提供盖板，在盖板上依次制备阴极和电子传输层；
e.将制备了阴极和电子传输层的盖板进行酸处理；
f.将所述盖板和所述基板压合，得到OLED器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸处理为将基板或盖板放在酸溶液中浸泡，使用的酸为质量分数为5％-30％的稀酸。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述酸处理过程中使用的酸为盐酸、硫酸、醋酸和硝酸中的一种或多种。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述酸处理温度为25℃-40℃，酸处理时间为4-12h。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b中，缓冲层的制备采用旋涂、喷墨或涂布的方式，制备缓冲层后进行烘烤，再进行酸处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层材料为掺杂或未掺杂、改性或未改性的PEDOT:PSS。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态发光层材料为磷光分子的同系物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c中，在液态发光层之后还包括制备间隔层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述间隔层材料选自银、镁和金中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子传输层材料为二氧化钛，电子传输层厚度为5-15μm。
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