CN109686851A - 一种有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种有机发光二极管及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法，本发明将空穴‑电子注入层和空穴‑电子传输层代替传统的分离的空穴注入、传输层和电子注入、传输层，改善了载流子的传输性能，有效的提高了交流电驱动时有机电致发光二极管发光性能的稳定性，在发光层的两侧加上对称的空穴‑电子注入层和空穴‑电子传输层，可以达到平衡的载流子复合过程，实现能够应用在交流电驱动中的目的。本发明还提供了有机发光二极管的制备方法，该制备方法可提高产品质量，获得完整的有机发光二极管。

Description

一种有机发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法。
背景技术
现有技术中，有机发光器件的基本结构是由一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物，与电源正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。当电源电压至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮。OLED的特性是自己发光，可视度高、亮度高、电压需求低且省电效率高、反应快、重量轻，厚度薄，构造简单。
但现有的OLED器件仅限于直流电发光，并不能够用于交流电驱动设备中，大大限制了OLED器件在实际中的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够用于交流电驱动设备的有机发光二极管及其制备方法。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种有机发光二极管，由下到上依次包括阳极玻璃基板层、空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴-电子注入层-2和阴极层；
所述空穴-电子注入层-1和所述空穴-电子注入层-2独立的为MoO3-Cs2CO3掺杂层、MoO3-Liq掺杂层、MoO3-Na2CO3掺杂层或MoO3-K2CO3掺杂层；
所述Liq为(8-羟基喹啉)-锂；
所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2独立的为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层或三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层。
优选的，所述MoO3-Cs2CO3掺杂层中MoO3和Cs2CO3的质量比为1：(5～10)；
所述MoO3-Liq掺杂层中MoO3和Liq的质量比为1：(5～10)；
所述MoO3-Na2CO3掺杂层中MoO3和Na2CO3的质量比为1：(5～10)；
或所述MoO3-K2CO3掺杂层中MoO3和K2CO3的质量比为1：(5～10)。
优选的，所述N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层中N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的质量比为1：(0.8～1.2)；
或所述三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层中三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯的质量比独立的为1：(0.8～1.2)。
优选的，所述发光层的材料为8-羟基喹啉铝、4-(二巯基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、(E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃、9,10-二(2-萘基)蒽、三(2-苯基吡啶)合铱、4、4-二(9-咔唑)联苯和三(4-咔唑-9-基苯基)胺中的一种或几种。
优选的，所述阴极层的材料为Al、Ag和Au中的一种或几种。
优选的，所述空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2的厚度独立的为3～8nm。
优选的，所述空穴-电子传输层-1和空穴-电子传输层-2的厚度独立的为20～30nm。
优选的，所述发光层的厚度为15～25nm。
本发明还提供了上述技术方案所述的有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
在阳极玻璃基板表面依次蒸镀空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴电子注入层-2和阴极层，得到有机发光二极管。
优选的，蒸镀所述空穴-电子注入层-1或所述空穴-电子注入层-2的蒸发速率为
蒸镀所述空穴-电子传输层-1或所述空穴-电子传输层-2的蒸发速率为
蒸镀所述阴极层的蒸发速率为
本发明提供了一种有机发光二极管，由下到上依次包括阳极玻璃基板层、空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴-电子注入层-2和阴极层；所述空穴-电子注入层-1和所述空穴-电子注入层-2独立的为MoO3-Cs2CO3掺杂层、MoO3-Liq掺杂层、MoO3-Na2CO3掺杂层或MoO3-K2CO3掺杂层；所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2独立的为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层或4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层。本发明将空穴-电子注入层和空穴-电子传输层代替传统的分离的空穴注入、传输层和电子注入、传输层；空穴-电子注入层它们既可以进行电子注入又可以进行空穴注入；空穴-电子传输层它们既可以传输电子又可以传输空穴，用它们来代替传统的分离的空穴注入、传输层和电子注入、传输层后，使得器件在受到正向电压时，能够导通，调节空穴与电子传输能力。改善了载流子的传输性能，有效的提高了交流电驱动时有机电致发光二极管发光性能的稳定性，在发光层的两侧加上对称的空穴-电子注入层和空穴-电子传输层，可以达到平衡的载流子复合过程，实现能够应用在交流电驱动中的目的。
本发明还提供了有机发光二极管的制备方法，该制备方法可提高产品质量，获得完整的有机发光二极管。
附图说明
图1为本发明提供的有机发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种有机发光二极管，由下到上依次包括阳极玻璃基板层、空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴-电子注入层-2和阴极层；
所述空穴-电子注入层-1和所述空穴-电子注入层-2独立的为MoO3-Cs2CO3掺杂层、MoO3-Liq掺杂层、MoO3-Na2CO3掺杂层或MoO3-K2CO3掺杂层；
所述Liq为(8-羟基喹啉)-锂；
所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2独立的为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层或三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层。
在本发明中，若无特殊说明，所有原料组分均为本领域技术人员熟知的市售产品。
在本发明中，所述有机发光二极管包括阳极玻璃基板层；在本发明中，所述阳极玻璃基板层的材料优选为铟锡氧化物(ITO)导电玻璃；在本发明中，所述阳极玻璃基板层的厚度优选为140～160nm，更优选为145～155nm，最优选为148～152nm。
在本发明中，所述有机发光二极管还包括空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2；在本发明中，所述空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2独立的为MoO3-Cs2CO3掺杂层、MoO3-Liq掺杂层、MoO3-Na2CO3掺杂层或MoO3-K2CO3掺杂层。在本发明中，所述MoO3-Cs2CO3掺杂层中MoO3和Cs2CO3的质量比优选为1：(5～10)，更优选为1：(6～9)，最优选为1：(7～8)；所述MoO3-Liq掺杂层中MoO3和Liq的质量比优选为1：(5～10)，更优选为1：(6～9)，最优选为1：(7～8)；所述MoO3-Na2CO3掺杂层中MoO3和Na2CO3的质量比优选为1：(5～10)，更优选为1：(6～9)，最优选为1：(7～8)；或所述MoO3-K2CO3掺杂层中MoO3和K2CO3的质量比优选为1：(5～10)，更优选为1：(6～9)，最优选为1：(7～8)。
在本发明中，所述空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2的厚度独立的优选为3～8nm，更优选为4～7nm，最优选为5～6nm。
在本发明中，所述空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2既可以进行电子注入又可以进行空穴注入。
在本发明中，所述有机发光二极管还包括空穴-电子传输层-1和空穴-电子传输层-2；在本发明中，所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2独立的为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)-1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)掺杂层或三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPYPB)掺杂层。在本发明中，所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2中NPB和TPBi的质量比或TCTA和TmPYPB的质量比独立的优选为1：(0.8～1.2)，更优选为1：(0.9～1.1)。
在本发明中，所述空穴-电子传输层-1和空穴-电子传输层-2的厚度独立的优选为20～30nm，更优选为22～28nm，最优选为24～26nm。
在本发明中，所述空穴-电子传输层-1和空穴-电子传输层-2既可以传输电子又可以传输空穴。
在本发明中，所述有机发光二极管还包括发光层-1和发光层-2；在本发明中，所述发光层的材料优选为8-羟基喹啉铝(Alq)、4-(二巯基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM1)、(E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃(DCJTB)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、三(2-苯基吡啶)合铱、4、4-二(9-咔唑)联苯和三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TATC)中的一种或几种。在本发明中，所述发光层的材料为上述具体选择中的两种以上时，本发明对所述具体物质的配比没有任何特殊的限定，可按任意配比进行混合即可。
在本发明中，所述发光层的厚度优选为15～30nm，更优选为18～25nm，最优选为20～22nm。
在本发明中，所述有机发光二极管还包括阴极层；在本发明中，所述阴极层的材料为Al、Ag和Au中的一种或几种。在本发明中，所述阴极层的材料为上述具体选择中的两种以上时，本发明对所述具体物质的配比没有任何特殊的限定，可按任意配比进行混合即可。
在本发明中，所述阴极层的厚度优选为90～110nm，更优选为95～105nm，最优选为98～102nm。
本发明还提供了所述的有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
在阳极玻璃基板表面依次蒸镀空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴电子注入层-2和阴极层，得到有机发光二极管。
在本发明中，所述阳极玻璃基板的制备方法，优选包括以下步骤：
在≤2.0×10-5mbar的条件下，将导电材料溅射至玻璃基板表面，得到玻璃基板表面的导电层；
刻蚀玻璃基板表面的导电层，得到发光图案，得到阳极玻璃基板。
在本发明中，所述导电材料优选为ITO；本发明对所述溅射没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的溅射过程进行溅射即可。
在本发明中，所述玻璃基板表面的导电层的厚度优选为140～160nm，更优选为145～155nm，最优选为148～152nm。
本发明对所述刻蚀没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的刻蚀过程进行刻蚀即可。
在进行蒸镀前，本发明优选对阳极玻璃基板进行预处理；在本发明中，所述预处理优选包括清洗、干燥和紫外光处理。
在本发明中，所述清洗优选包括以下步骤：将阳极玻璃基板和第一清洗剂混合，超声3～4次，每次90min后；更换第二清洗剂重复上述步骤。
在本发明中，所述第一清洗剂为洗涤剂、去污粉和去离子水的混合物；本发明对所述洗涤剂、去污粉和去离子水的配比没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的配比进行混合。本发明对所述洗涤剂和去污粉的种类没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的市售产品即可。本发明对所述第一清洗剂的用量没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的用量并达到清洗的目的即可。
在本发明中，所述第二清洗剂为去离子水、丙酮和异丙醇的混合物；本发明对所述去离子水、丙酮和异丙醇的配比没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的配比进行混合。本发明对所述第二清洗剂的用量没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的用量并达到清洗的目的即可。
本发明对所述超声没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的超声过程进行超声即可。
在本发明中，所述紫外光处理的时间优选为10～20min，更优选为12～18min，最优选为14～16min；本发明对所述紫外光处理的其他条件参数没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的条件参数进行处理即可。
在本发明中，所述蒸镀优选在真空的条件下进行；在本发明中，所述真空的真空度优选为≤10-5mbar。
在本发明中，所述蒸镀优选在真空蒸镀仪中进行，优选包括蒸发和镀膜。
在本发明中，所述蒸镀过程中空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴-电子注入层-2和阴极层的材料优选分别置于舟源中，并在蒸镀前固定在真空蒸镀仪中的舟位上。所述阳极玻璃基板优选置于蒸镀舱中。
在本发明中，所述蒸镀空穴-电子注入层-1或空穴-电子注入层-2的具体过程优选为将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3、Liq、Na2CO3或K2CO3，使Cs2CO3、Liq、Na2CO3或K2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜；更优选为将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3、Liq、Na2CO3或K2CO3，使Cs2CO3、Liq、Na2CO3或K2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜。
在本发明中，蒸镀所述空穴-电子注入层-1或所述空穴-电子注入层-2的蒸发速率优选为更优选为在本发明中，所述空穴-电子注入层-1或所述空穴-电子注入层-2的蒸发速率为掺杂层的总蒸发速率。
在本发明中，所述蒸镀空穴-电子传输层-1或空穴-电子传输层-2的具体过程优选为将NPB或TCTA的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi或TmPYPB，使TPBi或TmPYPB的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜；更优选为将NPB或TCTA的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi或TmPYPB，使TPBi或TmPYPB的蒸发速率稳定在 后，打开舟源，进行镀膜。
在本发明中，蒸镀所述空穴-电子传输层-1或所述空穴-电子传输层-2的蒸发速率优选为更优选为在本发明中，所述空穴-电子传输层-1或所述空穴-电子传输层-2的蒸发速率为掺杂层的总蒸发速率。
在本发明中，所述蒸镀发光层的蒸发速率优选为更优选为最优选为
在本发明中，所述蒸镀阴极层的蒸发速率优选为更优选为
在本发明中，所述蒸镀过程中，各层的厚度优选为通过膜厚控制仪进行控制。
下面结合实施例对本发明提供的有机发光二极管及其制备方法进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
如图1所示结构：阳极玻璃基板层为ITO导电玻璃；空穴-电子注入层-1为10wt％MoO3-90wt％Cs2CO3掺杂层；空穴-电子传输层-1为50wt％NPB-50wt％TPBi掺杂层；发光层为90wt％Alq-10wt％DCJTB；空穴-电子传输层-2为50wt％NPB-50wt％TPBi掺杂层；空穴-电子注入层-2为10wt％MoO3-90wt％Cs2CO3掺杂层；金属电极层为Al层；
在2.0×10-5mbar压力下，在2mm厚的玻璃玻璃基板上溅射150nm的ITO，通过刻蚀得到具有发光图案的ITO导电玻璃基板；
将具有发光图案的ITO导电玻璃基板在洗涤剂、去污粉和去离子水的混合液中超声3～4次，每次90min后，再在去离子水、丙酮和异丙酮的混合液中重复上述步骤，干燥，进行紫外光照处理15min，得到预处理后的ITO导电玻璃；
将预处理后的ITO导电玻璃置于真空蒸镀仪中，在真空度为10-5mbar的条件下，将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
依次加热舟源中的质量比为9:1的Alq和DCJTB，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度分别达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
加热舟源中的Al，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度达到100nm后，停止蒸镀，关闭舟源，得到有机发光二极管。
实施例2
如图1所示结构：阳极玻璃基板层为ITO导电玻璃；空穴-电子注入层-1为17wt％MoO3-83wt％Cs2CO3掺杂层；空穴-电子传输层-1为40wt％NPB-60wt％TPBi掺杂层；发光层为90wt％Alq-10wt％DCJTB；空穴-电子传输层-2为40wt％NPB-60wt％TPBi掺杂层；空穴-电子注入层-2为17wt％MoO3-83wt％Cs2CO3掺杂层；金属电极层为Al层；
在2.0×10-5mbar压力下，在2mm厚的玻璃玻璃基板上溅射150nm的ITO，通过刻蚀得到具有发光图案的ITO导电玻璃基板；
将具有发光图案的ITO导电玻璃基板在洗涤剂、去污粉和去离子水的混合液中超声3～4次，每次90min后，再在去离子水、丙酮和异丙酮的混合液中重复上述步骤，干燥，进行紫外光照处理15min，得到预处理后的ITO导电玻璃；
将预处理后的ITO导电玻璃置于真空蒸镀仪中，在真空度为10-5mbar的条件下，将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
依次加热舟源中的质量比为9:1的Alq和DCJTB，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
加热舟源中的Al，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度达到100nm后，停止蒸镀，关闭舟源，得到有机发光二极管。
实施例3
如图1所示结构：阳极玻璃基板层为ITO导电玻璃；空穴-电子注入层-1为12.5wt％MoO3-87.5wt％Cs2CO3掺杂层；空穴-电子传输层-1为30wt％NPB-70wt％TPBi掺杂层；发光层为90wt％Alq-10wt％DCJTB；空穴-电子传输层-2为30wt％NPB-70wt％TPBi掺杂层；空穴-电子注入层-2为12.5wt％MoO3-87.5wt％Cs2CO3掺杂层；金属电极层为Al层；
在2.0×10-5mbar压力下，在2mm厚的玻璃玻璃基板上溅射150nm的ITO，通过刻蚀得到具有发光图案的ITO导电玻璃基板；
将具有发光图案的ITO导电玻璃基板在洗涤剂、去污粉和去离子水的混合液中超声3～4次，每次90min后，再在去离子水、丙酮和异丙酮的混合液中重复上述步骤，干燥，进行紫外光照处理15min，得到预处理后的ITO导电玻璃；
将预处理后的ITO导电玻璃置于真空蒸镀仪中，在真空度为10-5mbar的条件下，将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
依次加热舟源中的质量比为9:1的Alq和DCJTB，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将NPB的蒸发速率稳定在后，蒸发TPBi，使TPBi的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到20nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
将MoO3的蒸发速率稳定在后，蒸发Cs2CO3，使Cs2CO3的蒸发速率稳定在后，打开舟源，进行镀膜，控制膜厚达到3nm后，停止蒸镀，关闭舟源；
加热舟源中的Al，蒸发速率为打开舟源，进行镀膜，控制膜厚度达到100nm后，停止蒸镀，关闭舟源，得到有机发光二极管。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管，由下到上依次包括阳极玻璃基板层、空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴-电子注入层-2和阴极层；
所述空穴-电子注入层-1和所述空穴-电子注入层-2独立的为MoO3-Cs2CO3掺杂层、MoO3-Liq掺杂层、MoO3-Na2CO3掺杂层或MoO3-K2CO3掺杂层；
所述Liq为(8-羟基喹啉)-锂；
所述空穴-电子传输层-1和所述空穴-电子传输层-2独立的为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层或三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述MoO3-Cs2CO3掺杂层中MoO3和Cs2CO3的质量比为1：(5～10)；
所述MoO3-Liq掺杂层中MoO3和Liq的质量比为1：(5～10)；
所述MoO3-Na2CO3掺杂层中MoO3和Na2CO3的质量比为1：(5～10)；
或所述MoO3-K2CO3掺杂层中MoO3和K2CO3的质量比为1：(5～10)。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯掺杂层中N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的质量比为1：(0.8～1.2)；
或所述三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯掺杂层中三(4-咔唑-9-基苯基)胺和1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯的质量比独立的为1：(0.8～1.2)。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层的材料为8-羟基喹啉铝、4-(二巯基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、(E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃、9,10-二(2-萘基)蒽、三(2-苯基吡啶)合铱、4、4-二(9-咔唑)联苯和三(4-咔唑-9-基苯基)胺中的一种或几种。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极层的材料为Al、Ag和Au中的一种或几种。
6.如权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴-电子注入层-1和空穴-电子注入层-2的厚度独立的为3～8nm。
7.如权利要求1或3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴-电子传输层-1和空穴-电子传输层-2的厚度独立的为20～30nm。
8.如权利要求1或4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层的厚度为15～25nm。
9.权利要求1～8任一项所述的有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
在阳极玻璃基板表面依次蒸镀空穴-电子注入层-1、空穴-电子传输层-1、发光层、空穴-电子传输层-2、空穴电子注入层-2和阴极层，得到有机发光二极管。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，蒸镀所述空穴-电子注入层-1或所述空穴-电子注入层-2的蒸发速率为
蒸镀所述空穴-电子传输层-1或所述空穴-电子传输层-2的蒸发速率为
蒸镀所述阴极层的蒸发速率为
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