CN106784068A - 一种石墨烯/砷化镓太阳电池 - Google Patents
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 133
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 125
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 8
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 graphite Alkene Chemical class 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- 241000127225 Enceliopsis nudicaulis Species 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008236 heating water Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic Table, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池,依次包括:背面电极;砷化镓外延片;窗口层;重掺杂砷化镓帽子层;正面电极;所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置;还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与窗口层接触;还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。本发明中,石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中,进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率,更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低,工艺简单,有利于产业化应用。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,尤其涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池。
背景技术
太阳能作为地球生命之源,一种近乎于无限储量的能源,一直是新能源中的首选。到达地球的太阳能功率极其巨大,可达173,000TW,相当于每秒提供500万吨煤炭所蕴含的能量。可将太阳能直接转换为电能的太阳电池成为了人们关注重点。在目前众多光伏发电技术中,硅基太阳电池,特别是晶体硅太阳电池依旧占据了市场主要份额。但是硅材料提纯过程所造成的污染问题以及其复杂的制备工艺也使得硅太阳电池的发展遇到了瓶颈。与硅材料相比,砷化镓具有正好可吸收太阳光线的1.4eV禁带宽度,比硅更高的载流子迁移率,同时属于直接带隙材料,因此在需要高效率太阳电池的场合通常会使用砷化镓太阳电池。但是传统砷化镓太阳电池居高不下的制备成本严重限制了其大范围应用。
石墨烯自2004年首次从石墨中分离出以来,优异的导电导热性能、高透光率、高杨式模量等诸多优点使得它非常适合应用于光伏领域。目前已经有研究者将石墨烯与硅材料结合形成肖特基结以作为太阳电池,测得最高效率14.5%,这与市场主流单晶硅太阳电池尚有差距。也有研究者将石墨烯与砷化镓材料结合,构成肖特基结太阳电池,但效率仅有3.36%,效果也远不够理想。
发明内容
有鉴于此,本发明要解决的技术问题在于提供一种石墨烯/砷化镓太阳电池,制备的石墨烯/砷化镓太阳电池具有较高的光电转化效率。
本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池,依次包括:
背面电极;
砷化镓外延片;
窗口层;
重掺杂砷化镓帽子层;
正面电极;
所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置;
还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与窗口层接触;
还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
在本发明的某些具体实施例中,所述石墨烯层的石墨烯为1~10层。
在本发明的某些具体实施例中,所述砷化镓外延片的结构为单结或多结联级结构。
在本发明的某些具体实施例中,所述砷化镓外延片的结构为单结砷化镓/砷化镓、单结砷化镓/锗、双结镓铟磷/砷化镓、双结镓铟磷/镓铟磷、双结铝镓铟磷/砷化镓、双结铝镓铟磷/铟镓磷、三结镓铟磷/砷化镓/锗、三结铝镓铟磷/砷化镓/锗、三结镓铟磷/铟镓砷/锗和三结铝镓铟磷/铟镓砷/锗中的任意一种或多种。
在本发明的某些具体实施例中,所述背面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
在本发明的某些具体实施例中,所述正面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
在本发明的某些具体实施例中,所述减反层为具有减反作用的透光薄膜。
在本发明的某些具体实施例中,所述减反层选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅、氮化硼和氧化铪中的任意一种或几种。
与现有技术相比,本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池,依次包括:背面电极;砷化镓外延片;窗口层;重掺杂砷化镓帽子层;正面电极;所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置;还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与窗口层接触;还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。本发明中,石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中,进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率,更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低,工艺简单,有利于产业化应用。
附图说明
图1是本发明提供的石墨烯/砷化镓太阳电池的结构示意图;
图2是本发明实施例4提供的石墨烯/砷化镓太阳电池的J-V曲线图。
具体实施方式
本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池,依次包括:
背面电极;
砷化镓外延片;
窗口层;
重掺杂砷化镓帽子层;
正面电极;
所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置;
还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与窗口层接触;
还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
本发明以石墨烯层作为透明导电层,通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层表面,并与帽子层接触,与传统单结或多结砷化镓太阳电池相比,可以有效地促进光生载流子的横向输运,减少光生载流的复合中心,极大减小串联电阻并提高填充因子,同时也可以有效地减少正面电极栅线密度和宽度,降低遮光损失,提升短路电流、开路电压,有利于在降低工艺成本的基础上制备出高效的石墨烯/砷化镓太阳电池。
本发明提供的石墨烯/砷化镓太阳电池包括背面电极。
本发明对所述背面电极并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池的背面电极。在本发明的某些具体实施例中,其为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡(ITO)和铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或几种的复合电极。
还包括砷化镓外延片。所述砷化镓外延片设置于背面电极的任一表面上。
本发明对所述砷化镓外延片的结构并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池的电池外延片,在本发明的某些具体实施例中,其为单结结构或多结联级结构,比如其可以为单结砷化镓/砷化镓、单结砷化镓/锗、双结镓铟磷/砷化镓、双结镓铟磷/镓铟磷、双结铝镓铟磷/砷化镓、双结铝镓铟磷/铟镓磷、三结镓铟磷/砷化镓/锗、三结铝镓铟磷/砷化镓/锗、三结镓铟磷/铟镓砷/锗和三结铝镓铟磷/铟镓砷/锗中的任意一种或多种。
在本发明的另外一些实施例中,所述砷化镓外延片还包括背场、缓冲层等其他本领域技术人员熟知的功能层。
所述背面电极的导电类型与所接触的砷化镓外延层保持一致。
还包括窗口层,所述窗口层设置于所述砷化镓外延片的远离所述背面电极的表面上,覆盖整个砷化镓外延片表面,起到钝化的作用。
本发明对所述窗口层的材质并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池窗口层的材料,在本发明的某些具体实施例中,其为AlInP。
还包括重掺杂砷化镓帽子层,所述重掺杂砷化镓帽子层设置于所述窗口层远离砷化镓外延片的表面上。
本发明对所述重掺杂砷化镓帽子层的材质并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池的重掺杂砷化镓帽子层的材质,在本发明的某些具体实施例中,其为掺杂浓度5e19的砷化镓层。
所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,通过化学腐蚀法形成;所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置,即栅线间没有被栅线遮挡的区域,使相应区域的窗口层暴露在外。
还包括正面电极,所述正面电极设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的远离所述窗口层的表面上。
本发明对所述正面电极并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池的正面电极。在本发明的某些具体实施例中,其为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡(ITO)和铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或几种的复合电极。
所述正面电极的导电类型与所接触的帽子层保持一致。
还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与所述窗口层接触,并与所述重掺杂砷化镓帽子层保持接触。
上述石墨烯层为太阳电池的透明导电层,在本发明的某些具体实施例中,其为1~10层。
所述石墨烯层可以通过化学气相沉积法、机械剥离法或氧化还原法制备而成。
还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
所述减反层可以为具有减反作用的透光薄膜,在本发明的某些具体实施例中,其为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅、氮化硼和氧化铪中的任意一种或几种材料复合而成。
即将所述背面电极作为最底层,所述石墨烯/砷化镓太阳电池由下而上依次包括:
背面电极;
砷化镓外延片;
窗口层;
重掺杂砷化镓帽子层;
正面电极;
以及设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域的石墨烯层,和石墨烯层表面的减反层。
图1是本发明提供的石墨烯/砷化镓太阳电池的结构示意图,其中,1为背面电极,2为砷化镓外延片,3为窗口层,4为石墨烯层,5为减反层,6为重掺杂砷化镓帽子层,7为正面电极。
本发明对所述太阳电池的制备方法并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的太阳电池的制备方法,在本发明的某些具体实施例中,按照以下方法制备:
1)在砷化镓外延片表面制备窗口层,然后在窗口层表面制备重掺杂砷化镓帽子层;
2)在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极,在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极;
3)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层,露出窗口层;
4)在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层;
5)在所述石墨烯层表面制备减反层,得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。
本发明首先制备砷化镓外延片。本发明对所述砷化镓外延片的制备方法并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的制备方法,在本发明的某些具体实施例中,所述砷化镓外延片通过MOCVD法或LPE法在衬底表面制备而成。
在本发明的某些具体实施例中,所述砷化镓外延片包括衬底、缓冲层、背场和隧穿层;或者包括衬底、缓冲层、背场、基底层和发射层。
本发明对所述衬底、缓冲层、背场、隧穿层、基底层和发射层并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的适用于太阳电池的衬底、缓冲层、背场、隧穿层、基底层和发射层。
然后在制备的砷化镓外延片表面制备窗口层,然后在窗口层远离砷化镓外延片的表面制备重掺杂砷化镓帽子层。
本发明对上述窗口层和重掺杂砷化镓帽子层的制备方法并无特殊限定,可以为本领域技术人员熟知的方法。在本发明的某些具体实施例中,可以采用MOCVD法制备。
然后在重掺杂砷化镓帽子层远离窗口层的表面制备正面电极,在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极。
上述制备背面电极和制备正面电极并无顺序先后限定。
上述背面电极和正面电极可以按照本领域技术人员熟知的方法制备,本发明对此并无特殊限定。在本发明的某些具体实施例中,通过电子束蒸发的方法制备。
然后对上述制备的太阳电池中间结构进行清洗。
具体的,将上述制备的太阳电池中间结构,即包括背面电极、外延片、窗口层、帽子层和正面电极的电池结构,放入化学清洗液中水浴加热进行表面清洗,取出后吹干。
在本发明的某些具体实施例中,所述化学清洗液为丙酮(CH3COCH3)、异丙醇((CH3)2CHOH)、无水乙醇(CH3CH2OH)、盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、氨水(NH3·H2O)、双氧水(H2O2)、去离子水中的一种或几种溶液;水浴加热条件优选为:1~100℃、1~30min。
清洗后,采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层,露出窗口层。
所述化学腐蚀法的腐蚀液体系可以是氨水(NH3·H2O)、双氧水(H2O2)、柠檬酸(C6H8O7)、柠檬酸钾(K3C6H5O7)、磷酸(H3PO4)中的一种溶液或几种溶液,腐蚀条件优选为:1~100℃、1~120s。
然后在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层。
所述石墨烯层的转移方法可以是化学气相沉积法、机械剥离法和氧化还原法中的任意一种或几种。
上述石墨烯层为太阳电池的透明导电层,在本发明的某些具体实施例中,其为1~10层。
最后在上述石墨烯层远离窗口层的表面制备减反层,即可得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。
本发明中,石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中,进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率,更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低,工艺简单,有利于产业化应用。
为了进一步说明本发明,下面结合实施例对本发明提供的石墨烯/砷化镓太阳电池进行详细描述。
实施例1:
1)采用MOCVD法在n型GaAs衬底上外延生长0.5μm厚度n型GaAs缓冲层、0.1μm厚度n型AlGaAs背场、3.2μm厚度n型GaAs基底层、0.5μm厚度p型GaAs发射层,之后继续外延生长0.03μm厚度p型AlGaAs窗口层和0.5μm厚度p型重掺GaAs帽子层;
2)在下表面通过电子束蒸发NiGeAu体系的n型电极作为背面电极,在上表面帽子层通过电子束蒸发TiPdAg体系的p型电极作为正面电极。
3)将外延片在丙酮60℃下浸泡半小时,再用异丙醇、乙醇和去离子水进行冲洗;配制盐酸与水比例为1:1的溶液,将外延片浸泡两分钟后冲洗干净;通过光刻胶在上表面盖住需要保护的帽子层图形,配置氨水、双氧水、水比例为1:1:20的选择性腐蚀液将未盖住的帽子层腐蚀,以露出窗口层;
4)将通过CVD方法制备的铜基底单层石墨烯旋涂上一层PMMA保护膜,之后采用FeCl3溶液将铜基底腐蚀掉,并转移至窗口层表面,再使用丙酮将石墨烯表面的PMMA去除;
5)在石墨烯表面通过磁控溅射生长TiO2/SiO2双层薄膜作为减反层;制备得到石墨烯/砷化镓太阳电池。
对制备的石墨烯/砷化镓太阳电池进行性能测试,在AM1.5G下测试,光电转换效率为21%。
比较例1
1)采用MOCVD法在n型GaAs衬底上外延生长0.5μm厚度n型GaAs缓冲层、0.1μm厚度n型AlGaAs背场、3.2μm厚度n型GaAs基底层、0.5μm厚度p型GaAs发射层,之后继续外延生长0.03μm厚度p型AlGaAs窗口层和0.5μm厚度p型重掺GaAs帽子层;
2)在下表面通过电子束蒸发NiGeAu体系的n型电极作为背面电极,在上表面帽子层通过电子束蒸发TiPdAg体系的p型电极作为正面电极。
3)将外延片在丙酮60℃下浸泡半小时,再用异丙醇、乙醇和去离子水进行冲洗;配制盐酸与水比例为1:1的溶液,将外延片浸泡两分钟后冲洗干净;通过光刻胶在上表面盖住需要保护的帽子层图形,配置氨水、双氧水、水比例为1:1:20的选择性腐蚀液将未盖住的帽子层腐蚀,以露出窗口层;
4)在窗口层表面通过磁控溅射生长TiO2/SiO2双层薄膜作为减反层;制备得到砷化镓太阳电池。
对制备的砷化镓太阳电池进行性能测试,在AM1.5G下测试,光电转换效率为18%。
实施例2:
1)采用MOCVD法在n型Ge衬底上外延生长0.5μm厚度n型GaAs缓冲层、0.1μm厚度n型AlGaAs背场、3.2μm厚度n型GaAs基底层、0.5μm厚度p型GaAs发射层,之后继续外延生长0.03μm厚度p型AlGaAs窗口层和0.5μm厚度p型重掺GaAs帽子层;
2)在下表面通过电子束蒸发NiGeAu体系的n型电极作为背面电极,在上表面帽子层通过电子束蒸发TiPdAg体系的p型电极作为正面电极。
3)将外延片衬底减薄至需要厚度,用丙酮60℃浸泡半小时,再用异丙醇、乙醇和去离子水进行冲洗,并用氮气吹干;配制食人鱼洗液,将外延片浸泡三十秒后冲洗干净,并用氮气吹干;通过光刻胶在上表面盖住需要保护的帽子层,配置氨水、双氧水为3:1的选择性腐蚀液将未盖住的帽子层腐蚀,以露出窗口层;
4)将通过CVD方法制备的铜基底少层石墨烯旋涂上一层PMMA保护膜,之后采用FeCl3溶液将铜基底腐蚀掉,并转移至窗口层表面,再使用丙酮将石墨烯表面的PMMA去除;
5)在石墨烯表面通过磁控溅射生长ZnS/Al2O3/MgF2三层薄膜作为减反层;制备得到石墨烯/砷化镓太阳电池。
对制备的石墨烯/砷化镓太阳电池进行性能检测,以没有石墨烯层,其余结构均相同的砷化镓太阳电池作为比较例2,在AM1.5G下测试,光电转换效率可从18%(比较例2)提升至20%-21%。
实施例3
1)采用MOCVD法在p型GaAs衬底上外延生长3.9μm厚度GaAs底电池层,0.03μm厚度GaAs隧穿层,0.65μm厚度GaInP顶电池层,之后继续外延生长0.03μm厚度n型AlInP窗口层和0.5μm厚度n型重掺GaAs帽子层,构成双结砷化镓外延片;
2)在上表面帽子层通过电子束蒸发NiGeAu体系的n型电极作为正面电极,在下表面通过电子束蒸发TiPdAg体系的p型电极作为背面电极。
3)将外延片用丙酮60℃浸泡半小时,再用异丙醇、乙醇和去离子水进行冲洗;配制浓硫酸、双氧水、水比例为1:8:500的溶液,将外延片浸泡三十秒后冲洗干净;通过光刻胶在上表面盖住需要保护的帽子层,配置氨水、双氧水、水比例为1:1:20的选择性腐蚀液将未盖住的帽子层腐蚀,以露出窗口层;
4)将通过CVD方法制备的铜基底单层石墨烯旋涂上一层PMMA保护膜,之后采用FeCl3溶液将铜基底腐蚀掉,并转移至窗口层表面,再使用丙酮将石墨烯表面的PMMA去除;
5)在石墨烯表面通过磁控溅射生长ZnS/MgF2双层薄膜作为减反层;制备得到石墨烯/砷化镓太阳电池。
对制备的石墨烯/砷化镓太阳电池进行性能检测,以没有石墨烯层,其余结构均相同的砷化镓太阳电池作为比较例3,在AM1.5G下测试,光电转换效率可从24%(比较例3)提升至25%-26%。
实施例4
1)在p型Ge衬底上扩散一层n型Ge,形成Ge底电池层,采用MOCVD法外延生长0.03μm厚度GaAs隧穿层,3.27μm厚度GaAs中间电池层,0.03μm厚度GaAs隧穿层,0.65μm厚度GaInP顶电池层,之后继续外延生长0.03μm厚度n型AlInP窗口层和0.5μm厚度n型重掺GaAs帽子层,构成三结砷化镓外延片;
2)在上表面帽子层通过电子束蒸发NiGeAu体系的n型电极作为正面电极,在下表面通过电子束蒸发TiPdAg体系的p型电极作为背面电极。、
3)将外延片用丙酮60℃浸泡半小时,再用异丙醇、乙醇和去离子水进行冲洗;配制浓硫酸、双氧水、水比例为1:8:500的溶液,将外延片浸泡三十秒后冲洗干净,继续使用盐酸与水为1:1比例的溶液浸泡两分钟后冲洗干净;通过光刻胶在上表面盖住需要保护的帽子层,配置氨水、双氧水、柠檬酸比例为3:1:1的选择性腐蚀液将未盖住的帽子层腐蚀,以露出窗口层;
4)将通过CVD方法制备的铜基底单层石墨烯旋涂上一层PMMA保护膜,之后采用FeCl3溶液将铜基底腐蚀掉,并转移至窗口层表面,再使用丙酮将石墨烯表面的PMMA去除;
5)在石墨烯表面通过磁控溅射生长ZnS/MgF2/ZnS/MgF2四层薄膜作为减反层;制备得到石墨烯/砷化镓太阳电池。
对制备的石墨烯/砷化镓太阳电池进行性能检测,以没有石墨烯层,其余结构均相同的砷化镓太阳电池作为比较例4,在AM1.5G下测试,光电转换效率可从26%(比较例4)提升至28%。
图2是本实施例提供的石墨烯/砷化镓太阳电池的J-V曲线图。
由上述实施例以及比较例可知,本发明以石墨烯作为太阳电池的导电层,提高了太阳电池的光电转换效率。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,依次包括:
背面电极;
砷化镓外延片;
窗口层;
重掺杂砷化镓帽子层;
正面电极;
所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置;
还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域,与窗口层接触;
还包括减反层,所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
2.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述石墨烯层的石墨烯为1~10层。
3.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述砷化镓外延片的结构为单结或多结联级结构。
4.根据权利要求3所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述砷化镓外延片的结构为单结砷化镓/砷化镓、单结砷化镓/锗、双结镓铟磷/砷化镓、双结镓铟磷/镓铟磷、双结铝镓铟磷/砷化镓、双结铝镓铟磷/铟镓磷、三结镓铟磷/砷化镓/锗、三结铝镓铟磷/砷化镓/锗、三结镓铟磷/铟镓砷/锗和三结铝镓铟磷/铟镓砷/锗中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述背面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
6.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述正面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
7.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述减反层为具有减反作用的透光薄膜。
8.根据权利要求7所述的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于,所述减反层选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅、氮化硼和氧化铪中的任意一种或几种。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |
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