CN106782384A - 用于显示面板的集成栅极驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于显示面板的集成栅极驱动电路。所述集成栅极驱动电路包括分时工作的移位寄存器，低电平维持电路以及时钟信号CK，其特征是还包括自适应的下拉控制模块。自适应的下拉控制模块在低电平维持阶段仍然正常开启，在第一点Q电压自举阶段，通过快速响应的STN信号自适应地关断第一点Q下拉控制模块，减少第一点Q的电荷泄漏。本发明取得了提高集成栅极驱动电路的驱动能力，输出纹波减小、功耗减小，消除面板的分屏显示、灰阶画面下可见的栅极驱动弱线等不良现象的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及驱动电路领域，特别涉及到一种用于显示面板的集成栅极驱动电路。
背景技术
TFT阵列基板上集成的栅极驱动电路技术具有节省外围IC数量及连线、实现窄边框等优势，目前集成栅极驱动电路技术已经广泛的运用于面板设计当中。当集成栅极驱动电路集成栅极驱动电路技术应用于显示面板时，由于栅极线行的负载电阻和电容值较大，集成栅极驱动电路的驱动能力更加值得关注。由于集成栅极驱动电路设计的缺陷，其输出的驱动信号容易在重负载情况下出现显著的衰减，上升和下降时间显著地增加。随着集成栅极驱动电路级数的增加，集成栅极驱动电路的输出信号容易发生逐级衰减。常见的不良包括面板的分屏显示、灰阶画面下可见的栅极驱动弱线等，这些都与驱动能力的退化密切相关。提高集成栅极驱动电路的驱动能力并不能简单地通过增加TFT的尺寸实现，一方面是因为TFT的尺寸受限于面板可允许的边框尺寸，另一方面则在于TFT的尺寸增加还会带来寄生电容的增加，于是电压馈通效应增强将引起的输出纹波增加、功耗增加等负面效应。因此，如何提高集成栅极驱动电路的驱动能力，是应用于显示面板的设计中需要解决的关键问题。
以图1所示的传统集成栅极驱动电路为例，低电平维持部分的关闭主要通过由STN控制的第五十二场效应晶体管T52的开启，将第二点P电位下拉到低电平VSS1而实现。但是第二点P电位的下拉涉及到P节点上电荷通过第五十二场效应晶体管T52的释放过程，这是一个需要一定时间的渐变过程。在第二点P电位转换过程中，T42管未完全关闭，于是第一点Q容易被短路到VSS1，这就会造成移位寄存部分性能的劣化，严重时候甚至会引起移位寄存器部分的输出逐级衰减，直到集成栅极驱动电路完全失效。因此，如何提高集成栅极驱动电路的驱动能力，是应用于显示面板的集成栅极驱动电路设计中需要解决的关键问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种在第一点Q电压自举阶段，通过快速响应的STN信号自适应地关断第一点Q下拉控制模块，减少第一点Q的电荷泄漏，提供高驱动能力的集成栅极驱动电路，同时能够减少集成栅极驱动电路输出的上升、下降时间，解决集成栅极驱动电路应用到显示面板时出现的弱线问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案包括：
一种用于显示面板的集成栅极驱动电路包括：分时工作的移位寄存器和低电平维持电路、控制所述移位寄存器以及低电平维持电路的时钟信号CK以及自适应下拉控制模块，所述自适应下拉控制模块用于对低电平维持电路进行放电。
上述方案中，为优化，进一步地，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管T421，所述第四二一场效应晶体管T421栅极连接于第二点P，漏极连接于第一点Q，源极连接于STN级传信号。
进一步地，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管T421，所述第四二一场效应晶体管T421栅极连接于时钟信号CK，漏极连接于第一点Q，源极连接于STN级传信号。
进一步地，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管T421、第四二二场效应晶体管T422及第四二三场效应晶体管T423，所述第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422串联，第四二一场效应晶体管T421的栅极和第四二二场效应晶体管T422的栅极短接连接于所述移位寄存器，所述第四二一场效应晶体管T421的漏极与所述移位寄存器连接于第一点Q，第四二一场效应晶体管T421的源极连接到第四二二场效应晶体管T422的漏极；所述第四二二场效应晶体管T422的源极连接到GN扫描驱动信号；第四二三场效应晶体管T423的栅极连接到时钟信号CK，第四二三场效应晶体管T423漏极连接到STN级传信号，第四二三场效应晶体管T423源极连接到第四二一场效应晶体管T421源极。
进一步地，所述第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422的栅极短接后改为与时钟信号CK连接。
进一步地，所述第四二三场效应晶体管T423的漏极改为与GN级传信号连接。
进一步地，所述移位寄存器与所述自适应下拉控制模块连接，包括依次连接的第十一场效应晶体管T11，第二十二场效应晶体管T22，第二十一场效应晶体管T21，第四十一场效应晶体管T41，第三十一场效应晶体管T31与第三十四场效应晶体管T34并连接后与第二十一场效应晶体管T21连接；第二十二场效应晶体管T22以及第二十一场效应晶体管T21之间连接点为第一点Q；所述第十一场效应晶体管T11漏极与栅极短接，交点为STN-2级传信号；第三十一场效应晶体管T31的栅极第四十一场效应晶体管T41的栅极相连，交点为STN+2级传信号；第一电容CB连接在所述第二十一场效应晶体管T21栅极和源极之间，第一电容CB与第二十一场效应晶体管T21源极的连接点为GN扫描驱动信号。
进一步地，所述低电平维持电路与所述自适应下拉控制模块连接，包括第五十一场效应晶体管T51，第五十二场效应晶体管T52，第三十二场效应晶体管T32以及第三十三场效应晶体管T33；所述第五十一场效应晶体管T51栅极与漏极短接，源极连接第三十二场效应晶体管T32栅极，连接交点为第二点P；所述第三十二场效应晶体管T32与第三十三场效应晶体管T33漏极相连，连接交点为STN级传信号，第三十二场效应晶体管T32与第三十三场效应晶体管T33源极相连。
进一步地，所述低电平维持电路，时钟信号CK和第二点P信号同相，STN级传信号信号和GN级传信号信号同相。
进一步地，所述场效应晶体管为薄膜场效应晶体管。
本发明有益效果是，
效果一：自适应的下拉控制模块在低电平维持阶段仍然正常开启，在第一点Q电压自举阶段，通过快速响应的STN信号自适应地关断第一点Q自适应下拉控制模块，减少第一点Q的电荷泄漏，提高集成栅极驱动电路的驱动能力；
效果二：减少集成栅极驱动电路输出的上升、下降时间，解决了集成栅极驱动电路应用到显示面板时出现的弱线问题；
效果三，在低电平维持阶段，STN级传信号通过自适应第一点Q下拉控制模块连接到低电平电压VSS1，第一点Q在低电平维持阶段保持VSS1的电压，避免受到时钟馈通效应的影响。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有技术中集成栅极驱动电路图；
图2是本发明的实施例1的集成栅极驱动电路电路图；
图3是本发明的工作时序图；
图4是本发明和传统集成栅极驱动电路模拟结果的对比图；
图5是本发明的实施例2的集成栅极驱动电路电路图；
图6是本发明的实施例3的集成栅极驱动电路电路图；
图7是本发明的实施例4的集成栅极驱动电路电路图；
图8是本发明的实施例5的集成栅极驱动电路电路图。
其中：
CK-时钟信号，T11-第十一场效应晶体管，T22-第二十二场效应晶体管，T21-第二十一场效应晶体管，T31-第三十一场效应晶体管，T41-第四十一场效应晶体管，T33-第三十三场效应晶体管，T51-第五十一场效应晶体管，T52-第五十二场效应晶体管，T32-第三十二场效应晶体管以及T34-第三十四场效应晶体管，T42-第四十二场效应晶体管，T421-第四二一场效应晶体管，T422-第四二二场效应晶体管，T423-第四二三场效应晶体管，CB-第一电容，Q-第一点，P-第二点。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1示意了传统集成栅极驱动电路，其主要由两部分组成：移位寄存器(由第十一场效应晶体管T11，第二十二场效应晶体管T22，第二十一场效应晶体管T21，第三十一场效应晶体管T31，第四十一场效应晶体管T41和第三十四场效应晶体管T34组成)以及低电平维持电路(由第五十一场效应晶体管T51，第五十二场效应晶体管T52，第三十二场效应晶体管T32，第四十二场效应晶体管T42和第三十三场效应晶体管T33组成)。这两部分分时工作，即移位寄存器工作时段，低电平维持电路被关断；在低电平维持电路工作时，移位寄存器则被关闭。
图2示意了一种新的集成栅极驱动电路设计。其低电平维持部分给第一点Q放电功能由第四二一场效应晶体管T421实现，其栅极连接到第二点P，其漏极连接到第一点Q，其源极连接到STN级传信号。
图3示意了新的集成栅极驱动电路设计的工作时序。
图4给出了本发明集成栅极驱动电路和传统集成栅极驱动电路摸拟结果的对比，其中图(a)是传统集成栅极驱动电路输出的GN扫描驱动信号和STN级传信号，图(b)是新的集成栅极驱动电路输出的GN扫描驱动信号和STN级传信号。
图5示意了一种新的集成栅极驱动电路设计的实施例2。
图6示意了一种新的集成栅极驱动电路设计的实施例3。其基本结构与图5所示的新的集成栅极驱动电路的实施例2类似，不同之处在于第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422的栅极耦合到时钟信号CK。
图7示意了一种新的集成栅极驱动电路设计的实施例4。其基本结构与图2所示的新的集成栅极驱动电路的实施例1类似，不同之处在于第四二一场效应晶体管T421的栅极由时钟信号CK控制。
图8示意了一种新的集成栅极驱动电路设计的实施例5。其基本结构与图5所示的新的集成栅极驱动电路的实施例2类似，不同之处在于第四二三场效应晶体管T423的漏极连接到GN扫描驱动信号。
实施例1：
本实施例的技术方案包括时钟信号CK，分时工作的移位寄存器以及低电平维持电路，所述移位寄存器由场效应晶体管第十一场效应晶体管T11，第二十二场效应晶体管T22，第二十一场效应晶体管T21，第三十一场效应晶体管T31，第四十一场效应晶体管T41以及第三十三场效应晶体管T33组成，所述低电平维持部分包括场效应晶体管第五十一场效应晶体管T51，第五十二场效应晶体管T52，第三十二场效应晶体管T32以及第三十四场效应晶体管T34；所述第十一场效应晶体管T11源极连接第二十二场效应晶体管T22栅极、第二十一场效应晶体管T21栅极、以及第四十一场效应晶体管T41漏极；所述第二十二场效应晶体管T22源极连接第三十二场效应晶体管T32的漏极、第五十二场效应晶体管T52栅极以及第三十三场效应晶体管T33漏极；所述第三十二场效应晶体管T32栅极连接第五十二场效应晶体管T52漏极、第五十一场效应晶体管T51源极以及第三十四场效应晶体管T34栅极；所述第三十四场效应晶体管T34漏极连接所述第二十一场效应晶体管T21源极、第三十一场效应晶体管T31漏极；所述第三十一场效应晶体管T31栅极连接第三十三场效应晶体管T33栅极以及第四十一场效应晶体管T41栅极；电容CB连接在所述第四十一场效应晶体管T41栅极和第二十一场效应晶体管T21源极之间；所述时钟信号CK连接第五十一场效应晶体管T51栅极、漏极，第二十二场效应晶体管T22漏极，第二十一场效应晶体管T21漏极；所述第二十二场效应晶体管T22栅极、第二十一场效应晶体管T21栅极之间连接交点为第一点Q，所述第五十一场效应晶体管T51源极、第五十二场效应晶体管T52漏极以及第三十二场效应晶体管T32栅极之间的连接交点为第二点P，所述第二十二场效应晶体管T22源极、第三十二场效应晶体管T32漏极以及第三十三场效应晶体管T33漏极之间的交点为STN级传信号，所述第一电容CB、第二十一场效应晶体管T21源极、第三十一场效应晶体管T31漏极以及第三十四场效应晶体管T34漏极之间为GN扫描驱动信号，所述第十一场效应晶体管T11栅极和漏极连接于STN-2级传信号，所述第三十一场效应晶体管T31栅极、第四十一场效应晶体管T41栅极的连接交点为STN+2级传信号，所述低电平电压VSS1为所述第五十二场效应晶体管T52源极电压，所述第五十二场效应晶体管T52源极，第三十二场效应晶体管T32源极，第三十三场效应晶体管T33源极，第三十四场效应晶体管T34源极，第三十一场效应晶体管T31源极以及第四十一场效应晶体管T41源极的电压为VSS2；给第一点Q放电的自适应下拉控制模块。所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管T421，所述第四二一场效应晶体管T421栅极连接到第二点P，漏极连接到第一点Q，源极连接到STN级传信号。所述场效应晶体管为薄膜场效应晶体管。
所述一种用于显示面板的集成栅极驱动电路的工作过程包括：预充电阶段，第一点Q电压自举阶段，第一点Q电压放电阶段，低电平维持阶段。
图3示意了本实施例的电路的工作时序图。根据图4的模拟结果可知，在第一点Q电压自举阶段，STN级传信号上负载量极小，因此STN级传信号上电压能够以较快地速度响应CK信号跳变到高电平。于是在第二点P电压从高电平切换到低电平的转换阶段，第四二一场效应晶体管T421的栅源或者栅漏的电压差都小于0，于是第四二一场效应晶体管T421快速地被关断，这就避免了在第一点Q电压自举阶段可能的电荷泄漏。于是相比于传统集成栅极驱动电路，本发明所述集成栅极驱动电路的第一点Q泄漏电荷少，电路驱动能力较强。
在低电平维持阶段，STN通过第三十二场效应晶体管T32被连接到低电平电压VSS1，而第一点Q则通过第四二一场效应晶体管T421管耦合到STN级传信号。因此，第一点Q在低电平维持阶段能够保持着VSS1的电压，而几乎不受到时钟馈通效应的影响。
综上，本发明所述的集成栅极驱动电路中，第一点Q电压自举过程中泄漏电荷减少，输出驱动能力显著提升，GN扫描驱动信号的输出高电平、STN级传信号和GN扫描驱动信号的上升和下降时间均被减少。
另外，本实施例应用于液晶显示器行扫描驱动电路。
因此，本实施例取得以下技术效果：
效果一：减少第一点Q的电荷泄漏，提高集成栅极驱动电路的驱动能力；
效果二：解决了集成栅极驱动电路应用到显示面板时出现的弱线问题；
效果三，在低电平维持阶段，STN级传信号不受到时钟馈通效应的影响。
实施例2：
本实施例在实施例1的基础上，将自适应下拉控制模块替换为由第四二一场效应晶体管T421、第四二二场效应晶体管T422及第四二三场效应晶体管T423组成的模块，所述第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422串联，第四二一场效应晶体管T421的栅极和第四二二场效应晶体管T422的栅极短接，连接所述第三十四场效应晶体管T34栅极、第三十二场效应晶体管T32栅极以及第二点P；所述第四二一场效应晶体管T421的漏极连接到第一点Q，第四二一场效应晶体管T421的源极连接到第四二二场效应晶体管T422的漏极；所述第四二二场效应晶体管T422的源极连接到GN扫描驱动信号；第四二三场效应晶体管T423的栅极连接到时钟信号CK，第四二三场效应晶体管T423漏极连接到STN级传信号，第四二三场效应晶体管T423源极连接到第四二一场效应晶体管T421源极。
在第一点Q电压自举阶段，通过抬升第四二一场效应晶体管T421的源极和第四二二场效应晶体管T422的漏极电位，进一步地减少第一点Q通过第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422的漏电，提高了第二十一场效应晶体管T21的驱动能力。
实施例3：
根据图3所述，在低电平维持阶段，CK信号和第二点P是同相信号。本实施例与实施例2类似，区别在于将第四二一场效应晶体管T421和第四二二场效应晶体管T422的栅极连接方式改为连接到时钟信号CK。在第一点Q电压自举阶段，第四二一场效应晶体管T421也因为源极电位被抬升到STN级传信号而截至。第四二一场效应晶体管T421、第四二二场效应晶体管T422、第四二三场效应晶体管T423组成的自适应下拉控制模块也处于关断状态，不会影响到第一点Q的自举过程。
实施例4：
根据图3所述，CK和第二点P在低电平维持阶段是同相的；STN级传信号和GN扫描驱动信号属于同相状态。本实施例与实施例1类似，区别在于将第四二一场效应晶体管T421的栅极连接到时钟信号CK。
实施例5：
根据图3所述，CK和第二点P在低电平维持阶段是同相的；STN级传信号和GN扫描驱动信号属于同相状态。本实施例于实施例2类似，区别在于将第四二三场效应晶体管T423的漏极连接到GN扫描驱动信号。
尽管上面对本发明说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本发明，但是本发明不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本发明精神和范围内，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
Claims (10)
1.一种用于显示面板的集成栅极驱动电路，包括STN级传信号及GN扫描驱动信号，其特征在于，所述集成栅极驱动电路还包括分时工作的移位寄存器和低电平维持电路、控制所述移位寄存器以及低电平维持电路的时钟信号(CK)以及自适应下拉控制模块，所述自适应下拉控制模块用于对低电平维持电路进行放电。
2.根据权利要求1所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管(T421)，所述第四二一场效应晶体管(T421)栅极连接于第二点(P)，漏极连接于第一点(Q)，源极连接于STN级传信号。
3.根据权利要求1所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管(T421)，所述第四二一场效应晶体管(T421)栅极连接于时钟信号(CK)，漏极连接于第一点(Q)，源极连接于STN级传信号。
4.根据权利要求1所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述自适应下拉控制模块包括第四二一场效应晶体管(T421)、第四二二场效应晶体管(T422)及第四二三场效应晶体管(T423)，所述第四二一场效应晶体管(T421)和第四二二场效应晶体管(T422)串联，第四二一场效应晶体管(T421)的栅极和第四二二场效应晶体管(T422)的栅极短接连接于所述移位寄存器，所述第四二一场效应晶体管(T421)的漏极与所述移位寄存器连接于第一点(Q)，第四二一场效应晶体管(T421)的源极连接到第四二二场效应晶体管(T422)的漏极；所述第四二二场效应晶体管(T422)的源极连接到GN扫描驱动信号；第四二三场效应晶体管(T423)的栅极连接到时钟信号(CK)，第四二三场效应晶体管(T423)漏极连接到STN级传信号，第四二三场效应晶体管(T423)源极连接到第四二一场效应晶体管(T421)源极。
5.根据权利要求4所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述第四二一场效应晶体管(T421)和第四二二场效应晶体管(T422)的栅极短接后改为与时钟信号(CK)连接。
6.根据权利要求4所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述第四二三场效应晶体管(T423)的漏极改为与GN级传信号连接。
7.根据权利要求1所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述移位寄存器与所述自适应下拉控制模块连接，包括依次连接的第十一场效应晶体管(T11)，第二十二场效应晶体管(T22)，第二十一场效应晶体管(T21)，第四十一场效应晶体管(T41)，第三十一场效应晶体管(T31)与第三十四场效应晶体管(T34)并连接后与第二十一场效应晶体管(T21)连接；第二十二场效应晶体管(T22)以及第二十一场效应晶体管(T21)之间连接点为第一点(Q)；所述第十一场效应晶体管(T11)漏极与栅极短接，交点为STN-2级传信号；第三十一场效应晶体管(T31)的栅极第四十一场效应晶体管(T41)的栅极相连，交点为STN+2级传信号；第一电容(CB)连接在所述第二十一场效应晶体管(T21)栅极和源极之间，第一电容(CB)与第二十一场效应晶体管(T21)源极的连接点为GN扫描驱动信号。
8.根据权利要求1所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述低电平维持电路与所述自适应下拉控制模块连接，包括第五十一场效应晶体管(T51)，第五十二场效应晶体管(T52)，第三十二场效应晶体管(T32)以及第三十三场效应晶体管(T33)；所述第五十一场效应晶体管(T51)栅极与漏极短接，源极连接第三十二场效应晶体管(T32)栅极，连接交点为第二点(P)；所述第三十二场效应晶体管(T32)与第三十三场效应晶体管(T33)漏极相连，连接交点为STN级传信号，第三十二场效应晶体管(T32)与第三十三场效应晶体管(T33)源极相连。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述低电平维持电路的第二点(P)与时钟信号(CK)信号同相，所述STN级传信号信号和GN级传信号信号同相。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的用于显示面板的集成栅极驱动电路，其特征在于，所述场效应晶体管为薄膜场效应晶体管。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110223651A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种goa电路 |
| CN110853583A (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-28 | 三星显示有限公司 | 扫描驱动器和具有该扫描驱动器的显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543007A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 移位单元、移位装置和液晶显示器 |
| CN102598105A (zh) * | 2009-11-04 | 2012-07-18 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
| CN103077689A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-01 | 北京大学深圳研究生院 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、数据驱动电路及显示器 |
| US20140055442A1 (en) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | Innolux Corporation | Gate driver circuit and display apparatus having the same |
| KR20140075962A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611251458.XA patent/CN106782384B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102598105A (zh) * | 2009-11-04 | 2012-07-18 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
| CN102543007A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 移位单元、移位装置和液晶显示器 |
| US20140055442A1 (en) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | Innolux Corporation | Gate driver circuit and display apparatus having the same |
| KR20140075962A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
| CN103077689A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-01 | 北京大学深圳研究生院 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路、数据驱动电路及显示器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110853583A (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-28 | 三星显示有限公司 | 扫描驱动器和具有该扫描驱动器的显示装置 |
| CN110853583B (zh) * | 2018-08-21 | 2024-05-14 | 三星显示有限公司 | 扫描驱动器和具有该扫描驱动器的显示装置 |
| CN110223651A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种goa电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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