CN106601393A - 正温度系数电流保护芯片装置及其制法 - Google Patents

Abstract

一种正温度系数(PTC)电流保护芯片装置的制法，包含：制备一个含有PTC聚合物材料、一个间隔单元、一片第一电极片及一片第二电极片的组合件，该组合件中的PTC聚合物材料及间隔单元是夹置于第一电极片与第二电极片之间并共同配合形成一个堆叠体；对该堆叠体进行热压合，并使第一电极片及第二电极片对着PTC聚合物材料与间隔单元进行接触及压制，及该PTC聚合物材料会与该第一电极片及第二电极片接合并共同配合形成PTC层合体；及对该PTC层合体进行切割，以形成该PTC电流保护芯片装置。本发明另提供一种可消除现有技术缺点的PTC电流保护芯片装置。

Description

正温度系数电流保护芯片装置及其制法

技术领域

本发明涉及一种正温度系数(PTC)电流保护芯片装置及其制法，特别是涉及一种包含在热压过程中使用一个间隔单元的PTC电流保护芯片装置的制法。

背景技术

PTC元件具备一种可提供与电流保护装置[例如可复式保险丝(resettable fuse)]相同效果的PTC效应。PTC元件包括一种PTC聚合物材料、一个第一电极及一个第二电极，该第一电极及第二电极是附着至该PTC聚合物材料的两个相对表面。

该PTC聚合物材料包括一种含有结晶区及非结晶区的聚合物基质，以及一种颗粒状导电填充剂。该颗粒状导电填充剂分散于该聚合物基质的非结晶区内且形成一个供介于第一电极与第二电极之间产生导电的连续导电路径。该PTC效应是一种当该聚合物基质的温度升高至其熔点时，该结晶区中的晶体会开始溶解而让一个新的非结晶区产生的现象。当该新的非结晶区增加至与原始非结晶区溶合的状态时，该颗粒状导电填充剂的导电路径将变成非连续，且该PTC聚合物材料的阻抗将会急剧增加，而导致该第一电极与该第二电极之间发生断电。

图1至图4说明PTC电流保护芯片装置的现有制法的连续步骤。该现有制法包括：制备一种含有聚合物材料及导电填充剂的PTC组成物；于约200℃温度下混合该PTC组成物并使该PTC组成物挤压形成PTC粒101；使该PTC粒101于模具100中及约200℃温度下进行热压，以形成一片混合片11(参见图1及图2)；将该混合片11放置于两片金属箔12之间并形成一个堆叠物10(参见图2)；使该堆叠物10于约200℃温度下进行热压(参见图2)；将该热压堆叠物10切割成数个芯片13，每个芯片13包括一个第一电极131、一个第二电极131及一个夹置于该第一电极与该第二电极131之间的PTC体132(参见图3)；使每个芯片13的该PTC体132通过使用钴-60γ射线进行照射而产生交联；以及分别通过焊接技术并使用焊料，将第一终端引线及第二终端引线14分别焊接至该第一电极与第二电极131(参见图4)。焊接温度依据所使用的焊料而决定，一般约为260℃或高于260℃。由于前述焊接作业需要在约260℃或高于260℃的温度下操作，此高焊接温度将不可避免地使该芯片13的PTC体132产生降解，并进一步降低芯片13的电性质及PTC效应，以及缩短芯片13的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种PTC电流保护芯片装置的制法。该制法可以克服前述现有技术的各项缺点。

本发明的PTC电流保护芯片装置的制法，包含以下步骤：

制备一个组合件，该组合件含有一种PTC聚合物材料、一个间隔单元、一片金属材质的第一电极片，及一片金属材质的第二电极片，该组合件的该PTC聚合物材料及该间隔单元是夹置于该第一电极片与该第二电极片之间并共同配合形成一个堆叠体；对该堆叠体进行热压，以使该第一电极片及该第二电极片对着该PTC聚合物材料及该间隔单元进行接触及压制，以及该PTC材料会与该第一电极片及第二电极片接合并共同配合形成一个PTC层合体；及对该PTC层合体进行切割，以形成该PTC电流保护芯片装置。

本发明的另一目的在于提供一种PTC电流保护芯片装置。

本发明的PTC电流保护芯片装置包含：

一个由PTC聚合物材料所制成的PTC体，具有彼此相对的第一表面及第二表面、及一个周围端，其中该周围端是设置于该第一表面与第二表面之间，并与该第一表面与第二表面相连接；一片由镀有金属的铜箔所制成的第一单片，具有一个第一电极部及一个第一终端引线部，该第一电极部是热压接合至该PTC体的第一表面，以及该第一终端引线部是超出该PTC体的周围端并自该第一电极部延伸；以及一片由镀有金属的铜箔所制成的第二单片，具有一个第二电极部及一个第二终端引线部，该第二电极部是热压接合至该PTC体的第二表面，以及该第二终端引线部是超出该PTC体的周围端并自该第二电极部延伸；其中，该第一电极部具有两个彼此相对冲模(punch)的第一侧端面，其是与该PTC体的周围端齐平；其中，该第一终端引线部具有两个相对冲模的第一横向端面，每个第一横向端面是横越且相交至各自的第一侧端面，以共同界定一个第一隅角；其中，该第二电极部具有两个彼此相对冲模的第二侧端面，其是与该PTC体的周围端齐平；其中，该第二终端引线部具有两个相对冲模的第二横向端面，每个第二横向端面是横越且相交至各自的第二侧端面，以共同界定一个第二隅角。

本发明的制法，还包含一个在热压步骤后的步骤，该步骤是自该正温度系数层合体移除该间隔单元。

本发明的制法，该正温度系数层合体的切割步骤包括将该正温度系数层合体冲模为包括一片由金属材制成的第一单片、一片由金属材制成的第二单片、及一个由正温度系数聚合物材料所制成的正温度系数体的结构，该第一单片具有一个第一电极部及一个第一终端引线部，该第二单片具有一个第二电极部及一个第二终端引线部，该正温度系数体是夹置于该第一电极部与该第二电极部之间，该第一终端引线部与该第二终端引线部是分别超出该正温度系数体的一个周围端并自该第一电极部与该第二电极部而延伸。

本发明的制法，该正温度系数聚合物材料是由含有聚烯烃及导电填充剂的正温度系数组成物所制成。

本发明的制法，该正温度系数组成物还含有经羧酸酐接枝的聚烯烃。

本发明的制法，还包含一个在该堆叠体进行热压后的步骤，该步骤是使该正温度系数聚合物材料进行交联。

本发明的制法，该金属材为镀镍的铜箔。

本发明的制法，该第一电极片及该第二电极片各自具有0.9至2.0μm的中间平均表面粗糙度。

本发明的制法，该第一电极片及该第二电极片各自具有1.1至1.6μm的中间平均表面粗糙度。

本发明的制法，该导电填充剂含有碳化钛颗粒。

本发明的正温度系数电流保护芯片装置，该第一单片及该第二单片各自具有1.1至1.6μm的中间平均表面粗糙度。

本发明的正温度系数电流保护芯片装置，该正温度系数聚合物材料是由含有聚烯烃及导电填充剂的正温度系数组成物所制成。

本发明的正温度系数电流保护芯片装置，该正温度系数组成物还含有经羧酸酐接枝的聚烯烃。

本发明的正温度系数电流保护芯片装置，该导电填充剂含有碳化钛颗粒。

本发明的有益效果在于：本发明制法所制得的PTC电流保护芯片装置通过在热压步骤中使用该间隔单元，而让所制得的PTC电流保护芯片装置得以消除现有技术的各项缺点。

附图说明

本发明的其他的特征及功效，将于参照附图的具体实施方式中清楚地呈现，其中：

图1至图4是示意图，说明PTC电流保护芯片装置的现有制法的步骤；

图5是立体图，说明本发明PTC电流保护芯片装置的一个具体例；及

图6至图12是示意图，说明本发明PTC电流保护芯片装置的制法的一个具体例的步骤。

具体实施方式

在本发明被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。

图5说明本发明PTC电流保护芯片装置7的具体例。在此具体例中，该PTC电流保护芯片装置7包含：一个由PTC聚合物材料71所制成的PTC体21、一个由金属材72所制成的第一单片22；以及一片由金属材72所制成的第二单片23。该PTC体21具有彼此相对的第一表面211及第二表面212、及一个周围端213，其中该周围端213是设置于该第一表面211与第二表面212之间，并与该第一表面211与第二表面212的周围相连接。该第一单片22具有一个第一电极部221及一个第一终端引线部222，该第一电极部221是热压接合至该PTC体21的第一表面211，以及该第一终端引线部222是超出该PTC体21的周围端213并自该第一电极部221延伸。该第二单片23具有一个第二电极部231及一个第二终端引线部232，该第二电极部231是热压接合至该PTC体21的第二表面212，以及该第二终端引线部232是超出该PTC体21的周围端213并自该第二电极部231延伸。在其他的具体例中，该第一单片22及第二单片23是通过让三明治层结构中的两片镀有金属的箔片进行冲模而形成(图未示)。

在此具体例中，该第一电极部221具有两个彼此相对冲模的第一侧端面2210，其是与该PTC体21的周围端213齐平。该第一终端引线部222具有两个相对冲模的第一横向端面2220，每个第一横向端面2220是横越且相交至各自的第一侧端面2210，以共同界定一个第一隅角2215。该第二电极部231具有两个彼此相对冲模的第二侧端面2310，其是与该PTC体21的周围端213齐平。该第二终端引线部232具有两个相对冲模的第二横向端面2320，每个第二横向端面2320是横越且相交至各自的第二侧端面2310，以共同界定一个第二隅角2315。该第一侧端面2210及该第二侧端面2310，以及该第一横向端面2220及该第二横向端面2320，具备显示这些面将通过冲模技术而形成的结构特征。

图6至12说明本发明PTC电流保护芯片装置7的制法的一个具体例的步骤。该制法包含的步骤为：制备PTC组成物，其含有导电填充剂以及含有聚烯烃与接枝聚烯烃的聚合物混合物；将一个间隔单元32放置于一片由金属材72所制成的第一电极片33上(参见图6)，该间隔单元32包括至少两个彼此相互间隔且共同界定一个容纳空间320的不锈钢条321；混合并挤压该PTC组成物，以形成数个PTC聚合物材料71的胚粒40，并将所述PTC聚合物材料71的胚粒40填入该容纳空间320中，以让所述PTC聚合物材料71的胚粒40所形成的PTC材料体4稍微覆盖超出该容纳空间320(参见图7)；将金属材72所制成的第二电极片34放置于该间隔单元32的顶侧以及所述PTC聚合物材料71的胚粒40所形成的PTC材料体4的顶侧，以让所述PTC聚合物材料71的胚粒40所形成的PTC材料体4与该间隔单元32夹置于该第一电极片33与该第二电极片34之间，并与该第一电极片33以及该第二电极片34相配合形成一个堆叠体5(参见图8)；对该堆叠体5进行热压，以使该第一电极片33及第二电极片34对着所述PTC聚合物材料71的胚粒40所形成的PTC材料体4及该间隔单元32进行接触及压制，借以将胚粒40所形成的PTC材料体4与第一电极片33及第二电极片34形成一个PTC层合体6，其包括一个PTC聚合物材料71的一体成型PTC层4’，其是由所述PTC聚合物材料71的胚粒40所形成的PTC材料体4所形成，并接合至该第一电极片33及第二电极片34，以及夹置于该第一电极片33与第二电极片34之间(参见图8及9)；在热压后，将该间隔单元32自该PTC层合体6移除；在热压后，通过以钴-60γ射线照射而让该PTC层4’的PTC聚合物材料71进行交联；以及在移除该间隔单元32后，切割该PTC层合体6，以形成PTC电流保护芯片装置7(参见图10、11及12)。需注意的是，该PTC聚合物材料71所形成的所述胚粒40将会溶解，接着于热压过程中固化为PTC聚合物材料71的一体成型PTC层4’。进一步需注意的是，只有一个PTC电流保护芯片装置7会于本具体例制法中形成，如图12所显示；然而，PTC层合体6可具有较大尺寸，而可被切割成数个PTC电流保护芯片装置7。

在此具体例中，PTC层合体6的切割步骤包括利用冲模机来对PTC层合体6进行冲模(图未示)。在其他具体例中，PTC层合体6的切割步骤可以通过对该PTC层合体6进行冲模，接着再利用切割机(图未示)切割该冲模PTC层合体6中不想要的部份。

该金属材72的例子可包括金属片、金属箔及镀有金属的箔片(例如镀镍的铜箔)。

在其他具体例中，该第一电极片33及该第二电极片34，或是该第一单片22及该第二单片23各自可具有范围在0.9至2.0μm的中间平均表面粗糙度(R_a)；同时在另外的其他具体例中，该第一电极片33及该第二电极片34，或是该第一单片22及该第二单片23各自可具有范围在1.1至1.6μm的中间平均表面粗糙度(R_a)。

该聚合物混合物可包含聚烯烃(例如高密度聚乙烯，HDPE)，以及选择地包含接枝聚烯烃(例如接枝HDPE)，例如经羧酸酐接枝的聚烯烃。

该导电填充剂是分散于该PTC聚合物材料71中，且可包括导电非碳颗粒及/或导电碳颗粒(例如碳黑)。

该导电非碳颗粒的例子可包括碳化钛、碳化锆、碳化钒、碳化铌、碳化钽、碳化铬、碳化钼、碳化钨、氮化钛、氮化锆、氮化钒、氮化铌、氮化钽、氮化铬、二硅化钛、二硅化锆、二硅化铌、二硅化钨、金、银、铜、铝、镍、镍金属化玻璃珠、镍金属化石墨、Ti-Ta固体溶液、W-Ti-Ta-Cr固体溶液、W-Ta固体溶液、W-Ti-Ta-Nb固体溶液、W-Ti-Ta固体溶液、W-Ti固体溶液、Ta-Nb固体溶液及前述的组合。

在其他具体例中，以该PTC组成物的重量计算，该聚合物混合物的含量范围可为9至30wt％，以及该导电填充剂的含量范围为70至91wt％。

本发明将就以下实施例来作进一步说明，但应了解的是，该实施例仅为例示说明用，而不应被解释为本发明实施的限制。

实施例

<实施例1(E1)>

6.75克的HDPE[购自中国台湾塑胶公司，商品名为HDPE9002，具有150,000g/mol的重量平均分子量以及45g/10min的熔流速率(依据ASTM D-1238且于230℃及12.6公斤负载下测试)]、6.75克的经羧酸酐接枝HDPE[购自杜邦公司，商品名为MB100D，具有80,000g/mol的重量平均分子量以及75g/10min的熔流速率(依据ASTM D-1238且于230℃及12.6公斤负载下测试)]，以及133.5克的碳化钛粉末(具有颗粒尺寸D50范围为3.8至4.585μm)于Brabender混合机中进行混合。混合温度为200℃，搅拌速度为50rpm，施加压力为5kg，混合时间为10分钟。该混合后的混合物被挤压形成数个PTC聚合物材料的胚粒。含有两个平行不锈钢条的间隔单元被放置于第一镀镍铜箔上，该第一镀镍铜箔具有105μm的厚度以及1.10μm的中间平均表面粗糙度(R_a)。所述胚粒被放置在介于两个不锈钢条之间的容纳空间内的该第一镀镍铜箔上，以让所述胚粒稍微填满超出该容纳空间，并让所述胚粒的整体高度高于该间隔单元的高度。一片第二镀镍铜箔[具有105μm的厚度以及1.10μm的中间平均表面粗糙度(R_a)]放置于所述胚粒的整体的顶端以及该间隔单元的顶端，而让所述胚粒的整体与该第一镀镍铜箔共同形成一个堆叠体。该堆叠体与该间隔单元一同进行热压，以形成包括夹置于该第一镀镍铜箔与该第二镀镍铜箔之间的PTC聚合物材料(具有实质上等于该间隔单元高度的厚度)的PTC层合体。热压温度为200℃，热压时间为4分钟，热压压力为80kg/cm²。该间隔单元自该PTC层合体移除。利用钴-60γ射线(总剂量为5Mrad)照射该PTC层合体，以让该PTC聚合物材料交联，接着利用冲模机进行冲模，并形成一个PTC电流保护芯片装置。PTC电流保护芯片装置所测得的阻抗(R)为0.00134ohm。

<实施例2至4(E2-E4)>

实施例2至4的PTC电流保护芯片装置的制备步骤与条件与实施例1相似，不同处在于该第一镀镍铜箔及该第二镀镍铜箔的中间平均表面粗糙度(R_a)。实施例2至4的第一镀镍铜箔及第二镀镍铜箔的中间平均表面粗糙度(R_a)分别为1.59μm、0.96μm及1.9μm。

实施例2至4的PTC电流保护芯片装置所测得的阻抗分别为0.00132ohm、0.00155ohm及0.00148ohm。

比较例

<比较例1(CE1)>

6.75克的HDPE[购自中国台湾塑胶公司，商品名为HDPE9002，具有150,000g/mol的重量平均分子量以及45g/10min的熔流速率(依据ASTM D-1238且于230℃及12.6公斤负载下测试)]、6.75克的经羧酸酐接枝HDPE[购自杜邦公司，商品名为MB100D，具有80,000g/mol的重量平均分子量以及75g/10min的熔流速率(依据ASTM D-1238且于230℃及12.6公斤负载下测试)]，以及133.5克的碳化钛粉末(具有颗粒尺寸D50范围为3.8至4.585μm)于Brabender混合机中进行混合。混合温度为200℃，搅拌速度为50rpm，施加压力为5kg，混合时间为10分钟。该混合后的混合物被挤压形成数个PTC聚合物材料的胚粒。使该PTC聚合物材料的所述胚粒于200℃温度及模具中进行热压，以形成一片薄片。该薄片与该第一镀镍铜箔及第二镀镍铜箔[彼此设置于该薄片的两个相对侧且具有1.10μm的中间平均表面粗糙度(R_a)]进行热压并形成PTC层合体。该热压温度为200℃，该热压时间为4分钟，以及热压压力为80kg/cm²。利用钴-60γ射线(总剂量为5Mrad)照射该PTC层合体，以让该PTC聚合物材料交联，以及将该PTC层合体切割为数个芯片尺寸的片体。所述芯片尺寸的片体分别经由一无铅锡焊料膏而焊接至第一终端引线及第二终端引线(镍板)，以形成PTC电流保护芯片装置。焊接温度为260℃，及焊接时间为3分钟。该比较例1中的芯片尺寸片体及该PTC电流保护芯片装置所测得的阻抗分别为0.00122ohm及0.00311ohm。

<比较例2(CE2)>

比较例2的PTC电流保护芯片装置的制备步骤与条件与比较例1相似，不同处在于该第一镀镍铜箔及该第二镀镍铜箔的中间平均表面粗糙度(R_a)。比较例2的第一镀镍铜箔及第二镀镍铜箔的中间平均表面粗糙度(R_a)分别为1.59μm。

该比较例2中的芯片尺寸片体及该PTC电流保护芯片装置所测得的阻抗分别为0.00123ohm及0.00312ohm。

最高维持电流测试(the most hold current test)

最高维持电流测试是在一个6V的固定DC电压下，逐渐增加该施加在芯片的电流，以测试在该芯片可持续15分钟且不短路下的最高电流。

E1至E4及CE1至CE2的PTC电流保护芯片装置的十个测试样品分别进行最高维持电流测试，以测得该PTC电流保护芯片装置的最高维持电流。

表1显示E1至E4及CE1至CE2的最高维持电流结果，其说明E1至E4的PTC电流保护芯片装置具有高于CE1至CE2的最高维持电流。

开关循环测试(switching cycle test)

开关循环测试是在6Vdc电压及10A电流下，以每次循环将芯片开启60秒及关闭60秒并历经7200次循环进行测试。量测该芯片的初始阻抗(R_i，循环测试前的阻抗值)以及最终阻抗(R_f，7200次循环测试后的阻抗值)，以计算芯片于7200次循环后的阻抗变化率(R_v)，R_v＝100％×(R_f－R_i)/R_i。

E1至E4及CE1至CE2的PTC电流保护芯片装置的十个测试样品分别进行开关循环测试，以测得该PTC电流保护芯片装置的阻抗变化率(R_v)。

表1显示E1至E4及CE1至CE2的开关循环测试结果，其说明E1至E4的PTC电流保护芯片装置具有低于CE1至CE2的阻抗变化率。

表1

综上所述，本发明PTC电流保护芯片装置7的制法通过使用该间隔单元32，而能消除背景技术所提及的各项缺点。

以上所述，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明的范围。

Claims (15)

1.一种正温度系数电流保护芯片装置的制法，其特征在于其包含以下步骤：

制备一个组合件，该组合件含有一种正温度系数聚合物材料、一个间隔单元、一片金属材质的第一电极片，及一片金属材质的第二电极片，该组合件的该正温度系数聚合物材料及该间隔单元是夹置于该第一电极片与该第二电极片之间并共同配合形成一个堆叠体；

对该堆叠体进行热压，以使该第一电极片及该第二电极片对着该正温度系数聚合物材料及该间隔单元进行接触及压制，以及该正温度系数聚合物材料会与该第一电极片及第二电极片接合并共同配合形成一个正温度系数层合体；及

对该正温度系数层合体进行切割，以形成该正温度系数电流保护芯片装置。

2.根据权利要求1所述的制法，其特征在于其还包含一个在热压步骤后的步骤，该步骤是自该正温度系数层合体移除该间隔单元。

3.根据权利要求1所述的制法，其特征在于：该正温度系数层合体的切割步骤包括将该正温度系数层合体冲模为包括一片由金属材制成的第一单片、一片由金属材制成的第二单片、及一个由正温度系数聚合物材料所制成的正温度系数体的结构，该第一单片具有一个第一电极部及一个第一终端引线部，该第二单片具有一个第二电极部及一个第二终端引线部，该正温度系数体是夹置于该第一电极部与该第二电极部之间，该第一终端引线部与该第二终端引线部是分别超出该正温度系数体的一个周围端并自该第一电极部与该第二电极部而延伸。

4.根据权利要求1所述的制法，其特征在于：该正温度系数聚合物材料是由含有聚烯烃及导电填充剂的正温度系数组成物所制成。

5.根据权利要求4所述的制法，其特征在于：该正温度系数组成物还含有经羧酸酐接枝的聚烯烃。

6.根据权利要求4或5所述的制法，其特征在于其还包含一个在该堆叠体进行热压后的步骤，该步骤是使该正温度系数聚合物材料进行交联。

7.根据权利要求1所述的制法，其特征在于：该金属材为镀镍的铜箔。

8.根据权利要求1所述的制法，其特征在于：该第一电极片及该第二电极片各自具有0.9至2.0μm的中间平均表面粗糙度。

9.根据权利要求8所述的制法，其特征在于：该第一电极片及该第二电极片各自具有1.1至1.6μm的中间平均表面粗糙度。

10.根据权利要求4所述的制法，其特征在于：该导电填充剂含有碳化钛颗粒。

11.一种正温度系数电流保护芯片装置，其特征在于其包含：

一个由正温度系数聚合物材料所制成的正温度系数体，具有彼此相对的第一表面及第二表面、及一个周围端，其中该周围端是设置于该第一表面与第二表面之间，并与该第一表面与第二表面相连接；

一片由镀有金属的铜箔所制成的第一单片，具有一个第一电极部及一个第一终端引线部，该第一电极部是热压接合至该正温度系数体的第一表面，以及该第一终端引线部是超出该正温度系数体的周围端并自该第一电极部延伸；以及

一片由镀有金属的铜箔所制成的第二单片，具有一个第二电极部及一个第二终端引线部，该第二电极部是热压接合至该正温度系数体的第二表面，以及该第二终端引线部是超出该正温度系数体的周围端并自该第二电极部延伸；

其中，该第一电极部具有两个彼此相对冲模的第一侧端面，其是与该正温度系数体的周围端齐平；

其中，该第一终端引线部具有两个相对冲模的第一横向端面，每个第一横向端面是横越且相交至各自的第一侧端面，以共同界定一个第一隅角；

其中，该第二电极部具有两个彼此相对冲模的第二侧端面，其是与该正温度系数体的周围端齐平；及

其中，该第二终端引线部具有两个相对冲模的第二横向端面，每个第二横向端面是横越且相交至各自的第二侧端面，以共同界定一个第二隅角。

12.根据权利要求11所述的正温度系数电流保护芯片装置，其特征在于：该第一单片及该第二单片各自具有1.1至1.6μm的中间平均表面粗糙度。

13.根据权利要求11所述的正温度系数电流保护芯片装置，其特征在于：该正温度系数聚合物材料是由含有聚烯烃及导电填充剂的正温度系数组成物所制成。

14.根据权利要求13所述的正温度系数电流保护芯片装置，其特征在于：该正温度系数组成物还含有经羧酸酐接枝的聚烯烃。

15.根据权利要求13所述的正温度系数电流保护芯片装置，其特征在于：该导电填充剂含有碳化钛颗粒。