CN106583302B - 晶片清洗机及一种晶片清洗的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶片清洗机及一种晶片清洗的方法，旨在提供一种环境污染小、清洗效果好的晶片清洗机及防止操作者的损害、消除对环境污染，提供一种无危害的晶片清洗的备方法。本发明包括有清洗仓，所述清洗仓内依次设置有超声波NDK花王清洗装置、喷淋洗净装置和超声波纯净水清洗装置，所述超声波NDK花王清洗装置、所述喷淋洗净装置和所述超声波纯净水清洗装置均设置有若干个网杯，所述网杯内均设置有晶片。一种晶片清洗的方法包括：a.使用NDK花王清洗溶剂对晶片进行浸泡清洗；b.使用所述第一纯水对晶片进行淋浴；c.使用第二纯水对晶片进行浸泡清洗。本发明应用于晶片清洗的技术领域。

Description

晶片清洗机及一种晶片清洗的方法

技术领域

本发明属于晶片清洗的技术领域,特别涉及一种晶片清洗机及一种晶片清洗的方法。

背景技术

石英晶体谐振器中的晶片，是制成石英晶体谐振元件的主体，石英晶体经切割定向、粗中细磨等加工后成为石英片，其被粘污的物质有油脂、蜡、研磨粉、研磨盘的金属粒子等，为了去除这些污物，必须进行清洗，以使腐蚀均匀、银层牢固，减小谐振电阻、降低老化率。由此晶片表面的清洁度程度是衡量产品能否在集成电路板上长期可靠工作的重要环节。由于酸性溶剂可以有效去除晶片表面在加工中附着的油脂、蜡、金属颗粒类粘污物质，现传统晶片清洗工艺多使用以酸性溶剂为主的清洗液如：硫酸、硝酸、盐酸等，晶片浸没在酸性清洗液内在电炉上加热，然后再经过去离子水冲洗，接着通过超声波清洗等步骤以达到去除粘污物质的目的；该种清洗方式虽清洗效果较理想，但使用电炉加热煮洗在操作中有安全隐患、长期接触酸性溶剂对人体有一定损害、清洗中产生的挥发气体对环境有一定污染，由此迫切需要一种能取代酸性清洗工艺的新清洗工艺及清洗设备。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种环境污染小、清洗效果好的晶片清洗机及防止操作者的损害、消除对环境污染，提供一种无危害的晶片清洗的方法。

本发明所采用的技术方案是：本发明包括清洗机本体，所述本体内设置有清洗仓，所述本体上设置有控制面板，所述本体上设置有与所述清洗仓相适配的封仓门，所述清洗仓内依次设置有均与所述控制面板电性连接的超声波NDK花王清洗装置、喷淋洗净装置和超声波纯净水清洗装置，所述超声波NDK花王清洗装置、所述喷淋洗净装置和所述超声波纯净水清洗装置均设置有若干个网杯，所述网杯内均设置有晶片。

进一步的，所述超声波NDK花王清洗装置包括第一清洗槽、第一提篮机构、第一液体集装箱、第一超声波仪器、第一回收槽、第一管道和NDK花王清洗溶剂，所述第一清洗槽安装于所述清洗仓的一端，所述第一提篮机构与所述第一清洗槽相适配且安装于所述第一清洗槽内，所述第一提篮机构内设置有若干个所述网杯，所述第一液体集装箱安装于所述本体的一端且与所述第一清洗槽通过第一管道相连通，所述第一超声波仪器安装于所述第一清洗槽的底部，所述第一回收槽安装于所述第一清洗槽的外侧，且与所述第一液体集装箱相连通，所述第一液体集装箱内装有所述NDK花王清洗溶剂，所述NDK花王清洗溶剂通过所述第一管道从所述第一液体集装箱流入所述第一清洗槽。

进一步的，所述喷淋洗净装置包括安装于所述清洗仓中间上的安装底板和安装于所述本体的一端上的第二液体集装箱，所述第二液体集装箱内装有第一纯水，所述安装底板上设置有若干个与所述网杯相适配的网瓶，所述安装底板的两端设置均设置有若干个喷洒机构，所述喷洒机构均与所述第二液体集装箱通过第二管道相连通，所述安装底板的底端设置有废液排放槽。

进一步的，所述超声波纯净水清洗装置包括第二清洗槽、第二提篮机构、所述第三液体集装箱、第二超声波仪器、第三管道和第二回收槽，所述第二清洗槽安装于所述清洗仓的另一端，所述第二提篮机构与所述第二清洗槽相适配且安装于所述第二清洗槽内，所述第二提篮机构内设置有若干个所述网杯，所述第三液体集装箱与所述第二清洗槽通过所述第三管道相连通，所述第三液体集装箱装有第二纯水，所述第二纯水通过所述第三管道从所述第三液体集装箱流入所述第二清洗槽，所述第二超声波仪器安装于所述第二清洗槽的底部，所述第二回收槽安装于所述第二清洗槽的外侧，且所述第二回收槽与所述第二液体集装箱相连通。

进一步的，所述第一提篮机构和所述第二提篮机构均包括清洗框、连杆和与控制面板电性连接的驱动气缸，所述第一清洗槽和所述第二清洗槽内均设置有所述清洗框，所述清洗框上均设置有若干个所述网杯，所述清洗框的上端两侧与所述连杆相连接，所述连杆与所述驱动气缸相连接，所述驱动气缸安装于所述清洗仓的壁内。

进一步的，所述喷洒机构包括支架和喷洒头，所述支架位于所述安装底板的两端，所述喷洒头安装于所述支架的顶端，所述喷洒头与所述第二管道相连接。

进一步的，所述第一液体集装箱与第一管道的连接出口处设置有第一负吸装置，所述第二液体集装箱与第二管道的连接出口处设置有第二负吸装置，所述第三液体集装箱与第三管道的连接出口处设置有第三负吸装置。

进一步的，所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均为抽水泵，且所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均与所述控制面板电性连接。

进一步的，所述控制面板包括MCU控制模块和与MCU控制模块均电性连接的所述第一启动开关、第二启动开关和第三启动开关，所述第一启动开关、所述第二启动开关、所述第三启动开关分别与所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置电性连接，所述控制面板还包括有分别与所述第一启动开关、所述第二启动开关、所述第三启动开关电性连接的第一计时显示器、第二计时显示器、第三计时显示器，所述第一提篮机构上的所述驱动气缸和所述第二提篮机构上的所述驱动气缸分别与所述第一启动开关和所述第三启动开关电性连接，所述控制面板还设置有与所述第一超声波仪器电性连接的第一超声开关和与所述第二超声波仪器电性连接的第二超声开关，所述第一超声开关和所述第二超声开关均与所述MCU控制模块电性连接。

更进一步的，一种通过所述的一种晶片清洗机来实现的晶片清洗的方法，该方法在所述清洗仓内封闭进行作业，其步骤包括：

a.将晶片放入于所述网杯内，再将装有晶片的所述网杯放入第一提篮机构，按下所述第一启动开关和所述第一超声开关，所述第一超声波仪器开始工作且所述第一计时显示器开始显示计时时间，所述第一液体集装箱开始通过所述第一管道向所述第一清洗槽流入代替酸性溶剂的所述NDK花王清洗溶剂，所述第一提篮机构带动所述网杯在充满所述NDK花王清洗溶剂的所述第一清洗槽上下运动，晶片可在所述网杯内浮动，所述步骤a至少清洗三十分钟；

b.将完成步骤a的所述网杯转移至所述喷淋洗净装置，按下所述第二启动开关，所述第二计时显示器开始显示计时时间，通过所述喷洒机构向所述网杯不断冲淋装于所述第二液体集装箱内的所述第一纯水，所述第一纯水为导电率1.0μ以下的纯水，所述步骤b至少冲淋三十分钟；

c.将完成步骤b的所述网杯转移至所述超声波纯净水清洗装置，按下所述第三启动开关和所述第二超声开关，所述第二超声波仪器开始工作且所述第三计时显示器开始显示计时时间，所述第三液体集装箱开始通过所述第三管道向所述第二清洗槽流入导电率1.0μ以下的所述第二纯水，所述第二提篮机构带动所述网杯在充满所述第二纯水的所述第二清洗槽上下运动，晶片可在所述网杯内浮动，所述步骤c至少清洗三十分钟。

本发明的有益效果是：由于本发明包括清洗机本体，所述本体内设置有清洗仓，所述本体上设置有控制面板，所述本体上设置有与所述清洗仓相适配的封仓门，所述清洗仓内依次设置有均与所述控制面板电性连接的超声波NDK花王清洗装置、喷淋洗净装置和超声波纯净水清洗装置，所述超声波NDK花王清洗装置、所述喷淋洗净装置和所述超声波纯净水清洗装置上均设置有若干个网杯，所述网杯内均设置有晶片,所以本发明与现有酸性溶剂电炉加热清洗晶片工艺相比，本发明设计了一种晶片清洗的方法，使清洗操作安全性提高、使用专用环保清洗剂对人体去损害、对环境几乎无污脏；并且清洗全过程能减少了异物附着；通过清洗效果实验及显微镜下清洁效果的检查证实其可达到甚至高于酸性溶剂的效果，晶片在镀膜时银层和水晶片的附着力也能达到检验标准。

附图说明

图1是本发明的示意图；

图2是清洗仓的俯视图；

图3是提篮机构的示意图。

具体实施方式

如图1至图3所示，在本实施例中，本发明包括清洗机本体1，所述本体1内设置有清洗仓2，所述本体1上设置有控制面板3，所述本体1上设置有与所述清洗仓2相适配的封仓门4，所述清洗仓2内依次设置有均与所述控制面板3电性连接的超声波NDK花王清洗装置5、喷淋洗净装置6和超声波纯净水清洗装置7，所述超声波NDK花王清洗装置5、所述喷淋洗净装置6和所述超声波纯净水清洗装置7均设置有若干个网杯8，所述网杯8内均设置有晶片。

在本实施例中，所述超声波NDK花王清洗装置5包括第一清洗槽51、第一提篮机构52、第一液体集装箱53、第一超声波仪器、第一回收槽54、第一管道55和NDK花王清洗溶剂，所述第一清洗槽51设置于所述清洗仓2的一端，所述第一提篮机构52与所述第一清洗槽51相适配且安装于所述第一清洗槽51内，所述第一提篮机构52内设置有若干个所述网杯8，所述第一液体集装箱53安装于所述本体1的一端且与所述第一清洗槽51通过第一管道55相连通，所述第一液体集装箱53与第一管道55的连接出口处设置有第一负吸装置，所述第一超声波仪器安装于所述第一清洗槽51的底部，所述第一回收槽54安装于所述第一清洗槽51的外侧，且与所述第一液体集装箱53相连通，所述第一液体集装箱53内装有所述NDK花王清洗溶剂，此设计可以通过所述第一负吸装置将所述第一液体集装箱53内的所述NDK花王清洗溶剂通过所述第一管道55流入所述第一清洗槽51，当所述NDK花王清洗溶剂从所述第一清洗槽51溢出时，溢满出的所述NDK花王清洗溶剂可流入所述第一回收槽54，从而流回所述第一液体集装箱53内，从而到达所述NDK花王清洗溶剂循环利用的效果，且所述NDK花王清洗溶剂使用一段时间后续更新新的所述NDK花王清洗溶剂。

在本实施例中，所述喷淋洗净装置6包括安装于所述清洗仓2中间上的安装底板61和安装于所述本体1的一端上的第二液体集装箱，所述第二液体集装箱内装有第一纯水，所述安装底板61上设置有若干个与所述网杯8相适配的网瓶62，所述安装底板61的两端设置均设置有若干个喷洒机构63，所述喷洒机构63包括支架631和喷洒头632，所述支架631位于所述安装底板61的两端，所述喷洒头632安装于所述支架631的顶端，所述喷洒机构63均与所述第二液体集装箱通过第二管道相连通，所述安装底板61的底端设置有废液排放槽64，所述第二液体集装箱与第二管道的连接出口处设置有第二负吸装置，所述第二管道的一端与所述第二液体集装箱相连接，所述第二管道的另一端设置有若干个与所述喷洒头632相连通的分支管；此设计可以通过所述第二负吸装置将所述第二液体集装箱内的所述第一纯水输送到各个所述喷洒头632上，并通过所述喷洒头632对安装于所述安装底板61上的若干个所述网杯8进行不断冲淋，冲淋完后的所述第一纯水流入到所述废液排放槽64内排放。

在本实施例中，所述超声波纯净水清洗装置7包括第二清洗槽71、第二提篮机构72、所述第三液体集装箱、第二超声波仪器、第三管道73和第二回收槽74，所述第二清洗槽71安装于所述清洗仓2的另一端，所述第二提篮机构72与所述第二清洗槽71相适配且安装于所述第二清洗槽71内，所述第二提篮机构72内设置有若干个所述网杯8，所述第三液体集装箱与所述第二清洗槽71通过所述第三管道73相连通，所述第三液体集装箱与第三管道73的连接出口处设置有第三负吸装置，所述第三液体集装箱装有第二纯水，所述第二纯水通过所述第三管道73从所述第三液体集装箱流入所述第二清洗槽71，所述第二超声波仪器安装于所述第二清洗槽71的底部，所述第二回收槽74安装于所述第二清洗槽的外侧，且所述第二回收槽74与所述第二液体集装箱相连通，此设计可以通过所述第三负吸装置将所述第三液体集装箱内的所述第二纯水通过所述第三管道73流入所述第二清洗槽71，当所述第二纯水从所述第二清洗槽71溢出时，溢满出的所述第二纯水可流入所述第二回收槽74，从而流入于所述第二液体集装箱内，从而可使所述第二纯水在所述第二清洗槽71利用完后，可再次利用于所述喷淋洗净装置6上。

在本实施例中，所述第一提篮机构52和所述第二提篮机构72均包括清洗框9、连杆10和与控制面板3电性连接的驱动气缸11，所述第一清洗槽51和所述第二清洗槽71内均设置有所述清洗框9，所述清洗框9上均设置有若干个所述网杯8，所述清洗框9的上端两侧与所述连杆10相连接，所述连杆10与所述驱动气缸11相连接，所述驱动气缸11安装于所述清洗仓2的壁内，此设计可通过所述驱动气缸带动所述连杆10上下移动，从而使放置于所述清洗框9上的所述网杯8上下移动，从而使放置于所述网杯8内的晶片上下浮动，使晶片清洗效果更好。

在本实施例中，所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均为抽水泵，且所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均与所述控制面板3电性连接。

在本实施例中，所述控制面板3包括MCU控制模块和与MCU控制模块均电性连接的所述第一启动开关31、第二启动开关32和第三启动开关33，所述第一启动开关31、所述第二启动开关32、所述第三启动开关33分别与所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置电性连接，所述控制面板3还包括有分别与所述第一启动开关31、所述第二启动开关32、所述第三启动开关33电性连接的第一计时显示器34、第二计时显示器35、第三计时显示器36，所述第一提篮机构52上的所述驱动气缸和所述第二提篮机构72上的所述驱动气缸分别与所述第一启动开关31和所述第三启动开关33电性连接，所述控制面板3还设置有与所述第一超声波仪器电性连接的第一超声开关37和与所述第二超声波仪器电性连接的第二超声开关38，所述第一超声开关37和所述第二超声开关38均与所述MCU控制模块电性连接。

在本实施例中，一种通过所述的一种晶片清洗机来实现的晶片清洗的方法，该方法在所述清洗仓2内封闭进行作业，其步骤包括：

a.将晶片放入于所述网杯8内，再将装有晶片的所述网杯8放入第一提篮机构52，按下所述第一启动开关31和所述第一超声开关37，所述第一超声波仪器开始工作且所述第一计时显示器34开始显示计时时间，所述第一液体集装箱53开始通过所述第一管道55向所述第一清洗槽51流入代替酸性溶剂的所述NDK花王清洗溶剂，所述第一提篮机构52带动所述网杯8在充满所述NDK花王清洗溶剂的所述第一清洗槽51上下运动，晶片可在所述网杯8内浮动，使晶片清洗效果更好，所述步骤a至少清洗三十分钟；

b.将完成步骤a的所述网杯8转移至所述喷淋洗净装置6，按下所述第二启动开关32，所述第二计时显示器35开始显示计时时间，通过所述喷洒机构63向所述网杯8不断冲淋装于所述第二液体集装箱内的所述第一纯水，所述第一纯水为导电率1.0μ以下的纯水，所述步骤b至少冲淋三十分钟；

c.将完成步骤b的所述网杯8转移至所述超声波纯净水清洗装置7，按下所述第三启动开关33和所述第二超声开关38，所述第二超声波仪器开始工作且所述第三计时显示器36开始显示计时时间，所述第三液体集装箱开始通过所述第三管道73向所述第二清洗槽71流入导电率1.0μ以下的所述第二纯水，所述第二提篮机构72带动所述网杯8在充满所述第二纯水的所述第二清洗槽71上下运动，晶片可在所述网杯8内浮动，使晶片清洗效果更好，所述步骤c至少清洗三十分钟。

本发明应用于晶片清洗的技术领域。

虽然本发明的实施例是以实际方案来描述的，但是并不构成对本发明含义的限制，对于本领域的技术人员，根据本说明书对其实施方案的修改及与其他方案的组合都是显而易见的。

Claims (7)

1.一种晶片清洗机，其特征在于：它包括清洗机本体（1），所述本体（1）内设置有清洗仓（2），所述本体（1）上设置有控制面板（3），所述本体（1）上设置有与所述清洗仓（2）相适配的封仓门（4），所述清洗仓（2）内依次设置有均与所述控制面板（3）电性连接的超声波NDK花王清洗装置（5）、喷淋洗净装置（6）和超声波纯净水清洗装置（7），所述超声波NDK花王清洗装置（5）、所述喷淋洗净装置（6）和所述超声波纯净水清洗装置（7）均设置有若干个网杯（8），所述网杯（8）内均设置有晶片，所述超声波NDK花王清洗装置（5）包括第一清洗槽（51）、第一提篮机构（52）、第一液体集装箱（53）、第一超声波仪器、第一回收槽（54）、第一管道（55）和NDK花王清洗溶剂，所述第一清洗槽（51）安装于所述清洗仓（2）的一端，所述第一提篮机构（52）与所述第一清洗槽（51）相适配且安装于所述第一清洗槽（51）内，所述第一提篮机构（52）内设置有若干个所述网杯（8），所述第一液体集装箱（53）安装于所述本体（1）的一端且与所述第一清洗槽（51）通过第一管道（55）相连通，所述第一超声波仪器安装于所述第一清洗槽（51）的底部，所述第一回收槽（54）安装于所述第一清洗槽（51）的外侧，且与所述第一液体集装箱（53）相连通，所述第一液体集装箱（53）内装有所述NDK花王清洗溶剂，所述NDK花王清洗溶剂通过所述第一管道（55）从所述第一液体集装箱（53）流入所述第一清洗槽（51），所述喷淋洗净装置（6）包括安装于所述清洗仓（2）中间上的安装底板（61）和安装于所述本体（1）的一端上的第二液体集装箱，所述第二液体集装箱内装有第一纯水，所述安装底板（61）上设置有若干个与所述网杯（8）相适配的网瓶（62），所述安装底板（61）的两端设置均设置有若干个喷洒机构（63），所述喷洒机构（63）均与所述第二液体集装箱通过第二管道相连通，所述安装底板（61）的底端设置有废液排放槽（64），所述超声波纯净水清洗装置（7）包括第二清洗槽（71）、第二提篮机构（72）、第三液体集装箱、第二超声波仪器、第三管道（73）和第二回收槽（74），所述第二清洗槽（71）安装于所述清洗仓（2）的另一端，所述第二提篮机构（72）与所述第二清洗槽（71）相适配且安装于所述第二清洗槽（71）内，所述第二提篮机构（72）内设置有若干个所述网杯（8），所述第三液体集装箱与所述第二清洗槽（71）通过所述第三管道（73）相连通，所述第三液体集装箱装有第二纯水，所述第二纯水通过所述第三管道（73）从所述第三液体集装箱流入所述第二清洗槽（71），所述第二超声波仪器安装于所述第二清洗槽（71）的底部，所述第二回收槽（74）安装于所述第二清洗槽的外侧，且所述第二回收槽（74）与所述第二液体集装箱相连通。

2.根据权利要求1所述的一种晶片清洗机，其特征在于：所述第一提篮机构（52）和所述第二提篮机构（72）均包括清洗框（9）、连杆（10）和与控制面板（3）电性连接的驱动气缸（11），所述第一清洗槽（51）和所述第二清洗槽（71）内均设置有所述清洗框（9），所述清洗框（9）上均设置有若干个所述网杯（8），所述清洗框（9）的上端两侧与所述连杆（10）相连接，所述连杆（10）与所述驱动气缸相连接，所述驱动气缸安装于所述清洗仓（2）的壁内。

3.根据权利要求1所述的一种晶片清洗机，其特征在于：所述喷洒机构（63）包括支架（631）和喷洒头（632），所述支架（631）位于所述安装底板（61）的两端，所述喷洒头（632）安装于所述支架（631）的顶端，所述喷洒头（632）与所述第二管道相连接。

4.根据权利要求2所述的晶片清洗机，其特征在于：所述第一液体集装箱（53）与第一管道（55）的连接出口处设置有第一负吸装置，所述第二液体集装箱与第二管道的连接出口处设置有第二负吸装置，所述第三液体集装箱与第三管道（73）的连接出口处设置有第三负吸装置。

5.根据权利要求4所述的晶片清洗机，其特征在于：所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均为抽水泵，且所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置均与所述控制面板（3）电性连接。

6.根据权利要求4所述的晶片清洗机，其特征在于：所述控制面板（3）包括MCU控制模块和与MCU控制模块均电性连接的第一启动开关（31）、第二启动开关（32）和第三启动开关（33），所述第一启动开关（31）、所述第二启动开关（32）、所述第三启动开关（33）分别与所述第一负吸装置、所述第二负吸装置、所述第三负吸装置电性连接，所述控制面板（3）还包括有分别与所述第一启动开关（31）、所述第二启动开关（32）、所述第三启动开关（33）电性连接的第一计时显示器（34）、第二计时显示器（35）、第三计时显示器（36），所述第一提篮机构（52）上的所述驱动气缸和所述第二提篮机构（72）上的所述驱动气缸分别与所述第一启动开关（31）和所述第三启动开关（33）电性连接，所述控制面板（3）还设置有与所述第一超声波仪器电性连接的第一超声开关（37）和与所述第二超声波仪器电性连接的第二超声开关（38），所述第一超声开关（37）和所述第二超声开关（38）均与所述MCU控制模块电性连接。

7.一种通过权利要求6所述的晶片清洗机来进行晶片清洗的方法，该方法在所述清洗仓（2）内封闭进行作业，其特征在于，其步骤包括：

a.将晶片放入于所述网杯（8）内，再将装有晶片的所述网杯（8）放入第一提篮机构（52），按下所述第一启动开关（31）和所述第一超声开关（37），所述第一超声波仪器开始工作且所述第一计时显示器（34）开始显示计时时间，所述第一液体集装箱（53）开始通过所述第一管道（55）向所述第一清洗槽（51）流入代替酸性溶剂的所述NDK花王清洗溶剂，所述第一提篮机构（52）带动所述网杯（8）在充满所述NDK花王清洗溶剂的所述第一清洗槽（51）上下运动，晶片可在所述网杯（8）内浮动，所述步骤a至少清洗三十分钟；

b.将完成步骤a的所述网杯（8）转移至所述喷淋洗净装置（6），按下所述第二启动开关（32），所述第二计时显示器（35）开始显示计时时间，通过所述喷洒机构（63）向所述网杯（8）不断冲淋装于所述第二液体集装箱内的所述第一纯水，所述第一纯水为导电率1.0μ以下的纯水，所述步骤b至少冲淋三十分钟；

c.将完成步骤b的所述网杯（8）转移至所述超声波纯净水清洗装置（7），按下所述第三启动开关（33）和所述第二超声开关（38），所述第二超声波仪器开始工作且所述第三计时显示器（36）开始显示计时时间，所述第三液体集装箱开始通过所述第三管道（73）向所述第二清洗槽（71）流入导电率1.0μ以下的所述第二纯水，所述第二提篮机构（72）带动所述网杯（8）在充满所述第二纯水的所述第二清洗槽（71）上下运动，晶片可在所述网杯（8）内浮动，所述步骤c至少清洗三十分钟。

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