CN106573460A - 装置、特别是光学装置的晶片级制造 - Google Patents

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Abstract

用来将N≥2个第一元件(10)施加至基材(1)的第一侧的晶片级方法，其中所述基材(1)在所述第一侧具有第一表面(1a)，所述方法包括：a)提供基材(1)，其中至少N个阻挡件(40)存在于所述第一侧，并且其中所述N个阻挡件(40)中的每一个都与所述N个第一元件(10)中的一个相关联。而且，对于所述N个第一元件中的每一个而言，所述方法包括：b)使各个第一数量的呈可流动状态的可硬化材料(5)与所述第一表面(1a)接触，所述各个第一数量的可硬化材料(5)与所述各个第一元件(10)相关联；c)借助所述各个相关联的阻挡件(40)来控制所述各个相关联的第一数量的可硬化材料(5)在所述第一表面(1a)上的流动；d)使所述各个相关联的第一数量的可硬化材料(5)硬化。而且，对于所述N个第一元件(10)中的每一个而言，在步骤d)中在所述第一表面(1a)和所述各个元件(10)之间形成相互连接。

Description

装置、特别是光学装置的晶片级制造
总的来说，本发明涉及晶片级制造方法的领域，特别涉及在其中一个或多个部件附着至基材的装置的制造。具体地说，本发明涉及微光学(micro-optics)领域。再具体地说，本发明涉及复制方法，尤其涉及压印式(embossing-type)过程。本发明涉及根据权利要求书的开头句子所述的方法以及这样生产的装置。
术语定义
“有源光学部件”：光传感或光发射部件。例如，光电二极管、光电二极管阵列、图像传感器、LED、OLED、激光芯片。有源光学构件可作为裸芯片(bare die)存在或存在于封装体中，即作为封装的部件。
“无源光学部件”：通过折射和/或衍射和/或(内部的和/或外部的)反射使光线转向(redirect)的光学部件，诸如透镜、棱镜、另外的衍射或折射结构、镜、或光学系统，其中光学系统是还可能包括诸如孔径光阑(aperture stop)、图像屏幕(image screen)、夹持器的机械元件的这样的光学部件的集合。
“光电模块”：其中包括至少一个有源光学部件和至少一个无源光学部件的部件。
“复制”：借助其使给定的结构或其负片(negative)再现的技术。例如，蚀刻、压印(铭印(imprinting))、铸造(casting)、模塑(molding)。
“晶片”：实质上形状为盘状或片状的物件，其在一个方向(z方向或垂直方向或堆叠方向)上的延伸相对于其在另两个方向(x和y方向或横向)上的延伸小。通常，在(非空白的)晶片上，多个类似的结构或物件被布置或设置于其中，典型地在矩形的栅格(grid)上。晶片可以有开口或孔洞，并且晶片甚至可以在其横向区域的主要部分中是没有材料的。晶片可具有任意横向的形状，其中圆形和矩形是非常常见的。虽然在许多情况下，晶片被理解为主要是由半导体材料制成的，但在本专利申请中，这明确地不是限制。因此，晶片可以主要是由，例如半导体材料、聚合物材料、包含金属与聚合物或聚合物与玻璃材料的复合材料所制成。特别是可硬化材料，诸如可热固化或可UV固化的聚合物是用于本发明的令人感兴趣的晶片材料。
“横向的”：参考“晶片”。
“垂直的”：参考“晶片”。
“光”：最一般性地是电磁辐射；更具体地是电磁频谱(electromagneticspectrum)的红外线、可见光或紫外线部分的电磁辐射。
用来模塑光学元件的方法可从EP1837165A1得知，在该方法中，使用了具有溢流体积(overflow volume)的工具。各种这样的工具描述于其中，其将控制复制材料的流动。
在WO2009/076786中，公开了将间隔件(spacer)附着至基材的方式。
本发明源于对能够在很大的空间限制下在基材上生产光学元件的渴望。小型化及对于在每单位基材面积提供越来越多功能性的需要在微光学领域以及其它领域，诸如微电子学、微机械学和微流体学领域中是重要的问题。此外，当元件或部件，如光学部件将被大量生产时，必须达到高的过程稳定性，以实现适当的产量以及基于此的有效率的制造过程。
特别地，可能发生的是元件或部件，例如光学元件，诸如透镜元件将被设置在靠近另一物件处，诸如靠近另一光学元件或靠近用于将两个晶片或基材保持明确的彼此距离的间隔件的一部分。更具体地，此元件或部件可使用压印式过程来制造，其中复制工具被用来在基材上制造元件或部件。而且其中，可能发生的是比最终存在于元件或部件本身中的复制材料更多的复制材料被用在压印式过程中。尤其是在此压印式过程中能够生产包含元件或部件以及还包含存在于元件或部件周围的环绕部分的元件或部件。分别提供额外量的复制材料(过量的复制材料)和环绕部分的一个理由是其中将复制材料施加至复制工具和基材之间(典型地施加至它们中的一个或两者)的分配过程的精确性有限。此外，环绕部分使得在压印过程期间对复制材料的流动控制成为可能。而且，提供过量的复制材料可有助于防止在元件或部件内形成空隙。
考虑到上述与使用压印式过程在基材上的光学元件的晶片级制造有关的情况，本发明人认识到在光学元件的压印式制造期间的复制材料的流动控制可通过使用一个或多个已存在于基材上用来控制该流动的光学元件来实现。特别地，一个或多个已存在于基材上的光学元件也可以是使用压印式复制过程制造的光学元件，并且每个光学元件可具有环绕部分。并且这些环绕部分的各自一个可作为流动控制元件，或更具体地作为阻挡件，用以控制在后续步骤中制造的其它光学元件中的各自一个的流动。
然而，本发明人接着注意到阻挡件并非必需是在其它光学元件的复制之前存在于基材上的光学结构，而是可以更一般性地为之前存在于基材上的任何结构或构件。特别地，阻挡件可以是存在于基材上的一些突起或嵴，或至少包含存在于基材上的一些突起或嵴。但另一方面，本发明人认识到还能够在基材中使用凹陷或沟作为用于流动控制的阻挡件。
设想到的借助阻挡件的流动控制的重要的目的是防止可流动材料延伸到基材上不应存在可流动材料的区域内。例如可流动材料不应(或仅在可接受的部分)覆盖已存在于基材上的另一物件。这可能是以下情形，例如在所讨论的压印过程之前，光学元件已存在于基材上，其包含光学元件，诸如透镜元件和环绕部分(例如像上文提到的)，并且所述光学元件必须保持没有在形成其他光学元件时使用的可流动材料(复制材料)。或者，光路被限定在包括基材和光学元件的装置内靠近光学元件将被设置在基材上的位置处，并且光路应保持没有在形成其它光学元件时使用的可流动材料(复制材料)。或者，某些区域出于机械的原因应保持没有复制材料，例如为了在没有机械性干扰情况下使其它物件与基材表面机械性接触或接近或附着。或者，基材的某些部分出于光学的原因、或为了装饰性外观、或出于美观的原因而必须保持没有复制材料。
而且还进一步地，本发明人注意到使用用于流动控制的阻挡件可以不只在通过复制(更具体地是通过压印)在基材上制造元件或部件的时候是有用的，而且在使用可流动材料将元件(其也可以是部件)施加于基材上的任何时候也都是有用的。例如，此元件可以是光学元件、有源光学部件、无源光学部件，并且其也可以是另一晶片或它的部分。而且，将视野扩展到光学或微光学领域以外，待施加至基材的元件可以是例如微电子部件或微流体部件，诸如导流件或管或微型阀。
并且因此，用于将元件施加至基材上的可流动材料可以不仅是复制材料，诸如可固化的环氧树脂，而且还可以是例如粘合材料，诸如胶(其中该粘合材料或胶也可以是可固化的环氧树脂)。
而从上面提到的现有技术文件EP1837165A1可知，可通过提供特定种类的复制工具来在复制中实现某种流动控制，本发明人意识到特定种类的(具体是经过预处理的)基材能够实现理想的流动控制。更具体地，可例如通过预成形的基材的特征或通过之前被施加至基材的构件来提供阻挡件，其中构件可以具有唯一的阻挡件功能或可以具有额外的功能。尤其是在阻挡件不实现额外功能的情况下，它可在复制过程中，例如在压印式过程，或在分配过程中被施加至表面。如果阻挡件除了控制流动以外还具有一项或多项功能，则阻挡件可以是例如光学部件、电光学部件、电子部件、机械部件、电子机械部件、微流体部件或还是其它部件。
而且此外，可以呈现的是元件可以同时形成并且施加至基材，如像上文描述的通过复制尤其是压印来生产元件的情况下。因此，可以实现的是元件可以是由可流动材料本身(通常是其被硬化之后)构成的。或者，可选择地，元件可以是预制的并且只被施加至基材，例如使用粘合剂，例如元件是(预制的)大型(bulk)光学部件或有源光学部件，如LED或光电二极管(photo diode)。因此，元件不同于可流动材料(在其被硬化之后也是如此)。例如，在后者的情况下，或还有当元件将被电连接至基材的时候，可流动材料可以是导电性材料，诸如导电胶，例如像在微电子学中使用的。
上文中提到的可流动材料通常是指可硬化材料。该材料可被固化，在此情况下，它从可流动状态转变成被硬化或被固化的状态，其中某些塑性变形可能保留在该状态中。
虽然有很多材料是可通过将能量从材料中抽取出来，尤其是通过冷却它们而被硬化的，但本发明人反而设想去使用可通过引入能量而被硬化的材料。特别地，设想的可硬化材料可通过将它加热或用电磁辐射，尤其是用光，更具体的是用UV光照射它中的一种或两种而被硬化。这样的材料在本领域中是已知的，例如环氧树脂的形式的或其它基于聚合物的材料，尤其是以可固化的基于聚合物的形式。
在硬化之后，元件通常将会因为可硬化材料而粘附于基材。而且，不论元件基本上是由可硬化材料(处于其硬化的状态)构成的或元件是与可硬化材料(处于其硬化的状态的)不同，通常都是这样的情形。
而且，阻挡件的材料(更具体地是在其表面的材料)可被可硬化材料(呈其可流动状态的)(相当充分地)润湿，这样对于各种应用而言可能是有利的。这与例如被设计来避免被相应的焊料材料(呈其可流动状态的)弄湿的焊料掩模(mask)是相反的。更具体地，对于典型的应用而言，选择(分别用于阻挡件和可硬化材料)材料，使得可硬化材料和阻挡件的材料(更具体地是在其表面的材料)之间的接触角度小于90°或进而小于45°，尤其是小于30°，更特别地是小于22°。在阻挡件是由预成形的基材的特征提供的情况下，所述的接触角度适用于可硬化材料(呈其可流动的状态的)和基材的表面之间的界面。
此外，特定的阻挡件的剖面形状在控制可硬化材料(在其被硬化之前)的流动方面特别有效，或更具体地用来抑制可硬化材料流到基材的表面(紧邻地)位于超出阻挡件的部分上。这样的剖面形状将于下文中进一步描述。
在微电子封装中，一种用于包封微电子部件的特定方法被称为“围堰填充(damand fill)”。在围坝填充过程中，待包封的微电子部件被安装在基材上(通常是在目标位置)，并且只有在这时，可流动材料才被施加至在基材上形成的围绕被安装的部件的封闭的环状堰内。借助可流动材料(包封材料)，部件由此被包封。部件然后被可硬化材料(包封材料)完全地覆盖(从所有面)。
然而，本发明人主要设想的是不用可硬化材料完全覆盖各个部件。而设想的是使被施加至基材的部件的至少60％或进而至少80％的面积没有可硬化材料，其中该面积是指各个部件的顶表面可以以在基材之上的俯视，即在各部件之上垂直地朝向基材表面的视野可见的面积。在许多情况下，甚至是至少90％的面积或实质上面积的全部都没有可硬化材料。这些数值尤其适用于将预制的部件施加于基材的情况。
然而，本发明人进一步设想各种应用会具有阻挡件，这些阻挡件没有完全横向地环绕待施加至基材的元件，更具体地是没有限定出封闭的环形。例如，在可硬化材料的流动必须被阻挡件仅在特定的方向上限制或阻止的情况下，例如提供具有(短的)弯曲的或直的线段形状的阻挡件就足够了。然而，也可在例如以下情况下提供完全横向地环绕将被施加至基材的元件的封闭的环形：阻挡件是其它地方被更详细地描述为通过复制(尤其是通过压印)形成的光学结构的环绕部分。
对于某些应用而言，具有完全横向地环绕将被施加至基材的元件的阻挡件可能是有利的。以此方式，在基材上以任何(横向)方向存在的物件都可受到阻挡件的保护而(完全地或部分地)不被可硬化材料覆盖。注意到横向的环绕可以以连续的方式但也可以以不连续的方式来实现；阻挡件例如可以由数个彼此(互相)紧靠的凹陷或突起组成。
在本发明的一个具体方面，本发明涉及使用存在于基材的第一表面的阻挡件作为在用来在第一表面上生产元件，尤其是光学元件的压印式复制过程期间阻挡呈可流动状态的可硬化材料(更具体地为复制材料)流过阻挡件的障碍物，特别是其中阻挡件在使可硬化材料与第一表面接触之前就已经存在于第一表面。通常，流动将在阻挡件处停止。
本发明的一个目的是形成使用可硬化材料，特别是以晶片等级将元件施加至基材的替代方式。尤其是将提供用来将第一元件施加至基材的第一侧的各个方法。而且此外，将提供一种用来制造装置的方法，该装置包括基材区段，特定的第一元件存在于基材区段上。而且此外，将提供相应的基材和装置。
本发明的另一目的是形成保护存在于基材上的物件(至少部分地)不会在使用可硬化材料将元件施加至基材时被可硬化材料覆盖的替代方式。
本发明的另一目的是形成一种用施加至基材的元件来实现特别密集的晶片群的方式。
本发明的另一目的是形成一种在基材上实现特别紧密地间隔的元件的方式。
本发明的另一目的是形成一种提供在基材上存在的具有特别小的覆盖区(footprint)的元件或结构的方式。
本发明的另一目的是形成一种提供在基材上存在的具有特别定制的(tailored)，尤其是根据在基材上存在的其它物件或结构定制的覆盖区的元件或结构的方式。
本发明的另一目的是形成一种以晶片级大量生产的方式实现一个或多个上述目的的方式，更具体地是同时实现生产过程的高效率。
本发明的另一目的是提供一种后续地在基材上提供不同的或类似的元件或结构的新方式。
其它目的也从下面的描述和实施方案体现。
这些目的中的至少一个是至少部分地通过根据专利权利要求书所述的设备和方法实现的。
特别地，本发明可以包括一种用来将N≧2个第一元件施加至基材的第一侧的晶片级方法，其中基材在第一侧具有第一表面，并且该方法包括：
a)提供基材，其中至少N个阻挡件存在于第一侧，并且其中所述N个阻挡件中的每一个都与N个第一元件中的一个相关联；
其中，对于N个第一元件中的每一个而言，
b)使各个第一数量的可流动状态下的可硬化材料与第一表面接触，各种第一数量的可硬化材料和各个第一元件相关联；
c)借助各个相关联的阻挡件来控制在第一表面上的各个相关联的第一数量的可硬化材料的流动；
d)使各个相关联的第一数量的可硬化材料硬化；
其中，对于N个第一元件中的每一个而言，在步骤d)中形成在第一表面和各个第一元件之间的相互连接(interconnection)。
以此方式，第一表面的被可硬化材料覆盖的区域可以被控制，尤其是第一表面的不被可硬化材料覆盖的区域可以以一种限定的(defined)方式保持不被可硬化材料覆盖。
该方法也可以被视为一种制造装置的晶片级方法，其中在该装置中，N≧2个第一元件被施加至基材的第一侧。而且，基材在第一侧具有第一表面。而且，该方法包括上述的步骤。
N的含义是正整数，通常达到至少10或达到至少30或甚至至少80。
基材通常是晶片。
基材通常是固体和/或尺寸是稳定的。
基材可以主要由例如基于聚合物的材料，诸如复制材料制成，尤其是在预成形的基材的情况下。其可以是至少部分透明的，尤其是在第一元件是光学元件的情况下。例如，基材可包括至少一个不透明的部分和至少一个，典型的是至少N个透明的部分，它们是被横向地限定的部分，其中进一步地，一个或多个透明的部分通常是被至少一个不透明的部分横向地完全环绕。
基材可以基本上由玻璃或至少部分地由玻璃制成。
尤其可以呈现的是，对于N个第一元件(和相关联的阻挡件和可硬化材料的数量)中的每一个而言，步骤a)、b)、c)、d)是以所显示的顺序来进行的。
步骤b)通常是只在瞬间(instant)(对于每一第一元件而言)发生的。
在步骤b)中，通常使N个第一数量中的每一个和第一表面在第一表面的不同区段接触。
步骤b)可在不同的时间发生，并且因此对于N个第一数量的可硬化材料而言，步骤b)可按顺序地发生。但其也可基本上同时发生。
对于N个第一元件中的每一个而言，该方法通常包括(并且典型地从各个步骤b)开始)以下步骤：将第一数量的可流动状态的可硬化材料施加至第一侧，通常是在不同区段中。
在步骤c)期间(并且通常也在步骤b)期间)，各个第一数量的可硬化材料以可流动的状态存在。
通常，在步骤c)中，可硬化的材料与各个阻挡件接触并部分地覆盖各个阻挡件。
步骤c)通常是在对于第一数量的可硬化材料中不同第一数量的可硬化材料而言重叠的时间间隔内发生。然而，也可能呈现的是对于N个第一元件中的不同第一元件，步骤c)也可连续地进行。
通常，在步骤d)中，在各个第一元件和第一表面之间形成持久的(永久的)相互连接。该相互连接要维持到在基材上或在基材的区段上存在的第一元件被结合到装置中或成为装置的一部分之后，尤其是装置包括壳体，第一元件然后存在于壳体内。
通常，对于N个第一元件中的每一个而言，各个第一元件从第一表面(或从由第一表面所限定的平均高度)起的垂直延伸超过相关联的阻挡件从第一表面(或从由第一表面所限定的平均高度)起的垂直延伸。
即使能够针对N个第一元件中的不同第一元件在不同时间进行步骤d)，但针对N个第一元件同时进行步骤d)可能是优选的，尤其是为了要节省时间。
典型地，对于N个第一元件中的每一个而言，步骤c)包括各个相关联的至少一个阻挡件，其阻止(各个相关联的第一数量的可硬化材料)可硬化材料流到第一表面的部分上，所述第一表面的部分位于(紧邻)所述至少一个阻挡件之外。其中，“(紧邻)位于所述至少一个阻挡件之外的第一表面的部分”的表述可以更具体地指代或包括位于通过特定的第一点和特定的第二点的线上的第一表面的区段。其中，第一点是各个第一元件的连续的覆盖区的中心点(尤其是所述连续的覆盖区的质心)，以及第二点是各个相关联的阻挡件的(连续的)覆盖区的中心点(尤其是所述阻挡件的所述覆盖区的质心)。而且，特定的第二点位于特定的第一点和所述区段之间。
通常，N个阻挡件中的每一个都横向地存在于第一表面上的相关联的第一元件的覆盖区和该表面的将保持没有可硬化材料的部分之间。例如，另一元件(第二元件，如光学元件、无源光学部件、有源光学部件)可存在于第一表面上；或基材的透明部分可存在于此，基材的透明部分构成被限定在装置内或被装置限定的光径的区段，该装置包括第一元件和基材。
在整个本专利申请中使用的术语“第一元件”并不暗示一定必然存在第二元件。但是，它将有助于将目前涉及到的元件和本专利申请中提到的其它“元件”相区别，因而使得说明更清楚。
可以呈现的是步骤c)包括阻止可硬化材料的流动的至少一个阻挡件，该可硬化材料的流动将造成可硬化材料完全横向地环绕阻挡件。
并且尤其可以呈现的是，对于N个第一元件中的每一个而言，相关联的至少一个阻挡件完全横向地包围相关连联的第一数量的可硬化材料。尤其是在各个第一元件周围的许多方向或所有方向上有空间限制的情况下，这是特别适合的。
通常，可以呈现的是至少一个阻挡件是存在于第一表面上的相关联的第一元件的覆盖区之外。换言之，至少一个阻挡件及其相关联的第一元件没有(横向地)重叠。
在一个实施方案中，所述方法涉及将N≥2个第一元件每个都施加至基材的第一侧的各个目标位置，并且对于N个第一元件中的每一个，所述方法适用
-在步骤b)期间，各个第一元件处在与各个目标位置不同的位置；和
-在步骤d)中，第一表面和位于各个目标位置的各个第一元件之间形成相互连接。
目标位置是指以三维限定的位置(被横向地和被垂直地限定)。
这与围堰填充包封过程中所完成的相反，在围堰填充过程中，首先将待包封的物件附着至基材(在其目标位置)，之后才施加可流动的包封材料。
在后续可能发生的分割(分开)步骤中，N个第一元件中的每一个在其各自的目标位置与基材(保持)相互连接。
在一个实施方案中，阻挡件上的可硬化材料的接触角度达到90°，尤其达到最多45°，更具体地达到最多30°。在这样的情况下，发生阻挡件材料的相对良好的润湿，这与例如从微电子学印刷电路板组件制造所知道的焊料掩模过程相反。在后者中，选择焊料掩模的材料是为了避免焊料掩模材料的润湿，这与本实施方案相反，在本实施方案中可硬化材料可以或甚至会部分覆盖阻挡件。
在一个实施方案中，将能量施加至可硬化材料，用以使其硬化或用以使其从其可流动状态转变成固化状态。而且，通常选择在硬化过程中，例如固化步骤中经历化学反应的可硬化材料。而且更具体地，必须将能量施加至可硬化材料，用以使其经历所述化学反应。
而在围堰填充过程中，整个第一元件通常将被可硬化(包封)材料覆盖，在本发明中反而设想的是去避免此情形并且反而呈现的是对于N个第一元件中的每一个而言，步骤c)以这样的方式进行，即在步骤d)结束时，至少60％、尤其是至少80％的各个第一元件的顶表面面积没有各个第一可硬化材料数量的材料。尤其是其中可以限定顶表面面积是各个第一元件的顶表面面积，该顶表面是由第一元件的在从垂直于基材的第一表面的方向观看(“从上面”)第一元件时可见的那些表面所构成的。
至少N个阻挡件中的每一个可以是以下或由以下提供：
-在步骤b)进行之前在第一表面复制的被复制的结构，尤其是其中被复制的结构是使用压印式过程复制的，并且更具体地，其中被复制的结构包括光学元件，并且还包括至少部分地环绕光学元件的环绕部分。
这尤其特别适合于被复制的结构无论如何都会存在于基材上的情况。而且，复制是一种特别适合晶片级大量生产的方法。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-在步骤b)进行之前在第一表面中复制的被复制的结构的环绕部分，除了包括环绕部分之外，被复制的结构还包括元件，尤其是光学元件，该周围部分至少部分地横向环绕元件，尤其是其中被复制的结构是使用压印式过程复制的。
而且，这可以尤其特别适合于所述被复制的结构无论如何都会存在基材上的情况。而且，复制是一种特别适用于晶片级大量生产的方法。
而且，使用环绕部分作为阻挡件可使得节省大量空间成为可能。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-突起，其突出超过由第一表面所限定的平均高度。
例如，嵴、突出、隆起(elevation)可被设置为阻挡件。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-在基材的第一侧中的凹陷，其在由第一表面所限定的平均高度之下延伸。
例如，沟、槽、波纹(corrugation)或下陷(lowering)可被设置为阻挡件。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-使用复制方法，尤其是压印式过程在第一表面上形成的结构。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-使用分配方法，尤其是使用分配器在第一表面上形成的结构。
例如，嵴和其它突起结构可被分配至第一表面上，用以提供阻挡件。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-粘合至第一表面的物件，尤其是粘合至第一表面的预制的物件，尤其是使用粘合材料粘合至第一表面的预制的物件。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-通过从基材移除材料而形成于第一表面的结构，尤其是使用激光束，更尤其是激光烧蚀用来将材料从基材移除。
例如，沟、槽和类此物可以以此方式生产。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-使用具有蚀刻步骤或剥离(lift-off)步骤的光刻方法，尤其是使用激光光刻方法在第一表面形成的结构。
具有蚀刻步骤或剥离步骤的光刻方法可以用来在第一表面产生突起和/或凹陷，或甚至是包括突起和凹陷两者的结构。例如，基材中的凹陷可通过选择性地蚀刻基材材料来产生；并且基材上(更具体地是在第一表面上)的突起例如可通过使光致抗蚀材料保留在第一表面的预定区域中，同时将其基材的其它区域去除来产生。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-使用机械加工，尤其是铣削在第一表面形成的结构。例如，铣削机可被用来选择性地从该基材去除材料或去除基材的材料。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-使用锯，尤其是分割锯在第一表面形成的结构。例如，除了用分割锯将基材分割成分开的物件之外，它也可被用来在基材中形成沟或槽或突起。
至少N个阻挡件中的每一个都可以是以下或是由以下提供：
-在第一基材的结构特征，其与基材的其余部分的至少主要部分一体形成，尤其是其中基材是使用复制技术，尤其是压印式或模塑式复制技术制造的。
以此方式，适合的基材可以是预制的。使用复制技术这样做特别适合于大量生产。
N个第一元件中的每一个都可以是以下或可以包含以下中的一个或多个
-在第一表面复制的被复制的结构，其包括步骤b)、c)及d)，尤其是其中被复制的结构是使用压印式过程复制的，并且更具体地，其中被复制的结构包括光学元件，还包括至少部分地环绕光学元件的环绕部分。
以此方式，通常不需要进行额外的粘合步骤，以使第一元件和基材彼此相互连接。
更具体地，对于N个第一元件中的每一个而言，所述方法可包括：
r)通过压印式复制方法在第一表面产生第一元件；
并且步骤r)可以进一步包括：
r1)使用复制工具使第一数量的可硬化材料的至少一部分成形；
r2)在步骤h)期间或之后从第一数量的可硬化材料移除复制工具。
步骤r)通常是在步骤b)发生之后进行的。
第一元件中的每一个在这种情况下形成一体成型的部分，其包括功能性元件，如光学元件，以及还包括横向地环绕功能性元件的环绕部分。功能性元件和第一元件的环绕部分两者可以以此方式在一个并且相同的过程中生产，并且由至少实质上相同的材料生产。
而且，也可制造在本专利申请中提到的其它被复制的物件，其包括使用复制工具使第一数量的可硬化材料的至少一部分成形的步骤，以及在硬化期间或之后从可硬化材料移除复制工具的步骤。
N个第一元件中的每一个都可以是或可以包括：
-待粘合至第一表面的物件，尤其是待粘合至第一表面的预制的物件，尤其是使用粘合材料粘合第一表面的预制的物件，例如，预制的大型光学部件。
可硬化的材料因而可以是粘合材料。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-微型光学部件，尤其是透明的微型光学部件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-无源光学部件，尤其是透镜元件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-有源光学部件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-电子部件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-发光元件，尤其是LED、OLED、激光二极管。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-光检测元件，尤其是光电二极管或光检测器阵列，其中光检测器阵列尤其可以是二维光检测器阵列或一维光检测器阵列。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-微机械部件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-微流体部件。
N个第一元件中的每一个都可以是或可包括：
-晶片的部分，尤其是间隔件晶片的至少一个接触式压铆紧固件(contactstandoff)。
例如，在诸如光电模块的装置的制造中，通常会使用间隔件，以在晶片(尤其是其上存在光学元件的晶片)之间建立明确的垂直距离。在阻挡件被用来控制可硬化材料(其更具体地是粘合材料)的流动的情况下，这些间隔件的接触式压铆紧固件可被设置成特别靠近其它物件。
在一个实施方案中，N个阻挡件中的每一个都包括突起，其突出超过由第一表面所限定的平均高度，其中各个突起包括第一部分表面，其在步骤d)结束时面向在其位置的各个第一元件，或在±30°内或进而在±10°内水平地对准，以及第二部分表面，其背离在步骤d)结束时在其位置的各个第一元件。而且，第一部分表面在步骤d)结束时至少部分地(或进而超过50％的面积)被各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料所覆盖，并且第二部分表面在步骤d)结束时没有各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料。而且尤其可以呈现的是超过50％或进而超过75％的第一部分表面的面积在步骤d)结束时被各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料所覆盖。
第二部分表面可以至少在±30°内或在±10°内垂直地对准。
第一和第二部分表面通常是彼此邻接的。
而且，可以呈现的是第一和第二部分表面是在边缘处邻接并且第一部分表面在步骤d)结束时被各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料覆盖至边缘。在这种情况下，第一部分表面可以被所述可硬化材料完全覆盖。
尤其是第一和第二部分表面可相对于彼此成一角度。而且，该角度通常是至少230°，进而至少275°或甚至是至少290°。在第一和第二部分表面中的一个或者两者不是平面的情况下，平面的中值(mean)表面(平均表面)被当作用于确定该角度的参考，其中在部分表面之间形成边缘的情况下，接近该边缘的中值表面(平均表面)被当作用于确定该角度的参考。
以此方式，可硬化材料的流动可以被特别有效地阻止，尤其是在边缘处并且因为边缘被阻止和/或因为部分表面之间的大角度而被阻止。
除了彼此邻接的第一和第二部分表面，与第一部分表面邻接的第三部分表面可设置在阻挡件处。典型地，第一边缘形成在中间的部分表面和第一部分表面的邻接处，并且第二边缘形成在中间的部分表面和第二部分表面的邻接处。该第二边缘相当于上文中进一步提到的边缘。
在这种情况下，其例如可通过将光致抗蚀材料结构化来提供阻挡件来实现，第一部分表面和第三部分表面通常在步骤d)结束时至少部分地(通常是完全地)被各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料所覆盖，尤其是覆盖至第二边缘。
第一和第二部分表面之间的典型角度已在上文中描述，请参照。
而且，第一部分表面和第三部分表面可以例如相对于彼此成一角度，其是至少230°，进而至少260°。在第三和第一部分表面中的一个或者两者不是平面的情况下，平面的中值表面(平均表面)被当作用于确定该角度的参考。
在一个实施方案中，N个阻挡件中的每一个都形成突出超过由第一表面所限定的平均高度至少2微米和/或最多150微米，尤其是4微米至100微米的突起。
在另一个实施方案中，N个阻挡件中的每一个都包括在基材的第一侧的凹陷，其在由第一表面所限定的平均高度之下延伸，各个凹陷包括第一部分表面和第二部分表面，第一部分表面背离在步骤d)结束时处于其位置的各个第一元件。而且，第一部分表面在步骤d)结束时没有或最多部分被各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料所覆盖，并且第二部分表面在步骤d)结束时没有各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料。
尤其是第一部分表面有边界(通常是基材的第一表面的边界)，边缘存在于该边界处，其中在步骤d)结束时，第一可硬化材料数量的材料延伸到达边缘，同时第一部分表面则没有各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料。
而且，第二部分表面可面向在步骤d)结束时在其位置的各个第一元件或在±30°内被水平地对准。具体来说，可以呈现的是第一表面和第一部分表面相对于彼此成一角度。而且，该角度通常是至少230°、进而至少275°或甚至至少290°。在第一部分表面不是平面的情况下，中值表面(平均表面)被作为用于确定该角度的参考，其中在第一表面和第一部分表面之间形成边缘的情况下，接近边缘的中值表面(平均表面)被作为用于确定角度的参考。
以此方式，可硬化材料的流动可以被特别有效地阻止，例如在边缘处和/或因为部分表面之间的大角度而被特别有效地阻止。
在一个实施方案中，N个阻挡件中的每一个都在基材的第一侧中形成凹陷，所述凹陷在由第一表面所限定的平均高度之下延伸至少2微米和/或最多150微米，尤其是4微米至100微米。
注意到如上文所述，在各个阻挡件处设置边缘是优选的，另一方面可优选呈现的是，第一表面的被横向地限定的区段是由步骤d)结束时各个第一元件(在第一表面上)占据的覆盖区所限定的，它是平滑的和/或没有边缘和/或连续可区别的。这可促进可硬化材料在步骤d)开始之前的良好流动，其再者可导致各个第一元件对第一表面的良好粘附。而且，这不仅可以适用于所述第一表面的被横向地限定的区段，还可以适用于第一表面的位于所述覆盖区和各个阻挡件(或更具体地，各个阻挡件的覆盖区；或甚至更具体地，由第一表面上被各个阻挡件所占据的覆盖区所限定的第一表面的被横向地限定的部分)之间的部分。
而且，所述的(平滑的或连续可区别的)表面可(基本上)是扁平的或平面的。
本发明还可包括一种用于制造装置的方法，该装置包括其上存在特定的第一元件的基材区段，依据本文描述的方法中的一种，其中该方法包括将N≧2个第一元件施加至基材的第一侧，其中N≧2个第一元件包括特定的第一元件，并且基材包括基材区段。
此方法可以进一步包括将基材分成多个部分的步骤，这些部分中的一个包括基材区段并且特定的第一元件存在于基材区段上。通常，分离产生N个或多于N个的分开的部分，特别是N个部分中的每一个都包括：
-所述N个第一元件中的一个，
-各个相关联的第一数量的可硬化材料的至少部分；和
-基材的相关联的区段；
其中在各个目标位置内的各个第一元件和基材的各个相关联的区段通过各个相关联的数量的可硬化材料的各个相关联的部分相互连接。
而且，装置可以包括一个或多个其它元件或部件，以及其它一个或多个晶片的一或多个晶片区段。
装置可以是例如以下的至少一个：
-光电模块；
-相机模块；尤其是具有多个光学通道的相机模块，更具体地是阵列相机模块；
-传感器模块；
-接近传感器(proximity sensor)。
装置也可以是例如以下的至少一个：
-运算装置；
-移动电话；
-智能手机；
-智能手表；
-无线通信装置；
-摄影装置；
-车辆，尤其是汽车；
-个人医疗装置；
-智能眼镜；
其中可以呈现的是前述装置中的一种或多种被整合至这些装置中的一种。
本发明可进一步包括具有本文描述的用于本发明的方法的特征的装置。
其它实施方案和优点由从属权利要求和附图体现。
在下文中，借助实施例以及附图来更详细地描述本发明。这些图以显著示意的方式显示：
图1是具有阻挡件的基材的横截面图；
图2是在将元件施加至基材的过程期间图1的基材的横截面图；
图3是具有附着于其目标位置的元件的图1和2的基材的横截面图；
图4是在施加作为晶片的元件的过程期间图1的基材的横截图；
图5是具有附着于其目标位置的晶片的图1和4的基材的横截面图；
图6是图1的基材在施加作为复制的光学元件的元件的过程期间的横截面图；
图7是具有存在于基材上其目标位置的光学元件的图6的基材的横截面图；
图8以横截面图图示了通过将元件复制在基材上而将该元件施加至基材上，其中阻挡件是由在基材上复制的另一元件来提供；
图9以横截面图图示了作为光电模块的晶片级制造的装置；
图10以横截面图图示了材料流动到被整合于基材中的阻挡件上；
图11以横截面图图示了分配至基材上的材料流动到阻挡件上；
图12以横截面图图示了朝向作为基材中的凹陷的阻挡件的材料流动；
图13是在基材上的元件及相关联的阻挡件以及其它物件的俯视图；
图14是在基材上的元件及相关联的阻挡件以及其它物件的俯视图；
图15是在基材上的元件及相关联的不连续的阻挡件以及其它物件的俯视图；
图16以横截面图图示了材料流动到阻挡件，诸如由光致抗蚀材料形成的阻挡件上。
所描述的实施方案意在作为实施例并且不将限制本发明。
呈现的图都是显著示意性的。
图1以横截面图显示了基材1，其在第一侧具有第一表面1a并且在第二侧具有第二表面1b。基材1是晶片，并且在图1中该晶片仅小部分是可见的。
阻挡件40存在于表面1a，其可以限定出封闭的环形，诸如圆形或矩形。在图13中，限定圆形封闭的环的阻挡件40以俯视图图示。
基材1限定了横向方向，它们是平行于基材1的第一侧和第二侧的方向，以及据此还限定了垂直方向，它们是垂直于横向方向的方向。第一表面1a的平均高度被称为1m。
阻挡件40具有第一部分表面41和第二部分表面42，它们成一角度α，其在图1的实施例中达到约320°。如图1所示，部分表面41和42在边缘45处邻接。
特别地，通常对于突起的阻挡件40而言，第二部分表面42可以至少在±35°内或进而在±15°内垂直地对准。
而且，通常对于突起的阻挡件40而言，阻挡件40可以突出超过由第一表面所限定的平均高度至少2微米或至少8微米，和/或最多150微米或最多80微米。
图2以相同的横截面图图示了图1的基材1，但其是在将元件10施加至基材1的过程期间。呈可流动的状态的可硬化材料5(通常为液体可硬化材料5)已与表面1a接触，使得在表面1a上存在一定量的材料5。可硬化材料5可以是例如可热固化及/或可UV固化的粘合剂，如可热固化和/或可UV固化的环氧树脂。当阻挡件40存在于基材1上时，使元件10与材料5接触，如图2中的宽箭头所示。
在图3中，图示了具有被附着基材1的其目标位置的元件10的图1和图2的基材。材料5被硬化，使得元件10被永久地固定至基材1。阻挡件40存在的效果是材料5(在硬化之前)的流动被控制。尤其是材料5不会流过阻挡件40。以此方式，在阻挡件40之外存在的特征或元件或任何种类的物件不被暴露于一些材料5和/或被一些材料5(部分地)覆盖。因此，使用阻挡件可使得在基材上实现特别高的元件密度成为可能。
注意到阻挡件40的部分表面41至少部分地被材料5覆盖。与其它构思，诸如焊料掩模相反，这是理想的效果，并且因此在阻挡件40的材料和可硬化材料5之间的接触角度θ相当地小，如θ＝14°，如图3的实施例所示。
此外，通常并不打算包封元件，如还可以从元件10的顶表面18完全没有材料5的事实看到的。
注意到在元件10存在于表面1a处的表面1a的区域(当然，它们之间有一些材料5)是平滑的、没有边缘，此外它也是平面的，基本是扁平的。
元件10实质上可以是将被附着至基材1的任何种类的物件，尤其是预制的物件，例如有源光学部件或无源光学部件，或电子部件。
与图2和3类似，图4和5分别图示了元件10是延伸的基材，诸如晶片级基材的部分的情况，其中元件可能被设置在该晶片级基材上(预组装的元件)。元件10可以是晶片或晶片的部分。而且，在材料5被施加至表面1a之前，元件10不在其目标位置(参见图5)。
然而，施加元件10至基材1也可以以元件10同时(在一个且相同的过程中)形成并施加(或附着)至表面1a的方式来实现，例如图6中所示。
图6再次显示在施加元件10的过程期间的图1的基材，但是元件10包括在压印式过程中将形成在表面1a上的复制的光学元件。提供复制工具50，其至少部分地确定元件10的形状。可硬化材料5更具体地是复制材料，如可固化的环氧树脂。材料5被施加在复制工具50和基材1之间，例如如图6所示，被施加至复制工具50。然后，使复制工具50接近或甚至是接触表面1a，如图中的宽箭头所示。
当复制工具50就位时，材料5的硬化开始或甚至完成。尤其是当光学元件10是透明的光学元件，诸如透镜时，材料5是光学透明材料，并且如图6中所示，基材1也可以是透明的，至少是部分透明的。透明度当然可能是仅对电磁频谱的部分，诸如仅对红外线而言的。
虽然在图6的实施例中可硬化材料5是构成元件10的复制材料，但在图2、3及4、5的实施例中它只是粘接剂或粘合材料。
图7显示复制工具50被移除并且材料5完全被硬化的图6的基材1。元件10现在形成并且存在于(且固态地相互连接至)基材1的目标位置。
可在压印式复制过程中生产元件，如图7所示，该元件包括主要部分11，其构成功能性元件，诸如透镜元件，还有环绕部分12，其完全(或至少部分地)横向环绕主要部分11。主要部分11和环绕部分12是在一个且相同的过程中生产的并且是相同材料的。它们构成一体形成的部分(即元件10)。通常，环绕部分12没有特定的功能，如没有光学功能，其只是制造主要部分11方法的结果。
然而，这样的环绕部分可以用作为阻挡件，如将参照图8描述的。
图8是通过将元件10复制于基材1上来将元件10施加至基材上的横截面图示，其中阻挡件40是由之前复制在基材1上的另一元件20提供。
因此，开始时已经使用采用复制工具(未示出)的压印过程和可流动的和/或液体可硬化的(复制)材料6在基材1上生产元件20。元件20包括主要部分21和环绕部分22。环绕部分22提供两个部分表面41、42，它们彼此成大的角度并且形成边缘45。环绕部分22的特殊形状基本上源于复制工具的适当设计，其可以例如对应于图6的复制工具50的设计。部分表面42是对复制工具的表面的复制，而部分表面42具有新月形状，其是由复制过程中所使用的材料6的量和由材料特性来确定的，更具体地是由材料6和复制工具的材料之间的接触角度以及还由材料6和在表面1a处的材料之间的接触角来确定的。
元件20，更具体地为环绕部分22及再更具体地为部分表面41、42(和边缘45)可作为用于后续过程的阻挡件40。
后续过程可以是例如再次复制过程且更具体地为压印过程，如图8所示。图8图示了用于(复制)材料5的硬化过程开始时的情况，材料5被施加至由复制工具50形成的表面1a。迫使材料5(参见图8中的虚线)如黑箭头所示流动。它的流动被事先已存在于基材1上的结构(参见上文)的环绕部分22所提供的阻挡件40控制并阻止。材料5构成主要部分11和环绕部分12。
在硬化(尤其是固化(curing))材料5之后，两个元件10、20存在于基材1上，其各自包括例如透镜元件，且它们彼此靠得很近。它们各自的环绕部分12、22是(横向地)重叠的。
图9是切割之前以横截面图对晶片级制造的装置的图示，所述晶片级制造的装置为光电模块100。在该图示的情况下，已经使用用于流动控制的阻挡件将各个元件施加至不同的基材。更具体地，在基材1上，可硬化材料5(粘合材料)已被用来将元件10，诸如图像传感器连接至基材1，和用来将元件30，诸如复制的透镜元件连接至基材2，和用来经表示为元件60的间隔件晶片将基材1和2相互连接。
施加各个元件可以例如以上文所述的方式之一来实现。基材2包括不透光的不透明部分2b和可透光的透明部分2t。
在将图9中所示的晶片堆叠分成多个独立的光电模块100之后，后者可被包含在装置内，诸如智能手机或照相装置或另一光传感装置或照明装置或另外的其它光学装置中。切分线(分割轨迹)在图9中用9表示。
图10是材料向在整合在基材1内的阻挡件40上的流动的横截面图示。阻挡件40具有与图8中所示的由被复制的结构的环绕部分所构成的阻挡件的形状类似的形状，其具有内凹地弯曲的第一部分表面41。然而，如图10所示，还可以提供结合阻挡件的预成形的基材1。尤其是可以借助复制技术，例如通过模塑或压印来生产这样的预成形的基材。
图10中的虚线代表该可硬化材料5的表面。黑箭头表示材料5流动的方向。如图10中所见，部分表面41被材料5覆盖。而且，边缘45(尤其是与峭壁，例如图示的垂直表面42相结合)对于材料5的流动是特别牢固的阻挡物。在排除材料5湿润部分表面42和流过并超越阻挡件40的同时，还有相当大量的材料5存在。因此，材料5的流动被阻挡件40控制，并且材料可被硬化，尤其是以图10所示的状态。
图11是被分配至基材1上的可硬化材料5向阻挡件40上流动的图示。该图示与图10的图示类似，然而这种情况下，基材1不是预成形的(而只是平的)，并且阻挡件40在制造(平的)基材1之后已经被添加。分配器可被用来将材料5沉积至基材1上，例如像电子元件封装中的填充过程中使用的分配器。
在图11所示的情况下，在阻挡件40的部分表面41、42之间没有边缘或至少没有明显的边缘存在。然而，它们相互的角度使得材料5难以流过最高点。
图16是材料向阻挡件40上的流动的横截面图示，其中阻挡件40是从基材1突出的结构，更具体地，该阻挡件是由结构化的光致抗蚀材料提供的。图示的其它方面则与图10的类似。阻挡件40具有第一部分表面41、第二部分表面42和第三部分表面43。部分表面41和部分表面42和43相互连接。
在获得这样的阻挡件的一种方式中，光致抗蚀材料例如通过旋转被施加(在基材1的第一侧上)。以此方式，形成光致抗蚀膜。该膜可覆盖一个连续的区域。然后，光致抗蚀材料被结构化，尤其是例如用UV光局部地照射它来进行光刻结构化，然后将该光致抗蚀材料的被照射的部分或未被照射的部分去除。然后，至少部分的保留的光致抗蚀材料提供阻挡件40。光致抗蚀阻挡件40可显示底切(undercut)，如图16所示。以此方式，可在第一部分表面41和第二部分表面42之间的边缘处实现更有效的阻止流动。然而，提供其它侧翼(不是底切侧翼)，如直的侧翼也是可能的。
在光致抗蚀阻挡件40的情况下，第一部分表面41通常水平地对准。即使可硬化材料5的流动已经可以在第三部分表面43和第一部分表面41之间的边缘处停止，在中间部分表面41和第二部分表面42之间的边缘处也更有效地实现了阻止流动。因此，通常第三部分表面43和第一部分表面41两者最终都被可硬化材料5覆盖，而第二部分表面42则没有可硬化材料5。
图12是又一个类似于图10、11和16的图示的图示，但它是材料5朝向阻挡件40流动的图示，该阻挡件40是在基材1中的凹陷。基材1可以是预制的基材，在这个意义上，它的形状(包括阻挡件)是由它的制造(例如通过复制)来确定的，尤其是没有用于生产阻挡件40的额外步骤，或者可以是通过制造初始的基材，诸如平的基材(也参见图11)，然后基材的材料被选择性地去除以形成阻挡件40而获得的基材1。后续的材料去除可以例如通过使用激光烧蚀、使用选择性蚀刻(例如在光刻方法中)、或使用分割锯来实现。
对于流动控制而言，在阻挡件40最靠近待施加至基材1的元件的目标位置的末端，即最靠近材料5的流动源头的阻挡件40的末端处设置边缘14可以是有利的。一般对于凹陷而言，所述边缘14可存在于第一部分表面和基材1的第一表面的邻接处。然而，在该处也可能有圆弧形过渡，而不是边缘14，类似于图11的情况和图10的情况的比较。
部分表面41和表面1a(其与部分表面41邻接处)之间有特别大的角度可改善阻挡件40的流动控制或阻止流动的特性。在图12的实施例中，该角度是270°。
在凹陷的情况下，如图12所示的，其采用了通常第一部分表面41可以在至少±35°内，或进而在±15°内垂直对准。
此外，通常对于下凹式阻挡件(凹陷)而言，阻挡件可低于由第一表面所限定的平均高度延伸至少2微米或至少8微米，和/或最多150微米或最多80微米。
图13图示了在基材1上的元件10和相关联的阻挡件40的附视图。如已在参考图1时提到的，阻挡件40可限定将元件10完全横向地限制的环。以此方式可防止在基材1上存在的任何物件80将被材料5弄湿或覆盖。和/或可防止将被物件80占据的地方会被材料5覆盖或弄湿。这可能是有用的，例如在如果一些材料5存在基材1上的特定位置，则物件80就不能被适当地连接至基材1的情况下。材料5的外部横向边界在图13中是以虚线图示的。
图14是类似于图13的图示。但是，阻挡件40没有限定出封闭的环形。当物件80被施加至基材1时，以阻挡件40被横向地设置在它和元件10之间的方式被设置在基材1。粗的实心直线段图示出基材1的表面处通过阻挡件40而没有被材料5覆盖的点。此线的延伸通过两个点P1、P2，其中P1是元件10在该表面上的中心点，更具体地是元件10在该表面上的覆盖区的质心。而且点P2指示阻挡件40在该表面上的中心点，更具体地是阻挡件40在该表面上的覆盖区的质心。
图15是类似于图13和14的图示。在图15中图示出阻挡件也可以是不连续的。供选择地，图15也可被解读为显示与元件10相关联的数个阻挡件，并且这些阻挡件保护物件80离开材料5。
如上文中已描述的，通常呈现的是在材料5和基材1的表面1a接触之前，元件10不在其目标位置处。因此，元件在材料5和基材1的表面1a接触之前未被安装在表面1a上。将元件10安装在基材1上的过程通常是仅在可硬化材料5被硬化(固化)之后完成的。
在基材1存在阻挡件的横向区域中，基材1通常比其基材平均厚度更厚或更薄。
根据上文将变得清楚的是，通常呈现的是元件10在表面1a的目标位置处的覆盖区的边界在距相关联的阻挡件40的一定(横向的)距离处。并且尤其是在材料5被硬化之后，表面1a沿着该距离(通常完全地)被可硬化的材料5覆盖。
注意到在本申请中描述了关于如何可以体现存在于基材的元件和物件的各种可能性。
在晶片级制造中可借助所描述的方法来实现在基材上的高密度(功能性)元件。并且这些元件中的特定元件可被设置得彼此非常靠近，尤其是没有不希望的材料重叠。
注意到本专利申请中描述的接触角更精确地是“前进(advancing)接触角”，而不是“后退(receding)接触角”，正如从所述的过程也是清楚的。

Claims (12)

1.一种用于将N≥2个第一元件施加至基材的第一侧的晶片级方法，所述基材在所述第一侧提供第一表面，所述方法包括：
a)提供所述基材，其中所述第一侧存在至少N个阻挡件，并且其中所述N个阻挡件中的每一个都与所述N个第一元件中的一个相关联；
对于所述N个第一元件中的每一个而言，所述方法包括：
b)使各个第一数量的呈可流动状态的可硬化材料与所述第一表面接触，所述各个第一数量的可硬化材料与所述各个第一元件相关联；
c)借助所述各个相关联的阻挡件控制所述各个相关联的第一数量的可硬化材料在所述第一表面上的流动；
d)使所述各个相关联的第一数量的可硬化材料硬化；
其中，对于所述N个第一元件中的每一个而言，在步骤d)中在所述第一表面和所述各个第一元件之间形成相互连接。
2.权利要求1所述的方法，其中所述方法是一种用于将所述N≥2个第一元件每个都施加至所述基材的第一侧的各个目标位置的晶片级方法，并且其中对于所述N个第一元件中的每一个而言，
-在步骤b)期间，所述各个第一元件位于与所述各个目标位置不同的位置；和
-在步骤d)中，在所述第一表面和在所述各个目标位置的所述各个第一元件之间形成相互连接。
3.权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述可硬化材料在所述阻挡件上的接触角达到最多90°，具体地达到最多45°，更具体地达到最多30°。
4.根据权利要求1-3中的一项所述的方法，其中可通过引入能量来硬化所述可硬化材料，更具体地可通过加热所述可硬化材料和用电磁辐射照射所述可硬化材料中的一种或两种来硬化所述可硬化的材料。
5.根据权利要求1-4中的一项所述的方法，其中对于所述N个第一元件中的每一个而言，步骤c)是以在步骤d)结束时，所述各个第一元件的至少60％，特别是至少80％的顶表面面积没有所述各个第一可硬化材料数量的材料的方式来进行的。
6.根据权利要求1-5中的一项所述的方法，其中所述至少N个阻挡件中的每一个是以下的一种或多种，或是由以下的一种或多种提供：
-在步骤b)进行之前在所述第一表面复制的被复制的结构，特别是其中所述被复制的结构是使用压印式过程复制的，并且更具体地，其中所述被复制的结构包括光学元件以及还包括至少部分地环绕所述光学元件的环绕部分；
-在步骤b)进行之前在所述第一表面中复制的被复制的结构的环绕部分，除了所述环绕部分之外，所述被复制的结构还包括元件，尤其是光学元件，所述环绕部分至少部分地横向地环绕所述元件，尤其是其中所述被复制的结构是使用压印式过程复制的；
-突起，其突出超过由所述第一表面限定的平均高度；
-在所述基材的第一侧中的凹陷，其在由所述第一表面限定的平均高度以下延伸；
-使用复制方法，尤其是压印式过程形成在所述第一表面上的结构；
-使用分配方法，尤其是使用分配器形成在所述第一表面上的结构；
-粘合至所述第一表面的物件，尤其是粘合至所述第一表面的预制的物件，尤其是使用粘合材料粘合至所述第一表面的预制的物件；
-通过从所述基材移除材料而在所述第一表面形成的结构，尤其是使用激光束，更具体地使用激光烧蚀用来将材料从所述基材移除；
-使用具有蚀刻步骤或剥离(lift-off)步骤的光刻方法，尤其是使用激光光刻方法在所述第一表面形成的结构；
-使用机械加工，尤其是铣削，例如使用铣削机在所述第一表面形成的结构；
-使用锯，尤其是分割锯在所述第一表面形成的结构；
-在所述第一基材的结构特征，其与所述基材的其余部分的至少主要部分一体地形成，尤其是其中所述基材是使用复制技术，尤其是压印式或模塑式复制技术制造的。
7.根据权利要求1-6中的一项所述的方法，其中所述N个第一元件中的每一个是以下的一个或多个或包括以下的一个或多个：
-在所述第一表面复制的被复制的结构，其包括步骤b)、c)及d)，尤其是其中所述被复制的结构是使用压印式过程复制的，而且更具体地，其中所述被复制的结构包括光学元件并且还包括至少部分地环绕所述光学元件的环绕部分；
-待粘合至所述第一表面的物件，尤其是待粘合至所述第一表面的预制的物件，尤其是使用粘合材料粘合至所述第一表面的预制的物件，例如预制的大型(bulk)光学部件；
-微光学部件，尤其是透明的微光学部件；
-无源光学部件，尤其是透镜元件；
-有源光学部件；
-电子部件；
-发光元件，尤其是LED、OLED、激光二极管；
-光检测元件，尤其是光电二极管(photo diode)或光检测器阵列；
-微型机械部件；
-微流体部件；
-晶片的部分，尤其是至少一个间隔件晶片的接触式压铆紧固件(contact standoff)。
8.根据权利要求1-7中的一项所述的方法，其中对于所述N个第一元件中的每一个而言，该方法包括：
r)借助压印式复制方法在所述第一表面产生所述第一元件；
步骤r)包括：
r1)使用用于使所述第一数量的可硬化材料的至少部分成形的复制工具；
r2)在步骤h)期间或之后将所述复制工具从所述第一数量的可硬化材料移除。
9.根据权利要求1-8中的一项所述的方法，其中所述N个阻挡件中的每一个都包括突起，其突出超过由所述第一表面限定的平均高度，所述各个突起包括第一部分表面，其在步骤d)结束时面向位于其位置的所述各个第一元件和/或在±35°内水平地对准，以及第二部分表面，其在步骤d)结束时背离位于其位置的所述各个第一元件，其中所述第一部分表面在步骤d)结束时至少部分地被所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料覆盖，并且其中所述第二部分表面在步骤d)结束时没有所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料，尤其是其中所述第一和第二部分表面在边缘处邻接并且所述第一部分表面在步骤d)结束时被所述各个相关联的所述第一可硬化材料数量的可硬化材料覆盖至所述边缘。
10.根据权利要求1-8中的一项所述的方法，其中所述N个阻挡件中的每一个包括在所述基材的所述第一侧的凹陷，其在由所述第一表面限定的平均高度之下延伸，所述各个凹陷包括第一部分表面，其在步骤d)结束时背离位于其位置的所述各个第一元件，以及第二部分表面，其中所述第一部分表面在步骤d)结束时没有所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料或最多部分地被所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料所覆盖，并且其中所述第二部分表面在步骤d)结束时没有所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化的材料，尤其是其中所述第一部分表面具有边界，在所述边界处存在边缘，其中在步骤d)结束时，所述第一可硬化材料数量的材料延伸到达所述边缘，但是所述第一部分表面没有所述各个相关联的第一可硬化材料数量的可硬化材料，其中尤其可以呈现的是所述第二部分表面在±35°内水平对准和/或在步骤d)结束时面向在其位置的所述各个第一元件。
11.根据权利要求1-10中的一项所述的方法，其中所述N个阻挡件中的每一个形成以下的至少一种：
-突起，其突出超过由所述第一表面限定的平均高度至少2微米和/或最多150微米，尤其是4微米至100微米；和
-在所述基材的所述第一侧中的凹陷，其在由所述第一表面限定的平均高度之下延伸至少2微米和/或最多150微米，尤其是4微米至100微米。
12.一种用于制造装置的方法，所述装置包括其上存在特定的第一元件的基材区段，所述方法包括根据权利要求1-11中的一项的方法来将N≥2个第一元件施加至所述基材的第一侧，所述N≥2个第一元件包括所述特定的第一元件并且所述基材包括所述基材区段。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109116680A (zh) * 2018-09-27 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 压印模板及其制作方法
CN113906319A (zh) * 2019-05-30 2022-01-07 ams传感器新加坡私人有限公司 复制光学元件的方法和复制的光学元件
WO2023246345A1 (zh) * 2022-06-24 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 微透镜阵列基板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2016689B1 (en) * 2016-04-28 2017-11-20 Anteryon Wafer Optics B V Replication tool
US10867955B2 (en) * 2018-09-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure having adhesive layer surrounded dam structure
WO2020185167A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-17 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Yard control features
GB2594998A (en) * 2020-05-15 2021-11-17 Ams Sensors Asia Pte Ltd Wafer level chip scale packaging

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030052419A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20030193082A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Substrate with dam bar structure

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1443344A1 (en) 2003-01-29 2004-08-04 Heptagon Oy Manufacturing micro-structured elements
US20040241323A1 (en) 2003-05-29 2004-12-02 3M Innovative Properties Company Method for applying adhesive to a substrate
JP4362380B2 (ja) * 2004-01-13 2009-11-11 フジノン株式会社 光学素子の成形方法及び組み合わせ光学素子
US20070216048A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing optical elements
US20070216046A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing miniature structured elements with tool incorporating spacer elements
US20080113160A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Glimmerglass Networks, Inc. Method And Apparatus For Localized Bonding
JP4507126B2 (ja) * 2007-10-29 2010-07-21 ソニー株式会社 偏光板の製造方法
US20090159200A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
JP2009204752A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 複合レンズ
JP2010052086A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5047243B2 (ja) * 2008-09-26 2012-10-10 シャープ株式会社 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
US8792180B2 (en) 2009-06-12 2014-07-29 Konica Minolta Opto, Inc. Production method of wafer lens, intermediate die, optical component, molding die, and production method of molding die
US20130273238A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Peter S. Andrews Inverted Curing of Liquid Optoelectronic Lenses
JP6395600B2 (ja) * 2012-05-30 2018-09-26 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法
SG10201701641RA (en) 2012-09-11 2017-04-27 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Manufacture of truncated lenses, of pairs of truncated lenses and of corresponding devices
JPWO2014092148A1 (ja) * 2012-12-15 2017-01-12 コニカミノルタ株式会社 レンズアレイ構造体の製造方法及びレンズアレイ構造体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030052419A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20030193082A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Substrate with dam bar structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109116680A (zh) * 2018-09-27 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 压印模板及其制作方法
CN113906319A (zh) * 2019-05-30 2022-01-07 ams传感器新加坡私人有限公司 复制光学元件的方法和复制的光学元件
WO2023246345A1 (zh) * 2022-06-24 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 微透镜阵列基板及其制备方法、显示装置

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