CN106571808B - 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器 - Google Patents

负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器 Download PDF

Info

Publication number
CN106571808B
CN106571808B CN201610643677.6A CN201610643677A CN106571808B CN 106571808 B CN106571808 B CN 106571808B CN 201610643677 A CN201610643677 A CN 201610643677A CN 106571808 B CN106571808 B CN 106571808B
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide
metal
semiconductor
series
input terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610643677.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106571808A (zh
Inventor
刁小芃
李大刚
张克林
林立爽
黄俊杰
刘范宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Hua Microelectronics Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
CHENGDU SINO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHENGDU SINO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical CHENGDU SINO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610643677.6A priority Critical patent/CN106571808B/zh
Publication of CN106571808A publication Critical patent/CN106571808A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106571808B publication Critical patent/CN106571808B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器,涉及集成电路技术。本发明包括输入端VIN、输出端VOUT和主反相器,还包括:串联于高电平VCC和地电平之间的第三MOS管和第四MOS管,串联于高电平VCC和地电平之间的第五MOS管和第六MOS管;从反相器,由串联于高电平VCC和地电平之间的第七MOS管和第八MOS管构成,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到参考电压源VREF;第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输入端;第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输出端。本发明在增添少量芯片面积及功耗的条件下,通过负反馈控制环路使得输入翻转电平稳定,不受电源电压和温度的影响。

Description

负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器
技术领域
本发明涉及集成电路,特别涉及数模混合类电路。
背景技术
接收器电路应用于各种数字信号的输入端,其翻转电平往往在芯片设计中不太被重视,但在长距离信号传输、环境温度变化、电源电压变化等应用环境中,翻转电平值的稳定性成为了电路系统中举足轻重的电学性能,其较大的漂移会导致数据传输误码甚至接收器无法正常工作。
经典接收器结构:
以VCC=5V的TTL/CMOS信号接收器为例,由于大部分接收系统规定其输入判别电平为:VIL(输入判定为低的电平)≤0.8V,VIH(输入判定为高的电平)≥2.4V,故其输入翻转电平通常在1.4V~1.8V范围内,经典的接收器电路为单一的CMOS反相器结构,该结构仅能通过调整NMOS与PMOS的宽长比来改变输入判别电平值,故该结构几乎没有对温度和电源电压变化的抑制能力。
如图1所示为经典接收器电路,以输出中间电平VCC/2=2.5V作为输出翻转点电压,借助辅助运放构成输出到输入的反馈环路,使反相器输出电平恒为VCC/2,在电源电压VCC恰好等于5V,室温27℃环境下,通过调整MOS管宽长比,将图1中反相器的输入电平设置为1.6V,该值即为此条件下的输入翻转电平,改变环境变量(电源值与温度值),观测输入电平的变化。
如图2所示在-55℃~125℃范围内,输入电平变化幅度约100mV。
如图3所示在4V~6V的电源电压范围内,输入电平变化幅度超过400mV。
由前述对经典CMOS反相器型的接收器输入端口分析可知,在电源电压与温度变化范围较大的应用环境下,接收器输入翻转电平漂移较大,在一定情况下易逼近VIL或VIH,使得接收器对高低电平的判别出现错误,另一方面也大幅度降低了接收器抗噪能力,在长距离传输应用下容易出现数据误码的情况。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提出带闭环控制的接收器输入端口电路结构,该结构在以较小的功耗和芯片面积为代价下,使输入翻转电平不随电源电压、环境温度的变化而变化。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是:负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器,包括输入端VIN、输出端VOUT和主反相器,所述主反相器由串联于高电平VCC和地电平之间的第一MOS管和第二MOS管构成,串联连接点即为输出端,两个MOS管栅极连接到输入端,其特征在于,还包括:
串联于高电平VCC和地电平之间的第三MOS管和第四MOS管,二者的串联连接点连接到输出端VOUT,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
串联于高电平VCC和地电平之间的第五MOS管和第六MOS管,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
从反相器,由串联于高电平VCC和地电平之间的第七MOS管和第八MOS管构成,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到参考电压源VREF;
第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输入端;
第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输出端。
进一步的,第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管皆为PMOS管,第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管皆为NMOS管。
本文所称的串联是基于电流的流向而言,如图4中,电流从高电平VCC经第三MOS管MP1的源极和漏极,再经过第四MOS管的源极和漏极至地电平点,第三MOS管和第四MOS管即为串联。
本发明的有益效果是,在增添少量芯片面积及功耗的条件下,通过负反馈控制环路使得输入翻转电平稳定,不受电源电压和温度的影响。
附图说明
图1为现有技术的接收器输入端,借助辅助运放对输入翻转电平进行仿真
图2为现有技术接收器输入翻转电平与温度关系。
图3为现有技术接收器输入翻转电平与电源电压关系。
图4为本发明的接收器电路图。
图5为参考电压VREF产生电路图。
图6为本发明接收器结构的输入翻转电平与温度关系曲线。
图7为本发明接收器结构的输入翻转电平与电源电压关系曲线。
具体实施方式
参见图4。
负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器,包括输入端VIN、输出端VOUT和主反相器,所述主反相器由串联于高电平VCC和地电平之间的第一MOS管MP2和第二MOS管MN2构成,串联连接点即为输出端,两个MOS管栅极连接到输入端,还包括:
串联于高电平VCC和地电平之间的第三MOS管MP4和第四MOS管MN4,二者的串联连接点连接到输出端VOUT,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
串联于高电平VCC和地电平之间的第五MOS管MP3和第六MOS管MN3,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
从反相器,由串联于高电平VCC和地电平之间的第七MOS管MP1和第八MOS管MN1构成,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到参考电压源VREF;
第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管结构相同,皆为PMOS管,且衬底皆连接到电流输入端;
第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管结构相同,皆为NMOS管,且衬底皆连接到电流输出端。
本发明利用闭环控制电路调整接收器负载电流大小,使得接收器输入翻转电平等于设定值,且具有较高的温度和电源电压抑制能力。具体工作原理为,第一运放OP1与第五MOS管MP3、第六MOS管MN3组成闭环控制,使得第七MOS管MP1、第八MOS管MN1构成的从反相器的电流负载根据电源电压及温度的变化进行调整,故从反相器在输入VREF电压下,输出电压恒为VCC/2,同时将第八MOS管MN4、第七MOS管MP4的尺寸设置为各自与第六MOS管MN3、第五MOS管MP3相同,使得二者提供的负载电流值相等。由于主、从反相器尺寸相同,电流负载一致,故主反相器的输入翻转电平与VREF相等。
第一运放OP1最大输出电压不会超过VCC,所以第一运放OP1在与反相器相同的电源VCC下便可以正常工作,无需添加额外的电源;另一方面具有更宽的电源电压抑制范围。
本发明利用反相器负载电流影响反相器翻转电平这一效应,通过含运算放大器OP1的闭环控制电路调整对图4中的第一MOS管MP2和第二MOS管MN2所构成的接收器主反相器的负载电流大小进行调整,进而对接收器输入翻转电平的漂移进行补偿,使得翻转电平在不同电源电压及温度条件下保持恒定。
图4的具体工作原理为,第一运放OP1与第五MOS管MP3、第六MOS管MN3组成闭环控制,使得第七MOS管MP1、第八MOS管MN1构成的从反相器的电流负载根据电源电压及温度的变化进行调整,故从反相器在输入VREF电压下,输出电压恒为VCC/2,同时将第八MOS管MN4、第七MOS管MP4的尺寸设置为各自与第六MOS管MN3、第五MOS管MP3相同,使得二者提供的负载电流值相等。由于主、从反相器尺寸相同,电流负载一致,故主反相器的输入翻转电平与VREF相等。VREF为由芯片内部提供的基准电压,该电压设定为接收器输入端口所需要的翻转电平值。通过闭环控制,第一MOS管MP2和第二MOS管MN2所构成的接收器主反相器的负载电流大小等于第七MOS管MP1、第八MOS管MN1构成的从反相器的电流负载,由于两反相器尺寸、电源电压、电流负载都相等,故最终所得到的主反相器输入翻转电平为所设定的VREF值。VREF可由简易的一阶温度补偿电压基准源经过倍压后得到,以图5结构为例,调整电阻R3、R4比值使VREF=1.6V,该结构VREF温度系数约为12ppm/℃,如图6。
与图1的方法类似,借助辅助运放稳定接收器输出电压在VCC/2,对其输入电压进行温度扫描仿真,可看出输入电平的温度系数与VREF近似,在-55℃~125℃范围内仅变化了5.4mV,则对比图2与图6仿真结果,接收器结构A在全温范围内的输入翻转电平变化幅度仅为经典结构的54%。对电源电压进行扫描,仿真结果如图7所示,在4V~6V范围内输入电平变化幅度仅为1mV,为图3所示的2.5%。

Claims (2)

1.负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器,包括输入端VIN、输出端VOUT和主反相器,所述主反相器由串联于高电平VCC和地电平之间的第一MOS管和第二MOS管构成,串联连接点即为输出端,两个MOS管栅极连接到输入端,其特征在于,还包括:
串联于高电平VCC和地电平之间的第三MOS管和第四MOS管,二者的串联连接点连接到输出端VOUT,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
串联于高电平VCC和地电平之间的第五MOS管和第六MOS管,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到第一运放OP1的输出端;
从反相器,由串联于高电平VCC和地电平之间的第七MOS管和第八MOS管构成,二者的串联连接点连接到第一运放OP1的正性输入端,二者的栅极连接到参考电压源VREF;
第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输入端;
第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管结构相同,衬底皆连接到电流输出端;
第一MOS管和第二MOS管的串联连接点连接至输出端VOUT,第三MOS管和第四MOS管的串联连接点连接至输出端VOUT,输出端VOUT连接第二运放OP_ASS的正性输入端,第二运放OP_ASS的负性输入端接一个电平值为VCC/2的电压源,第二运放OP_ASS的输出端连接输入端VIN。
2.如权利要求1所述的负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器,其特征在于,第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第七MOS管皆为PMOS管,第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第八MOS管皆为NMOS管。
CN201610643677.6A 2016-08-08 2016-08-08 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器 Active CN106571808B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610643677.6A CN106571808B (zh) 2016-08-08 2016-08-08 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610643677.6A CN106571808B (zh) 2016-08-08 2016-08-08 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106571808A CN106571808A (zh) 2017-04-19
CN106571808B true CN106571808B (zh) 2019-11-22

Family

ID=58532248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610643677.6A Active CN106571808B (zh) 2016-08-08 2016-08-08 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106571808B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101282114A (zh) * 2008-05-23 2008-10-08 北京时代民芯科技有限公司 一种ttl和cmos兼容式输入缓冲器
CN105487590A (zh) * 2016-02-02 2016-04-13 厦门新页微电子技术有限公司 一种电流反馈式精确过温保护电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3847241B2 (ja) * 2002-10-01 2006-11-22 Necエレクトロニクス株式会社 演算増幅器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101282114A (zh) * 2008-05-23 2008-10-08 北京时代民芯科技有限公司 一种ttl和cmos兼容式输入缓冲器
CN105487590A (zh) * 2016-02-02 2016-04-13 厦门新页微电子技术有限公司 一种电流反馈式精确过温保护电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN106571808A (zh) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102385407B (zh) 一种带隙基准电压源
CN105242734B (zh) 一种无外置电容的大功率ldo电路
CN103092253B (zh) 参考电压产生电路
CN106301346B (zh) 具有稳定输入翻转电平的接收器
CN101794159B (zh) 一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源
CN102981545B (zh) 一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路
CN101916128B (zh) 一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路
CN104808729A (zh) 一种稳压器及稳压的方法
CN105892548B (zh) 一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路
CN104156025B (zh) 一种高阶温度补偿基准源
CN102128970A (zh) 宽负载范围高精度低功耗电流检测电路
CN105867518A (zh) 一种有效抑制电源电压影响的电流镜
CN101557164B (zh) 一种低压电源生成电路及装置
CN108508953A (zh) 新型摆率增强电路、低压差线性稳压器
CN203825522U (zh) 具有温度补偿功能的基准电压产生电路
CN109690937A (zh) 可选择的电流限制器电路
CN106325346B (zh) Ldo电路
CN106959718A (zh) 调节器
CN103246311A (zh) 带有高阶曲率补偿的无电阻带隙基准电压源
CN106253890B (zh) 衬偏电压调整稳定输入翻转电平的接收器
CN108549455A (zh) 一种具有宽输入范围的降压电路
CN106571808B (zh) 负载电流反馈稳定输入翻转电平的接收器
CN102354246B (zh) 一种有源箝位电路
CN106997221B (zh) 带隙基准电路
CN106018916B (zh) 一种开关压降可配置电流检测精准的电源开关电路结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: No. 2201 and 2301, floor 22-23, building 1, No. 1800, middle section of Yizhou Avenue, high tech Zone, China (Sichuan) pilot Free Trade Zone, Chengdu, Sichuan 610041

Patentee after: Chengdu Hua Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 22nd floor, building 1, No. 1800, middle Yizhou Avenue, high tech Zone, Chengdu, Sichuan 610041

Patentee before: CHENGDU SINO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.