CN106571419B - 一种闪光灯的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种闪光灯的制作方法，包括如下步骤；提供设置有若干个基板的LED支架板，将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上，采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上；使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；采用金属刀片将多余的透明硅胶切割干净；采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶。本发明采用共晶工艺，提升了产品的信赖性，降低了产品的热阻，同时采用先模压、后切割、再模压的方式，在制作过程中有效的保护了LED晶片，清除了模压过程中产生的残留胶，提升了产品的质量。
Description
技术领域
本发明涉及手机闪光灯领域，特别涉及一种闪光灯的制作方法。
背景技术
当人们使用手机进行拍摄时，经常会处在夜间或者是环境光线不好的条件下，因此闪光灯作为一种常见的光线补强装置，已经被广泛应用在拍摄终端上。随着人们对拍摄效果要求的提高，对手机闪光灯的要求也相应提高。
现有闪光灯LED的封装工艺采用陶瓷基板固晶焊线后，在晶片表面喷涂一层荧光胶，再采用硅胶加扩散粉Molding（模塑成型）的方式将LED封装成平面式胶体。这种LED封装产品存在光斑效果差、信赖度降低的缺陷。而且，由于采用银胶固晶，导致产品热阻高；在制程过程中，容易出现断线、塌线，而且由于胶体高度低，容易露金线，使得生产良率低。
而且，现有闪光灯LED的封装工艺中，经常会产生残留胶，导致产品质量下降，而且在制作过程中，时有LED晶片被破坏的问题出现。
因而现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种闪光灯的制作方法，可有效的清除残留胶，保护LED晶片。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种闪光灯的制作方法，包括如下步骤：
A、提供设置有若干个基板的LED支架板，将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上，采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上；
B、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
C、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；
D、采用金属刀片将多余的透明硅胶切割干净；
E、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶。
进一步地，所述步骤E后，所述的制作方法还包括：
F、切割LED支架板，使闪光灯从LED支架板上分离；
G、利用UV解胶机将闪光灯上残留的胶体分解去除；
H、对闪光灯进行分光测试；
I、将合格的闪光灯编带。
具体的，所述步骤A具体包括：
A1、在LED晶片底部设置锡或金锡合金作为衬底；
A2、提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板；
A3、采用真空共晶设备将LED晶片和齐纳二极管固定在基板上，并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化
具体的，所述步骤B具体包括：
B1、将荧光粉、硅胶和稀释剂按3:1:2的比例混合制成荧光胶；
B2、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
B3、采用第一烘烤设备将荧光胶层烘干，所述第一烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为2小时。
具体的，所述步骤C具体包括：
C1、将有机硅树脂双组份胶水按1:4的比例混合制成透明硅胶；
C2、将透明硅胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将透明硅胶注入第一模具中；
C3、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；所述第一模具的温度为120℃，模压时间为3min；
C4、采用第二烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第二烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为3小时。
具体的，所述步骤D和步骤E之间还包括：
D1、采用第三烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第三烘烤设备的温度为70℃，烘烤时间为30分钟。
具体的，所述步骤E具体包括：
E1、将双组份热固化硅胶按1:10的比例混合制成白色围堰胶；
E2、将白色围堰胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将白色围堰胶注入第二模具中；
E3、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶；所述第二模具的温度为120℃，模压时间为3min。
相较于现有技术，本发明提供的闪光灯的制作方法，采用共晶工艺，提升了产品的信赖性，降低了产品的热阻，同时采用先模压、后切割、再模压的方式，在制作过程中有效的保护了LED晶片，清除了模压过程中产生的残留胶，提升了产品的质量，且使得整个制作流程更加简单。
附图说明
图1为本发明所提供的闪光灯的制作方法的流程图。
图2为本发明所提供的闪光灯的制作方法中，所述步骤S1的具体流程图。
图3为本发明所提供的闪光灯的制作方法中，所述步骤S2的具体流程图。
图4为本发明所提供的闪光灯的制作方法中，所述步骤S3的具体流程图。
图5为本发明所提供的闪光灯的制作方法中，所述步骤S5的具体流程图。
图6为本发明所提供的闪光灯的制作流程图。
具体实施方式
本发明提供一种闪光灯的制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明提供的闪光灯的制作方法，包括如下步骤：
S1、提供设置有若干个基板的LED支架板，将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上，采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上；
S2、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
S3、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；
S4、采用金属刀片将多余的透明硅胶切割干净；
S5、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶。
进一步地，在所述步骤S5后，所述的制作方法还包括：
S6、切割LED支架板，使闪光灯从LED支架板上分离；
S7、利用UV解胶机将闪光灯上残留的肢体分解去除；
S8、对闪光灯进行分光测试；
S9、将合格的闪光灯编带。
具体的，请参阅图2，所述步骤S1具体包括：
S11、在LED晶片底部设置锡或金锡合金作为衬底；
S12、提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板；
S13、采用真空共晶设备将LED晶片和齐纳二极管固定在基板上，并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化。
当基板被加热合适的共晶温度时，在一定时间内，贵金属渗透到金锡合金层，合金层的成分改变熔点提高，令共晶层固化并将LED晶片的焊于基板上，使得晶片能直接焊接于镀有贵金属的基板上，其中，所述贵金属为金或银。
进一步地，请继续参阅图3，所述步骤S2具体包括：
S21、将荧光粉、硅胶和稀释剂按3:1:2的比例混合制成荧光胶；
S22、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
S23、采用第一烘烤设备将荧光胶层烘干，所述第一烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为2小时。
所述硅胶在稀释剂挥发后仍能保持较高的吸附能力，可以很好的将荧光粉吸附在LED晶片和齐纳二极管上，所述稀释剂可以降低荧光胶的粘稠度，便于喷涂机进行雾化喷涂，且喷涂效果雾化均匀。
进一步地，请参阅图4，所述步骤S3具体包括：
S31、将有机硅树脂双组份胶水按1:4的比例混合制成透明硅胶；
S32、将透明硅胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将透明硅胶注入第一模具中；
S33、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；所述第一模具的温度为120℃，模压时间为3min；
S34、采用第二烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第二烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为3小时。
具体的，所述倒装LED晶片上方模压的透明硅胶的高度为0.22mm，所述齐纳二极管上方模压的透明硅胶的高度为0.175mm，在进行第二次模压时，所述白色围堰胶可直接覆盖在齐纳二极管上方的透明硅胶上，便于第二次模压的进行。
模压透明硅胶后可以对LED晶片和齐纳二极管提供一层保护胶，避免LED晶片和齐纳二极管损坏，而且采用模压工艺模压透明硅胶，可使闪光灯做得更小、更薄，有利于电子产品超薄化，而且闪光灯表面平整。
所述步骤S4中，所述金属刀片的厚度为0.5mm，将多余的透明硅胶切割后，避免闪光灯里面因有不规则的残留胶而影响闪光灯的整体性能。
进一步地，所述步骤S4和步骤S5之间还包括：
采用第三烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第三烘烤设备的温度为70℃，烘烤时间为30分钟。
进一步地，请参阅图5，所述步骤S5具体包括：
S51、将双组份热固化硅胶按1:10的比例混合制成白色围堰胶；
S52、将白色围堰胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将白色围堰胶注入第二模具中；
S53、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶；所述第二模具的温度为120℃，模压时间为3min。
模压白色围堰胶后，将LED晶片的四周都包围住，只有正面发光，提升了出光的光斑，而且采用模压工艺模压白色围堰胶，可使闪光灯做得更小、更薄，有利于电子产品超薄化，而且闪光灯表面平整。
为了更好的理解本发明，以下举一具体应用实施例，对本发明的闪光灯的制作方法进行详细说明。
请参阅图6，本发明所提供的闪光灯的制作方法包括如下步骤：
A、共晶：提供设置有若干个基板的LED支架板，将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上，采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上；
B、过炉：对LED支架板进行过炉；
C、第一次抽检：对倒装LED晶片和齐纳二极管进行抽样检查；
D、清洗：利用Plasma清洗机（等离子清洗机）对基板进行清洗；
E、喷涂：使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
F、第二次抽检：对倒装LED晶片和齐纳二极管进行抽样检查；
G、第一次烘烤：采用第一烘烤设备将荧光胶层烘干，所述第一烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为2小时；
H、Molding透明硅胶：采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；
I、第二次烘烤：采用第二烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第二烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为3小时；
J、切割胶体：采用金属刀片将多余的透明硅胶切割干净；
K、第三次烘烤：采用第三烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第三烘烤设备的温度为70℃，烘烤时间为30分钟；
L、Molding白色围堰胶：采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶；
M、第四次烘烤：采用第四烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第二烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为4小时；
N、切割：切割LED支架板，使闪光灯从LED支架板上分离；
O、外观检查：对闪光灯的外观进行抽样，判断闪光灯的外观是否有异样：
P、UV解胶：利用UV解胶机将闪光灯上残留的胶体分解去除；
Q、分光：对闪光灯进行分光测试；
R、编带：将合格的闪光灯编带。
综上所述，本发明提供的闪光灯的制作方法，采用共晶工艺，提升了产品的信赖性，降低了产品的热阻，同时采用先模压、后切割、再模压的方式，在制作过程中有效的保护了LED晶片，清除了模压过程中产生的残留胶，提升了产品的质量，且使得整个制作流程更加简单。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种闪光灯的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、提供设置有若干个基板的LED支架板，将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上，采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上；
B、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
C、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；
D、采用金属刀片将多余的透明硅胶切割干净；
E、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶；
F、切割LED支架板，使闪光灯从LED支架板上分离；
G、利用UV解胶机将闪光灯上残留的胶体分解去除；
H、对闪光灯进行分光测试；
I、将合格的闪光灯编带;
所述步骤B还包括：
B1、将荧光粉、硅胶和稀释剂按3:1:2的比例混合制成荧光胶；
所述步骤C包括：
C1、将有机硅树脂双组份胶水按1:4的比例混合制成透明硅胶；
C2、将透明硅胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将透明硅胶注入第一模具中；
C3、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围和上方模压透明硅胶；所述第一模具的温度为120℃，模压时间为3min；
C4、采用第二烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第二烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为3小时；
所述步骤D和步骤E之间还包括：
D1、采用第三烘烤设备将透明硅胶烘干，所述第三烘烤设备的温度为70℃，烘烤时间为30分钟；
所述步骤E包括：
E1、将双组份热固化硅胶按1:10的比例混合制成白色围堰胶；
E2、将白色围堰胶注入5ml的注射器中，并利用注射器将白色围堰胶注入第二模具中；
E3、采用Molding工艺在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围模压白色围堰胶；所述第二模具的温度为120℃，模压时间为3min。
2.根据权利要求1所述的闪光灯的制作方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
A1、在LED晶片底部设置锡或金锡合金作为衬底；
A2、提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板；
A3、采用真空共晶设备将LED晶片和齐纳二极管固定在基板上，并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化。
3.根据权利要求1所述的闪光灯的制作方法，其特征在于，所述步骤B还包括：
B2、使用喷涂机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的表面喷涂荧光胶层；
B3、采用第一烘烤设备将荧光胶层烘干，所述第一烘烤设备的温度为150℃，烘烤时间为2小时。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101630716A (zh) * | 2009-08-17 | 2010-01-20 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 片式led金属基板和片式led发光装置及制造方法 |
| CN102569619A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-11 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种cob光源的制作方法 |
| CN202695522U (zh) * | 2012-06-04 | 2013-01-23 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 具有倒装焊接结构的发光二极管 |
| CN103400833A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-20 | 深圳市天电光电科技有限公司 | Led模组及其制造方法 |
| CN103413885A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种隔离式cob光源模组的制作方法 |
| CN104332550A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件及生产方法 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN105826453A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-03 | 广州硅能照明有限公司 | 一种cob光模组的制备方法和cob光模组 |
| CN105870112A (zh) * | 2016-04-30 | 2016-08-17 | 浙江单色电子科技有限公司 | 一种混合波长紫光led及其制造方法 |
-
2016
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101630716A (zh) * | 2009-08-17 | 2010-01-20 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 片式led金属基板和片式led发光装置及制造方法 |
| CN102569619A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-11 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种cob光源的制作方法 |
| CN202695522U (zh) * | 2012-06-04 | 2013-01-23 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 具有倒装焊接结构的发光二极管 |
| CN103400833A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-20 | 深圳市天电光电科技有限公司 | Led模组及其制造方法 |
| CN103413885A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种隔离式cob光源模组的制作方法 |
| CN104332550A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件及生产方法 |
| CN105826449A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-08-03 | 导装光电科技（深圳）有限公司 | 白光芯片的成型制备方法和系统 |
| CN105870112A (zh) * | 2016-04-30 | 2016-08-17 | 浙江单色电子科技有限公司 | 一种混合波长紫光led及其制造方法 |
| CN105826453A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-03 | 广州硅能照明有限公司 | 一种cob光模组的制备方法和cob光模组 |
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