CN106098912A - 一种手机拍照闪光灯及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种手机拍照闪光灯及其制作方法,其中,手机拍照闪光灯包括:基板,所述基板上设置有倒装LED晶片和齐纳二极管,所述基板上还设计有白色围胶,所述白色围胶围绕所述倒装LED晶片和齐纳二极管。本发明采用白色围胶将倒装LED晶片和齐纳二极管围住,LED晶片的发光面只有正面发光面,其它被白色围胶包围,提升了出光的光斑,使得产品的光斑效果更优。同时,由于采用共晶工艺,提升了产品的信赖性,降低了产品的热阻。
Description
技术领域
本发明涉及手机闪光灯领域,尤其涉及一种手机拍照闪光灯及其制作方法。
背景技术
当人们使用手机进行拍摄时,经常会处在夜间或者是环境光线不好的条件下,因此闪光灯作为一种常见的光线补强装置,已经被广泛应用在拍摄终端上。随着人们对拍摄效果要求的提高,对手机闪光灯的要求也相应提高。
现有闪光灯LED的封装工艺采用陶瓷基板固晶焊线后,在芯片表面喷涂一层荧光胶,再采用硅胶加扩散粉Molding(模塑成型)的方式将LED封装成平面式胶体。这种LED封装产品存在光斑效果差、信赖度降低的缺陷。而且,由于采用银胶固晶,导致产品热阻高;在制程过程中,容易出现断线、塌线,而且由于胶体高度低,容易露金线,使得生产良率低。
因而现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种手机拍照闪光灯及其制作方法,采用白色围胶将芯片围住,使产品的光斑效果更优。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种手机拍照闪光灯,包括基板,所述基板上设置有倒装LED晶片和齐纳二极管,所述基板上还设计有白色围胶,所述白色围胶围绕所述倒装LED晶片和齐纳二极管。
所述手机拍照闪光灯的高度为0.6-0.7mm,长度为1.99-2.09mm,宽度为1.59-1.69mm。
所述的手机拍照闪光灯中,所述倒装LED晶片为蓝光LED晶片。
进一步地,所述白色围胶与荧光胶平齐。
一种手机拍照闪光灯的制作方法,包括如下步骤:
A、提供设置有若干个基板的LED支架板,将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上,采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上;
B、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管上Molding荧光胶;
C、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围Moiding白色围胶。
进一步地,在所述步骤C之后,所述的制作方法还包括:
D、切割LED支架板,使手机拍照闪光灯从LED支架板上分离;
E、对手机拍照闪光灯进行分光测试;
F、将合格的手机拍照闪光灯编带。
进一步地,所述步骤A具体包括:
A1、在LED芯片底部设置锡或金锡合金作为衬底;
A2、提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板;
A3、采用真空共晶设备将LED芯片和齐纳二极管固定在基板上,并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化。
进一步地,所述步骤B具体包括:
B1、将硅胶与5%荧光粉按预定比例混合制成荧光胶;
B2、将荧光胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注胶模具上;
B3、采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管上模压荧光胶。
进一步地,所述步骤C具体包括:
C1、将硅胶与5%-10%的扩散粉混合制成白色围胶;
C2、将白色围胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注胶模具上;
C3、采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管的周围模压白色围胶。
相较于现有技术,本发明提供的手机拍照闪光灯及其制作方法,采用白色围胶将倒装LED晶片和齐纳二极管围住,LED晶片的发光面只有正面发光面,其它被白色围胶包围,并向正面反射,提升了出光的光斑亮度,使得产品的光斑效果更优。同时,由于采用共晶工艺,提升了产品的信赖性,降低了产品的热阻。
附图说明
图1为本发明的手机拍照闪光灯的俯视结构示意图。
图2为本发明的手机拍照闪光灯的主视结构示意图。
图3为本发明的手机拍照闪光灯的制作方法的流程图。
图4为本发明的手机拍照闪光灯的制作流程图。
具体实施方式
本发明提供一种手机拍照闪光灯及其制作方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请一并参阅图1和图2,本发明提供的一种手机拍照闪光灯,所述手机拍照闪光灯形状呈矩形,包括基板1,所述基板1选用陶瓷基板,具有高导热性和高绝缘性。所述基板1上设置有倒装LED晶片11和齐纳二极管12,倒装LED晶片11采用锡或金锡合金作为衬底,具有能通过大电流、尺寸更小、散热性能更强的特点,齐纳二极管12为稳压二极管,其电流在很大范围内变化时电压也能基本保持不变、抗干扰能力强;所述基板1上还设置有白色围胶13,所述白色围胶13围绕所述倒装LED晶片11和齐纳二极管12,使得LED晶片的发光面只有正面发光面,其它被白色围胶包围,并向正面反射,提升了出光的光斑亮度,让产品的光斑效果更优。
具体来说,所述手机拍照闪光灯的高度h为0.6-0.7mm,长度l为1.99-2.09mm,宽度b为1.59-1.69mm,让手机拍照闪光灯更薄。
具体来说,所述的手机拍照闪光灯中,所述倒装LED晶片11为蓝光LED晶片,具有节能、环保、亮度高的优点。
请继续参阅图2,为了使光效更佳,所述白色围胶13与荧光胶14平齐,使得白色围胶13能完全将倒装LED晶片11的四周包围住。所述白色围胶13由5%-10%的硅胶与扩散粉混合制成,所述荧光胶14由硅胶与荧光粉按预定比例混合制成,具体为荧光粉与5%比例的硅胶混合而成。
本发明还相应的提供一种手机拍照闪光灯的制作方法,请参阅图3,所述的制作方法包括:
S100、提供设置有若干个基板的LED支架板,将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上,采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上;
S200、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管上Molding(模塑成型)荧光胶;
S300、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围Moiding白色围胶。
在步骤S100中,倒装共晶时,在LED芯片底部设置锡或金锡合金作为衬底;同时提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板;最后采用真空共晶设备将LED芯片和齐纳二极管固定在基板上,并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化。当基板被加热合适的共晶温度时,在一定时间内,贵金属渗透到金锡合金层,合金层的成分改变熔点提高,令共晶层固化并将LED紧固的焊于基板上,使得芯片能直接焊接于镀有贵金属的基板上。其中,所述贵金属为金或者银。
在步骤S200中,在进行模压时,将硅胶与荧光粉按预定比例混合制成荧光胶(其中,荧光粉的份量为硅胶的5%);之后,将荧光胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注模模具上;然后,采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管上模压荧光胶,模压温度和模压时间为150℃/5min。本发明采用Molding工艺分别Molding荧光胶和白胶,可使闪光灯做得更小、更薄,有利于电子产品超薄化,而且闪光灯表面平整。
在步骤S300中,在进行模压时,将硅胶与5%-10%的扩散粉混合制成白色围胶(即:扩散粉的份量为硅胶的5%-10%);之后,将白色围胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注模模具上;然后,采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管的周围模压白色围胶,模压温度和模压时间为150℃/5min。
优选地,在步骤S300后,所述的制作方法还包括:切割LED支架板,使手机拍照闪光灯从LED支架板上分离;然后,对手机拍照闪光灯进行分光测试;再将合格的手机拍照闪光灯编带,如SMT贴片使用的料带等。
为了更好的理解本发明的制作方法,以下举一具体应用实施例,对本发明的手机拍照闪光灯的制作方法进行详细说明。
请参阅图4所示,这种手机拍照闪光灯的制作方法包括如下步骤:
A、扩晶:将倒装LED芯片套上扩晶环,利用扩晶机进行拉伸;
B、Plasma清洗:利用Plasma清洗机(等离子清洗机)对基板进行清洗;
C、共晶:提供设置有若干个基板的LED支架板,将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上,采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上;
D、Molding荧光胶; 采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管上Molding荧光胶;
E、第一次烘烤:将烘烤设备的温度控制在100℃,烘烤30分钟将荧光胶烘干;
F、Molding白胶:采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围Molding白色围胶;
G、第二次烘烤:将烘烤设备的温度控制在100℃,烘烤30分钟将白色围胶烘干;
H、切割:切割LED支架板,使手机拍照闪光灯从LED支架板上分离;
I、分光:对手机拍照闪光灯进行分光测试;
J、编带:将合格的手机拍照闪光灯编带。
综上所述,本发明通过采用白色围胶将倒装LED晶片和齐纳二极管四周围住,让LED晶片的发光面只有正面发光面,其它被白色围胶包围,提升了出光的光斑,使得产品的光斑效果更优。同时,由于采用共晶工艺,提升了产品的信赖性,降低了产品的热阻。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种手机拍照闪光灯,包括基板,所述基板上设置有倒装LED晶片和齐纳二极管,其特征在于,所述基板上还设置有白色围胶,所述白色围胶围绕所述倒装LED晶片和齐纳二极管。
2.根据权利要求1所述的手机拍照闪光灯,其特征在于,所述手机拍照闪光灯的高度为0.6-0.7mm,长度为1.99-2.09mm,宽度为1.59-1.69mm。
3.根据权利要求1所述的手机拍照闪光灯,其特征在于,所述倒装LED晶片为蓝光LED晶片。
4.根据权利要求1所述的手机拍照闪光灯,其特征在于,所述白色围胶与荧光胶平齐。
5.一种手机拍照闪光灯的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
A、提供设置有若干个基板的LED支架板,将倒装LED晶片和齐纳二极管置于基板上,采用真空共晶设备使倒装LED晶片和齐纳二极管固化于基板上;
B、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管上Molding荧光胶;
C、采用模压机在所述倒装LED晶片和齐纳二极管的周围Molding白色围胶。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤C之后,所述的制作方法还包括:
D、切割LED支架板,使手机拍照闪光灯从LED支架板上分离;
E、对手机拍照闪光灯进行分光测试;
F、将合格的手机拍照闪光灯编带。
7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述步骤A具体包括:
A1、在LED芯片底部设置锡或金锡合金作为衬底;
A2、提供设置有若干个镀有贵金属基板的LED支架板;
A3、采用真空共晶设备将LED芯片和齐纳二极管固定在基板上,并采用真空加热方式使贵金属与锡或金锡合金融合固化。
8.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:
B1、将硅胶与5%的荧光粉按预定比例混合制成荧光胶;
B2、将荧光胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注胶模具上;
B3、采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管上模压荧光胶。
9.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述步骤C具体包括:
C1、将硅胶与5%-10%的扩散粉混合制成白色围胶;
C2、将白色围胶倒入胶桶中,并将胶桶安装在注胶模具上;
C3、采用Molding工艺在LED芯片和齐纳二极管的周围模压白色围胶。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019052552A1 (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种降低补光灯干扰wifi信号接收的移动终端 |
CN110242877A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-09-17 | 华芯半导体研究中心(广州)有限公司 | 一种高散热大功率led灯珠及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1538538A (zh) * | 2003-04-09 | 2004-10-20 | �����ǵ��ӹɷ�����˾ | 发光二极管灯 |
US20040211970A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-28 | Yoshiaki Hayashimoto | Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function |
CN2840331Y (zh) * | 2005-05-27 | 2006-11-22 | 炬鑫科技股份有限公司 | 白光发光装置 |
CN1881627A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 新世纪光电股份有限公司 | 具有发光二极管的白光装置 |
CN201226356Y (zh) * | 2008-06-27 | 2009-04-22 | 宏齐科技股份有限公司 | 避免因高温而降低荧光粉发光效率的发光二极管封装结构 |
CN202695522U (zh) * | 2012-06-04 | 2013-01-23 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 具有倒装焊接结构的发光二极管 |
-
2016
- 2016-06-29 CN CN201610493127.0A patent/CN106098912A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1538538A (zh) * | 2003-04-09 | 2004-10-20 | �����ǵ��ӹɷ�����˾ | 发光二极管灯 |
US20040211970A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-28 | Yoshiaki Hayashimoto | Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function |
CN2840331Y (zh) * | 2005-05-27 | 2006-11-22 | 炬鑫科技股份有限公司 | 白光发光装置 |
CN1881627A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 新世纪光电股份有限公司 | 具有发光二极管的白光装置 |
CN201226356Y (zh) * | 2008-06-27 | 2009-04-22 | 宏齐科技股份有限公司 | 避免因高温而降低荧光粉发光效率的发光二极管封装结构 |
CN202695522U (zh) * | 2012-06-04 | 2013-01-23 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 具有倒装焊接结构的发光二极管 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019052552A1 (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种降低补光灯干扰wifi信号接收的移动终端 |
CN110242877A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-09-17 | 华芯半导体研究中心(广州)有限公司 | 一种高散热大功率led灯珠及其制作方法 |
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C10 | Entry into substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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