CN106568540A - 斜抛光纤压力传感器及其制备方法 - Google Patents
斜抛光纤压力传感器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106568540A CN106568540A CN201610799607.XA CN201610799607A CN106568540A CN 106568540 A CN106568540 A CN 106568540A CN 201610799607 A CN201610799607 A CN 201610799607A CN 106568540 A CN106568540 A CN 106568540A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- optical fiber
- array
- polishing
- type optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 75
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 21
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 21
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009730 filament winding Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
- G01L1/242—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet the material being an optical fibre
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
- G01L11/02—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means
- G01L11/025—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means using a pressure-sensitive optical fibre
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种斜抛光纤压力传感器及其制备方法，通过传统的MEMS微细加工与光纤斜抛技术相结合形成一个新型结构，利用V型槽阵列固定端面镀膜的45度斜抛光纤，另一面与硅敏感膜基底键合，光纤45度端面与硅基底的敏感膜形成法布里‑珀罗腔。同时还公开了制作该传感器的方法，主要步骤为：通过湿法腐蚀法在硅晶圆上制作V型光纤槽阵列和一定厚度的硅敏感膜阵列，利用硅‑硅键合技术将硅敏感膜基底和V型光纤槽键合，随后固定单模光纤将其压紧，最后划片并封装。本发明结构新颖，灵敏度高，可靠性好，线性测量范围大，成本低廉，可批量生产，应用于工业中的压力检测。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于斜抛光纤和硅片湿化腐蚀工艺的斜抛光纤压力传感器器件。
背景技术
随着MEMS技术的快速发展，对结构的改进、制备手段的提高以及封装技术的改良成为了人们对这一技术的主要需求。现有光纤法布里-珀罗干涉仪主要是用来测量应变，它是由置于石英毛细管中的两段切割好的光纤端面和中间的空气隙组成谐振腔而成。利用其原理，基于光纤斜抛和硅片湿化腐蚀的斜抛光纤压力传感器具有精度高，线性测量范围大，制作方法易于实现的优点。
此外，国内外研制光纤传像束的方法有鼓轮绕丝法、酸溶法、V型槽法等。通常采用横向移动的鼓轮绕制排丝法，所制作的是密排列的低纤径的光纤阵列，这种技术比较成熟，但精度有限。酸溶法则无法制作线性光纤阵列。长线列光纤传像束中的光纤有紧密排列和V型槽定位两种方式。由于光纤的拉制是不均匀的，因此对于紧密排列来说，其累积串长误差较大。而利用V 型槽定位就解决了这一问题，V 型槽是利用体硅工艺而制成，精度非常高，利用它解决了传感器批量生产的问题。
发明内容
本发明即是基于以上所述现状进行的，目的在于制作一种结构新颖、成本低、精度高、有望批量生产的斜抛光纤压力传感器。同时，提供该传感器的制作方法。
为了实现上述发明目的，本发明斜抛光纤压力传感器采用如下技术方案：
本发明公开了一种斜抛光纤压力传感器的制作方法，基于斜抛光纤和硅片腐蚀工艺制作，具体包括如下步骤：基于斜抛光纤工艺，在光纤的端部形成倾斜的光纤反射面，获得斜抛光纤；基于硅片腐蚀工艺，采用两片单晶硅分别制成V型光纤槽阵列、硅敏感膜阵列，并采用硅-硅键合的方式将V型光纤槽阵列中的V型槽和硅敏感膜阵列中的硅敏感膜的基底连接成一体；在V型光纤槽阵列的V型槽中安装斜抛光纤，使得斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜阵列形成法布里-珀罗腔，此时斜抛光纤的光纤反射面背向V型槽设置。
本发明还公开了另一种斜抛光纤压力传感器的制作方法，基于斜抛光纤和硅片腐蚀工艺制作，具体包括如下步骤：（1）硅片清洗；（2）V型光纤槽阵列的制作；（3）硅敏感膜阵列的制作；（4）V型光纤槽阵列与硅敏感膜阵列的硅-硅键合；（5）斜抛光纤；（6）光纤斜面镀膜；（7）光纤在V型光纤槽阵列的安装；（8）封装。
本发明公开了一种斜抛光纤压力传感器，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅-硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里-珀罗腔。
光纤反射面的倾角为45°。
所述光纤反射面镀银膜；银膜厚度约为50nm。
通过上述的技术方案，相对于现有技术，本发明具有如下的优点：
通过上述传感器加工步骤得到的结构：光纤45度端面与硅基底的敏感膜形成F-P腔，光经过光纤直接进入F-P腔，避免了其他介质对光路的影响；传感器制作过程中所需的主要材料为单模光纤、硅片、玻璃板、紫外固化胶，材料易于收集且成本低廉。F-P腔的腔长由光纤槽深度决定。整个制作过程采取抛磨、腐蚀、硅-硅键合等方法，传感器机械性能高，制作步骤简单。因此，借助本发明可以实现制作简单，灵敏度高，动态测量范围大，可靠性好且可批量生产的光纤压力传感器。
附图说明
图1是斜抛光纤压力传感器的传感原理示意图。
图2是传感器的结构示意图；其中：图2a是传感器的截面图；图2b是传感器的侧视图。
图3是本发明传感器加工制作的主要工艺流程图；其中，a-g是本发明的工艺流程中，相应工序对应的结构示意图。
图4 是传感器应用时采用的解调系统。
图5是膜厚为200μm，腔长为322.71μm的传感器实验结果。
具体实施方式
下面结合附图和实施例做进一步详细说明。
本发明基于硅的湿法腐蚀技术以及光纤斜抛加工技术，在传统的硅晶圆上利用通过湿法腐蚀工艺加工硅晶圆，腐蚀成硅敏感膜，另一与之键合的硅晶圆对应腐蚀形成V型槽结构，光纤端面斜抛呈45°并镀膜，经过粘结封装形成压力传感器。
本实施例制备斜抛光纤压力传感器的步骤如下:
a）对两片相同的硅片进行RCA标准清洁，用丙酮、酒精、去离子水超声清洗5分钟，然后用氮气吹干；
b）V型光纤槽阵列的制作。首先对单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层。再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成V型光纤槽阵列1-1图案。接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到光纤槽所需深度。最后去除氧化硅、氮化硅保护膜；
c）硅敏感膜阵列的制作。首先对单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层。再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成硅敏感膜阵列1-2图案。接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到硅敏感膜所需厚度。最后去除氧化硅、氮化硅保护膜；
d）V型光纤槽和硅基底键合。将(b)中V型槽1-1和(c)中硅敏感膜的基底1-2固定在两加热器中间并紧密接触并加温，在高温下加高电压，使两者完成硅-硅键合；
e）进行光纤排纤工作，并对排好的光纤端面进行的斜抛并抛光，构建45度反射面；
f）利用磁控溅射镀膜机在抛磨好的光纤1-3的45度斜面上镀银膜，增加其反射率。银膜厚度约为50nm；
g）光纤固定及对准。将排好的45度光纤1-3压入与之排布方式对应的光纤槽阵列1-1中，光纤45度端面朝上，光纤侧壁与硅敏感膜保持平行，保证出射光垂直入射到硅敏感膜并能反射回45度光纤中，然后向V型槽中注入紫外粘结剂1-4，盖上玻璃盖板1-5并将其压紧，用紫外灯照射使粘结剂固化；
h）划片封装。将(g)中固定好的光纤阵列以等间距的V型槽为基准切割为相同大小的单个传感部件，进行封装1-6。
由此可知，本发明最终制得的斜抛光纤压力传感器，包括传感部件及上盖，传感部件包括V型光纤槽2-1、硅敏感膜2-2以及斜抛光纤2-3，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅-硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里-珀罗腔2-4。具体地，光纤反射面的倾角为45°。所述光纤反射面镀银膜；银膜厚度约为50nm。
另外，所述光纤为裸光纤（即为纤芯加包层结构），硅敏感膜通过湿法腐蚀获得所需膜厚。利用硅-硅键合技术将硅敏感膜基底和V型光纤槽键合，固定单模光纤并利用玻璃盖板将其压紧，再与上盖粘合封装而成。
Claims (10)
1.一种斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，基于斜抛光纤和硅片腐蚀工艺制作，具体包括如下步骤：基于斜抛光纤工艺，在光纤的端部形成倾斜的光纤反射面，获得斜抛光纤；基于硅片腐蚀工艺，采用两片单晶硅分别制成V型光纤槽阵列、硅敏感膜阵列，并采用硅-硅键合的方式将V型光纤槽阵列中的V型槽和硅敏感膜阵列中的硅敏感膜的基底连接成一体；在V型光纤槽阵列的V型槽中安装斜抛光纤，使得斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜阵列形成法布里-珀罗腔，此时斜抛光纤的光纤反射面背向V型槽设置。
2.根据权利要求1所述所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，在制作斜抛光纤时，光纤呈排状布置，且排状布置的斜抛光纤的数量与V型光纤槽阵列中V型槽的数量一致；在V型光纤槽阵列的V型槽中安装斜抛光纤时，先将前述排状布置的斜抛光纤压入相应的V型槽中，再在各斜抛光纤与相应V型槽之间形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定。
3.根据权利要求1所述所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，制作V型光纤槽阵列的具体步骤是：首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成V型光纤槽阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到光纤槽所需深度；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可。
4.根据权利要求1所述所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，制作硅敏感膜阵列的具体步骤是：首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成硅敏感膜阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到硅敏感膜所需厚度；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可。
5.根据权利要求1所述所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，所述的V型光纤槽阵列与硅敏感膜阵列之间具有硅-硅键合的具体步骤是：将V型光纤槽阵列中的V型槽和硅敏感膜阵列中的硅敏感膜的基底固定在两加热器中间并紧密接触，加温一段时间后，加高电压，使两者完成硅-硅键合。
6.根据权利要求1所述所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射镀膜机在抛磨好的光纤反射面上镀银膜。
7.一种斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，基于斜抛光纤和硅片腐蚀工艺制作，具体包括如下步骤：
硅片清洗
对两片相同的硅片进行RCA标准清洁，用丙酮、酒精、去离子水超声清洗5分钟，然后用氮气吹干；
V型光纤槽阵列的制作
首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成V型光纤槽阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到光纤槽所需深度；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可；
硅敏感膜阵列的制作
首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成硅敏感膜阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到硅敏感膜所需厚度；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可；
V型光纤槽阵列与硅敏感膜阵列的硅-硅键合
将V型光纤槽阵列中的V型槽和硅敏感膜阵列中的硅敏感膜的基底固定在两加热器中间并紧密接触，加温一段时间后，加高电压，使两者完成硅-硅键合；
斜抛光纤
进行光纤排纤工作，并对排好的光纤端面进行的斜抛并抛光，构建45度反射面；
光纤斜面镀膜
利用磁控溅射镀膜机在抛磨好的光纤45度斜面上镀银膜；银膜厚度约为50nm；
光纤在V型光纤槽阵列的安装
将排好的45度光纤压入与之排布方式对应的光纤槽阵列中，光纤45度端面朝上，光纤侧壁与硅敏感膜保持平行，保证出射光垂直入射到硅敏感膜并能反射回45度光纤中，然后向V型槽中注入紫外粘结剂，盖上玻璃盖板并将其压紧，用紫外灯照射使紫外粘结剂固化；
封装
将固定好的光纤阵列以等间距的V型槽为基准切割为相同大小的单个传感部件，进行封装。
8.一种斜抛光纤压力传感器，其特征在于，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅-硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里-珀罗腔。
9.根据权利要求8所述的斜抛光纤压力传感器，其特征在于，光纤反射面的倾角为45°。
10.根据权利要求8所述的斜抛光纤压力传感器，其特征在于，所述光纤反射面镀银膜；银膜厚度约为50nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610799607.XA CN106568540B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 斜抛光纤压力传感器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610799607.XA CN106568540B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 斜抛光纤压力传感器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106568540A true CN106568540A (zh) | 2017-04-19 |
| CN106568540B CN106568540B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=58531700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610799607.XA Active CN106568540B (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 斜抛光纤压力传感器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106568540B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111107473A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-05 | 歌尔股份有限公司 | Mic和压力传感器的集成结构与方法 |
| CN112017973A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 硅光模块的封装方法及硅光模块 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101778328A (zh) * | 2010-01-26 | 2010-07-14 | 北京邮电大学 | 一种光纤麦克风 |
| US20110023617A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | University Of Maryland | Ultra-miniature fiber-optic pressure sensor system and method of fabrication |
| CN103091013A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-08 | 南京师范大学 | 微型su-8光纤法布里-珀罗压力传感器及其制备方法 |
| CN103697921A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种光纤传感头和基于该传感头的测量应变、应力和压力的光纤传感系统及方法 |
| CN105067102A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-18 | 哈尔滨工业大学 | 基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器及加工方法 |
| CN206291985U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-06-30 | 江苏能建机电实业集团有限公司 | 斜抛光纤低压传感器 |
-
2016
- 2016-08-31 CN CN201610799607.XA patent/CN106568540B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110023617A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | University Of Maryland | Ultra-miniature fiber-optic pressure sensor system and method of fabrication |
| CN101778328A (zh) * | 2010-01-26 | 2010-07-14 | 北京邮电大学 | 一种光纤麦克风 |
| CN103091013A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-08 | 南京师范大学 | 微型su-8光纤法布里-珀罗压力传感器及其制备方法 |
| CN103697921A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种光纤传感头和基于该传感头的测量应变、应力和压力的光纤传感系统及方法 |
| CN105067102A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-18 | 哈尔滨工业大学 | 基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器及加工方法 |
| CN206291985U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-06-30 | 江苏能建机电实业集团有限公司 | 斜抛光纤低压传感器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112017973A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 硅光模块的封装方法及硅光模块 |
| CN111107473A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-05 | 歌尔股份有限公司 | Mic和压力传感器的集成结构与方法 |
| CN111107473B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-02-25 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Mic和压力传感器的集成结构与方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106568540B (zh) | 2023-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1253375A (en) | Fiber optic directional coupler | |
| WO2013020408A1 (zh) | 无胶封装的高稳定性光纤法-珀压力传感器及制作方法 | |
| US3503116A (en) | Method of fabricating a pressure transducer | |
| US4564262A (en) | Fiber optic directional coupler | |
| US4991922A (en) | Optical fiber coupler and method | |
| CN103308717B (zh) | 一种光纤法布里-珀罗加速度传感器及其制作方法 | |
| CN103091013B (zh) | 微型su-8光纤法布里-珀罗压力传感器及其制备方法 | |
| CN107063554B (zh) | 一种一体化光纤大压力传感器及其制作方法 | |
| CN109029519B (zh) | 一种光纤尖端增镀uv胶薄膜的光纤f-p腔传感器的制备方法 | |
| WO2016197642A1 (zh) | 用于与光电收发阵列垂直耦合的光学组件及制作方法 | |
| CN106568540A (zh) | 斜抛光纤压力传感器及其制备方法 | |
| CN108663113A (zh) | 一种光纤悬臂梁振动传感器及其制备方法 | |
| TW201339671A (zh) | 表面浮雕光纖布拉格光柵元件之製法 | |
| JP6767925B2 (ja) | 光モジュールおよびその作製方法 | |
| CN115808191A (zh) | 一种高温自补偿光纤f-p腔mems振动传感器及其制造方法 | |
| CN206291985U (zh) | 斜抛光纤低压传感器 | |
| CN110332981A (zh) | 一种mems光纤水听器及其制作方法 | |
| CN106442410B (zh) | 斜抛光纤折射率传感器及其制备方法 | |
| JP7372578B2 (ja) | 光モジュール | |
| CN112710247A (zh) | 一种表面粘贴式光纤光栅应变传感器封装方法 | |
| CN104215607A (zh) | 一种食品致病菌用光纤悬臂梁传感器及检测方法 | |
| CN101881880A (zh) | 一种微反射镜结构及其制造方法 | |
| CN109541746B (zh) | 光波分复用器及制备方法 | |
| JP3393370B2 (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPWO2003083542A1 (ja) | 光デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20231007 Address after: Room 2, 3rd Floor, Building E2, Qisheng Time City, Wuhu Meijiao Street, Huangpi District, Wuhan City, Hubei Province, 430300 Applicant after: Wuhan Feibeisi Light Sensing Technology Co.,Ltd. Address before: 225327 Yongan South Road, Yongan Town, Gaogang District, Taizhou City, Jiangsu Province, 8-9 Applicant before: JIANGSU NENGJIAN ELECTROMECHANICAL INDUSTRIAL Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |