CN106565801A - 一种含α‑吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物及其制备方法和应用 - Google Patents
一种含α‑吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物及其制备方法和应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种含α‑吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物,其特征在于结构式如下:。采用本发明制备的含α‑吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物在气敏传感器的检测电极,当检测电极置于5ppm水合肼气体中,气体分子将与苝酰亚胺衍生物发生电子转移,导致气敏传感器电流在2‑3秒内发生了5个数量级的变化,实现对特定气体的高效检测。
Description
技术领域
本发明属于有机电阻式气敏传感器技术领域,具体涉及一种含α吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物及其制备方法和应用。
背景技术
近年来,随着工业生产不断发展、人们生活水平日益提高,环境问题也日益突出。可燃气体燃烧和有毒气体泄漏事件时有报道,环境质量和大众健康问题已引起社会的广泛关注。鉴于此,研制和开发性能优异的气敏传感器已成为相关科研人员的首要任务。特别是近些年来,纳米材料和技术的不断发展与进步,极大地推进了新型气敏传感器的制备和应用发展。目前已开发出的具有纳米结构的气敏传感器可用于检测多种气体,如CO、H2 及天然气等可燃性气体,以及H2S、NOx、NH3 和碳氢化合物等有毒气体,广泛用于工业监控、气象监测、室内外空气质量监控以及医疗等多个领域。然而,直到目前为止,有关气敏传感器的研究主要集中于无机纳米结构材料,有机纳米结构材料在气敏传感器上的应用研究依然比较滞后,而有机纳米结构传感器由于具有操作温度低、功耗小、成本低、制备方法简便及与微电子产业良好匹配等优点近些年受到了越来越多的关注。
苝酰亚胺衍生物作为一类n型有机半导体,由于其具有缺电子的结构特征,因此对给电子的胺类气体较为敏感,可以用来制备检测该类气体的气敏传感器。尽管近些年来苝酰亚胺衍生物气敏传感器研究已取得长足发展,但其性能研究依然存在着如下不足:1)目前研究工作主要集中于依靠其光学性质变化的荧光型气敏传感器,而基于其半导体性质的电阻式气敏传感器研究相对滞后,这不利于其微型化发展,更不利于气体高效快捷检测;2)气敏灵敏度较低,限制了其在实际生活中的应用;3)用于气敏传感器研究的苝酰亚胺衍生物分子设计缺乏系统性,分子结构与其传感性能的关系也未得到阐述。因此,进一步发展具有较高灵敏度的苝酰亚胺衍生物电阻式气敏传感器,并揭示苝酰亚胺衍生物分子结构与传感性能的关系已成为其气敏传感性能研究过程中亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对有毒有害气体高效快捷检测,提供一种含α吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物及其制备方法和应用。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是,一种含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物,其特征在于结构式如下:
。
所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物的制备方法,包括以下步骤:将1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝四羧酸二酐、(4-氨基苯基)- α-D-吡喃葡萄糖、NMP(N-甲基吡咯烷酮)和冰醋酸混合均匀,氩气保护、120 ℃下反应4 h,冷却至室温,加入水,搅拌过夜,过滤干燥,重结晶得到所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物;1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝四羧酸二酐的结构式为:
。
1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝四羧酸二酐可以采用文献(① Quante, H. Ph.D. Thesis, University of Mainz, 1994; ② M.Schneider and K. Müllen, Chem. Mater. 2000, 12, 352-362.)中公开的方法制备。(4-氨基苯基)- α-D-吡喃葡萄糖可以采用文献(Y. Huang, J. Hu, W. Kuang, Z. Wei andC. F. J. Faul, Chem. Commun.2011, 47, 5554–5556.)中公开的方法制备。
所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物在气敏传感器的检测电极中的应用,包括以下步骤:①将含α吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物溶入DMF(N,N’-二甲基甲酰胺)/H2O混合溶剂中,振荡10分钟后静置24小时后,得棕红色沉淀;②将步骤①得到的棕红色沉淀分散于甲醇中,滴涂于沉积有二氧化硅的硅片上,待甲醇在空气中挥发干燥后,选择直径为0.2-0.5 µm氧化锡线作为掩膜,于5 ×10-5 Torr 真空体系中,以0.5 Å/s速度沉积30-50 nm 厚金层,随后将掩膜去除,获得气敏传感器的检测电极。
本发明产生的有益效果是:采用本发明制备的含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物在气敏传感器的检测电极,当检测电极置于5 ppm水合肼气体中,气体分子将与苝酰亚胺衍生物发生电子转移,导致气敏传感器电流在2-3秒内发生了5个数量级的变化,实现对特定气体的高效检测。
附图说明
图1为实施例1制备的含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物核磁谱图;
图2为实施例1制备的气敏传感器的结构示意图;
图3为实施例1制备的气敏传感器的电流随时间变化图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
将1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝四羧酸二酐(0.07 g, 0.06 mmol)和(4-氨基苯基)- α-D-吡喃葡萄糖 (0.08 g, 0.29 mmol) 溶于5mL NMP和 1 mL冰醋酸的混合溶液中,氩气保护下反应4 h(120 ℃)。冷却至室温,加入30mL水,搅拌过夜(12h),过滤干燥,DMF/ H2O重结晶三次(先溶于DMF,然后加入H2O,DMF和H2O体积比为4:1)得到0.08 g N, N’-双((4-氨基苯基)-α-D-吡喃葡萄糖苷- 1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝二酰亚胺 (含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物),产率,77.65%。制备的含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物核磁谱图如图1所示。
1H NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ): δ (ppm):7.86 (s, 4 H), 7.34 (d, J = 8, 8H), 7.19 (m, 8 H), 6.92 (d, J = 4, 8 H), 5.42 (s, 2 H), 5.05 (m, 6 H), 4.54(d, J = 8, 2 H), , 3.60 (m, 9 H), 3.20 (m, 3 H), 1.69 (s, 8 H), 1.26 (s, 24H), 0.71 (s, 36 H). MS (MALDI-TOF): calcd for C104H118N2O20, 1716.08, m/z, found1716.7。
将含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物溶入DMF/ H2O混合溶剂(0.1 mg/mL,DMF与H2O体积比1/4),振荡10分钟后静置24小时后,得棕红色沉淀,经扫描电镜表征为直径0.4-1 μm微米线。将棕红色沉淀分散于甲醇中,滴涂于沉积有二氧化硅的硅片上,待甲醇在空气中挥发干燥后,选择直径为0.2-0.5 µm 氧化锡线作为掩膜,于5 ×10-5 Torr 真空体系中,以0.5 Å/s速度沉积50 nm 金层,随后将掩膜去除,获得气敏传感器的检测电极。
将制作完成后的检测电极放入体积为2 L的密闭真空金属腔中,该体系与真空泵直接相连,待该真空体系压力降至10-4 pa 时,将电极与Keithley 4200-SCS电学检测系统连接,记录真空体系的电流(I0),随后通过微量注射器将1 µL 的水合肼注入腔体,记录气敏传感器 的电阻(I)随时间的变化曲线,进一步通过分析I/I0随时间变化曲线,得到气敏传感器在水合肼气氛下的灵敏度。由图3可以看出,采用本实施例制备的α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物在气敏传感器的检测电极,当检测电极置于5 ppm水合肼气体中,气体分子将与苝酰亚胺衍生物发生电子转移,导致气敏传感器电流在2-3秒内发生了5个数量级的变化,实现对水合肼气体的高效检测。
本发明不但实现了低浓度水合肼气体的高效快捷检测,而且通过分子结构的改变实现了对传感器灵敏的调控,且结构简单、体积小、便于携带,在胺类气体检测中具有广泛的应用前景。
虽然本发明以数个较佳实施例揭示如上,但其并非用于限制本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做任意改动或等同替换,因此本发明的保护范围当以随附的权利要求所界定的保护范为准。
Claims (4)
1.一种含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物,其特征在于结构式如下:
。
2.如权利要求2所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将1,6,7,12-四(4’-(1”,1”,3”,3”-四甲基丁基)苯氧基))-3,4:9,10-苝四羧酸二酐、(4-氨基苯基)- α-D-吡喃葡萄糖、NMP和冰醋酸混合均匀,氩气保护、120℃下反应4 h,冷却至室温,加入水,搅拌过夜,过滤干燥,重结晶得到所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物。
3.如权利要求1所述含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物在气敏传感器的检测电极中的应用。
4.如权利要求3所述的应用,其特征在于包括以下步骤:①将含α-吡喃糖苷的苝酰亚胺衍生物溶入DMF/H2O混合溶剂中,振荡10分钟后静置24小时,得棕红色沉淀;②将步骤①得到的棕红色沉淀分散于甲醇中,滴涂于沉积有二氧化硅的硅片上,待甲醇在空气中挥发干燥后,选择直径为0.2-0.5 µm 氧化锡线作为掩膜,于5 ×10-5 Torr 真空体系中,以0.5 Å/s速度沉积30-50 nm 厚金层,随后将掩膜去除,获得气敏传感器的检测电极。
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