CN106559048A - 一种多模射频功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种多模射频功率放大器，包括：共用放大电路将输入射频信号进行功率放大；谐波抑制电路通过开关一连接在高频段共用匹配电路的输入端，用于抑制GSM高频段或者TD‑SCDMA频段信号的谐波；高频段共用匹配电路将接收的GSM高频段、TD‑SCDMA频段或者LTE‑TDD频段的射频信号进行阻抗变换匹配；高频段差异匹配电路将接收的GSM高频段或者TD‑SCDMA频段射频信号进行进一步地阻抗变换匹配和/或谐波抑制后送往开关电路；低频段匹配电路将接收的GSM低频段射频信号进行阻抗变换匹配后送往开关电路。本申请仅用一颗芯片就可以实现GSM、TD‑SCDMA和LTE‑TDD的多模射频功率放大，大量采用电路复用与电路共享，不仅集成度高，而且电路结构简单、成本低廉。

Description

一种多模射频功率放大器
技术领域
本申请涉及一种多模射频功率放大器，可用于对GSM模式、TD-SCDMA模式和/或LTE-TDD模式的各频段射频信号进行放大。所述GSM模式包含EDGE(Enhanced Data ratesfor GSM Evolution，GSM增强数据率演进)。
背景技术
以手机为代表的移动通讯终端中，射频功率放大器必不可少。例如，射频功率放大器位于发射机的末级，用来将已调制射频信号放大到所需功率值后送天线发射。
从2G技术发展到4G技术，许多移动通讯终端都支持多种网络模式。这些网络模式例如包括GSM、cdmaOne(也简写为CDMA)、WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000、WiMAX、LTE-TDD(也称TDD LTE或TD LTE)、LTE-FDD等。GSM、WCDMA、LTE-TDD等网络模式运行在特定的频段(frequency band)上互不干扰。目前商业应用的GSM频段主要有4个，分别是GSM-850、E-GSM-900、DCS-1800、PCS-1900。目前商业应用的TD-SCDMA频段主要有2个，分别是Band34、Band39。目前商业应用或正在试验的LTE-TDD频段主要有7个，分别是Band38、Band39、Band40、Band41、Band42、Band43、Band44。
现有的多模移动通讯终端大多采用多个独立的功率放大器芯片，以实现对不同网络模式(本质上是不同频段)的射频信号放大。请参阅图1，这是一种覆盖GSM和LTE-TDD双模的射频功率放大器，包括两颗芯片：芯片一用来实现GSM模式的射频信号放大，芯片二用来实现LTE-TDD模式的射频信号放大。GSM-850频段与E-GSM-900频段的频率较为接近，可以称为GSM低频段。DCS-1800频段与PCS-1900频段的频率较为接近，可以称为GSM高频段。在芯片一中，为GSM低频段和GSM高频段分别设置两路功率放大及阻抗匹配通道。每一路功率放大及阻抗匹配通道包括依次连接的功率控制电路(未图示)、射频放大电路和匹配电路。这两路通道的输出连接到同一个低插入损耗的开关电路，该开关电路直接连接发射天线。在芯片二中，为LTE-TDD模式的工作频段设置一路或多路功率放大及阻抗匹配通道，各通道的输出均连接到芯片一的开关电路，由该开关电路的切换来实现射频信号的发送及接收。
公开号为CN101448343A、公开日为2009年6月3日的中国发明专利申请《TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块》中，公开了一种TD-SCDMA/GSM双模射频功率放大器，就是采用TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片组合而成。这种采用分立的功率放大器芯片来实现多模射频功率放大器的方案具有集成度低、成本高的缺点。
申请公布号为CN103546184A、申请公布日为2014年1月29日的中国发明专利申请《一种适应多模多频宽频的功放方法及系统》中，公开了一种多模多频功放系统。所述功放系统包括根据射频信号的频段生成控制信号的数字基带模块、以及根据控制信号调整工作频段的多频段自适应功放装置。所述多频段自适应功放装置包括实现不同频段的射频信号阻抗匹配的多个匹配阵列、以及实现不同频段的射频信号放大的多个功率放大器。该方案采用了复杂的电路设计来实现多模多频的射频功率放大器，在某种程度上提高了集成度，然而在电路复杂性、体积及成本方面带来了缺点。
申请公布号为CN104753476A、申请公布日为2015年7月1日的中国发明专利申请《多模多频功率放大器》中，公开了一种多模多频功率放大器。所述多模多频功率放大器包括对射频信号进行功率放大的宽带放大器通道、以及进行阻抗匹配的基波阻抗变换器。所述基波阻抗变换器包括各频带射频信号共用的第一节段、各频带射频信号各自专用的第二节段、连接第一节段与第二节段的开关器件。该方案可以对多模多频的射频信号共用宽带放大器以及基波阻抗变换器的第一节段，因此可以减小体积和降低成本。然而，该方案中的开关器件只是用来将第一节段输出的射频信号耦合到第二节段，第二阶段输出的射频信号还需要经过天线开关传输到天线，这两种不同功能的开关器件是相互独立的。并且，该方案的三个实施例均需要使用定向耦合器，这也增加了电路设计的复杂性以及制造成本。
为了提高射频功率放大器的集成度，最好能用一个功率放大器芯片支持多模多频，这对谐波抑制与匹配电路的带宽覆盖带来了挑战。GSM频段通常用于满足语音通话要求，需要发送大功率射频信号，因此对GSM频段的谐波抑制有较为严格的要求。DCS-1800频段的上行频率范围是1710.2MHz～1784.8MHz，PCS-1900频段的上行频率范围是1850.0MHz～1909.8MHz，其二次谐波频率范围是3420MHz～3820MHz。而LTE-TDD模式的Band41频段是2496MHz～2690MHz，Band42频段是3400MHz～3600MHz。可以发现GSM高频段的二次谐波落在了Band42频段中，也与Band41频段较为接近。因此如何在保证LTE-TDD性能的前提下，较好地抑制GSM高频段的二阶谐波就成为一个难题。从GSM高频段到LTE-TDD模式的Band42频段具有相当大的频率跨度，现有的匹配电路难以满足如此宽的带宽要求。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是提供一种可以覆盖GSM模式各频段、TD-SCDMA模式各频段和LTE-TDD模式各频段的射频功率放大器，具有较好的集成度、较为简单的电路结构与较低的成本。
为解决上述技术问题，本申请多模射频功率放大器包括共用放大电路、谐波抑制电路、高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路和开关电路。
所述共用放大电路将输入射频信号进行功率放大；当输入射频信号属于GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD频段，放大后的射频信号送往高频段共用匹配电路；当输入射频信号属于GSM低频段，放大后的射频信号送往低频段匹配电路。
所述谐波抑制电路通过开关一连接在高频段共用匹配电路的输入端，用于抑制GSM高频段或者TD-SCDMA频段信号的谐波；所述开关一仅在输入射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合。
所述高频段共用匹配电路将接收的GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD频段的射频信号进行阻抗变换匹配；当接收的射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段，阻抗变换匹配后的射频信号通过开关二送往高频段差异匹配电路；当所接收的射频信号属于LTE-TDD频段，阻抗变换匹配后的射频信号通过开关三送往开关电路；所述开关二仅在输入射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合；所述开关三仅在输入射频信号属于LTE-TDD频段时才闭合。
所述高频段差异匹配电路将接收的GSM高频段或者TD-SCDMA频段射频信号进行进一步地阻抗变换匹配和/或谐波抑制后送往开关电路。
所述低频段匹配电路将接收的GSM低频段射频信号进行阻抗变换匹配后送往开关电路。
所述开关电路将高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路输出的经过阻抗变换匹配的射频信号由开关切换送往天线发射。
本申请取得的技术效果是仅用一颗芯片就可以实现GSM、TD-SCDMA和LTE-TDD的多模射频功率放大，大量地采用电路复用与电路共享，不仅集成度高，而且电路结构简单、成本低廉。
附图说明
图1是一种现有的双模射频功率放大器的结构示意图。
图2是本申请提供的多模射频功率放大器的结构示意图。
图3是图2中的谐波抑制电路的一个实施例的具体电路结构示意图。
图4a至图4b是图2中的高频段共用匹配电路的各实施例的具体电路结构示意图。
图5a至图5b是图2中的高频段差异匹配电路的各实施例的具体电路结构示意图。
图6a至图6c是本申请的多模射频功率放大器在不同频段输入信号时的信号走向示意图。
图中附图标记说明：D为节点；C为电容；L为电感；S为开关。
具体实施方式
请参阅图2，这是本申请的覆盖GSM、TD-SCDMA和LTE-TDD多模的射频功率放大器，仅为一颗芯片：芯片三用来实现GSM模式、TD-SCDMA模式和LTE-TDD模式的各频段射频信号放大。所述多模射频功率放大器包括：
——共用放大电路，用来将输入的GSM低频段、GSM高频段、TD-SCDMA频段和/或LTE-TDD各频段的射频信号进行放大。所述GSM低频段包括GSM-850频段与E-GSM-900频段。所述GSM高频段包括DCS-1800频段与PCS-1900频段，EDGE技术也采用GSM高频段实现。所述TD-SCDMA频段包括Band34、Band39中的一个或多个。所述LTE-TDD各频段至少包括Band38、Band39、Band40和Band41中的一个或多个，还可进一步包括Band42、Band43和/或Band44中的一个或多个。如果输入的射频信号属于GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD各频段，则共用放大电路还将放大后的射频信号送往高频段共用匹配电路。如果输入的射频信号属于GSM低频段，则共用放大电路还将放大后的射频信号送往低频段匹配电路。
——谐波抑制电路，通过开关一S1连接在高频段共用匹配电路的输入端。所述开关一S1仅在共用放大电路检测到输入的射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合，其余情况下均断开。所述谐波抑制电路用于抑制GSM高频段或者TD-SCDMA频段信号的二次、三次乃至多次谐波。当输入的射频信号属于LTE-TDD各频段或者GSM低频段时，所述开关一S1断开，所述谐波抑制电路不起作用。
——高频段共用匹配电路，接收共用放大电路输出的属于GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD各频段的放大后射频信号，对所接收的射频信号进行阻抗变换匹配。当所接收的射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段，则高频段共用匹配电路还将阻抗变换匹配后的射频信号通过开关二S2送往高频段差异匹配电路。当所接收的射频信号属于LTE-TDD各频段，则高频段共用匹配电路还将阻抗变换匹配后的射频信号通过开关三S3送往开关电路。
所述开关二S2仅在共用放大电路检测到输入的射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合，其余情况下均断开。
所述开关三S3仅在共用放大电路检测到输入的射频信号属于LTE-TDD各频段时才闭合，其余情况下均断开。
——高频段差异匹配电路，接收高频段共用匹配电路输出的属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段的阻抗变换匹配后射频信号，对所接收信号进行进一步阻抗变换匹配和谐波抑制，然后送往开关电路。
——低频段匹配电路，接收共用放大电路输出的属于GSM低频段的放大后射频信号，对所接收的射频信号进行阻抗变换匹配，然后送往开关电路。
——开关电路，接收高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路输出的经过阻抗变换匹配的射频信号，由开关切换送往天线发射。所述开关电路优选为低插入损耗的。
现有的采用分立的功率放大器芯片实现的多模射频功率放大器中，具有GSM低频段匹配电路、GSM高频段匹配电路(也兼作TD-SCDMA匹配电路)、LTE-TDD匹配电路。
本申请的以单芯片实现的多模射频功率放大器中，具有高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路。
本申请的高频段共用匹配电路相当于现有的LTE-TDD匹配电路。本申请的高频段共用匹配电路与高频段差异匹配电路的总和相当于现有的GSM高频段匹配电路。本申请的低频段匹配电路相当于现有的GSM低频段匹配电路。换而言之，现有的LTE-TDD匹配电路与GSM高频匹配电路较为相似，本申请将其中共同部分提取为高频段共用匹配电路，将其中差异部分(主要是GSM高频匹配电路比LTE-TDD匹配电路多出的部分)提取为高频段差异匹配电路。因此，本申请提供的多模射频功率放大器在匹配电路方面进行了尽可能多的复用设计，从而简化了电路结构，降低了制造成本。
优选地，本申请的高频段差异匹配电路、开关电路均采用半导体制造技术形成在一颗芯片中。该芯片安装在一块印刷电路板(PCB，printed circuit board)上，而高频段共用匹配电路和低频段匹配电路均采用表面安装技术(SMT，surface mount technology)形成在该印刷电路板的表面。
请参阅图3，这是本申请的谐波抑制电路的一个实施例。如果将高频段共用匹配电路的输入端称为节点一D1，那么开关一S1的一端连接节点一D1，从开关一S1的另一端依次连接谐振电容Cd和谐振电感Ld后接地。开关、电容与电感很容易与共用放大电路集成实现，通常是采用半导体制造技术形成在一颗芯片中。谐振电容Cd和谐振电感Ld构成了LC串联谐振电路，该LC串联谐振电路实现了在谐振频率附近呈现低阻抗，通过调整谐振电容Cd的电容值和/或谐振电感Ld的电感值可以调整谐振的频率，进而达到对谐波的抑制。考虑到GSM高频段射频信号的二次谐波与LTE-TDD模式的Band41频段较为接近，与LTE-LDD模式的Band42频段有重叠，将该LC串联谐振电路的谐振频率调整为GSM高频段射频信号的二次谐波频率，属于优选方案。当共用放大电路检测到输入的射频信号属于LTE-TDD模式的Band41频段或Band42频段时，由于开关一S1断开，该LC串联谐振电路不起作用，因此不会对LTE-TDD模式的Band41频段或Band42频段的射频信号产生不利影响。
请参阅图4a，这是本申请的高频段共用匹配电路的实施例一，属于二级匹配电路。如果将高频段共用匹配电路的输入端称为节点一D1，输出端称为节点二D2，那么从节点一D1到节点二D2之间串联有匹配电感一Lm1和匹配电感二Lm2。在匹配电感一Lm1和匹配电感二Lm2之间还通过匹配电容一Cm1接地，在节点D2还通过匹配电容二Cm2接地。图4a所示的二级匹配电路中，从节点一D1到节点二D2的元件构成了LCLC结构。可替换地，所述二级匹配电路从节点一D1到节点二D2的元件可以改为LCCL结构、CLLC结构或CLCL结构。
请参阅图4b，这是本申请的高频段共用匹配电路的实施例二，属于三级匹配电路。如果将高频段共用匹配电路的输入端称为节点一D1，输出端称为节点二D2，那么从节点一D1到节点二D2之间串联有匹配电感一Lm1、匹配电感二Lm2和匹配电感三Lm3。在匹配电感一Lm1和匹配电感二Lm2之间还通过匹配电容一Cm1接地，在匹配电感二Lm2和匹配电感三Lm3之间还通过匹配电容二Cm2接地，在节点D2还通过匹配电容三Cm3接地。图4b所示的三级匹配电路中，从节点一D1到节点二D2的元件构成了LCLCLC结构。可替换地，所述三级匹配电路从节点一D1到节点二D2的元件可以改为LCLCCL结构、LCCLLC结构、LCCLCL结构、CLLCLC结构、CLLCCL结构、CLCLLC结构或CLCLCL结构。
请参阅图5a，这是本申请的高频段差异匹配电路的实施例一。如果将高频段差异匹配电路的输入端称为节点三D3，输出端称为节点四D4，那么从节点三D3到节点四D4之间串联有电感一L1和电感二L2。在电感一L1和电感二L2之间还通过图3所示的LC串联谐振电路接地。在节点D4也还通过图3所示的LC串联谐振电路接地。一方面，两个LC串联谐振电路可以实现在谐振频率附近呈现低阻抗，谐振频率上的能量都将通过这两条支路泄放到地。通过调整两个LC串联谐振电路中的电容值和/或电感值，就可以调整谐振频率，例如将谐振频率调整为GSM高频段的二次谐波频率，从而对GSM高频段信号的二次谐波进一步抑制。或者，请参阅图2，谐波抑制电路与高频段差异匹配电路可以分别抑制GSM高频段信号的不同谐波，例如前者用来抑制GSM高频段信号的二次谐波，后者的两条LC串联谐振电路分别用来抑制GSM高频段信号的三次谐波和四次谐波。另一方面，两个LC串联谐振电路均构成了容性阻抗，与其左侧的电感元件构成了匹配电路，通过调节电容值和/或电感值可以对GSM高频信号进一步进行阻抗变换匹配。
请参阅图5b，这是本申请的高频段差异匹配电路的实施例二。如果将高频段差异匹配电路的输入端称为节点三D3，输出端称为节点四D4，那么从节点三D3到节点四D4之间串联有电感一L1和LC并联谐振电路。所述LC并联谐振电路由谐振电感三Ld3和谐振电容三Cd3并联构成。在电感一L1和LC并联谐振电路之间还通过图3所示的LC串联谐振电路接地。在节点D4也还通过图3所示的LC串联谐振电路接地。首先，两个LC串联谐振电路可以实现在谐振频率附近呈现低阻抗，谐振频率上的能量都将通过这两条支路泄放到地。通过调整两个串联谐振电路中的电容值和/或电感值，就可以调整谐振频率，例如将谐振频率调整为GSM高频段的二次谐波频率，从而对GSM高频段信号的二次谐波进一步抑制。其次，LC并联谐振电路可以实现在谐振频率附近呈现高阻抗，谐振频率上的能量都无法通过该支路到达天线端，进而达到对谐波的抑制。通过调整LC并联谐振电路中的电容值和/或电感值，就可以调整谐振频率，例如将谐振频率调整为GSM高频段的二次谐波频率，从而对GSM高频段信号的二次谐波进一步抑制。或者，请参阅图2，谐波抑制电路与高频段差异匹配电路可以分别抑制GSM高频段信号的不同谐波，例如前者用来抑制GSM高频段信号的二次谐波，后者的两条LC串联谐振电路分别用来抑制GSM高频段信号的三次谐波和四次谐波，后者的LC并联谐振电路也用来抑制GSM高频段信号的二次谐波。再次，左侧的LC串联谐振电路均构成了容性阻抗，与其左侧的电感元件构成了匹配电路，通过调节电容值和/或电感值可以对GSM高频信号进一步进行阻抗变换匹配。LC并联谐振电路构成了感性阻抗，也可与其右侧的LC串联谐振电路构成匹配电路，通过调节电容值和/或电感值可以对GSM高频信号进一步进行阻抗变换匹配。
本申请的多模射频功率放大器在不同输入信号情况下的信号走向图如图6a至图6c所示。
当多模射频功率放大器的输入信号属于GSM低频段，信号走向如图6a所示。GSM低频段的射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过低频段匹配电路进行阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。此时的开关一S1、开关二S2、开关三S3均断开。
当多模射频功率放大器的输入信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA各频段，信号走向如图6b所示。GSM高频段或者TD-SCDMA各频段的射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过谐波抑制电路进行第一次的谐波抑制，然后由高频段共用匹配电路进行第一次阻抗变换匹配，再由高频段差异匹配电路进行第二次的谐波抑制和/或第二次的阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。此时的开关一S1闭合，开关二S2闭合，开关三S3断开。
当多模射频功率放大器的输入信号属于LTE-TDD各频段，信号走向如图6c所示。LTE-TDD各频段的射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过高频段共用匹配电路进行阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。此时的开关一S1断开，开关二S2断开，开关三S3闭合。
本申请将现有的用于不同网络模式的射频功率放大器芯片集成到一个多模射频功率放大器芯片内，并对功率控制电路(未图示)、射频放大电路和低插入损耗开关电路进行了复用。对于不能复用的匹配电路则进行了重新设计，将接近频段的匹配电路进行共享，再将差异部分单独实现以便抑制谐波和进一步实现阻抗变换匹配。在保证宽频带宽的前提下，本申请的多模射频功率放大器可以有效抑制GSM高频信号的谐波。考虑到射频功率放大芯片的成本主要是功率控制电路、射频放大电路和低插损开关电路，本申请可以极大地降低产品成本。
以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多模射频功率放大器，其特征是，包括共用放大电路、谐波抑制电路、高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路和开关电路；
所述共用放大电路将输入射频信号进行功率放大；当输入射频信号属于GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD频段，放大后的射频信号送往高频段共用匹配电路；当输入射频信号属于GSM低频段，放大后的射频信号送往低频段匹配电路；
所述谐波抑制电路通过开关一连接在高频段共用匹配电路的输入端，用于抑制GSM高频段或者TD-SCDMA频段射频信号的谐波；所述开关一仅在输入射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合；
所述高频段共用匹配电路将接收的GSM高频段、TD-SCDMA频段或者LTE-TDD频段的射频信号进行阻抗变换匹配；当接收的射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段，阻抗变换匹配后的射频信号通过开关二送往高频段差异匹配电路；当所接收的射频信号属于LTE-TDD频段，阻抗变换匹配后的射频信号通过开关三送往开关电路；所述开关二仅在输入射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段时才闭合；所述开关三仅在输入射频信号属于LTE-TDD频段时才闭合；
所述高频段差异匹配电路将接收的GSM高频段或者TD-SCDMA频段射频信号进行进一步地阻抗变换匹配和/或谐波抑制后送往开关电路；
所述低频段匹配电路将接收的GSM低频段射频信号进行阻抗变换匹配后送往开关电路；
所述开关电路将高频段共用匹配电路、高频段差异匹配电路、低频段匹配电路输出的经过阻抗变换匹配的射频信号由开关切换送往天线发射。
2.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述高频段差异匹配电路和开关电路制造在一颗芯片中，该芯片安装在一块印刷电路板上，所述高频段共用匹配电路和低频段匹配电路均采用表面安装技术形成在该印刷电路板的表面。
3.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述谐波抑制电路为一个电容与一个电感相串联并接地的LC串联谐振电路，所述LC串联谐振电路的谐振频率设置为GSM高频段射频信号的任意阶谐波频率值。
4.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述高频段共用匹配电路采用二级匹配电路，从输入端到输出端串联有匹配电感一和匹配电感二；在匹配电感一和匹配电感二之间还通过匹配电容一接地，在输出端还通过匹配电容二接地；
或者，将上述LCLC结构改为LCCL结构、CLLC结构或CLCL结构，其中L表示匹配电感，C表示匹配电容。
5.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述高频段共用匹配电路采用三级匹配电路，从输入端到输出端串联有匹配电感一、匹配电感二和匹配电感三；在匹配电感一和匹配电感二之间还通过匹配电容一接地，在匹配电感二和匹配电感三之间还通过匹配电容二接地，在输出端还通过匹配电容三接地；
或者，将上述LCLCLC结构改为LCLCCL结构、LCCLLC结构、LCCLCL结构、CLLCLC结构、CLLCCL结构、CLCLLC结构或CLCLCL结构，其中L表示匹配电感，C表示匹配电容。
6.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述高频段差异匹配电路从输入端到输出端之间串联有电感一和电感二；在电感一和电感二之间还通过第一LC串联谐振电路接地；在输出端还通过第二LC串联谐振电路接地；所述两个LC串联谐振电路的谐振频率设置为GSM高频段射频信号的任意阶谐波频率值。
7.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，所述高频段差异匹配电路从输入端到输出端之间串联有电感一和LC并联谐振电路；所述LC并联谐振电路由谐振电感三和谐振电容三并联构成；在电感一和LC并联谐振电路之间还通过第一LC串联谐振电路接地；在输出端还通过第二LC串联谐振电路接地；所述LC并联谐振电路与两个LC串联谐振电路的谐振频率设置为GSM高频段射频信号的任意阶谐波频率值。
8.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，当输入射频信号属于GSM低频段，输入射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过低频段匹配电路进行阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。
9.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，当输入射频信号属于GSM高频段或者TD-SCDMA频段，输入射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过谐波抑制电路进行第一次谐波抑制，然后由高频段共用匹配电路进行第一次阻抗变换匹配，再由高频段差异匹配电路进行第二次谐波抑制和/或第二次阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。
10.根据权利要求1所述的多模射频功率放大器，其特征是，当输入射频信号属于LTE-TDD频段，输入射频信号先经过共用放大电路进行功率放大，再经过高频段共用匹配电路进行阻抗变换匹配，然后由开关电路送往天线发射。
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