CN106537701B - Esd保护装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
ESD保护装置具备结构体。结构体具有空腔部。空腔部的内表面中,在包含Z方向的截面中,具有相对于Z方向倾斜的第1内表面、第2内表面以及第3内表面。因此,增加空腔部的内表面的表面积,减少施加于放电辅助电极的热负荷,从而能够抑制放电辅助电极的劣化。
Description
技术领域
本发明涉及ESD保护装置及其制造方法。
背景技术
以往,作为ESD保护装置,有WO2008/146514(专利文献1)记载的装置。该ESD保护装置具有:由陶瓷构成的结构体、设置于结构体内的第1放电电极、第2放电电极以及放电辅助电极。第1放电电极和第2放电电极隔着间隙对置。放电辅助电极设置于第1放电电极与第2放电电极之间的间隙。
专利文献1:WO2008/146514
然而,在上述以往的ESD保护装置中,若静电在第1放电电极与第2放电电极之间放电,则伴随着放电发热。特别是,当静电经由放电辅助电极放电时,放电辅助电极接受由放电形成的热负荷。令人担忧的是,放电辅助电极存在因由放电形成的热负荷而出现劣化。
发明内容
因此,本发明的课题在于提供减少施加于放电辅助电极的热负荷,从而能够抑制放电辅助电极的劣化的ESD保护装置及其制造方法。
为了解决上述课题,本发明的ESD保护装置的特征在于,具备:
结构体,其层叠多个陶瓷层而构成;
第1放电电极和第2放电电极,它们设置于上述结构体内,并且具有间隙地对置;以及
放电辅助电极,其被设置为,从上述陶瓷层的层叠方向观察,该放电辅助电极与上述间隙重叠,
上述结构体具有空腔部,该空腔部相对于上述第1放电电极和上述第2放电电极设置于与上述放电辅助电极相反的一侧并且与上述间隙相连,
上述空腔部的内表面具有第1内表面和第2内表面,在包含上述层叠方向的截面中,上述第1内表面和第2内表面在上述层叠方向上排列配置并且相对于上述层叠方向倾斜。
此处,第1内表面与第2内表面包含平坦面、凹曲面、凸曲面。
根据本发明的ESD保护装置,空腔部的内表面具有:在包含陶瓷层的层叠方向的截面中,相对于陶瓷层的层叠方向倾斜的第1内表面和第2内表面,因此能够增加空腔部的内表面的表面积。因此,静电的放电时产生的热从空腔部的内表面更好地释放,其结果,施加于放电辅助电极的热负荷减少,抑制放电辅助电极的劣化。
另外,在一实施方式的ESD保护装置中,上述第1内表面和上述第2内表面在上述层叠方向上朝向相同的方向地向相同的方向倾斜。
另外,在一实施方式的ESD保护装置中,上述第1内表面和上述第2内表面在上述层叠方向上朝向相反方向地向相反方向倾斜。
另外,在一实施方式的ESD保护装置中,上述第1内表面的内径和上述第2内表面的内径成为相同的大小。
另外,在一实施方式的ESD保护装置中,上述第1内表面的内径和上述第2内表面的内径成为不同大小。
本发明的ESD保护装置的制造方法的特征在于,具备如下工序:
在第1陶瓷片上,形成包含相对于与上述第1陶瓷片的平面方向正交的方向倾斜的第1内表面的第1孔部,准备上述第1陶瓷片;
在第2陶瓷片上,形成包含相对于与上述第2陶瓷片的平面方向正交的方向倾斜的第2内表面的第2孔部,准备上述第2陶瓷片;
在基台用陶瓷片之上设置放电辅助电极,在上述放电辅助电极之上设置上述第1放电电极和上述第2放电电极,并使第1放电电极与第2放电电极具有间隙地对置;
在上述第1放电电极和上述第2放电电极之上,依次层叠上述第1陶瓷片、上述第2陶瓷片以及覆盖用陶瓷片,并使上述第1孔部和上述第2孔部与上述间隙重叠,形成层叠体;以及
烧制上述层叠体,由上述第1孔部和上述第2孔部形成与上述间隙相连的空腔部。
此处,第1内表面与第2内表面包含平坦面、凹曲面、凸曲面。
根据本发明的ESD保护装置的制造方法,由第1孔部和第2孔部形成与间隙相连的空腔部,因此第1孔部的第1内表面与第2孔部的第2内表面相对于陶瓷片的层叠方向倾斜。因此,能够增加空腔部的内表面的表面积,静电的放电时产生的热从空腔部的内表面更好地释放。其结果,减少施加于放电辅助电极的热负荷,从而能够抑制放电辅助电极的劣化。
另外,在一实施方式的ESD保护装置的制造方法中,上述第1孔部和上述第2孔部由激光形成。
根据上述实施方式的ESD保护装置的制造方法,第1孔部和第2孔部由激光形成,因此能够容易地形成第1孔部和第2孔部。
另外,在一实施方式的ESD保护装置的制造方法中,
在准备上述第1陶瓷片的工序中,在上述第1孔部中填充在烧制时具有被烧光的性质的膏,
在准备上述第2陶瓷片的工序中,在上述第2孔部填充中具有烧制时具有被烧光的性质的膏。
根据上述实施方式的ESD保护装置的制造方法,在第1孔部和第2孔部中填充在烧制时具有被烧光的性质的膏。由此,在形成层叠体的工序中,能够抑制第1孔部、第2孔部被覆盖用陶瓷片填埋。另外,抑制第1陶瓷片、第2陶瓷片的刚性的降低,从而能够抑制在形成层叠体的工序中层叠体变形。
根据本发明的ESD保护装置及其制造方法,减少施加于放电辅助电极的热负荷,能够抑制放电辅助电极的劣化。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的ESD保护装置的立体图。
图2是图1的A-A剖视图。
图3是图1的B-B剖视图。
图4是表示ESD保护装置的制造方法的剖视图。
图5是表示形成第1陶瓷片的第1孔部的方法的俯视图。
图6是表示本发明的第2实施方式的ESD保护装置的制造方法的剖视图。
图7A是表示本发明的第3实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。
图7B是表示本发明的第4实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。
图7C是表示本发明的第5实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。
具体实施方式
以下,通过图示的实施方式对本发明详细地进行说明。
(第1实施方式)
图1是表示本发明的第1实施方式的ESD保护装置的立体图。图2是图1的A-A剖视图。图3是图1的B-B剖视图。如图1、图2、图3所示,ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)保护装置1具有:结构体10、设置于结构体10内的第1放电电极21、第2放电电极22以及放电辅助电极30。ESD保护装置1例如用于电子设备,使产生于电子设备的静电放电,对因电子设备的静电导致的破坏进行抑制。
结构体10将多个陶瓷层11~13、15~17层叠而构成。具体而言,从下方开始,依次层叠基台用陶瓷层15、电极用陶瓷层17、第1陶瓷层11、第2陶瓷层12、第3陶瓷层13以及覆盖用陶瓷层16。
陶瓷层11~13、15~17例如由包含Ba、Al、Si为主成分的低温共烧陶瓷(LTCC:LowTemperature Co-fired Ceramics)构成。陶瓷层11~13、15~17也可以包含碱金属成分和硼组分中的至少一者。陶瓷层11~13、15~17也可以包含玻璃成分。
结构体10形成为大致长方体状。结构体10的外表面具有:第1端面10a、位于与第1端面10a相反侧的第2端面10b、以及位于第1端面10a与第2端面10b之间的圆周面10c。
此处,将连结第1端面10a与第2端面10b的方向设为X方向,将多个陶瓷层11~13、15~17的层叠方向设为Z方向,将与X方向和Z方向正交的方向设为Y方向。将Z方向上的靠覆盖用陶瓷层16侧设为上侧,将Z方向上的靠基台用陶瓷层15侧设为下侧。X方向相当于ESD保护装置1的长度方向,Y方向相当于ESD保护装置1的宽度方向,Z方向相当于ESD保护装置1的高度方向。
第1放电电极21与第2放电电极22设置在基台用陶瓷层15上。第1放电电极21与第2放电电极22分别形成为沿X方向延伸的带状。第1放电电极21与第2放电电极22沿Y方向平行排列。第1放电电极21与第2放电电极22对置,具有间隙G。
第1放电电极21的长边方向的第1端部211从结构体10的第1端面10a暴露。第1放电电极21的长边方向的第2端部212位于结构体10内。第2放电电极22的长边方向的第1端部221从结构体10的第2端面10b暴露。第2放电电极22的长边方向的第2端部222位于结构体10内。第1放电电极21的第2端部212的Y方向的侧表面212a与第2放电电极22的第2端部222的Y方向的侧表面222a对置,并隔开间隙G。
第1放电电极21和第2放电电极22由例如Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、包括它们中的至少一种的合金等适当的材料构成。
从Z方向观察,放电辅助电极30设置于基台用陶瓷层15的凹部15a,重叠于间隙G的下侧。从Z方向观察,放电辅助电极30形成为矩形状。放电辅助电极30将第1放电电极21的第2端部212与第2放电电极22的第2端部222连接。
放电辅助电极30例如由导电材料与绝缘材料所形成的混合物构成。导电材料例如也可以是Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、它们的组合。另外,作为导电材料,也可以使用SiC粉等半导体材料、电阻材料等比金属材料导电性低的材料。半导体材料也可以是例如Si、Ge等金属半导体、SiC、TiC、ZrC、WC等碳化物、TiN、ZrN、氮化铬、VN、TaN等氮化物、硅化钛、硅化锆、硅化钨、硅化钼、硅化铬等硅化物、硼化钛、硼化锆、硼化铬、硼化镧、硼化钼、硼化钨等硼化物、钛酸锶等氧化物。另外,也可以是适当地将上述的材料两种以上混合。另外,导电材料也可以由无机材料进行涂层。只要是无机材料,没有特别限定,也可以是Al2O3、ZrO2、SiO2等无机材料、陶瓷基材的构成材料的混合煅烧粉等。另一方面,绝缘材料也可以是例如Al2O3,SiO2,ZrO2,TiO2等氧化物、Si3N4、AIN等氮化物、陶瓷基材的构成材料的混合煅烧粉、玻璃体物质、它们的组合。
放电辅助电极30具有使第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压降低的功能。静电的放电中,除了空气放电之外,还存在经由放电辅助电极30的放电。经由放电辅助电极30的放电存在沿着放电辅助电极30的表面的放电(沿面放电)、和经由放电辅助电极30的内部的放电。
通常,对于空气放电、沿面放电、以及经由放电辅助电极30的内部的放电而言,经由放电辅助电极30的内部的放电的开始电压最低。因此,通过设置放电辅助电极30,能够降低第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压。因此,能够抑制ESD保护装置1的绝缘破坏。另外,通过设置放电辅助电极30能够改善ESD保护装置1的响应性。
在结构体10的第1端面10a设置有第1外部电极41。第1外部电极41覆盖第1端面10a整体并且覆盖圆周面10c的靠第1端面10a侧的端部。第1外部电极41与第1外部电极21的第1端部211接触。形成电连接。
在结构体10的第2端面10b设置有第2外部电极42。第2外部电极42覆盖第2端面10b整体并且覆盖圆周面10c的靠第2端面10b侧的端部。第2外部电极42与第2外部电极22的第1端部221接触,形成电连接。
第1外部电极41和第2外部电极42例如由Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、包含它们中的至少一种的合金等适当的材料构成。
结构体10具有:相对于第1放电电极21、第2放电电极22设置于与放电辅助电极30相反侧的空腔部100。空腔部100与间隙G的上侧相连。空腔部100由第1陶瓷层11的第1孔部111、第2陶瓷层12的第2孔部121以及第3陶瓷层13的第3孔部131构成。第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131在Z方向上以同心状排列连通。
第1陶瓷层11层叠于第1放电电极21、第2放电电极22以及电极用陶瓷层17。电极用陶瓷层17配置在基台用陶瓷层15上的第1放电电极21、第2放电电极22的四周。放电辅助电极30从电极用陶瓷层17暴露。电极用陶瓷层17的上表面与第1放电电极21、第2放电电极22的上表面大致共面。
第1陶瓷层11的第1孔部111形成为,在X方向上具有长径、在Y方向上具有短径的长圆形。在第1孔部111中,放电辅助电极30的X方向的整个长度部分暴露,第1放电电极21的第2端部212的侧表面212a与第2放电电极22的第2端部222的侧表面222a暴露。图2中,示出第1孔部111,省略第2孔部121、第3孔部131,但第2孔部121与第3孔部131同第1孔部111对齐。从Z方向观察,空腔部100的形状与第1孔部111的形状相同,是长圆形。
第1孔部111具有第1内表面112。在包括Z方向的截面(图3中YZ截面)中,第1内表面112相对于Z方向倾斜。具体而言,第1内表面112形成为锥状,第1内表面112的内径朝向Z方向(上侧)连续变小。第1内表面112是平坦面,且为线形锥。
图2中,用双层假想线示出第1孔部111,但内侧的假想线示出第1内表面112的最小直径,外侧的假想线示出第1内表面112的最大直径。第1内表面112的X方向的最小直径大于放电辅助电极30的X方向的长度,第1内表面112的Y方向的最小直径大于间隙G的Y方向的长度。
第2陶瓷层12的第2孔部121与第3陶瓷层13的第3孔部131,是与第1陶瓷层11的第1孔部111相同的结构。换句话说,第2孔部121的第2内表面122与第3孔部131的第3内表面132,是与第1孔部111的第1内表面112相同的结构。
具体而言,第1内表面112、第2内表面122以及第3内表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向倾斜。换句话说,第1内表面112的内径、第2内表面122的内径以及第3内表面132的内径朝向Z方向变小。
第1内表面112的内径、第2内表面122的内径以及第3内表面132的内径成为相同的大小。换句话说,第1内表面112的最小直径、第2内表面122的最小直径以及第3内表面132的最小直径成为相同的大小。第1内表面112的最大直径、第2内表面122的最大直径以及第3内表面132的最大直径成为相同的大小。
覆盖用陶瓷层16不具有孔部,从上方关闭第3陶瓷层13的第3孔部131。这样,空腔部100的内表面具有:第1内表面112、第2内表面122以及第3内表面132,空腔部100被覆盖用陶瓷层16覆盖。
在空腔部100中,第1放电电极21的第2端部212的侧表面212a与第2放电电极22的第2端部222的侧表面222a暴露。在间隙G中,放电辅助电极30的表面暴露。空腔部100与间隙G连通。由此,静电在间隙G、空腔部100的空气中也放电。
此外,空腔部100(第1孔部111)的X方向的长度大于放电辅助电极30的X方向的长度。换句话说,放电辅助电极30的X方向的整个长度部分从空腔部100暴露。因此,减少放电辅助电极30的X方向的整个长度部分与结构体10的重叠部分,从而能够抑制有可能在该重叠部分产生短路。此外,空腔部100的X方向的长度也可以与放电辅助电极30的X方向的长度相同。
对ESD保护装置1的制造方法进行说明。
如图4所示,在第1陶瓷片110形成第1孔部111,准备第1陶瓷片110。此时,使第1孔部111的第1内表面112相对于与第1陶瓷片110的平面方向(XY面方向)正交的方向倾斜。
此处,若图5所示,第1孔部111由激光形成。具体而言,使激光沿着X方向照射于第1陶瓷片110的Z方向的下表面。而且,由激光形成的激光孔50沿着X方向排列有多个,构成第1孔部111。
激光具有的能量从第1陶瓷片110的供激光入射的面(下表面)到第1陶瓷片110的供激光出射的面(上表面)衰减,因此第1孔部111的靠上表面侧的内径小于第1孔部111的靠下表面侧的内径。其结果,能够使第1孔部111的第1内表面112形成为锥状。因此,能够容易地形成第1孔部111。此外,通过激光的强度、指向角度的设定,能够容易地变更孔的直径、锥面的角度。
同样,如图4所示,在第2陶瓷片120形成第2孔部121,准备第2陶瓷片120。此时,使第2孔部121的第2内表面122相对于与第2陶瓷片120的平面方向(XY面方向)正交的方向倾斜。第2孔部121由激光形成。
同样,在第3陶瓷片130形成第3孔部131,准备第3陶瓷片130。此时,使第3孔部131的第3内表面132相对于与第3陶瓷片130的平面方向(XY面方向)正交的方向倾斜。第3孔部131由激光形成。
另外,在基台用陶瓷片150之上设置放电辅助电极30,在放电辅助电极30之上,设置第1放电电极21和第2放电电极22,第1放电电极21与第2放电电极22对置,并具有间隙G。
另外,在基台用陶瓷片150之上设置电极用陶瓷片170。并且,在第1放电电极21和第2放电电极22之上,沿箭头方向,依次层叠第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130以及覆盖用陶瓷片160,使第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131与间隙G重叠,形成层叠体5。
其后,烧制层叠体5,如图3所示,由第1~第3孔部111、121、131形成与间隙G相连的空腔部100。而且,如图1所示,在结构体10设置第1、第2外部电极41、42,制造ESD保护装置1。
此外,在形成层叠体5的工序中,若在空腔部100内预填充氩气等不活泼气体,则在烧制层叠体5时,能够将不活泼气体用于烧制。换句话说,也可以在形成了层叠体5后,在层叠体5开孔,不填充不活泼气体。另外,通过在空腔部100内预填充惰性气体,能够容易在空腔部100内产生空气放电。
根据上述结构的ESD保护装置1,空腔部100的内表面上具有:在包含Z方向的截面中,相对于Z方向倾斜的第1内表面112、第2内表面122以及第3内表面132,因此,能够增加空腔部100的内表面的表面积,另外,能够增加空腔部100内的空间。假设,空腔部的内表面是与Z方向平行的面,则空腔部的内表面的表面积(另外空腔部内的空间)最小。即使空腔部的内表面的斜面数量为一个,空腔部的内表面的表面积(另外空腔部内的空间)依旧较小。
总之,本申请发明者着眼于与ESD保护装置1的长度方向(X方向)和宽度方向(Y方向)相比,ESD保护装置1的高度方向(Z方向)不易受到朝基板进行安装的制约,想到了在高度方向上扩大空腔部100。进而,本申请发明者从能够在高度方向上扩大空腔部100,想到在高度方向上设置多个空腔部100的内表面的斜面112、122、132。
空腔部100的内表面的表面积增加,因此静电的放电时产生的热,能从空腔部100的内表面更好地释放。因此,减少施加于放电辅助电极30的热负荷,从而能够抑制放电辅助电极30的劣化。例如,能够抑制放电辅助电极30因热而熔融的可能性。其结果,能够抑制第1放电电极21和第2放电电极22因放电辅助电极30而短路的可能性。
空腔部100内的空间增加,因此静电的放电容易在空腔部100内的空气中产生,经由放电辅助电极30的放电减少。另外,空腔部100内的空间增加,因此使静电的放电时产生的热、光、冲击等能量能够被空腔部100的空间吸收。
因此,能够减少静电的放电时施加于放电辅助电极30的负载,因此抑制放电辅助电极30的劣化,即使产生反复放电也能够实现响应性高的ESD保护装置1。
另外,第1内表面112、第2内表面122以及第3内表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向倾斜,因此能够使第1~第3陶瓷层11~13的底和顶一致而层叠。
另外,第1内表面112的内径、第2内表面122的内径以及第3内表面132的内径为相同的大小,因此能够使用相同种类的第1~第3陶瓷层11~13。
另外,根据ESD保护装置1的制造方法,由第1~第3孔部111、121、131形成与间隙G相连的空腔部100,因此第1孔部111的第1内表面112、第2孔部121的第2内表面122以及第3孔部131的第3内表面132相对于陶瓷片110、120、130的层叠方向(Z方向)倾斜。因此,能够增加空腔部100的内表面的表面积,静电的放电时产生的热从空腔部100的内表面更好地释放。其结果,减少施加于放电辅助电极30的热负荷,从而能够抑制放电辅助电极30的劣化。
(第2实施方式)
图6是表示本发明的第2实施方式的ESD保护装置的制造方法的剖视图。第2实施方式与第1实施方式仅准备第1~第3陶瓷片的工序不同。以下仅对该不同的工序进行说明。此外,在第2实施方式中,与第1实施方式相同的附图标记是与第1实施方式相同的结构,因此省略其说明。
如图6所示,在准备第1陶瓷片110的工序中,在第1孔部111填充在烧制时具有被烧光的性质的膏60。在准备第2陶瓷片120的工序中,在第2孔部121填充在烧制时具有被烧光的性质的膏60。在准备第3陶瓷片130的工序中,在第3孔部131填充在烧制时具有被烧光的性质的膏60。
其后,与第1实施方式相同,在基台用陶瓷片150之上,按箭头方向依次层叠电极用陶瓷片170、第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130以及覆盖用陶瓷片160,形成层叠体5A。其后,烧制层叠体5A而制造ESD保护装置1。此时,膏60因烧制而被烧光。
根据第2实施方式,在第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131中填充有膏60,因此在形成层叠体5A的工序中,能够抑制第1孔部111、第2孔部121以及第3孔部131被覆盖用陶瓷片160填埋。另外,抑制第1陶瓷片110、第2陶瓷片120、第3陶瓷片130的刚性的降低,在形成层叠体5A的工序中,能够抑制层叠体5A变形。
(第3实施方式)
图7A是表示本发明的第3实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。第3实施方式与第1实施方式,仅孔部的形状不同。以下仅对该不同的结构进行说明。此外,在第3实施方式中,与第1实施方式相同的附图标记是与第1实施方式相同的结构,因此省略其说明。
如图7A所示,在ESD保护装置1A的结构体10A的空腔部100A中,第1内表面112的内径与第3内表面132的内径成为相同的大小。第1内表面112的内径与第2内表面122的内径成为不同的大小,第2内表面122的内径小于第1内表面112的内径。换句话说,第2孔部121小于第1孔部111以及第3孔部131。
因此,第2内表面122的内径与第1内表面112的内径和第3内表面132的内径不同大小,因此能够使用不同种类的第1~第3陶瓷层11~13。
(第4实施方式)
图7B是表示本发明的第4实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。第4实施方式与第1实施方式仅孔部的形状不同。以下仅对该不同的结构进行说明。此外,在第4实施方式中,与第1实施方式相同的附图标记是与第1实施方式相同的结构,因此省略其说明。
如图7B所示,在ESD保护装置1B的结构体10B的空腔部100B中,第1~第3内表面112、122、132在Z方向上朝向与第1实施方式的第1~第3内表面相反的方向地向相反方向倾斜。换句话说,第1内表面112的内径、第2内表面122的内径以及第3内表面132的内径朝向Z方向变大。
因此,能够使第1~第3陶瓷层11~13的底和顶与第1实施方式的第1~第3陶瓷层的底和顶反向地层叠。
(第5实施方式)
图7C是表示本发明的第5实施方式的ESD保护装置的分解状态的剖视图。第5实施方式与第1实施方式,仅孔部的形状不同。以下仅对该不同的结构进行说明。此外,在第5实施方式中,与第1实施方式相同的附图标记是与第1实施方式相同的结构,因此省略其说明。
如图7C所示,在ESD保护装置1C的结构体10C的空腔部100C中,第1内表面112与第3内表面132在Z方向上朝向相同的方向地向相同的方向倾斜。第1内表面112与第2内表面122在Z方向上朝向相反方向地向相反方向倾斜。换句话说,第1内表面112的内径与第3内表面132的内径朝向Z方向变大。第2内表面122的内径朝向Z方向变小。
因此,第2内表面122在Z方向上与第1内表面112和第3内表面132朝向相反方向地向相反方向倾斜,从而能够使第1、第3陶瓷层11、13的底和顶与第2陶瓷层12的底和顶反向地层叠。
此外,本发明不限定于上述的实施方式,在不脱离本发明的主旨的范围内能够变更设计。例如,也可以将上述第1~上述第5实施方式的各个特征点多样地组合。
在上述实施方式中,使空腔部的内表面的倾斜面为第1~第3内表面这三者,但也可以是两个或者四个以上。
在上述实施方式中,使空腔部的第1~第3内表面成为平坦面(线形锥),但也可以是凹曲面、凸曲面(放物线锥)。
在上述实施方式中,由激光形成陶瓷片的第1~第3孔部,但也可以通过机械加工形成。
在上述实施方式中,使空腔部的从Z方向观察的形状成为长圆形,但也可以是椭圆形、矩形。
在上述实施方式中,层叠陶瓷片制造ESD保护装置,但也可以通过印刷形成陶瓷层。
附图标记的说明
1、1A~1C...ESD保护装置;5、5A...层叠体;10、10A~10C...结构体;11...第1陶瓷层;12...第2陶瓷层;13...第3陶瓷层;21...第1放电电极;22...第2放电电极;30...放电辅助电极;41...第1外部电极;42...第2外部电极;60...膏;100、100A~100C...空腔部;110...第1陶瓷片;111...第1孔部;112...第1内表面;120...第2陶瓷片;121...第2孔部;122...第2内表面;130...第3陶瓷片;131...第3孔部;132...第3内表面;G...第1放电电极与第2放电电极之间的间隙。
Claims (8)
1.一种ESD保护装置,其特征在于,具备:
结构体,其由层叠多个陶瓷层构成;
第1放电电极和第2放电电极,它们设置于所述结构体内,并且具有间隙地对置;以及
放电辅助电极,其被设置为,从所述陶瓷层的层叠方向观察,该放电辅助电极与所述间隙重叠,
所述结构体具有空腔部,该空腔部相对于所述第1放电电极和所述第2放电电极设置于与所述放电辅助电极相反的一侧并且与所述间隙相连,
所述空腔部的内表面具有第1内表面和第2内表面,在包含所述层叠方向的截面中,所述第1内表面和第2内表面在所述层叠方向上排列配置并且相对于所述层叠方向倾斜。
2.根据权利要求1所述的ESD保护装置,其特征在于,
所述第1内表面和所述第2内表面在所述层叠方向上朝向相同的方向地向相同的方向倾斜。
3.根据权利要求1所述的ESD保护装置,其特征在于,
所述第1内表面和所述第2内表面在所述层叠方向上朝向相反方向地向相反方向倾斜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的ESD保护装置,其特征在于,
所述第1内表面的内径和所述第2内表面的内径成为相同的大小。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的ESD保护装置,其特征在于,
所述第1内表面的内径和所述第2内表面的内径成为不同大小。
6.一种ESD保护装置的制造方法,其特征在于,具备如下工序:
在第1陶瓷片上,形成包含相对于与所述第1陶瓷片的平面方向正交的方向倾斜的第1内表面的第1孔部,准备所述第1陶瓷片;
在第2陶瓷片上,形成包含相对于与所述第2陶瓷片的平面方向正交的方向倾斜的第2内表面的第2孔部,准备所述第2陶瓷片;
在基台用陶瓷片之上设置放电辅助电极,在所述放电辅助电极之上设置第1放电电极和第2放电电极,并使所述第1放电电极与所述第2放电电极具有间隙地对置;
在所述第1放电电极和所述第2放电电极之上,依次层叠所述第1陶瓷片、所述第2陶瓷片以及覆盖用陶瓷片,并使所述第1孔部和所述第2孔部与所述间隙重叠,形成层叠体;以及
烧制所述层叠体,由所述第1孔部和所述第2孔部形成与所述间隙相连的空腔部。
7.根据权利要求6所述的ESD保护装置的制造方法,其特征在于,
所述第1孔部和所述第2孔部由激光形成。
8.根据权利要求6或7所述的ESD保护装置的制造方法,其特征在于,
在准备所述第1陶瓷片的工序中,在所述第1孔部中填充在烧制时具有被烧光的性质的膏,
在准备所述第2陶瓷片的工序中,在所述第2孔部中填充在烧制时具有被烧光的性质的膏。
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