CN106531835B - 一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件，用以使TCO兼顾光学透过率和电阻率，以及兼顾其两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，以提高电池的光电转换效率，本申请提供的硅异质结太阳能电池包括：第一金属电极、第一透明导电氧化物膜层、非晶硅P层、第一本征非晶硅层、晶硅衬底、第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，第一透明导电氧化物膜层和/或第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；同一透明导电氧化物膜层具有的各膜层的电阻率从非晶硅层指向金属电极的方向呈递减分布。

Description

一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件。

背景技术

随着太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。其中，硅异质结太阳能电池因制备温度低、转换效率高、低衰减等特点，得到了迅速的发展。

在现有技术中，以N型晶硅衬底为例，如图1所示，硅异质结太阳能电池包括：第一透明导电氧化物膜层10、非晶硅P层20、第一本征非晶硅层30、N型晶硅衬底40、第二本征非晶硅层50、非晶硅N层60、第二透明导电氧化物膜层70、以及第一栅格电极80和第二栅格电极90。其中，第一透明导电氧化物膜层10和第二透明导电氧化物膜层70都为单膜层的结构。

一方面，在硅异质结太阳能电池(简称电池)中，对于透明导电氧化物膜层(TCO)，一般要求其具有较高的光学透过率和较低的电阻率，而TCO的光学透过率和电阻率成正比，这样单膜层结构的TCO就无法兼顾光学透过率和电阻率；另一方面，在硅异质结太阳能电池中，不同材料在接触过程中会在接触界面处产生接触电阻，而降低接触电阻，有利于提高电池的光电转换效率，TCO的两侧分别与非晶硅层和金属电极接触，由于非晶硅层的电阻率较高，金属电极的电阻率较低，因此，为了提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，提高电池的光电转换效率，就要求与非晶硅层接触的TCO具有较高电阻率，与金属电极接触的TCO具有较低电阻率，而单膜层结构的TCO就无法兼顾其两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异。

基于此，如何使TCO兼顾光学透过率和电阻率，以及兼顾其两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，以提高电池的光电转换效率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件，用以使TCO兼顾光学透过率和电阻率，以及兼顾其两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，以提高电池的光电转换效率。

本申请实施例提供的一种硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，依次设置于所述晶硅衬底第一表面的第一本征非晶硅层、非晶硅P层、第一透明导电氧化物膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述晶硅衬底第二表面的第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，

所述第一透明导电氧化物膜层和/或所述第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；

所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；

和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布。

本申请实施例提供的硅异质结太阳能电池，包括：晶硅衬底，依次设置于所述晶硅衬底第一表面的第一本征非晶硅层、非晶硅P层、第一透明导电氧化物膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述晶硅衬底第二表面的第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，所述第一透明导电氧化物膜层和/或所述第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布；由于第一透明导电氧化物膜层具有的各膜层的电阻率从非晶硅P层指向第一金属电极的方向呈递减分布，和/或第二透明导电氧化物膜层具有的各膜层的电阻率从非晶硅N层指向第二金属电极的方向呈递减分布，这样，一方面可以尽可能地平衡TCO的光学透过率和电阻率，从而提高电池的光电转换效率，另一方面可以实现与非晶硅层接触的TCO具有较高电阻率，与金属电极接触的TCO具有较低电阻率，从而可以兼顾TCO两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，进而提高电池的光电转换效率。

较佳地，所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的厚度之和为50nm～180nm；

和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的厚度之和为50nm～180nm。

较佳地，所述第一透明导电氧化物膜层，包括：

与所述非晶硅P层接触的第一子透明导电氧化物膜层，与所述第一金属电极接触的第二子透明导电氧化物膜层。

较佳地，所述第二透明导电氧化物膜层，包括：

与所述非晶硅N层接触的第三子透明导电氧化物膜层，与所述第二金属电极接触的第四子透明导电氧化物膜层。

较佳地，所述第一子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm；

所述第二子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm；

所述第三子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm；

所述第四子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm。

较佳地，所述第一子透明导电氧化物膜层的厚度为10nm～90nm；

所述第二子透明导电氧化物膜层的厚度为30nm～120nm；

所述第三子透明导电氧化物膜层的厚度为10nm～90nm；

所述第四子透明导电氧化物膜层的厚度为30nm～120nm。

较佳地，所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层中的氧含量从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；

所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层中的氧含量从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布。

较佳地，所述第一透明导电氧化物膜层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟；

所述第二透明导电氧化物膜层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟。

本申请实施例提供的一种太阳能电池组件，包括本申请实施例提供的上述硅异质结太阳能电池。

由于本申请实施例提供的太阳能电池组件包括本申请实施例提供的上述硅异质结太阳能电池，而本申请实施例提供的硅异质结太阳能电池，包括：晶硅衬底，依次设置于所述晶硅衬底第一表面的第一本征非晶硅层、非晶硅P层、第一透明导电氧化物膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述晶硅衬底第二表面的第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，所述第一透明导电氧化物膜层和/或所述第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布；由于第一透明导电氧化物膜层具有的各膜层的材料相同，且电阻率从非晶硅P层指向第一金属电极的方向呈递减分布，和/或第二透明导电氧化物膜层具有的各膜层的材料相同，且电阻率从非晶硅N层指向第二金属电极的方向呈递减分布，这样，一方面可以尽可能地平衡TCO的光学透过率和电阻率，从而提高电池的光电转换效率，另一方面可以实现与非晶硅层接触的TCO具有较高电阻率，与金属电极接触的TCO具有较低电阻率，从而可以兼顾TCO两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，进而提高电池的光电转换效率。

附图说明

图1为现有技术提供的硅异质结太阳能电池的结构示意图；

图2为本申请实施例一提供的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图；

图3为本申请实施例二提供的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图；

图4为本申请实施例三提供的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件，用以使TCO兼顾光学透过率和电阻率，以及兼顾其两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，以提高电池的光电转换效率。

需要说明的是，本申请实施例提供的技术方案适用于N型晶硅衬底的硅异质结太阳能电池，也同样适用于P型晶硅衬底的硅异质结太阳能电池。

下面将以N型晶硅衬底的硅异质结太阳能电池为例，结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。

实施例一：

参见图2，本申请实施例提供的一种硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底11，依次设置于晶硅衬底11第一表面的第一本征非晶硅层12、非晶硅P层13、第一透明导电氧化物膜层14和第一金属电极15，以及依次设置于晶硅衬底11第二表面的第二本征非晶硅层16、非晶硅N层17、第二透明导电氧化物膜层18和第二金属电极19。

其中，第一透明导电氧化物膜层14为具有至少两个膜层的层叠结构；第一透明导电氧化物膜层14具有的各膜层的电阻率从非晶硅P层13指向第一金属电极15的方向呈递减分布。

如图2所示，对于N型晶硅衬底的硅异质结太阳能电池，晶硅衬底11为N型晶硅衬底，晶硅衬底11的第一表面为晶硅衬底11的上表面，即接受太阳光线照射的表面，晶硅衬底11的第二表面为晶硅衬底11的下表面。

较佳地，第一透明导电氧化物膜层14的材料可以为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟；

第二透明导电氧化物膜层18的材料可以为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟。

较佳地，第一透明导电氧化物膜层14具有的各膜层的厚度之和为50nm～180nm。

较佳地，如图2所示，第一透明导电氧化物膜层14包括：

与非晶硅P层13接触的第一子透明导电氧化物膜层141，与第一金属电极15接触的第二子透明导电氧化物膜层142。

较佳地，第一子透明导电氧化物膜层141的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm(即1*10^-3Ω.cm～1*10^-1Ω.cm)；

第二子透明导电氧化物膜层142的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm。

通过这样设置，与非晶硅P层13接触的TCO具有较高电阻率，与第一金属电极15接触的TCO具有较低电阻率，从而可以兼顾TCO两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，降低电子在界面传输损耗，进而提高电池的光电转换效率。

需要说明的是，TCO的电阻率与TCO膜层中氧含量(即氧的含量)有关，氧含量越多，载流子浓度越低，电阻率越高，即电阻率随着氧含量的增加而升高。同时，TCO膜层的光学透过率(简称透过率)与TCO膜层中氧含量成正比，氧含量越高，载流子浓度越低，光学透过率越高。

较佳地，第一透明导电氧化物膜层14具有的各膜层中的氧含量从非晶硅P层13指向第一金属电极15的方向呈递减分布。

通过这样设置，可以尽可能地平衡TCO的光学透过率和电阻率，从而提高电池的光电转换效率。

其中，第一子透明导电氧化物膜层141的厚度为10nm～90nm，例如可以为40nm、50nm、60nm、70nm、80nm或90nm，较佳地，可以选择第一子透明导电氧化物膜层141的厚度为10nm～30nm。这样设置的理由为膜层太薄在制作中无法完成对非晶硅P层13的有效覆盖，从而影响第一透明导电氧化物膜层14与非晶硅P层13的接触性能，膜层太厚会提高第一透明导电氧化物膜层14的体电阻，从而降低电池的填充因子，进而降低电池的光电转换效率。

第二子透明导电氧化物膜层142的厚度为30nm～120nm，例如可以为30nm、110nm或120nm，较佳地，可以选择第二子透明导电氧化物膜层142的厚度为40nm～90nm。这样设置的理由为膜层太薄(在第一透明导电氧化物膜层14厚度一定时，相当于电阻率高的第一子透明导电氧化物膜层141的厚度比较厚)会提高第一透明导电氧化物膜层14的体电阻，从而降低电池的填充因子，进而降低电池的光电转换效率，膜层太厚会增加第一透明导电氧化物膜层14的总厚度，从而增加材料对光的吸收，进而降低电池的光电转换效率。

实施例二：

参见图3，本申请实施例二提供的硅异质结太阳能电池与本申请实施例一提供的硅异质结太阳能电池相类似，相同的部分在此不再赘述，下面只说明不同的部分。

本申请实施例二提供的一种硅异质结太阳能电池，如图3所示，包括：晶硅衬底11，依次设置于晶硅衬底11第一表面的第一本征非晶硅层12、非晶硅N层17、第二透明导电氧化物膜层18和第二金属电极19，以及依次设置于晶硅衬底11第二表面的第二本征非晶硅层16、非晶硅N层17、第二透明导电氧化物膜层18和第二金属电极19。

其中，第二透明导电氧化物膜层18为具有至少两个膜层的层叠结构；第二透明导电氧化物膜层18具有的各膜层的电阻率从非晶硅N层17指向第二金属电极19的方向呈递减分布。

较佳地，第二透明导电氧化物膜层18具有的各膜层的厚度之和为50nm～180nm。

较佳地，如图3所示，第二透明导电氧化物膜层18包括：

与非晶硅N层17接触的第三子透明导电氧化物膜层181，与第二金属电极19接触的第四子透明导电氧化物膜层182。

较佳地，第三子透明导电氧化物膜层181的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm；

第四子透明导电氧化物膜层182的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm。

通过这样设置，与非晶硅N层17接触的TCO具有较高电阻率，与第二金属电极19接触的TCO具有较低电阻率，从而可以兼顾TCO两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，降低电子在界面传输损耗，进而提高电池的光电转换效率。

较佳地，第二透明导电氧化物膜层18具有的各膜层中的氧含量从非晶硅N层17指向第二金属电极19的方向呈递减分布。

通过这样设置，可以尽可能地平衡TCO的光学透过率和电阻率，从而提高电池的光电转换效率。

其中，第三子透明导电氧化物膜层181的厚度为10nm～90nm，例如可以为40nm、50nm、60nm、70nm、80nm或90nm，较佳地，可以选择第三子透明导电氧化物膜层181的厚度为10nm～30nm。这样设置的理由为膜层太薄在制作中无法完成对非晶硅N层17的有效覆盖，从而影响第二透明导电氧化物膜层18与非晶硅N层17的接触性能，膜层太厚会提高第二透明导电氧化物膜层18的体电阻，从而降低电池的填充因子，进而降低电池的光电转换效率。

第四子透明导电氧化物膜层182的厚度为30nm～120nm，例如可以为30nm、110nm或120nm，较佳地，可以选择第四子透明导电氧化物膜层182的厚度为40nm～90nm。这样设置的理由为膜层太薄(在第二透明导电氧化物膜层18厚度一定时，相当于电阻率高的第三子透明导电氧化物膜层181的厚度比较厚)会提高第二透明导电氧化物膜层18的体电阻，从而降低电池的填充因子，进而降低电池的光电转换效率，膜层太厚会增加第二透明导电氧化物膜层18的总厚度，从而增加材料对光的吸收，进而降低电池的光电转换效率。

实施例三：

参见图4，本申请实施例三提供的硅异质结太阳能电池与本申请实施例一提供的硅异质结太阳能电池相类似，其区别在于：本申请实施例三提供的硅异质结太阳能电池中第二透明导电氧化物膜层18，采用了本申请实施例二提供的硅异质结太阳能电池中第二透明导电氧化物膜层18的结构，相同的部分在此不再赘述。

需要指出的是，本申请实施例提供的硅异质结太阳能电池的背电极结构可以是TCO+银栅线(Ag finger)结构，也可以是TCO+金属膜层(metal)+Ag finger结构，而TCO+metal+Ag finger的背电极结构的硅异质结太阳能电池一般用于单面发电的光伏组件。多增加一层金属膜层的目的是降低背电极的电子的横向传输电阻，因为如果没有金属膜层，电子输出时主要是从TCO层传送到银栅线，两个银栅线之间通过TCO层传输，如果有金属膜层，电子通过金属膜层传输，而金属膜层的电阻率要远低于TCO层，故可以降低背电极的电子的横向传输电阻。另外，金属膜层还可以提高背面反射，从而可以提高电池的光电转换效率。金属膜层的材质为银或者铝，厚度为100-1000nm，优选150-200nm。

需要说明的是，当电池为单面发电电池时，层叠结构的TCO电极放在入光面时电池的光电转换效率更优，放在非入光面时电池的光电转换效率提升效果略弱，因为放在入光面可以同时得到光和电的提升效果，而放在非入光面只能得到电学方面的提升效果。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种太阳能电池组件，包括本申请实施例提供的上述硅异质结太阳能电池。

另外，现有的硅异质结太阳能电池中TCO电极层的制备方法为磁控溅射法、化学气相沉积法、蒸发法、离子溅射法等。不同的溅射方法制备的膜层性能和制作成本都有差异，目前从性能和成本综合考虑以磁控溅射法最为常见。本申请实施例提供的硅异质结太阳能电池，在制备TCO层的时候，采用多层的结构，通过工艺控制每层的性能(例如：可以通过调节TCO沉积过程中的氧分压和/或沉积压强调节来TCO层的电阻率，氧分压越高，电阻率越高，沉积压强越高，电阻率也越高)，使得与非晶硅层接触的TCO具有较高电阻率，与金属电极接触的TCO具有较低电阻率，高低电阻率膜层中间，采用电阻率逐步从高到低递降的方式，这样可以减少不同TCO膜层之间的界面电阻和反射，提高入射光的利用率，减少光在TCO层的损失，进而提高电池的光电转换效率。其中，多层可以是两层、三层、四层或者更多层，可以根据相关界面层对TCO膜层的要求以及TCO本身工艺进行设定。

下面的表一给出了一组TCO单层和叠层工艺电池性能对比的实验数据：

表一

从表一的数据可看出，与TCO单层工艺的电池相比，使用TCO叠层工艺的电池可以提高短路电流密度、填充因子和光电转换效率。

综上所述，本申请实施例提供的技术方案，硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，依次设置于所述晶硅衬底第一表面的第一本征非晶硅层、非晶硅P层、第一透明导电氧化物膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述晶硅衬底第二表面的第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，所述第一透明导电氧化物膜层和/或所述第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布；由于第一透明导电氧化物膜层具有的各膜层的材料相同，且电阻率从非晶硅P层指向第一金属电极的方向呈递减分布，和/或第二透明导电氧化物膜层具有的各膜层的材料相同，且电阻率从非晶硅N层指向第二金属电极的方向呈递减分布，这样，一方面可以尽可能地平衡TCO的光学透过率和电阻率，从而提高电池的光电转换效率，另一方面可以实现与非晶硅层接触的TCO具有较高电阻率，与金属电极接触的TCO具有较低电阻率，从而可以兼顾TCO两侧的非晶硅层与金属电极的电阻率的差异，提高TCO与其两侧的非晶硅层和金属电极的接触性能，进而提高电池的光电转换效率。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅衬底，依次设置于所述晶硅衬底第一表面的第一本征非晶硅层、非晶硅P层、第一透明导电氧化物膜层和第一金属电极，以及依次设置于所述晶硅衬底第二表面的第二本征非晶硅层、非晶硅N层、第二透明导电氧化物膜层和第二金属电极；其中，

所述第一透明导电氧化物膜层和/或所述第二透明导电氧化物膜层为具有至少两个膜层的层叠结构；

所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；

和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的电阻率从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的厚度之和为50nm～180nm；

和/或所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层的厚度之和为50nm～180nm。

3.根据权利要求1或2所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层，包括：

与所述非晶硅P层接触的第一子透明导电氧化物膜层，与所述第一金属电极接触的第二子透明导电氧化物膜层。

4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电氧化物膜层，包括：

与所述非晶硅N层接触的第三子透明导电氧化物膜层，与所述第二金属电极接触的第四子透明导电氧化物膜层。

5.根据权利要求4所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm；

所述第二子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm；

所述第三子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-1Ω.cm～1E-3Ω.cm；

所述第四子透明导电氧化物膜层的电阻率为1E-2Ω.cm～1E-4Ω.cm。

6.根据权利要求5所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一子透明导电氧化物膜层的厚度为10nm～90nm；

所述第二子透明导电氧化物膜层的厚度为30nm～120nm；

所述第三子透明导电氧化物膜层的厚度为10nm～90nm；

所述第四子透明导电氧化物膜层的厚度为30nm～120nm。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层中的氧含量从所述非晶硅P层指向所述第一金属电极的方向呈递减分布；

所述第二透明导电氧化物膜层具有的各所述膜层中的氧含量从所述非晶硅N层指向所述第二金属电极的方向呈递减分布。

8.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟；

所述第二透明导电氧化物膜层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟、掺钛氧化铟、掺镓氧化铟或掺铈氧化铟。

9.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的硅异质结太阳能电池。