CN102694066B - 一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 - Google Patents
一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102694066B CN102694066B CN201210095209.1A CN201210095209A CN102694066B CN 102694066 B CN102694066 B CN 102694066B CN 201210095209 A CN201210095209 A CN 201210095209A CN 102694066 B CN102694066 B CN 102694066B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- photoelectric conversion
- film
- conversion efficiency
- doping content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法，解决了现有技术中由于ZnO基透明导电薄膜与光电转化区薄膜的界面匹配工艺尚不完善，影响光电转换效率的技术问题，采用的技术方案是，基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，以上方法的实施步骤中包括：在玻璃原片上沉积ZnO基的TCO薄膜层，上述的TCO薄膜层是由ZnO基靶材借助溅射工艺在玻璃原片上沉积形成的2~4层的ZnO基复合型薄膜，其中复合型薄膜中各层的掺杂浓度呈梯度分布。本发明的关键是：通过将TCO薄膜层设计为多层复合型结构、并将各个层的掺杂浓度进行合理控制、形成渐变梯度，大大提高了电池板的透光率和导电率，有效地提高太阳电池光电转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法，属于太阳能电池制造领域，特别是一种基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法。
背景技术
随着光伏发电技术的发展，尤其是近年来薄膜太阳电池的大量产业化，透明导电氧化物薄膜-简称为TCO-作为薄膜太阳电池中必不可少的一部分，引起了极大的关注。薄膜太阳电池的前电极采用的是透明导电氧化物(TCO)玻璃，它的性能对于电池的转换效率有着至关重要的作用。太阳电池要求前电极具有高透过率和高电导率，透明导电薄膜要求所选用的半导体材料在可见光区具有高的光穿透性，其材料的带隙宽度大于3eV。近年来，透明导电薄膜的材料主要集中在金属氧化物半导体，如Sn02, In203, Zn0等薄膜。
目前研究最多的透明导电薄膜材料是ZnO基的TCO薄膜材料，此材料对于氢离子是稳定的，同时比FTO具有更好的光透过率。但是在实际应用中由于目前ZnO基透明导电薄膜与光电转化区薄膜的界面匹配工艺尚不完善，相对于FTO导电膜对光电转换效率贡献没有明显的优势，为了将理论上应该存在的优势彻底的体现出来，有必要对TCO薄膜的结构及其组成进行改进。
发明内容
本发明为解决现有技术中由于ZnO基透明导电薄膜与光电转化区薄膜的界面匹配工艺尚不完善，影响光电转换效率的技术问题，设计了一种基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，通过将TCO薄膜层设计为多层复合型结构、并将各个层的掺杂浓度进行合理控制、形成渐变梯度，大大提高了电池板的透光率和导电率，有效地提高太阳电池光电转化效率。
本发明为实现上述发明目的采用的技术方案是，基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，以上方法的实施步骤中包括：在玻璃原片上沉积ZnO基的TCO薄膜层，上述的TCO薄膜层是由ZnO基靶材借助溅射工艺在玻璃原片上沉积形成的2~4层的ZnO基复合型薄膜，其中复合型薄膜中各层的掺杂浓度呈梯度分布。
本发明的关键是：通过将TCO薄膜层设计为多层复合型结构、并将各个层的掺杂浓度进行合理控制、形成渐变梯度，大大提高了电池板的透光率和导电率，有效地提高太阳电池光电转化效率。TCO薄膜层的掺杂浓度形成渐变梯度从而影响太阳能电池板光电转换效率，一方面通过合理控制的渐变梯度薄膜与单浓度梯度薄膜相比，电性能和透光率都可得到明显改善，可更有效的提高可利用光能，从而提高电池转换效率；另外该发明可改善TCO薄膜界面与硅基电池界面的晶格匹配，降低电池的内电阻，提高光能的利用率，从而提高太阳电池的转换效率。
具体实施方式
基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，以上方法的实施步骤中包括：在玻璃原片上沉积ZnO基的TCO薄膜层，上述的TCO薄膜层是由ZnO基靶材借助溅射工艺在玻璃原片上沉积形成的2~4层的ZnO基复合型薄膜，其中复合型薄膜中各层的掺杂浓度呈梯度分布。
上述的复合型薄膜是由依次沉积在玻璃原片上的掺R1的第一ZnO基薄膜及掺R2的第二ZnO基薄膜组成，其中，第一ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.2%-1%，第二ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.8%-3%，R1和R2均分别是元素Al、Ga、Zr中的一种。
下面表1中给出了以上两个膜层中分别掺杂R1和R2的掺杂浓度的具体实施例。
表1：
以上表1中给出了5个参考实施例。
上述的复合型薄膜是由依次沉积在玻璃原片上的掺R3的第三ZnO基薄膜、掺R4的第四ZnO基薄膜及掺R5的第五ZnO基薄膜组成，其中，第三ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.2%-1%，第四ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.6%-2%，第五ZnO基薄膜的掺杂浓度是0.8%-3%，R3、R4和R5均分别是元素Al、Ga、Zr中的一种。
下面表2中给出了以上三个膜层中分别掺杂R3、R4和R5的掺杂浓度的具体实施例。
表2：
以上表2中给出了5个参考具体实施例。
上述的复合型薄膜是由依次沉积在玻璃原片上的掺R6的第六ZnO基薄膜、掺R7的第七ZnO基薄膜、掺R8的第八ZnO基薄膜及掺R9的第九ZnO基薄膜组成，其中，第六ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.2%-1%，第七ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.6%-2%，第八ZnO基薄膜的掺杂浓度是0.8%-3%、第九ZnO基薄膜的掺杂浓度是1.2%-3.5%，R6、R7、R8和R9均分别是元素Al、Ga、Zr中的一种。
下面表3中给出了以上四个膜层中分别掺杂R6、R7、R8、R9的掺杂浓度的具体实施例。
表3：
以上表3中给出了6个参考具体实施例。
上述的TCO薄膜层的厚度是100~2000nm。
本发明在具体实施时，本发明中的TCO薄膜层是通过浮法玻璃的在线或离线的磁控溅射设备制备而成。溅射沉积设备至少包括进样室和工艺室，进样室可以直接连接在浮法玻璃生产线的降温区，可以抽真空并对进入其中的玻璃样品加热;进样室根据溅射设备的沉积温度来选择浮法玻璃生产线降温区的接入位置，玻璃基板通过传送带直接送入溅射沉积设备的进样室，应保证进样室衬底温度和沉积需要的温度以及生产线接入处的温度一致，其温度范围从室温到500℃；也可以和玻璃生产线分离，在合适的工艺条件下进行溅射沉积。沉积时的温度控制为20℃-500℃之间 , 溅射工艺时通入氩气或氩气和氧气的混合气体作为反应气体，沉积压力控制在1.0×10-3—8.0×10-3之间， 通过调节流片速度和溅射功率控制沉积速率，掺杂的元素包括Al、Ga、Zr元素中的一种或多种，其总厚度在100纳米到2000纳米之间。TCO薄膜层在溅射沉积成膜后，需要合适的腐蚀工艺，对其表面进行处理，腐蚀出电池工艺需求的绒面结构。
下面列举本发明的较佳实施例作出详细说明，以三层氧化锌基薄膜为例。
实施例一：
保证溅射设备的衬底温度为100-500摄氏度，通入流量为100-1000sccm的氩气和0-20sccm的氧气作为反应气体，沉积压力控制在1.0×10-3—8.0×10-3之间，然后被传输进入溅射设备的工艺室中沉积Al掺杂的Zn0薄膜，通过调节流片速度和溅射功率控制沉积速率，工艺腔室中依次排布不同Al掺杂浓度的靶材，靶材的分布依次为0.5-1 wt%、1-2 wt%、2-3 wt%的A1掺杂的Zn0靶材，各靶材有独立电源控制，三层A1掺杂Zn0薄膜的厚度分别为100-200纳米、500-600纳米、100-250纳米。
实施例二：
保证溅射设备的衬底温度为100-500摄氏度，通入流量为100-1000sccm的氩气作为反应气体，沉积压力控制在1.0×10-3—8.0×10-3之间，然后被传输进入溅射设备的工艺室中沉积Ga掺杂的Zn0薄膜，通过调节流片速度和溅射功率控制沉积速率，工艺腔室中依次排布不同Ga掺杂浓度的靶材，靶材的分布依次为0.2-0.57 wt%、0.6-1 wt%、1-1.5 wt%的Ga掺杂的Zn0靶材，各靶材有独立电源控制，三层Ga掺杂Zn0薄膜的厚度分别为50-150纳米、650-750纳米、50-150纳米。
实施例三：
保证溅射设备的衬底温度为100-500摄氏度，通入流量为100-1000sccm的氩气作为反应气体，沉积压力控制在1.0×10-3—8.0×10-3之间，然后被传输进入溅射设备的工艺室中沉积Zr掺杂的Zn0薄膜，通过调节流片速度和溅射功率控制沉积速率，工艺腔室中依次排布不同Zr掺杂浓度的靶材，靶材的分布依次为0.2-0.5 wt%、0.5-0.8wt%、0.8-1.2 wt%的Zr掺杂的Zn0靶材，各靶材有独立电源控制，三层Zr掺杂Zn0薄膜的厚度分别为30-100纳米、600-800纳米、50-150纳米。
实施例四：
保证溅射设备的衬底温度为100-500摄氏度，通入流量为100-1000sccm的氩气作为反应气体，沉积压力控制在1.0×10-3—8.0×10-3之间，然后被传输进入溅射设备的工艺室中沉积Al掺杂的和Ga掺杂的Zn0薄膜，通过调节流片速度和溅射功率控制沉积速率，工艺腔室中靶材的分布依次为掺杂浓度0.2-0.8wt%、Al掺杂浓度1-2 wt%、Al掺杂浓度2-3 wt%的Zn0靶材，各靶材有独立电源控制，三层Zn0薄膜的厚度分别为50-200纳米、550-800纳米、100-200纳米。
一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法，解决了现有技术中由于ZnO基透明导电薄膜与光电转化区薄膜的界面匹配工艺尚不完善，影响光电转换效率的技术问题，采用的技术方案是，基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，以上方法的实施步骤中包括：在玻璃原片上沉积ZnO基的TCO薄膜层，上述的TCO薄膜层是由ZnO基靶材借助溅射工艺在玻璃原片上沉积形成的2~4层的ZnO基复合型薄膜，其中复合型薄膜中各层的掺杂浓度呈梯度分布。本发明的关键是：通过将TCO薄膜层设计为多层复合型结构、并将各个层的掺杂浓度进行合理控制、形成渐变梯度，大大提高了电池板的透光率和导电率，有效地提高太阳电池光电转化效率。
Claims (2)
1.基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，以上方法的实施步骤中包括：在玻璃原片上沉积ZnO基的TCO薄膜层，其特征在于：所述的TCO薄膜层是由ZnO基靶材借助溅射工艺在玻璃原片上沉积形成的3~4层的ZnO基复合型薄膜，其中复合型薄膜中各层的掺杂浓度呈梯度分布；所述的复合型薄膜是由依次沉积在玻璃原片上的掺R3的第三ZnO基薄膜、掺R4的第四ZnO基薄膜及掺R5的第五ZnO基薄膜组成，其中，第三ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.2%-1%，第四ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.6%-2%，第五ZnO基薄膜的掺杂浓度是0.8%-3%，R3、R4和R5均分别是元素Al、Ga、Zr中的一种；或是由依次沉积在玻璃原片上的掺R6的第六ZnO基薄膜、掺R7的第七ZnO基薄膜、掺R8的第八ZnO基薄膜及掺R9的第九ZnO基薄膜组成，其中，第六ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.2%-1%，第七ZnO基薄膜的掺杂浓度是：0.6%-2%，第八ZnO基薄膜的掺杂浓度是0.8%-3%、第九ZnO基薄膜的掺杂浓度是1.2%-3.5%，R6、R7、R8和R9均分别是元素Al、Ga、Zr中的一种。
2.根据权利要求1所述的基于改进的TCO薄膜层提高太阳能电池板光电转换效率的方法，其特征在于：所述的TCO薄膜层的厚度是100~2000nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210095209.1A CN102694066B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210095209.1A CN102694066B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102694066A CN102694066A (zh) | 2012-09-26 |
| CN102694066B true CN102694066B (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=46859412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210095209.1A Expired - Fee Related CN102694066B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102694066B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866272B (zh) * | 2012-12-11 | 2016-06-08 | 中国科学院微电子研究所 | 用于提高氧化锌薄膜p型稳定性的方法 |
| WO2015118724A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | リンテック株式会社 | 透明導電性積層体、透明導電性積層体の製造方法、および透明導電性積層体を用いてなる電子デバイス |
| CN105132875B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-07-28 | 辽宁工业大学 | 一种扩散法制备高浓度梯度azo单晶导电薄膜的方法 |
| CN106531835B (zh) * | 2016-10-31 | 2018-03-30 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及太阳能电池组件 |
| CN112687753B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-01-05 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | Hjt太阳能电池tco薄膜、其制备方法及包含该薄膜的电池片 |
| CN113471306A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-10-01 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结电池及异质结电池的制备方法 |
| CN113451429B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-05-12 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN116669448B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-02-13 | 淄博金晶新能源有限公司 | 钙钛矿太阳能电池用tco导电膜玻璃及其制备工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5078803A (en) * | 1989-09-22 | 1992-01-07 | Siemens Solar Industries L.P. | Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide |
| CN101542639A (zh) * | 2007-02-26 | 2009-09-23 | 株式会社村田制作所 | 导电膜及导电膜的制造方法 |
| CN101809759A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-08-18 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102332505B (zh) * | 2011-04-13 | 2013-04-10 | 东旭集团有限公司 | 一种降低薄膜太阳能电池内阻的方法 |
-
2012
- 2012-04-01 CN CN201210095209.1A patent/CN102694066B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5078803A (en) * | 1989-09-22 | 1992-01-07 | Siemens Solar Industries L.P. | Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide |
| CN101542639A (zh) * | 2007-02-26 | 2009-09-23 | 株式会社村田制作所 | 导电膜及导电膜的制造方法 |
| CN101809759A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-08-18 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102694066A (zh) | 2012-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102694066B (zh) | 一种提高太阳能电池板光电转换效率的方法 | |
| TWI520366B (zh) | 用於大規模ｃｉｇｓ基薄膜光伏材料的艙內摻雜鈉的方法和系統 | |
| WO2013117018A1 (zh) | p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法 | |
| CN103866236A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜电池共蒸发线性源的布置方法 | |
| CN101777593B (zh) | 一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 | |
| CN107871795A (zh) | 一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜的带隙梯度的调控方法 | |
| CN101609860A (zh) | CdTe薄膜太阳能电池制备方法 | |
| CN103060861A (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法 | |
| CN103078010A (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法 | |
| CN101497992A (zh) | 用等离子体轰击制备绒面氧化锌透明导电镀膜玻璃的方法 | |
| CN104377261B (zh) | 一种制备CdTe薄膜太阳能电池板方法 | |
| CN102623569A (zh) | 薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法 | |
| CN106784036A (zh) | 一种掺杂碲化镉薄膜电池及其制作方法 | |
| Kamikawa‐Shimizu et al. | Effects of Mo back contact thickness on the properties of CIGS solar cells | |
| CN105047750A (zh) | 一种提高薄膜太阳能电池转换效率的方法 | |
| CN117479557A (zh) | 一种半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
| CN102142484A (zh) | 多晶硅/铜铟镓硒叠层电池工艺 | |
| CN105244394B (zh) | 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105489672A (zh) | 一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法 | |
| CN103194726A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺 | |
| CN109494304A (zh) | 一种太阳能电池高透高导薄膜电极的制备方法 | |
| CN102024878A (zh) | 一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法 | |
| CN102723384B (zh) | 一种CdTe太阳能电池及其制作方法 | |
| CN101707219B (zh) | 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103078012A (zh) | 提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: CHENGDU TAIYISI SOLAR TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140320 Owner name: CHENGDU XUSHUANG SOLAR TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: TUNGHSU GROUP CO., LTD. Effective date: 20140320 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 050021 SHIJIAZHUANG, HEBEI PROVINCE TO: 610200 CHENGDU, SICHUAN PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140320 Address after: 610200 Sichuan city of Chengdu province Shuangliu County West Port Economic Development Zone and two Hua Road No. 1518 Applicant after: CHENGDU XUSHUANG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 050021 No. 94, Huitong Road, Hebei, Shijiazhuang Applicant before: TUNGHSU GROUP Co.,Ltd. Applicant before: CHENGDU TAIYISI SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No. 1518, Section 2, Muhua Road, xihanggang Economic Development Zone, Shuangliu County, Chengdu, Sichuan 610200 Patentee after: CHENGDU ZHONGPU TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 1518, Section 2, Muhua Road, xihanggang Economic Development Zone, Shuangliu County, Chengdu, Sichuan 610200 Patentee before: CHENGDU XUSHUANG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A method to improve the photoelectric conversion efficiency of solar panels Effective date of registration: 20220720 Granted publication date: 20150311 Pledgee: Jinzhou Bank Co.,Ltd. Beijing Fuchengmen sub branch Pledgor: CHENGDU ZHONGPU TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2022990000470 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150311 |