CN106526921B - 多晶硅晶界蚀刻试验治具 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，该试验治具形成有数个具有镂空区的样品容置空间，试验时，先将数个试验样品放置于样品容置空间中，再将放有数个试验样品的试验治具整体浸没在试验溶液中，能够同时完成数个试验样品的试验，能够提升试验效率，节约试验时间，并可根据试验样品的最小尺寸来设计样品容置空间的大小，无需将试验样品的形状限定为长条形，试验后的样品可直接用于后续的SEM测试，无需再次裂片，从而减少后续SEM测试的测试时间。

Description

多晶硅晶界蚀刻试验治具
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅晶界蚀刻试验治具。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置通常包括：液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前最常用的主流液晶显示器，其通过一薄膜晶体管开关来控制数据信号的输入，进而控制画面显示，具有亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳、轻薄的特点，已经在手机、平板电脑、笔记本电脑、电视等显示产品获得大量应用。
TFT-LCD中采用薄膜晶体管按照其有源层材料的不同通常可分成非晶硅(a-Si)与多晶硅(poly-Si)两种。与高缺陷密度及高度无序的非晶硅相比，多晶硅是由多个有序晶粒构成，具有较高的电子迁移率。
在采用多晶硅(poly-Si)作为有源层的薄膜晶体管时，需要对制得的多晶硅进行晶界蚀刻试验来确定多晶硅的原子排列状况是否合格，目前在多晶硅晶界蚀刻试验时，需要先将试验样品裂片成长条状，再由试验人员用手或用夹持工具夹住该试验样品的一端将试验样品的另一端浸没到试验溶液中来进行试验，这种试验方法一次只能进行一个试验样品的试验，试验效率低，且要求试验样品的形状为长条状，在后续扫描电镜(SEM)试验时还需再次裂片。
发明内容
本发明的目的在于提供多晶硅晶界蚀刻试验治具，能够同时进行多个试验样品的试验，提升试验效率，节约试验时间。
为实现上述目的，本发明提供了一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，包括：可拆卸扣合的下盖板和上盖板；
所述下盖板靠近所述上盖板的一侧设有数个下卡槽，所述上盖板靠近所述下盖板的一侧设有与数个下卡槽一一对应的数个上卡槽，所述数个下卡槽和数个上卡槽配合形成数个用于放置试验样品的样品容置空间；
每一个上卡槽和下卡槽的中央均设有一镂空区，所述镂空区的尺寸小于待测试的试验样品的尺寸；
试验时，先将数个试验样品分别放置于数个样品容置空间中，再将试验治具整体浸没到试验溶液中同时对数个试验样品进行试验。
还包括：设于每一个上卡槽的边缘的数个上气路槽、以及设于每一个下卡槽的边缘的与所述数个上气路槽一一对应的数个下气路槽；
所述数个上气路槽与数个下气路槽分别对应扣合形成数个从试验治具的侧面延伸至样品容置空间内的气路孔；
试验完成后，通过所述气路孔向样品容置空间的样品吹气，以吹干试验样品。
所述下盖板与所述上盖板的材料为耐氢氟酸材料。
所述下盖板与所述上盖板的材料为聚四氟乙烯、或聚丙烯。
所述数个上卡槽和数个下卡槽均阵列排布。
所述下盖板和上盖板的形状、所述数个上卡槽和数个下卡槽的形状、以及镂空区的形状均为矩形。
所述样品容置空间的高度大于待试验的试验样品的厚度。
所述下盖板和上盖板通过螺纹连接进行扣合。
所述下盖板和上盖板的四角均设有螺纹孔，通过在所述螺纹孔中拧入螺栓实现下盖板和上盖板之间的螺纹连接。
本发明的有益效果：本发明提供了一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，该试验治具形成有数个具有镂空区的样品容置空间，试验时，先将数个试验样品放置于样品容置空间中，再将放有数个试验样品的试验治具整体浸没在试验溶液中，能够同时完成数个试验样品的试验，能够提升试验效率，节约试验时间，并可根据试验样品的最小尺寸来设计样品容置空间的大小，无需将试验样品的形状限定为长条形，试验后的样品可直接用于后续的SEM测试，无需再次裂片，从而减少后续SEM测试的测试时间。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的多晶硅晶界蚀刻试验治具分离状态下的示意图；
图2为本发明的多晶硅晶界蚀刻试验治具组合状态下的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1并结合图2，本发明提供一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，包括：可拆卸扣合的下盖板1和上盖板2；
所述下盖板1靠近所述上盖板2的一侧设有数个下卡槽11，所述上盖板2靠近所述下盖板1的一侧设有与数个下卡槽11一一对应的数个上卡槽21，所述数个下卡槽11和数个上卡槽21配合形成数个用于放置试验样品的样品容置空间3；
每一个上卡槽21和下卡槽11的中央均设有一镂空区4，所述镂空区4的尺寸小于待试验的试验样品的尺寸。
具体体，为了便于试验后试验样品的吹干，所述多晶硅晶界蚀刻试验治具还包括：设于每一个上卡槽21的边缘的数个上气路槽22、以及设于每一个下卡槽11的边缘的与所述数个上气路槽22一一对应的数个下气路槽12；
所述数个上气路槽22与数个下气路槽12分别对应扣合形成数个从试验治具的侧面延伸至样品容置空间3内的气路孔5。
具体地，为了防止下盖板1与所述上盖板2被试验溶液腐蚀，所述下盖板1与所述上盖板2的材料为耐氢氟酸材料。优选地，所述下盖板1与所述上盖板2的材料为聚四氟乙烯、或聚丙烯。
优选地，所述数个上卡槽21和数个下卡槽11均阵列排布，相应地，由数个上卡槽21和数个下卡槽11扣合形成的数个样品容置空间3也阵列排布，具体的数量可以根据试验需要进行设计。
优选地，所述下盖板1和上盖板2的形状、所述数个上卡槽21和数个下卡槽11的形状、以及镂空区4的形状均为矩形。
具体地，所述样品容置空间3的高度大于待试验的试验样品的厚度，以保证试验溶液可通过镂空区4顺利的流到试验样品上，与试验样品的表面完全接触。
优选地，所述下盖板1和上盖板2通过螺纹连接进行扣合，具体为：所述下盖板1和上盖板2的四角均设有螺纹孔6，通过在所述螺纹孔6中拧入螺栓实现下盖板1和上盖板2之间的螺纹连接。
具体地，采用本发明的多晶硅晶界蚀刻试验治具进行多晶硅多晶硅晶界蚀刻试验的过程为：先将试验样品裂片到与样品容置空间3对应的大小，再将裂片后的数个试验样品分别放置到数个下卡槽11或数个上卡槽21中，然后将上盖板1与下盖板2扣合固定到一起，拧紧螺栓，使得数个试验样品分别容置于数个样品容置空间3中，接着将容置有数个试验样品的试验治具整体浸没在1％的氢氟酸(HF)溶液中浸泡一分钟，随后将容置有数个试验样品的试验治具整体浸没在氢氟酸和重铬酸钾(KCrO7)的混合溶液中浸泡5分钟，接着在用清水对容置有数个试验样品的试验治具进行清洗，最后通过向气路孔5吹起吹干试验样品，完成试验。通过采用本发明的多晶硅晶界蚀刻试验治具能够一次完成数个试验样品的试验，从而提升试验效率，节约试验时间，并可根据试验样品的最小尺寸来设计样品容置空间的大小，无需将试验样品的形状限定为长条形，试验后的样品可直接用于后续的SEM测试，无需再次裂片，进而减少后续SEM测试的测试时间。
综上所述，本发明提供了一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，该试验治具形成有数个具有镂空区的样品容置空间，试验时，先将数个试验样品放置于样品容置空间中，再将放有数个试验样品的试验治具整体浸没在试验溶液中，能够同时完成数个试验样品的试验，能够提升试验效率，节约试验时间，并可根据试验样品的最小尺寸来设计样品容置空间的大小，无需将试验样品的形状限定为长条形，试验后的样品可直接用于后续的SEM测试，无需再次裂片，从而减少后续SEM测试的测试时间。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，包括：可拆卸扣合的下盖板(1)和上盖板(2)；
所述下盖板(1)靠近所述上盖板(2)的一侧设有数个下卡槽(11)，所述上盖板(2)靠近所述下盖板(1)的一侧设有与数个下卡槽(11)一一对应的数个上卡槽(21)，所述数个下卡槽(11)和数个上卡槽(21)配合形成数个用于放置试验样品的样品容置空间(3)；
每一个上卡槽(21)和下卡槽(11)的中央均设有一镂空区(4)，所述镂空区(4)的尺寸小于待试验的试验样品的尺寸；
试验时，先将数个试验样品分别放置于数个样品容置空间(3)中，再将试验治具整体浸没到试验溶液中同时对数个试验样品进行试验；
还包括：设于每一个上卡槽(21)的边缘的数个上气路槽(22)、以及设于每一个下卡槽(11)的边缘的与所述数个上气路槽(22)一一对应的数个下气路槽(12)；
所述数个上气路槽(22)与数个下气路槽(12)分别对应扣合形成数个从试验治具的侧面延伸至样品容置空间(3)内的气路孔(5)；
试验完成后，通过所述气路孔(5)向样品容置空间(3)内的样品吹气，以吹干试验样品。
2.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)与所述上盖板(2)的材料为耐氢氟酸材料。
3.如权利要求2所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)与所述上盖板(2)的材料为聚四氟乙烯或聚丙烯。
4.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述数个上卡槽(21)和数个下卡槽(11)均阵列排布。
5.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)的形状、所述数个上卡槽(21)和数个下卡槽(11)的形状、以及镂空区(4)的形状均为矩形。
6.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述样品容置空间(3)的高度大于待试验的试验样品的厚度。
7.如权利要求1所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)通过螺纹连接进行扣合。
8.如权利要求7所述的多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，所述下盖板(1)和上盖板(2)的四角均设有螺纹孔(6)，通过在所述螺纹孔(6)中拧入螺栓实现下盖板(1)和上盖板(2)之间的螺纹连接。
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