CN106526733A - 一种红外滤光片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种红外滤光片的制备方法，该制备方法普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好，本发明基于涂覆胶层在可见光波段具有吸收的特性，在涂胶面上离子 辅助沉积了减反射膜及基板背面优化设计的红外截止膜，构建了一种混合吸收型红外截止滤光片，实现了角度不敏感的红外截止滤光片。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域，具体涉及一种红外滤光片的制备方法。
背景技术
透光膜或透光板是一种将点、线光源转换成线、面光源的具备光学功能的膜或板。当光线在经过透光膜或板时，光线就会发生许多折射、反射及散射的现象，如此便造成了相应的光学效果，属于光学薄膜领域。透光膜或板广泛应用于平板显示器的背光模组以及新型照明光源中，如电视、电脑显示器、笔记本电脑、手机、数码相机、MP4播放器、GPS导航仪及各种日常及工业用照明光源等。
蓝玻璃是具有吸收红外线性质的有色玻璃，主要成分为磷酸盐类物质，在数码滤光片领域有着重要的应用。蓝玻璃滤光片属于吸收型滤光片，相对于普通的干涉型红外截止滤光片，它有效地降低了透过光的色差和散射光“鬼影”等问题，且其透反射曲线对角度依存性很小。基于这些优势，蓝玻璃滤光片得到了对成像要求高的制造商和消费者的青睐。
发明内容
本发明提供一种红外滤光片的制备方法，该制备方法普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好，本发明基于涂覆胶层在可见光波段具有吸收的特性，在涂胶面上离子 辅助沉积了减反射膜及基板背面优化设计的红外截止膜，构建了一种混合吸收型红外截止滤光片，实现了角度不敏感的红外截止滤光片。
为了实现上述目的，本发明提供了一种红外滤光片的制备方法，该方法包括如下步骤：
（1）处理玻璃基板
研磨抛光并清硅玻璃基板，备用；所述研磨抛光，可将衬底先在600目的金刚石砂轮盘上进行粗磨10min，然后在1200目的金刚石砂轮盘上进行细磨10min，再用W2.5的金刚石抛光粉进行抛光至试样表面均匀光亮，所述超声清洗，可将研磨抛光后的衬底按以下顺序清洗，丙酮超声清洗5min→无水乙醇超声清洗5min→烘干待用，所述离子源清洗，可采用霍尔离子源对衬底进行清洗5min，压强为2×10-2Pa，衬底温度为300℃，氩气通量为10sccm，偏压为-100V，阴极电流为29.5A，阴极电压为19V，阳极电流为7A，阳极电压为80V，以清除衬底表面的吸附气体以及杂质；
（2）根据所要求的透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求，设计涂胶工艺得出涂覆基片，通过优化设计减反射膜系和截止膜系得出薄膜厚度，确定符合要求的涂覆基片及镀膜膜系；
（3）将上上述处理过后玻璃基板放入匀胶机，根据要求设计的涂覆工艺参数进行旋凃，旋凃结束后放入可调节流量的氮气烘箱进行烘烤，经过若干时间后取出测量，确定涂覆基片符合设计要求；匀胶机旋凃转速在2000-3000r/min，烘箱氮气流量在20-30Sccm，烘烤时间60-100min，烘烤温度150-200℃；
（4）采用电子枪蒸发、离子源辅助的真空镀膜方法沉积设计好的膜系膜层，得到红外滤光片，离子源辅助的电压为650-1000V。
优选的，所述透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求具体为：可见光波段450-520nm平均透过率Tave>95％，IR中心截止波长T50％＝650±5，0-30°中心偏移量<5nm，红外截止波段735-745nm平均透过率Tave<1％，750-1100nm平均透过率Tave<0.5％，最大透过率Tmax<1％。
具体实施方式
实施例一
研磨抛光并清硅玻璃基板，备用；所述研磨抛光，可将衬底先在600目的金刚石砂轮盘上进行粗磨10min，然后在1200目的金刚石砂轮盘上进行细磨10min，再用W2.5的金刚石抛光粉进行抛光至试样表面均匀光亮，所述超声清洗，可将研磨抛光后的衬底按以下顺序清洗，丙酮超声清洗5min→无水乙醇超声清洗5min→烘干待用，所述离子源清洗，可采用霍尔离子源对衬底进行清洗5min，压强为2×10-2Pa，衬底温度为300℃，氩气通量为10sccm，偏压为-100V，阴极电流为29.5A，阴极电压为19V，阳极电流为7A，阳极电压为80V，以清除衬底表面的吸附气体以及杂质。
根据所要求的透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求，设计涂胶工艺得出涂覆基片，通过优化设计减反射膜系和截止膜系得出薄膜厚度，确定符合要求的涂覆基片及镀膜膜系；所述透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求具体为：可见光波段450-520nm平均透过率Tave>95％，IR中心截止波长T50％＝650±5，0-30°中心偏移量<5nm，红外截止波段735-745nm平均透过率Tave<1％，750-1100nm平均透过率Tave<0.5％，最大透过率Tmax<1％。
将上上述处理过后玻璃基板放入匀胶机，根据要求设计的涂覆工艺参数进行旋凃，旋凃结束后放入可调节流量的氮气烘箱进行烘烤，经过若干时间后取出测量，确定涂覆基片符合设计要求；匀胶机旋凃转速在2000r/min，烘箱氮气流量在20Sccm，烘烤时间60-100min，烘烤温度150℃。
采用电子枪蒸发、离子源辅助的真空镀膜方法沉积设计好的膜系膜层，得到红外滤光片，离子源辅助的电压为650V。
实施例二
研磨抛光并清硅玻璃基板，备用；所述研磨抛光，可将衬底先在600目的金刚石砂轮盘上进行粗磨10min，然后在1200目的金刚石砂轮盘上进行细磨10min，再用W2.5的金刚石抛光粉进行抛光至试样表面均匀光亮，所述超声清洗，可将研磨抛光后的衬底按以下顺序清洗，丙酮超声清洗5min→无水乙醇超声清洗5min→烘干待用，所述离子源清洗，可采用霍尔离子源对衬底进行清洗5min，压强为2×10-2Pa，衬底温度为300℃，氩气通量为10sccm，偏压为-100V，阴极电流为29.5A，阴极电压为19V，阳极电流为7A，阳极电压为80V，以清除衬底表面的吸附气体以及杂质。
根据所要求的透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求，设计涂胶工艺得出涂覆基片，通过优化设计减反射膜系和截止膜系得出薄膜厚度，确定符合要求的涂覆基片及镀膜膜系；所述透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求具体为：可见光波段450-520nm平均透过率Tave>95％，IR中心截止波长T50％＝650±5，0-30°中心偏移量<5nm，红外截止波段735-745nm平均透过率Tave<1％，750-1100nm平均透过率Tave<0.5％，最大透过率Tmax<1％。
将上上述处理过后玻璃基板放入匀胶机，根据要求设计的涂覆工艺参数进行旋凃，旋凃结束后放入可调节流量的氮气烘箱进行烘烤，经过若干时间后取出测量，确定涂覆基片符合设计要求；匀胶机旋凃转速在3000r/min，烘箱氮气流量在30Sccm，烘烤时间100min，烘烤温度200℃。
采用电子枪蒸发、离子源辅助的真空镀膜方法沉积设计好的膜系膜层，得到红外滤光片，离子源辅助的电压为1000V。
Claims (2)
1.一种红外滤光片的制备方法，该方法包括如下步骤：
（1）处理玻璃基板
研磨抛光并清硅玻璃基板，备用；所述研磨抛光，可将衬底先在600目的金刚石砂轮盘上进行粗磨10min，然后在1200目的金刚石砂轮盘上进行细磨10min，再用W2.5的金刚石抛光粉进行抛光至试样表面均匀光亮，所述超声清洗，可将研磨抛光后的衬底按以下顺序清洗，丙酮超声清洗5min→无水乙醇超声清洗5min→烘干待用，所述离子源清洗，可采用霍尔离子源对衬底进行清洗5min，压强为2×10-2Pa，衬底温度为300℃，氩气通量为10sccm，偏压为-100V，阴极电流为29.5A，阴极电压为19V，阳极电流为7A，阳极电压为80V，以清除衬底表面的吸附气体以及杂质；
（2）根据所要求的透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求，设计涂胶工艺得出涂覆基片，通过优化设计减反射膜系和截止膜系得出薄膜厚度，确定符合要求的涂覆基片及镀膜膜系；
（3）将上上述处理过后玻璃基板放入匀胶机，根据要求设计的涂覆工艺参数进行旋凃，旋凃结束后放入可调节流量的氮气烘箱进行烘烤，经过若干时间后取出测量，确定涂覆基片符合设计要求；匀胶机旋凃转速在2000-3000r/min，烘箱氮气流量在20-30Sccm，烘烤时间60-100min，烘烤温度150-200℃；
（4）采用电子枪蒸发、离子源辅助的真空镀膜方法沉积设计好的膜系膜层，得到红外滤光片，离子源辅助的电压为650-1000V。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透过率波段、透过率中心波长范围值以及红外截止波段的要求具体为：可见光波段450-520nm平均透过率Tave>95％，IR中心截止波长T50％＝650±5，0-30°中心偏移量<5nm，红外截止波段735-745nm平均透过率Tave<1％，750-1100nm平均透过率Tave<0.5％，最大透过率Tmax<1％。
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