CN106526716B - 一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置 - Google Patents

一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置，其包括：提供一基板；在基板上形成一二氧化硅层，二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；在二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；以石墨烯为生长基底，在多个成核点中形成减反膜的下表面，使得下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成减反膜的上表面。本发明的微纳结构减反膜的制作方法及显示装置，工艺步骤简单，工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜。

Description

一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置。
背景技术
液晶显示装置应用越来越广泛，主流的显示技术主要基于显示装置的主动发光原理实现，而太阳光的反射反而构成了影响显示画面对比度的重要障碍。
现有主要是通过在显示装置上进行减反处理，以减弱太阳光的反射对显示画面的影响，其中一种方式为表面微纳结构的方法。采用表面微纳结构的方法是通过在薄膜表面通过微电子工艺制备光刻胶掩膜，然后采用刻蚀微结构的方法实现，其中，所要求的微电子工艺掩膜板的工艺成本与制备精度均存在较大的难度，工艺步骤复杂。
故，有必要提供一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微纳结构减反膜的制作方法，以解决现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种微纳结构减反膜的制作方法，其包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述减反膜的材料为氧化锌或硅。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，可通过化学气相沉积法、高温退火碳化硅外延法或金属单晶表面外延法形成所述石墨烯。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述上表面的形状为六角形或圆形。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述下表面的面积大于所述上表面的面积。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述下表面的直径为100-900纳米。
在本发明的微纳结构减反膜的制作方法中，所述下表面与所述上表面之间的距离为100-1000纳米。
依据本发明的上述目的，还提供一种显示装置，其包括一种微纳结构减反膜，其制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
在本发明的显示装置中，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
本发明的微纳结构减反膜的制作方法及显示装置通过采用一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯为生长基底，生成微纳结构减反膜，其工艺步骤简单，工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜；解决了现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明微纳结构减反膜的制作方法的优选实施例的工艺流程图；
图2A-2D为本发明微纳结构减反膜的制作方法的优选实施例的具体工艺步骤示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
参阅图1，图1为本发明微纳结构减反膜的制作方法的优选实施例的工艺流程图；
如图1所示，本优选实施例的微纳结构减反膜的制作方法，包括：
步骤S101，提供一基板；
步骤S102，在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
步骤S103，在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
步骤S104，以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形成为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着时间的延长而减少，以形成所述减反膜的上表面。
参阅图2A-2D，图2A-2D为本发明微纳结构减反膜的制作方法的优选实施例的具体工艺步骤示意图；
具体地，如图2A所示，在步骤S101中，液晶显示装置中由于盖板玻璃的表面在强光环境下的反射作用，使得显示画面对比度下降，因而可以在盖板玻璃表面制作一微结构减反膜解决这一问题。本优选实施例所述的基板201为盖板玻璃，但是基于其他需要制作微结构减反膜的装置中，所述基板201并不局限于盖板玻璃。在本优选实施例中，提供的基板201为盖板玻璃，随后转到步骤S102。
如图2B所示，在步骤S102中，在所述基板201上形成一二氧化硅层202，所述二氧化硅层202表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点。本优选实施例可通过磁控溅射或者蒸发的方式形成二氧化硅层202。由于二氧化硅本身的分子结构，使得形成的二氧化硅层表面凹凸不平，形成坑洞结构(图中未标示)，所述坑洞为减反膜的形成提供了成核点，而不需要额外通过其他方式去形成这些坑洞，简化了工艺步骤。
如图2C所示，在步骤S103中，在所述二氧化硅层202上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯203。本优选实施例可通过以下三种方式中的任意一种生成石墨烯203。
优选地，本实施例可通过化学气相沉积法形成石墨烯203。具体地，首先，在基片表面沉积一层具有催化功能的多晶金属薄膜，然后利用热催化分解碳氢化合物来在金属薄膜的表面生长石墨烯203。
优选地，本实施例还可通过高温退火碳化硅外延法形成石墨烯203，这种方法则是利用高温处理的方式来蒸发掉表面的硅原子，留下碳原子，形成石墨烯203。
优选地，本实施例还可通过金属单晶表面外延法形成石墨烯203。具体地，先在基片表面形成金属单晶，然后利用晶体内部碳杂志的析出或热催化分解碳氢化合物，在金属单晶表面外延石墨烯204。
由于所述石墨烯203的生成环境要求较高，易损坏基板201表面，在实际工艺制程中，可先制得石墨烯203，再将石墨烯203移至二氧化硅层202上。
如图2D所示，在步骤S104中，以所述石墨烯203为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面2041，使得所述下表面2041形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面2042。
其中，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度；所述减反膜的材料为氧化锌或硅，将氧化锌或硅制作成生长源。
进一步地，下表面2041的直径为100-900纳米，并且下表面2041为六角形或者圆形，下表面2041的面积大于上表面2042的面积，下表面2041和上表面2042之间的距离为100-1000纳米。本优选实示例通过控制渐变生长的方式，形成一微纳结构减反膜，其下表面直径为300纳米，上表面直径为100纳米，上表面和下表面之间的距离为600纳米，通过测试，采用这个微纳结构的减反膜在可见光波段的反射率低于1％，透过率高于99％，起到很好的减反效果。
本优选实施例的微纳结构减反膜通过采用一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯为生长基底，生成微纳结构减反膜，其工艺步骤简单，工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜；解决了现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题。
本发明还提供一种显示装置，其包括液晶显示面板、盖板玻璃以及位于所述盖板玻璃表面的微纳结构减反膜。
本实施例的显示装置，通过盖板玻璃表面的微纳结构减反膜，以减少强光环境下盖板玻璃表面的反射对显示效果的影响，并且形成微纳结构减反膜的工艺步骤简单。
本优选实施例的显示装置形成微纳结构减反膜的制作工艺与上述微纳结构减反膜的制作方法的优选实施例基本一致，再次不做赘述。
本优选实施例的显示装置通过采用一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯为生长基底，生成微纳结构减反膜，其工艺步骤简单，工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜；解决了现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题。
本发明的微纳结构减反膜的制作方法及显示装置通过采用一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯为生长基底，生成微纳结构减反膜，其工艺步骤简单，工艺成本低并且能形成精度较高的具有一定减反效果的微纳结构减反膜；解决了现有的微纳结构减反膜制作工艺中存在的工艺步骤复杂、工艺成本高且形成的微纳结构减反膜精度差的技术问题
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
2.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
3.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述减反膜的材料为氧化锌或硅。
4.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，可通过化学气相沉积法、高温退火碳化硅外延法或金属单晶表面外延法形成所述石墨烯。
5.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述上表面的形状为六角形或圆形。
6.根据权利要求5所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面的面积大于所述上表面的面积。
7.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面的直径为100-900纳米。
8.根据权利要求1所述的微纳结构减反膜的制作方法，其特征在于，所述下表面与所述上表面之间的距离为100-1000纳米。
9.一种显示装置，其特征在于，包括一种微纳结构减反膜，其制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成一二氧化硅层，所述二氧化硅层表面有多个坑洞，用于提供减反膜的成核点；
在所述二氧化硅层上形成一六角形呈蜂巢晶格状的石墨烯；
以所述石墨烯为生长基底，在多个所述成核点中形成所述减反膜的下表面，使得所述下表面形状为六角形，并通过渐变生长的方式使得所述减反膜的扩散原子的扩散长度与扩散原子量随着生长时间的延长而逐渐减少，以形成所述减反膜的上表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述渐变生长的方式包括调节生长温度和控制生长源浓度。
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