CN106505131A - 一种一体成型led及其封装工艺 - Google Patents
一种一体成型led及其封装工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106505131A CN106505131A CN201611259991.0A CN201611259991A CN106505131A CN 106505131 A CN106505131 A CN 106505131A CN 201611259991 A CN201611259991 A CN 201611259991A CN 106505131 A CN106505131 A CN 106505131A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- silica gel
- quick
- light
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 title claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910002114 biscuit porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 3
- -1 after taking-up Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种一体成型LED，包括散热型衬底、LED芯片和高折LED光敏UV硅胶，所述散热型衬底通过镀银层与反射杯碗固定连接，所述LED芯片安装在镀银层的表面中心上，所述高折LED光敏UV硅胶浇筑在反射杯碗的内侧，所述高折LED光敏UV硅胶上混合有荧光粉颗粒。本发明提供的一种一体成型LED及其封装工艺，固化后与镀银层、PPA等支架材料粘结性好，且无腐蚀，UV固化8小时后粘接力与常规高温固化粘接力的2倍。
Description
技术领域
本发明属于LED技术领域，更具体地说，尤其涉及一种一体成型LED。同时，本发明还涉及一种一体成型LED的封装工艺。
背景技术
随着世界科技水平的增加和能源问题的不断加剧，节能环保成为了新时代世界各国发展的一个主题。LED C light emitting diode)作为一种新型节能高效的环保光源，在越来越多的领域展现了其优异的应用特性，不断受到各国政府和各大企业的重视，在半导体照明及相关领域的投入和发展力度也越来越大，LED发光效率的飞速提高昭示着第四代照明光源正在不断发展。
传统LED的封装技术主要包括集成封装，cob封装，倒装封装，模组封装，贴片封装，直插灯珠封装等封装工艺，这些封装不能一次成型。
在LED的整体制备过程中，荧光粉的涂覆封装是十分关键的一道工序。当今主流的白光LED封装方法是将黄色的YAG荧光粉涂覆在蓝光LED芯片上，YAG荧光粉在吸收460nm左右的蓝光后受激辐射出550nm的黄光，黄光与未被吸收的蓝光混合出光后，通过混色原理，使人眼识别为白光。而在传统工艺中，主要通过将黄色荧光粉颗粒与透明固化胶(如硅胶、环氧胶等)混合，通过灌封、喷涂等方式进行涂覆，然而在这个操作工程中，由于荧光粉粉层厚度难以实现均匀可控化，导致成品LED出光均匀性差。同时，荧光粉粉层厚度的不可控性也导致同一批次器件之间的出光一致性有差异，对操作过程的精度要求较高。
而且，LED封装技术大都是在半导体分立器件封装的基础上发展与演变而来，其主要目的是实现输入电信号、保护管芯正常工作、输出可见光。目前，LED封装大多采用热固化的方法，一般需要高温固化1-5个小时不等，不仅耗能大，且严重降低了LED的封装效率。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在LED出光均匀性差、封装效率差，投入成本大的缺陷，而提出的一种一体成型LED及其封装工艺。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种一体成型LED，包括散热型衬底、LED芯片和高折LED光敏UV硅胶，所述散热型衬底通过镀银层与反射杯碗固定连接，所述LED芯片安装在镀银层的表面中心上，所述高折LED光敏UV硅胶浇筑在反射杯碗的内侧，所述高折LED光敏UV硅胶上混合有荧光粉颗粒。
本发明还提供一种一体成型LED的封装工艺，包括如下步骤：
S1、制备荧光粉感光胶粉浆：在完成LED芯片的预处理，高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液的配制后，开始制备荧光粉感光胶粉浆；
S2、粉浆涂覆：将芯片固定在相应的干净封装支架上，然后把封装支架放置在传送带上，在全自动点胶机上进行点胶；
S3、通过在传送带两边安装的紫外灯进行固化，使用紫外灯照射点胶后的产品；
S4、金属键合：采用热压超声波键合工艺进行金丝将支架电极引到LED芯片上；
S5、等离子体去胶：将完成金属键合过程并充分干燥后的LED放入等离子体去胶机中，以去除粉层中胶体所含的有机物，减少其对产品稳定性和出光光效的影响；
S6、完成等离子体去胶后，用LED硅胶灌封机将灌封硅胶完成LED最后的灌封工作，在相应硅胶的固化条件下加温固化后，即得到封装完成的LED封装；
S7、采用分光机测试分选；
S8、采用装袋机包装入库。
优选的，所述制备荧光粉感光胶粉浆的具体过程如下：
a首先，抽取高折LED光敏UV硅胶1.0-2.5m1，置入配胶容器中；
b使用移液计抽量1.5-2.5m1重铬酸盐溶液，滴进配胶容器；
c将高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液充分搅拌至混合均匀。
d然后使用电子称称量1900-2100mg荧光粉，同时抽取5.5-6.5m1去离子水，均置入配胶容器中；
e将以上物质充分混合并搅拌后，获得荧光粉感光胶粉浆。
优选的，所述LED芯片的预处理方法为丙酮清洗和等离子体活化，具体过程如下：
a首先，将芯片在丙酮中浸泡10分钟，以清洗表面杂质，取出后用去离子水冲洗；
b在干燥后置入等离子体去胶机，选择氩气和氢气的混合气体对芯片表面进行清洁和活化；活化过程进行10分钟，电源功率为90%；
c经过等离子体活化处理后，芯片表面的清洁度得以保证，同时表面活性增强，荧光粉层的附着力会得到提升，涂覆效果提升明显。
优选的，所述紫外灯的功率为100-120W，紫外灯所产生的紫外光波长为300-350nm，紫外灯的照射时间为1-5s。
本发明的技术效果和优点：本发明提供的一种一体成型LED及其封装工艺，固化后与镀银层、PPA等支架材料粘结性好，且无腐蚀，UV固化8小时后粘接力与常规高温固化粘接力的2倍。
其特点如下：
1、长时间高温点亮后无硫化、无收缩，无脱胶；
2、耐老化，3000小时点亮老化测试，光衰小于0.1%；
3、胶无挥发，固化快，透明度高；
4、耐低温、高温高湿性能极优，300度高温不变化；
5、A\B组份，可通过自动机械点胶；
6、固化速度快，6秒至10秒即可完成固化，有利于自动化生产线，提高劳动生产率；
7、固化后即可进行检测以及打包，节约空间
8、固化设备简单，仅需灯具或传送带，节约空间；
9、控制固化，等待时间可以调整，固化程度可以调整；
10、可以重复施胶多次固化；
11、紫外灯可以容易地安装在已有的生产线，不需较大改动 ；
12、对比传统高温固化封装胶，传统封装胶高温容易裂胶、黄变、硫化、高温使用持续反应造成产品黄变龟裂。高折LED光敏UV硅胶完全改善传统封装胶缺陷，高低温长期使用不变黄、不持续反应，不担心高低温龟裂，大大提高了产品质量。
附图说明
图1为本发明的LED结构示意图。
图中：1散热型衬底、2反射杯碗、3 LED芯片、4镀银层、5高折LED光敏UV硅胶、6荧光粉颗粒。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1所示，一种一体成型LED，包括散热型衬底1、LED芯片3和高折LED光敏UV硅胶5，所述散热型衬底1通过镀银层4与反射杯碗2固定连接，所述LED芯片3安装在镀银层4的表面中心上，所述高折LED光敏UV硅胶5浇筑在反射杯碗2的内侧，所述高折LED光敏UV硅胶5上混合有荧光粉颗粒6。
本发明还提供一种一体成型LED的封装工艺，包括如下步骤：
S1、制备荧光粉感光胶粉浆：在完成LED芯片的预处理，高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液的配制后，开始制备荧光粉感光胶粉浆；
S2、粉浆涂覆：将芯片固定在相应的干净封装支架上，然后把封装支架放置在传送带上，在全自动点胶机上进行点胶；
S3、通过在传送带两边安装的紫外灯进行固化，使用紫外灯照射点胶后的产品，所述紫外灯的功率为120W，紫外灯所产生的紫外光波长为325nm，紫外灯的照射时间为4s；
S4、金属键合：采用热压超声波键合工艺进行金丝将支架电极引到LED芯片上；
S5、等离子体去胶：将完成金属键合过程并充分干燥后的LED放入等离子体去胶机中，以去除粉层中胶体所含的有机物，减少其对产品稳定性和出光光效的影响；
S6、完成等离子体去胶后，用LED硅胶灌封机将灌封硅胶完成LED最后的灌封工作，在相应硅胶的固化条件下加温固化后，即得到封装完成的LED封装；
S7、采用分光机测试分选；
S8、采用装袋机包装入库。
所述制备荧光粉感光胶粉浆的具体过程如下：
a首先，抽取高折LED光敏UV硅胶2m1，置入配胶容器中；
b使用移液计抽量2m1重铬酸盐溶液，滴进配胶容器；
c将高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液充分搅拌至混合均匀。
d然后使用电子称称量2000mg荧光粉，同时抽取6m1去离子水，均置入配胶容器中；
e将以上物质充分混合并搅拌后，获得荧光粉感光胶粉浆。
所述LED芯片的预处理方法为丙酮清洗和等离子体活化，具体过程如下：
a首先，将芯片在丙酮中浸泡10分钟，以清洗表面杂质，取出后用去离子水冲洗；
b在干燥后置入等离子体去胶机，选择氩气和氢气的混合气体对芯片表面进行清洁和活化；活化过程进行10分钟，电源功率为90%；
c经过等离子体活化处理后，芯片表面的清洁度得以保证，同时表面活性增强，荧光粉层的附着力会得到提升，涂覆效果提升明显。
综上所述：本发明提供的一种一体成型LED及其封装工艺，高折LED光敏UV硅胶在紫外灯照射下1-5S初固，8-10s即可固化完成，照射后即可达到较高强度，可以满足自动化生产线节奏的需要；紫外线固化技术，是一种新型的绿色环保技术。随着国家经济发展，紫外线固化应用范围也日益广泛，其特点如下：
1、节约能耗：UV固化的能耗只是传统固化的十分之一。
2.节约成本：UV固化设备占用场地空间相比传统的烤箱小，生产效率高。
3.光学性能：UV胶液体晶莹透明，固化后透光率>97%。
4.固化性能：固化速度可控性，固化速度极快，固化后胶层体积收缩率小。
5.耐候性能：UV胶固化后，耐候性好，经过紫外线长时间照射下不黄变，而高低温交变性能优异，高温高湿下衰减小。
6.环保性能：UV胶液体无毒，无溶剂，低气味，不含重金属。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种一体成型LED，包括散热型衬底（1）、LED芯片（3）和高折LED光敏UV硅胶（5），其特征在于：所述散热型衬底（1）通过镀银层（4）与反射杯碗（2）固定连接，所述LED芯片（3）安装在镀银层（4）的表面中心上，所述高折LED光敏UV硅胶（5）浇筑在反射杯碗（2）的内侧，所述高折LED光敏UV硅胶（5）上混合有荧光粉颗粒（6）。
2.一种权利要求1所述的一体成型LED的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1、制备荧光粉感光胶粉浆：在完成LED芯片的预处理，高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液的配制后，开始制备荧光粉感光胶粉浆；
S2、粉浆涂覆：将芯片固定在相应的干净封装支架上，然后把封装支架放置在传送带上，在全自动点胶机上进行点胶；
S3、通过在传送带两边安装的紫外灯进行固化，使用紫外灯照射点胶后的产品；
S4、金属键合：采用热压超声波键合工艺进行金丝将支架电极引到LED芯片上；
S5、等离子体去胶：将完成金属键合过程并充分干燥后的LED放入等离子体去胶机中，以去除粉层中胶体所含的有机物，减少其对产品稳定性和出光光效的影响；
S6、完成等离子体去胶后，用LED硅胶灌封机将灌封硅胶完成LED最后的灌封工作，在相应硅胶的固化条件下加温固化后，即得到封装完成的LED封装；
S7、采用分光机测试分选；
S8、采用装袋机包装入库。
3.根据权利要求2所述的一种一体成型LED的封装工艺，其特征在于：所述制备荧光粉感光胶粉浆的具体过程如下：
a首先，抽取高折LED光敏UV硅胶1.0-2.5m1，置入配胶容器中；
b使用移液计抽量1.5-2.5m1重铬酸盐溶液，滴进配胶容器；
c将高折LED光敏UV硅胶和重铬酸盐溶液充分搅拌至混合均匀；
d然后使用电子称称量1900-2100mg荧光粉，同时抽取5.5-6.5m1去离子水，均置入配胶容器中；
e将以上物质充分混合并搅拌后，获得荧光粉感光胶粉浆。
4.根据权利要求2所述的一种一体成型LED的封装工艺，其特征在于：所述LED芯片的预处理方法为丙酮清洗和等离子体活化，具体过程如下：
a首先，将芯片在丙酮中浸泡10分钟，以清洗表面杂质，取出后用去离子水冲洗；
b在干燥后置入等离子体去胶机，选择氩气和氢气的混合气体对芯片表面进行清洁和活化；活化过程进行10分钟，电源功率为90%；
c经过等离子体活化处理后，芯片表面的清洁度得以保证，同时表面活性增强，荧光粉层的附着力会得到提升，涂覆效果提升明显。
5.根据权利要求2所述的一种一体成型LED的封装工艺，其特征在于：所述紫外灯的功率为100-120W，紫外灯所产生的紫外光波长为300-350nm，紫外灯的照射时间为1-5s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611259991.0A CN106505131A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种一体成型led及其封装工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611259991.0A CN106505131A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种一体成型led及其封装工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106505131A true CN106505131A (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=58334735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611259991.0A Pending CN106505131A (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种一体成型led及其封装工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106505131A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107180903A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-09-19 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种chip‑led产品及制作方法 |
| CN114023828A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-08 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101867007A (zh) * | 2010-05-11 | 2010-10-20 | 电子科技大学 | Led灯荧光粉层的制备方法 |
| CN101887941A (zh) * | 2010-01-19 | 2010-11-17 | 电子科技大学 | 一种led荧光粉层制备方法 |
| CN101916811A (zh) * | 2010-07-09 | 2010-12-15 | 电子科技大学 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN103779484A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 南通苏禾车灯配件有限公司 | 一种led灯封装过程中点胶及固化方法 |
| CN104600179A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-05-06 | 电子科技大学 | 一种具有conformal-remote结构的LED荧光粉层及制备方法 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611259991.0A patent/CN106505131A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101887941A (zh) * | 2010-01-19 | 2010-11-17 | 电子科技大学 | 一种led荧光粉层制备方法 |
| CN101867007A (zh) * | 2010-05-11 | 2010-10-20 | 电子科技大学 | Led灯荧光粉层的制备方法 |
| CN101916811A (zh) * | 2010-07-09 | 2010-12-15 | 电子科技大学 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN103779484A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 南通苏禾车灯配件有限公司 | 一种led灯封装过程中点胶及固化方法 |
| CN104600179A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-05-06 | 电子科技大学 | 一种具有conformal-remote结构的LED荧光粉层及制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107180903A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-09-19 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种chip‑led产品及制作方法 |
| CN114023828A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-08 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
| CN114023828B (zh) * | 2021-09-26 | 2023-08-01 | 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 | 传感器及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101740707B (zh) | 预成型荧光粉贴片及其与发光二极管的封装方法 | |
| CN101789483A (zh) | 一种led荧光粉的涂敷方法 | |
| CN105720164B (zh) | 一种白光led的制备方法 | |
| CN102237475A (zh) | 基于有机胶体的led晶片级荧光粉涂层技术 | |
| CN108400220A (zh) | 一种微型led显示模块的封装结构 | |
| CN101847680A (zh) | 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法 | |
| CN208538852U (zh) | 一种led芯片的封装产品 | |
| CN105932144A (zh) | 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 | |
| CN101338879A (zh) | 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法 | |
| CN106505131A (zh) | 一种一体成型led及其封装工艺 | |
| CN102931320A (zh) | 白光led近似保形封装结构及其制备方法 | |
| CN106972092A (zh) | 一种高发光效率的量子点白光led及其制备方法 | |
| CN107275463A (zh) | 一种新型led封装制作技术 | |
| CN109742220B (zh) | 含液态量子点的白光led及其制备方法 | |
| CN101436628B (zh) | 一种大功率芯片的荧光粉涂布工艺方法 | |
| CN105244427B (zh) | 一种白光led荧光膜以及基于荧光膜的led | |
| CN206116449U (zh) | 一种白光led封装器件 | |
| CN106356437A (zh) | 一种白光led封装器件及其制备方法 | |
| CN105185891A (zh) | 一种led免封装结构及其免封装方法 | |
| CN101572287B (zh) | 一种基于蓝光led芯片的白光led活性封装方法 | |
| CN104263304B (zh) | 一种光固化灌注胶及应用方法 | |
| CN107123727A (zh) | 一种低工作温度的量子点白光led及其制备方法 | |
| CN106299042A (zh) | 一种紫外led光源无机封装方法 | |
| CN104253199A (zh) | 一种led封装结构及其制作方法 | |
| CN102738372A (zh) | 一种新型led 集成光源模组及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170315 |