CN106486141A - 磁记录头及具备其的盘装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助、能够进行高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。实施方式的磁记录头具备：空气支撑面(43)；具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)的、产生记录磁场的主磁极(60)；隔着写入间隙与主磁极的前端部对置的写入屏蔽件(62)；具有层叠的旋转注入层及振荡层(65c)的、在写入间隙内设置于主磁极与写入屏蔽件之间的高频振荡器(65)，其中振荡层及旋转注入层分别具有沿着与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面；和设置于主磁极及写入屏蔽件的至少一方的、与高频振荡器对置且相对于与高频振荡器的层叠面交叉的方向具有负的磁各向异性的磁性体层(82)。

Description

磁记录头及具备其的盘装置
技术领域
该发明的实施方式涉及具有高频辅助元件的磁记录头及具备其的盘装置。
背景技术
近年来，作为盘装置，为了谋求磁盘装置的高记录密度化、大容量化或小型化，提出垂直磁记录用的磁头。在这样的磁头中，记录头具有：产生垂直方向磁场的主磁极；夹着写入间隙而配置于该主磁极的尾随侧的写入屏蔽磁极；和用于使磁通在主磁极流通的线圈。进而，提出一种高频辅助头，其在写入屏蔽磁极与主磁极之间的写入间隙设置高频振荡器例如旋转扭矩振荡器，通过主磁极及写入屏蔽磁极使电流在旋转扭矩振荡器流通。
在高频辅助头中，高频振荡器的旋转注入层及振荡层被配置于写入间隙内。在这样的结构的高频辅助头中，产生下述现象(旋转波)：与振荡层的面对置的写入屏蔽件或主磁极的面附近的磁化，以与振荡层处的磁化旋转同步的方式摇晃。该旋转波阻碍高频振荡器的磁化旋转，有可能抑制辅助效果。
发明内容
本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助、能够实现高记录密度化的磁记录头及具备该磁记录头的盘装置。
实施方式的磁记录头具备：空气支撑面；具有延伸到所述空气支撑面的前端部的、产生记录磁场的主磁极；隔着写入间隙而与所述主磁极的所述前端部对置的、与所述主磁极一起构成磁芯的写入屏蔽件；具有层叠的旋转注入层及振荡层的、在所述写入间隙内设置于所述主磁极与写入屏蔽件之间的高频振荡器，所述高频振荡器中，所述振荡层及旋转注入层分别具有沿与所述空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面；和设置于所述主磁极及写入屏蔽件的至少一方的、与所述高频振荡器对置的、相对于与所述高频振荡器的层叠面交叉的方向具有负的磁各向异性的磁性体层。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的硬盘驱动器(以下，记为HDD)的立体图。
图2是表示所述HDD中的磁头及悬架的侧视图。
图3是放大表示所述磁头的头部的剖视图。
图4是示意性地表示所述磁头的记录头的立体图。
图5是放大表示所述记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图6是放大表示所述记录头的ABS侧端部的从ABS侧观察的俯视图。
图7是放大表示所述记录头的ABS侧端部的立体图。
图8是示意性地表示所述记录头的高频振荡器及各向异性磁性体的磁化旋转的图。
图9是对与第1实施方式所涉及的记录头与比较例所涉及的记录头，比较而表示高频振荡器(STO)的电流密度与振荡层的面内平均磁化的方向(角度)的关系的图。
图10是放大表示第2实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图11是从ABS侧观察第2实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的俯视图。
图12是放大表示第3实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图13是放大表示第4实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的从ABS侧观察的俯视图。
图14是放大表示第5实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图15是放大表示第6实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的从ABS侧观察的俯视图。
图16是放大表示第7实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图17是放大表示第8实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图18是放大表示第9实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
图19是放大表示第9实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的从ABS侧观察的俯视图。
图20是放大表示第10实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的从ABS侧观察的俯视图。
图21是放大表示第11实施方式所涉及的HDD的记录头的ABS侧端部的沿着磁道中心的剖视图。
具体实施方式
以下一边参照附图一边对各种实施方式进行说明。
另外，公开的只不过是一例，对于本领域技术人员而言在发明的宗旨内的适当变更的、能够容易想到的内容，当然包含于本发明的范围中。另外，为了使说明更明确，附图与实际的方式相比，有时对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示，但只不过是一例，并不对本发明的解释进行限定。另外，在本说明书与各图中，对于与关于已出现的图已经说明的要素同样的要素，赋予相同的符号，有时将详细的说明适当省略。
(第1实施方式)
图1作为盘装置将第1实施方式所涉及的硬盘驱动器(HDD)的顶盖取下而示出内部结构，图2表示上浮状态的磁头。如图1所示，HDD具备框体10。框体10具有：顶面开口的矩形箱状的基体12；和通过多个螺纹件螺纹止动于基体12而闭塞基体12的上端开口的未图示的顶盖。基体12具有：矩形状的底壁12a；和沿着底壁的周缘立起设置的侧壁12b。顶盖通过多个螺纹件螺纹止动于基体，闭塞基体的上端开口。
在框体10内，作为记录介质，设置有例如2块磁盘16及支撑磁盘16及使其旋转的作为驱动部的主轴马达18。主轴马达18配设于底壁12a上。各磁盘16形成为例如直径约2.5英寸(6.35cm)，在顶面及底面具有磁记录层。磁盘16被互相同轴地嵌合于主轴马达18的未图示的轮毂(hub)并且由卡簧27夹紧，固定于轮毂。由此，磁盘16被支撑为位于与基体12的底壁12a平行的位置的状态。而且，磁盘16通过主轴马达18以预定的速度旋转。
在框体10内，设置有对磁盘16进行信息的记录、再现的多个磁头17、将这些磁头17支撑得相对于磁盘16移动自如的滑架组件22。另外，在框体10内，设置有：使得滑架组件22进行转动及定位的音圈马达(以下称为VCM)24；在磁头17移动到磁盘16的最外周时将磁头17保持在从磁盘16离开的卸载位置的斜坡加载机构25；在冲击等作用于HDD时将滑架组件22保持于退避位置的闩锁机构26；及安装有转换连接器等电子部件的柔性印刷电路基板(FPC)单元21。
在基体12的外侧的面，螺纹止动有未图示的控制电路基板，位于与底壁12a对置的位置。控制电路基板经由FPC单元21控制主轴马达18、VCM24及磁头17的动作。
滑架组件22具备：被固定于基体12的底壁12a上的轴承部28；从轴承部28延伸的多个臂32；和能够弹性变形的细长的板状的悬架34。在各悬架34的延伸端支撑有磁头17。这些悬架34及磁头17在中间夹着磁盘16而互相相对。
如图2所示，各磁头17构成为上浮型的磁头，具有大致长方体形状的滑块42和设置于该滑块的流出端(尾随端)的记录再现用的头部44。磁头17被固定于设置于悬架34的前端部的万向弹簧41。如图1及图2所示，各磁头17经由被固定于悬架34及臂32上的布线构件35及中继FPC37电连接于FPC单元21。
接下来，对磁盘16及磁头17的构成详细进行说明。图3是放大表示磁头17的头部44及磁盘16的剖视图。
如图1至图3所示，磁盘16具有例如形成为直径约2.5英寸(6.35cm)的圆板状、包含非磁性体的基板101。在基板101的各表面，按顺序层叠有：作为基底层的包含显现软磁特性的材料的软磁性层102；在其上层部的、在相对于盘面垂直方向上具有磁各向异性的磁记录层103；在其上层部的保护膜层104。
如图2及图3所示，磁头17的滑块42由例如氧化铝和碳化钛的烧制体(AlTiC)形成，头部44通过将薄膜层叠而形成。滑块42具有与磁盘16的表面对置的矩形状的盘对置面(空气支撑面(ABS))43。滑块42通过因磁盘16的旋转而在盘表面与ABS43之间产生的空气流C而上浮。空气流C的方向与磁盘16的旋转方向B一致。滑块42被配置成，相对于磁盘16表面，ABS43的较长方向与空气流C的方向大致一致。
滑块42具有位于空气流C的流入侧的前导端42a及位于空气流C的流出侧的尾随端42b。在滑块42的ABS43，形成有未图示的前导梯级、尾随梯级、侧梯级、负压腔等。
如图3所示，头部44具有通过薄膜加工形成于滑块42的尾随端42b的读取头54及记录头(磁记录头)58，作为分离型的磁头而形成。读取头54及记录头58除了露出于滑块42的ABS43的部分，由保护绝缘膜76覆盖。保护绝缘膜76构成头部44的外形。
读取头54由显现磁阻效应的磁性膜55和以夹着磁性膜55的方式配置于该磁性膜的尾随侧及前导侧的屏蔽膜56、57构成。这些磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端露出于滑块42的ABS43。
记录头58相对于读取头54设置于滑块42的尾随端42b侧。图4是示意性地表示记录头58及磁盘16的立体图，图5是放大表示记录头58的磁盘16侧的端部的沿着磁道中心的剖视图，图6是放大表示记录头58的磁盘16侧的端部的立体图。
如图3至图5所示，记录头58具有：主磁极60，其产生相对于磁盘16的表面垂直的方向的记录磁场，包含高饱和磁化材料；尾随屏蔽件(写入屏蔽件)62，其被配置于主磁极60的尾随侧，为了经由主磁极60正下的软磁性层102有效率地将磁路关闭而设置，包含软磁性材料；记录线圈64，其在向磁盘16写入信号时，为了使磁通在主磁极60中流通而配置为卷绕于包括主磁极60及尾随屏蔽件62的磁芯(磁回路)；和高频振荡器例如旋转扭矩振荡器(STO)65，其被配置于主磁极60的ABS43侧的前端部60b与尾随屏蔽件62之间且面向ABS43的部分，包含非磁性导电体。
包含软磁性材料而形成的主磁极60相对于磁盘16的表面及ABS43大致垂直地延伸。主磁极60的ABS43侧的下端部具有：前端向ABS43变细且在磁道宽度方向上收缩为漏斗状的收缩部60a；和从该收缩部60a延伸到ABS43的预定宽度的前端部60b。前端部60b的前端即下端露出于磁头的ABS43。前端部60b的磁道宽度方向T1的宽度与磁盘16中的磁道的宽度TW大致对应。另外，主磁极60具有相对于ABS43大致垂直地延伸、朝向尾随侧的屏蔽件侧端面60c。
包含软磁性材料而形成的尾随屏蔽件62大致形成为L形状，具有：隔着写入间隙而与主磁极60的前端部60b对置的前端部62a；和从ABS43离开并且连接于主磁极60的连接部(后间隙部)50。连接部50经由非导电体52连接于主磁极60的上部即从ABS43向进深侧或上方离开的上部。
尾随屏蔽件62的前端部62a形成为细长的矩形状。尾随屏蔽件62的下端面露出于滑块42的ABS43。前端部62a的前导侧端面(主磁极侧端面)62b相对于ABS43大致垂直地延伸，并且沿着磁盘16的磁道的宽度方向延伸。该前导侧端面62b，在主磁极60的下端部(前端部60b及收缩部60a的一部分)，隔着写入间隙WG而与主磁极60的屏蔽件侧端面60c大致平行地对置。
如图5、图6及图7所示，STO65在写入间隙WG内，被设置于主磁极60的前端部60b与尾随屏蔽件62之间，其一部分露出于ABS43。STO65具有旋转注入层65a、中间层(非磁性导电层)65b、振荡层65c，通过将这些层从主磁极60侧向尾随屏蔽件62侧按顺序层叠即沿着磁头的移动方向D按顺序层叠而构成。旋转注入层65a经由非磁性导电层(基底层)67a接合于主磁极60的屏蔽件侧端面60c。振荡层65c经由非磁性导电层(覆盖层)67b接合于尾随屏蔽件62的前导侧端面62b。另外，旋转注入层65a、中间层65b、振荡层65c的层叠顺序也可以与上述相反，即，也可以从尾随屏蔽件62侧向主磁极60侧按顺序层叠。
旋转注入层65a、中间层65b、振荡层65c分别具有向与ABS43交叉的方向例如正交的方向延伸的层叠面或膜面。STO65的下端面露出于ABS43，与该ABS43形成为同一面。STO65的宽度SW设定为与磁道宽度TW大致相等或比磁道宽度TW小。STO65的高度(相对于ABS43垂直的方向的高度)SH形成为与尾随屏蔽件62的前导侧端面62b的高度大致相等或为其以下。
在与STO65对置的尾随屏蔽件62及主磁极60的至少一方，设置有磁性体层(磁各向异性磁性体)82，与STO65对置。在本实施方式中，磁性体层82被设置于尾随屏蔽件62的前端部内。磁性体层82被形成为例如矩形状，露出于前导侧端面62b及ABS43。即，磁性体层82的侧面及底面构成前导侧端面62b的一部分及ABS43的一部分。
磁性体层82为相对于与STO65的振荡层65c的膜面(层叠面)交叉的方向例如正交的方向具有负的磁各向异性的磁性体。换而言之，磁性体层82包含与振荡层65c的膜面正交的方向为难磁化轴方向的磁性体而形成。作为具有这样的负的磁各向异性的磁性体，能够使用例如hcp－CoIr合金。
与STO65对置的磁性体层82的对置面的面积即露出于前导侧端面62b的磁性体层82的面积，形成为比振荡层65c的对置面(膜面)的面积大。例如，在前导侧端面62b，磁性体层82的高度(从ABS43朝向进深方向的高度)MH形成得比STO65的高度SH大。在前导侧端面62b，磁性体层82的宽度(沿着磁道宽度方向T1的宽度)MW形成得比STO65的宽度SW大。由此，磁性体层82与STO65的层叠面整个面对置，并且越过STO65的侧缘而向上方及宽度方向两侧延伸。
另外，磁性体层82的厚度即与STO65的膜面正交的方向的厚度，能够任意地调整。
另一方面，如图3所示，主磁极60及尾随屏蔽件62经由布线66、连接端子70、72连接于电源74，构成从该电源74通过布线66、主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62串联地通入电流Iop的电流回路。
记录线圈64例如在主磁极60与尾随屏蔽件62之间绕连接部50地卷绕。记录线圈64经由布线77连接于端子78，在该端子78连接有第2电源80。从第2电源80向记录线圈64供给的记录电流Iw通过HDD的控制部控制。在向磁盘16写入信号时，从第2电源80向记录线圈64供给预定的记录电流Iw，使磁通在主磁极60中流通，产生记录磁场。
根据如以上那样构成的HDD，通过驱动VCM24，滑架组件22转动，磁头17移动到磁盘16的所希望的磁道上，并被定位。另外，如图2所示，磁头17通过因磁盘16的旋转而在盘表面与ABS43之间产生的空气流C而上浮。HDD动作时，滑块42的ABS43相对于盘表面确保间隙地对置。在该状态下，相对于磁盘16，通过读取头54进行记录信息的读取，并且通过记录头58进行信息的写入。
在信息的写入中，如图3所示，从电源74向主磁极60、STO65、尾随屏蔽件62通入直流电流，从STO65产生高频磁场，将该高频磁场向磁盘16的磁记录层103施加。另外，通过使交流电流从电源80向记录线圈64流通，通过记录线圈64对主磁极60励磁，从该主磁极60向正下的磁盘16的记录层103施加垂直方向的记录磁场。由此，在磁记录层103以所希望的磁道宽度记录信息。通过使高频磁场与记录磁场重叠，能够促进磁记录层103的磁化反转，进行高磁各向异性能量的磁记录。另外，通过使电流从主磁极60到尾随屏蔽件62流通，能够消除主磁极60内的磁区的紊乱，能引导效率较好的磁路，从主磁极60的前端产生的磁场变强。
进而，根据上述的实施方式，在记录头58，在与STO65的振荡层65c对置的尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有具有负的磁各向异性的磁性体层82。如图8中示意性地表示地，磁性体层82的难磁化轴方向D1变为与STO65的膜面垂直的方向。因此，对于高频响应，磁性体层82的难磁化轴方向D1变为与振荡层65c的磁化膜面旋转R1正交的方向，尾随屏蔽件62内的磁化不会与振荡层65c的磁化联动而变动。即，尾随屏蔽件62内的STO对置面处的磁化旋转(旋转波)得到抑制。因此，不会被这样的旋转波阻碍，振荡层65c的磁化旋转变得良好，STO65的振荡磁场增大。结果，从STO65向磁盘施加的磁场辅助效果增大，记录能力增大，由此能够实现高记录密度。
图9是对于第1实施方式所涉及的记录头与不具有磁各向异性磁性体层的比较例所涉及的记录头，比较按与STO的振荡层的膜面大致垂直的方向施加的直流电流的STO电流密度和相对于与膜面垂直的方向的振荡层的磁化的磁化角度的关系而表示的图。从该图可知，如果磁化角度朝向从与膜面垂直的方向旋转90°方向而在振荡层的膜面内旋转时，可得到STO的振荡层的良好的振荡，即，可通过较低的电流密度得到振荡。在比较例中，即使电流密度升高，磁化角度也没有达到90°，停留在70°左右。与此相对，可知，在本实施方式的记录头中，以较低的电流密度，磁化角度朝向90°而进行良好的振荡。
从以上情况可知，根据本实施方式，能够提供实现稳定的高频辅助、能够实现高记录密度化的磁记录头及具备该磁记录头的盘装置。
接下来，对其他的实施方式所涉及的HDD的磁记录头进行说明。另外，在以下说明的其他的实施方式中，对于与前述的第1实施方式相同的部分，赋予相同的参照符号而将其详细的说明省略，以与第1实施方式不同的部分为中心详细进行说明。
(第2实施方式)
图10是放大表示第2实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图，图11是从ABS侧观察磁记录头的前端部的俯视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，且磁性体层82的磁道宽度方向的宽度MW比振荡层65c的宽度SW大。进而，磁性体层82的磁道宽度方向的两端部的厚度形成得比磁道宽度方向的中央部的厚度厚。即，在前导侧端面62b，与STO65相接的部分形成为凹处84。在第2实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第3实施方式)
图12是放大表示第3实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，且磁性体层82的磁道宽度方向的宽度比振荡层65c的宽度大。进而，磁性体层82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比下部的厚度厚。即，在前导侧端面62b，与STO65相接的部分形成为凹处，位于比STO65靠上部的位置的部分向STO侧突出。在第3实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第4实施方式)
图13是从ABS侧观察第4实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的俯视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度比振荡层65c的高度高，且磁性体层82的磁道宽度方向的宽度MW比振荡层65c的宽度SW大。进而，磁性体层82的磁道宽度方向的两端部的厚度形成得比磁道宽度方向的中央部(与STO65对置的区域)的厚度厚。根据本实施方式，磁性体层82露出的前导侧端面62b形成为平坦，位于与该前导侧端面62b相反侧的磁性体层82的端面的宽度方向中央部向前导侧端面62b凹陷。在第4实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第5实施方式)
图14是放大表示第5实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，且磁性体层82的磁道宽度方向的宽度比振荡层65c的宽度大。进而，磁性体层82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比下部的厚度厚。根据本实施方式，磁性体层82露出的前导侧端面62b形成为平坦，位于与该前导侧端面62b相反侧的磁性体层82的端面的下半部(ABS43侧的下半部，与STO65对置的区域)向前导侧端面62b凹陷。在第5实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
根据上述的第2至第5实施方式，代替通过减薄磁性体层82的与STO65相接的部分来抑制由磁性体层82引起的间隙磁场的降低，而通过加厚位于从STO65偏离的位置的宽度方向两端部或上端部来能够有效地抑制旋转波的产生。此外，在第2至第5实施方式，也可得到与前述的第1实施方式同样的作用效果。
(第6实施方式)
图15是从ABS侧观察第6实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的俯视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的磁道宽度方向的宽度MW比振荡层65c的宽度SW大。在形成前导侧端面62b的磁性体层82，与STO65相接的部分形成为凹处84。换而言之，磁性体层82的磁道宽度方向的两端部向STO65侧弯曲。另外，磁性体层82的厚度(膜厚)在磁道宽度方向的整个宽度的范围形成为一定。在第6实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第7实施方式)
图16是放大表示第7实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图。根据本实施方式，磁性体层82被设置于主磁极60侧。即，磁性体层82被设置于主磁极60的前端部60b，与STO65对置，并且露出于屏蔽件侧端面60c及ABS43。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，另外，磁性体层82的磁道宽度方向的宽度比振荡层65c的宽度大。由磁性体层82构成的屏蔽件侧端面60c形成为平坦，另外，磁性体层82的膜厚形成为一定。在第7实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第8实施方式)
图17是放大表示第8实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图。根据本实施方式，磁性体层82被设置于主磁极60的前端部60b，与STO65对置，并且露出于屏蔽件侧端面60c及ABS43。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，另外，磁性体层82的磁道宽度方向的宽度比振荡层65c的宽度大。进而，磁性体层82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比与STO65对置的下半部的厚度厚。根据本实施方式，磁性体层82露出的屏蔽件侧端面60c形成为平坦，位于与该屏蔽件侧端面60c相反侧的磁性体层82的端面的下半部(ABS43侧的下半部，与STO65对置的区域)向屏蔽件侧端面60c凹陷。在第8实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第9实施方式)
图18是放大表示第9实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图，图19是从ABS侧观察磁记录头的前端部的俯视图。根据本实施方式，与STO65对置的主磁极60的屏蔽件侧端面60c的ABS侧端部以及与STO65对置的尾随屏蔽件62的前导侧端面62b的下半部，相对于与ABS43垂直的平面向尾随侧倾斜。与此相应，在写入间隙WG内设置于主磁极60的屏蔽件侧端面60c与尾随屏蔽件62的前导侧端面62b之间的STO65的各层的膜面(层叠面)也相对于与ABS43垂直的平面向尾随侧倾斜。
在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，露出于前导侧端面62b及ABS43，并且与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的高度MH比振荡层65c的高度SH高，另外，磁性体层82的磁道宽度方向的宽度MW形成为振荡层65c的宽度SW以上。磁性体层82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比与STO65对置的下半部的厚度厚。进而，形成前导侧端面62b的磁性体层82以与STO65相接的部分成为凹处84的方式弯曲。另外，磁性体层82的磁道宽度方向的两端部的厚度也可以形成得比磁道宽度方向的中央部的厚度厚。在第9实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第10实施方式)
图20是从ABS侧观察第10实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的俯视图。根据本实施方式，磁记录头58进而具备隔着间隙而配置于主磁极60的前导侧的前导屏蔽件90及隔着间隙而配置于主磁极60的宽度方向两侧的一对侧屏蔽件92。前导屏蔽件90及侧屏蔽件92与尾随屏蔽件62形成为一体，通过它们，包围主磁极60的前端部60b及写入间隙WG。
在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b及位于STO65的宽度方向两侧的侧屏蔽件92的与STO65对置的对置面92a，连续设置有磁性体层82，与STO65对置。磁性体层82相对于与STO65的振荡层65c的膜面(层叠面)垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82的磁道宽度方向的宽度MW比振荡层65c的宽度SW大。磁性体层82的与STO65对置的对置面的面积比振荡层65c的对置面(层叠面)的面积大。磁性体层82的厚度(膜厚)可以在磁道宽度方向的整个宽度的范围形成为一定，或者也可以将磁道宽度方向的两端部或高度方向的上端部形成得较厚。在第10实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
(第11实施方式)
图21是放大表示第11实施方式所涉及的HDD中的磁记录头的前端部的沿着磁道中心的剖视图。根据本实施方式，在尾随屏蔽件62的前导侧端面62b设置有磁性体层82，与STO65对置。另外，磁性体层(磁各向异性磁性体)82b被设置于主磁极60的前端部60b，与STO65对置，并且露出于屏蔽件侧端面60c及ABS43。磁性体层82、82b相对于与STO65的振荡层65c的膜面垂直的方向具有负的磁各向异性。磁性体层82、82b的高度MH1、MH2比振荡层65c的高度SH高，另外，磁性体层82、82b的磁道宽度方向的宽度分别被形成为振荡层65c的宽度以上的大小。
磁性体层82在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比与STO65对置的下半部的厚度厚。磁性体层82b在高度方向上，上部的厚度(膜厚)形成得比与STO65对置的下半部的厚度厚。在第11实施方式中，HDD的其他的构成与前述的第1实施方式相同。
根据上述的第6至第11实施方式，与第1实施方式同样，通过具有负的磁各向异性的磁性体层82、82b，能够抑制尾随屏蔽件及/或主磁极的STO对置面处的磁化旋转(旋转波)，能够使STO的磁化旋转良好。结果，从STO向磁盘施加的磁场辅助效果增大，记录能力增大，由此能够实现高记录密度。
本发明并不限定于上述实施方式原样不变，在实施阶段在不脱离其宗旨的范围内能够对构成要素进行变形而具体化。另外，通过上述实施方式所公开的多个构成要素的适当的组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的所有构成要素中删除几个构成要素。进而，也可以将不同的实施方式中的构成要素适当组合。
例如构成头部的要素的材料、形状、大小等能够根据需要而变更。记录头的磁各向异性的磁性体，只要与高频振荡器对置的对置面的面积为高频振荡层的膜面(层叠面)的面积以上即可，其形状并不限定于矩形状，能够为任意的形状。在磁盘装置中，磁盘及磁头的数目能够根据需要而增加，磁盘的尺寸也能够进行各种选择。

Claims (9)

1.一种磁记录头，其中，具备：
空气支撑面；
具有延伸到所述空气支撑面的前端部、并产生记录磁场的主磁极；
隔着写入间隙而与所述主磁极的所述前端部对置、并与所述主磁极一起构成磁芯的写入屏蔽件；
具有层叠的旋转注入层及振荡层、且在所述写入间隙内设置于所述主磁极与写入屏蔽件之间的高频振荡器，所述高频振荡器中的所述振荡层及旋转注入层分别具有沿与所述空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面；和
设置于所述主磁极及写入屏蔽件的至少一方、并与所述高频振荡器对置且相对于与所述高频振荡器的层叠面交叉的方向具有负的磁各向异性的磁性体层。
2.如权利要求1所述的磁记录头，其中，
所述磁性体层的与所述振荡层对置的对置面的面积，比所述振荡层的层叠面的面积大。
3.如权利要求2所述的磁记录头，其中，
从所述空气支撑面向进深方向的所述磁性体层的高度，比所述振荡层的高度大。
4.如权利要求2所述的磁记录头，其中，
所述磁性体层的磁道宽度方向的宽度，比所述振荡层的磁道宽度方向的宽度大。
5.如权利要求1至4的任意1项所述的磁记录头，其中，
从所述空气支撑面向进深方向的所述磁性体层的高度比所述振荡层的高度高，并且，在从所述空气支撑面离开的高度方向位置，所述磁性体层的膜厚比所述空气支撑面处的所述磁性体层的膜厚厚。
6.如权利要求1至4的任意1项所述的磁记录头，其中，
所述磁性体层的磁道宽度方向的宽度比所述振荡层的磁道宽度方向的宽度大，所述磁性体层的磁道宽度方向的两端部的膜厚比所述磁性体层的磁道宽度方向的中央部的膜厚厚。
7.如权利要求4所述的磁记录头，其中，
所述磁性体层的磁道宽度方向的宽度比所述振荡层的磁道宽度方向的宽度大，所述磁性体层的磁道宽度方向的两端部向所述高频振荡器侧突出。
8.如权利要求1至4的任意1项所述的磁记录头，其中，
所述磁性体层的与所述高频振荡器对置的区域的厚度，比其他的区域的厚度薄。
9.一种盘装置，其中，具备：
具有磁记录层的盘状的记录介质；和
对所述记录介质记录信息的权利要求1至8的任意1项所述的磁记录头。
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