CN106449951A - 一种发光二极管封装结构的制作方法 - Google Patents

一种发光二极管封装结构的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管封装结构的制作方法,包括工艺步骤:提供一暂时基板,定义其包括功能区和非功能区,并在所述暂时基板上贴有双面胶;将荧光膜按预设间距排列在所述贴有双面胶的暂时基板上,从而形成若干个荧光膜单元;在所述相邻的荧光膜单元的间隙处填充白胶;提供一固晶基板,并将若干个LED芯片按预设间距置于所述固晶基板上;将所述暂时基板与固晶基板进行对位固定,抽真空,加热,使得白胶软化贴合,利用大气压将所述双面胶、暂时基板分离,且将所述荧光膜贴合在所述LED芯片与固晶基板上。

Description

一种发光二极管封装结构的制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)封装技术,特别涉及一种发光二极管(LED)器件封装结构的制作方法。
背景技术
发光二极管(英文简称LED),是一种固体半导体发光器件。随着 LED市场需求的不断增长和新应用的相继出现,对 LED 的封装技术提出了更高的要求,LED 封装在改善LED性能和降低成本上起到很大的作用。
目前,LED封装主要有单芯片和多芯片集成两种。单芯片LED封装器件中,LED 芯片是倒装粘合在一过渡基板上,过渡基板上有设置用于在 LED和该过渡基板之间电连接的金属电路,该过渡基板与粘合在一起的 LED芯片被连接至散热片。该种封装方法,因其结构较复杂,成本较高,而且LED芯片被单独封装,这意味着其不可能实现高产量和低成本的晶圆级封装。晶圆级(WLP)封装技术有成本低,体积小等优点。将 LED芯片倒装在硅晶圆上可以充分利用和结合成熟的硅工艺和硅的集成电路功能,形成供电、计算、控制及通讯等功能的系统集成,是未来显示和照明领域的发展方向。
荧光膜作为一种目前流行的晶圆级封装结构,具有制作方便、性价比高,厚度和荧光粉的比例容易调节的优点,已经越来越多地应用在车头灯上。制作方式主要有两种:一种是将芯片焊接在基板上,然后将荧光膜贴合在芯片和基板表面,最后填充白胶,使其白胶与荧光膜表面齐平(如图1所示);另一种是将芯片焊接在基板上,然后将荧光膜用胶水贴合在芯片上,最后填充白胶(如图2所示)。其中第一种方式,由于荧光膜贴合在整个基板上,因此光会从侧面漏出,从而减少了正面出光;第二种方式,由于荧光膜很软,贴合时不能重压,因此制程上难度较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种发光二极管封装结构的制作方法,有效减少侧面漏光,简化工艺,降低成本。
为了解决上述技术问题,提供一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤:
(1)提供一暂时基板,定义其包括功能区和非功能区,并在所述暂时基板上贴有双面胶;
(2)将荧光膜按预设间距排列在所述贴有双面胶的暂时基板上,从而形成若干个荧光膜单元;
(3)在所述相邻的荧光膜单元的间隙处填充白胶;
(4)提供一固晶基板,并将若干个LED芯片按预设间距置于所述固晶基板上;
(5)将所述暂时基板与固晶基板进行对位固定,抽真空,加热,使得白胶软化贴合,利用大气压将所述双面胶、暂时基板分离,且将所述荧光膜贴合在所述LED芯片以及固晶基板上。
优选地,所述功能区位于所述暂时基板的内圈,所述非功能区位于所述暂时基板的外圈。
优选地,所述功能区为凸台结构。
优选地,所述功能区包括若干个第一通孔,有利于大气压将所述荧光膜贴合在所述LED芯片与固晶基板上。
优选地,位于所述非功能区的边角包括定位销孔,用于将所述暂时基板与固晶基板进行对位固定。
优选地,位于所述非功能区的边缘包括若干个第二通孔,作为固晶标记(mark)点。
优选地,所述双面胶的尺寸大于或者等于所述功能区的尺寸。
优选地,所述荧光膜采用刮膜、热压成型或将厚膜热压成薄膜方式形成。
优选地,所述填充白胶的高度与所述荧光膜的高度齐平。
优选地,所述填充白胶的方式包括点胶或者印刷或者前述方式组合。
与现有技术相比,本发明至少包括以下技术效果:
由于本发明采用整张荧光膜贴合,故可以有效地减少侧面漏光;LED芯片和荧光膜之间无透明胶层,有益于散热;此外,贴膜的暂时基板功能区包括凸台,且设置通孔,有助于利用大气压强将荧光膜贴合在LED芯片上。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1是现有的一种发光二极管封装结构剖视图。
图2是现有的另一种发光二极管封装结构剖视图。
图3~图9是本发明实施例1制作发光二极管封装结构的工艺流程图,其中图3、图5和图6为俯视图。
图10是本发明实施例2制作的发光二极管封装结构剖视图。
图11是本发明实施例2与实施例1的发光二极管封装结构之荧光膜单元对比图。
图中各标号表示如下:100:基板;101:LED芯片;102:荧光膜;103:白胶;200:暂时基板;201:凸台;202:第一通孔;203:定位销孔;204:第二通孔;300:双面胶;400:荧光膜;500:反射层;600:固晶基板;601:定位销孔;700:LED芯片;800:定位销。
具体实施方式
下面结合示意图对本发明的LED封装结构的制作方法进行详细的描述,在进一步介绍本发明之前,应当理解,由于可以对特定的实施例进行改造,因此,本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解,由于本发明的范围只由所附权利要求限定,因此所采用的实施例只是介绍性的,而不是限制性的。除非另有说明,否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。
实施例1
如图3和图4所示,提供一具有凸台201的暂时基板200,定义其包括功能区和非功能区,并在暂时基板上贴有双面胶300,双面胶的材质胶软,厚度较薄,粘性较低,其尺寸大于或者等于功能区的尺寸,本实施例优选双面胶的尺寸略大于功能区的尺寸;其中凸台201作为功能区,位于暂时基板的内圈,非功能区位于暂时基板的外圈。功能区包括若干个第一通孔202,位于非功能区的边角包括定位销孔203,位于所述非功能区的边缘包括若干个第二通孔204,作为后续的固晶标记(mark)点。
如图5所示,将荧光膜400按预设间距排列在贴有双面胶300的暂时基板100上,从而形成若干个荧光膜单元,为了保证荧光薄膜的厚度均匀,可以采用刮膜、热压成型或将厚膜热压成薄膜方式形成;接着在相邻的荧光膜单元的间隙处填充反射层500,填充白胶的方式包括点胶或者印刷或者前述方式组合,本实施例优选印刷白胶作为反射层,白胶的高度与荧光膜的高度齐平。
如图6所示,提供一固晶基板600,并将若干个LED芯片700按预设间距焊接于固晶基板上,固晶基板600的边角设有定位销孔601。
如图7和图8所示,将暂时基板200与固晶基板600,藉由穿过定位销孔203和601的定位销800进行对位固定,然后抽真空,加热,使得反射层500(白胶)软化贴合,利用大气压将双面胶300、暂时基板200分离,且将荧光膜400贴合在LED芯片700以及固晶基板600上。由于位于暂时基板200上的功能区包括若干个第一通孔,有利于大气压将所述荧光膜贴合在所述LED芯片与固晶基板上。
如图9所示,进行切割,得到发光二极管封装结构单元,该单元包括固晶基板600,若干个(本实施例为4个)LED芯片700位于固晶基板600上,荧光膜400贴合于LED芯片700上表面以及LED芯片的间隙,反射层500(白胶)贴附于外缘LED芯片700的侧面。
本实施例采用整张荧光膜贴合,故可以有效地减少侧面漏光;LED芯片和荧光膜之间无透明胶层,有益于散热;此外,贴膜的暂时基板功能区包括凸台,且设置通孔,有助于利用大气压强将荧光膜贴合在LED芯片上。
实施例2
如图10所示,本实施例与实施例1的结构区别在于:实施例1的荧光膜400贴合于LED芯片700上表面以及LED芯片的间隙,而本实施例的荧光膜400仅贴合于LED芯片700上表面,而在相邻的LED芯片的间隙填充反射层500;如图11所示,制作方法的区别在于:实施例1中的荧光膜单元制作成连续式(如图11a),而本实施例中的荧光膜单元制作成间断式,间断的空隙部分用于填充反射层500(如图11b),如此可以防止相邻LED芯片之间相互吸收光,从而取光效率较高。
应当理解的是,上述具体实施方案仅为本发明的部分优选实施例,以上实施例还可以进行各种组合、变形。本发明的范围不限于以上实施例,凡依本发明所做的任何变更,皆属本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构的制作方法,包括工艺步骤:
(1)提供一暂时基板,定义其包括功能区和非功能区,并在所述暂时基板上贴有双面胶;
(2)将荧光膜按预设间距排列在所述贴有双面胶的暂时基板上,从而形成若干个荧光膜单元;
(3)在所述相邻的荧光膜单元的间隙处填充白胶;
(4)提供一固晶基板,并将若干个LED芯片按预设间距置于所述固晶基板上;
(5)将所述暂时基板与固晶基板进行对位固定,抽真空,加热,使得白胶软化贴合,利用大气压将所述双面胶、暂时基板分离,且将所述荧光膜贴合在所述LED芯片与固晶基板上。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述功能区位于所述暂时基板的内圈,所述非功能区位于所述暂时基板的外圈。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述功能区为凸台结构。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述功能区包括若干个第一通孔,有利于大气压将所述荧光膜贴合在所述LED芯片以及固晶基板上。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:位于所述非功能区的边角包括定位销孔,用于将所述暂时基板与固晶基板进行对位固定。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:位于所述非功能区的边缘包括若干个第二通孔,作为固晶标记点。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述双面胶的尺寸大于或者等于所述功能区的尺寸。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述荧光膜采用刮膜、热压成型或将厚膜热压成薄膜方式形成。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述填充白胶的高度与所述荧光膜的高度齐平。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于:所述填充白胶的方式包括点胶或者印刷或者前述方式组合。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841164A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 利亚德光电股份有限公司 小间距led显示模块及其制作方法
WO2019169867A1 (zh) * 2018-03-09 2019-09-12 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品
CN111640840A (zh) * 2020-06-17 2020-09-08 鸿利智汇集团股份有限公司 一种led真空封装工艺及真空压制装置
CN117317078A (zh) * 2023-11-28 2023-12-29 天津德高化成新材料股份有限公司 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051984A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-04 Scott West Phosphor-Converted LED
US20130221835A1 (en) * 2010-10-27 2013-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laminate support film for fabrication of light emitting devices and method its fabriacation
CN103811639A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 江苏稳润光电有限公司 一种新型白光led显示模组的封装方法
JP2014110285A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Oki Data Corp 表示装置
US20150171287A1 (en) * 2012-06-28 2015-06-18 Toray Industrieis, Inc. Resin sheet laminate and process for producing semiconductor light-emitting element using same
KR20150117374A (ko) * 2014-04-09 2015-10-20 한국광기술원 발광다이오드 칩의 형광체 도포방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051984A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-04 Scott West Phosphor-Converted LED
US20130221835A1 (en) * 2010-10-27 2013-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laminate support film for fabrication of light emitting devices and method its fabriacation
US20150171287A1 (en) * 2012-06-28 2015-06-18 Toray Industrieis, Inc. Resin sheet laminate and process for producing semiconductor light-emitting element using same
CN103811639A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 江苏稳润光电有限公司 一种新型白光led显示模组的封装方法
JP2014110285A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Oki Data Corp 表示装置
KR20150117374A (ko) * 2014-04-09 2015-10-20 한국광기술원 발광다이오드 칩의 형광체 도포방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841164A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 利亚德光电股份有限公司 小间距led显示模块及其制作方法
WO2019169867A1 (zh) * 2018-03-09 2019-09-12 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品
CN110246947A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品
CN111640840A (zh) * 2020-06-17 2020-09-08 鸿利智汇集团股份有限公司 一种led真空封装工艺及真空压制装置
CN117317078A (zh) * 2023-11-28 2023-12-29 天津德高化成新材料股份有限公司 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用
CN117317078B (zh) * 2023-11-28 2024-04-19 天津德高化成新材料股份有限公司 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用

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