CN102779815A - 发光二极管的封装结构及其制法 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 113
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 93
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 69
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 63
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 50
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 10
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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Abstract
一种发光二极管的封装结构及其制法,该发光二极管的封装结构包括:具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片所组成的封装单元;封设于该凹槽中的第一透光件;同心圈设于该第一透光件或该凹槽的边缘上的多层边框结构;填充于该边框结构中的第一透光封装材料;以及结合于该边框结构上的第二透光件。依本发明,能藉由该多层的边框结构,得以消除空隙,并能免除该第一透光封装材料的厚度不均的问题,以保有高发光效率及较佳的密闭性。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构及其制法,尤指一种发光二极管的封装结构及其制法。
背景技术
现今的发光二极管(light-emitting diode,LED)的封装是采用硅胶材料进行萤光粉保护,而该硅胶材料具有高透光率与高耐热等优点,因此常用来包覆萤光粉以隔绝发光二极管所产生的热,但却无法有效阻隔水气,因此造成萤光粉因接触水气而失效。
请参阅图1所示,其为第2010/0163898号美国专利的发光二极管的剖视图,如图所示,于具有线路层(circuit pattern)110的基板(substrate)11上覆盖一外露出部份线路层110的反射层(reflectionlayer)12,于该反射层12上接置发光芯片(light emittingelement)13,且该发光芯片13通过导电元件14电性连接至该外露出的线路层110,又于该反射层12上设置具有反光开口(light emittingopening)150的反射器(reflector)15,且令该发光芯片13容设于该反光开口150中,并于该反光开口150中依序填充有封装材料(sealingmaterial)16及萤光层(phosphor layer)17,而为提高密封性,于该反射器15的反光开口150上以单圈密封胶(图式中未表示)涂布在外围,再于将该反射器15上覆盖一透光膜(optical microstructurefilm)18,以封住该反光开口150。
然而,该封装材料16及萤光层17属于液态流体,而为确保该透光膜18能紧密封住该反射器15的反光开口150以防止该封装材料16及萤光层17溢出,因此该萤光层17并不会填满该反光开口150,导致该透光膜18密封该反光开口150后,于该透光膜18与萤光层17之间产生间隙(gap)19,造成该封装材料16或萤光层17的厚度不均匀,使该发光芯片13的出光效率与发光特性不佳。
因此,如何克服现有技术中的问题,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的种种缺失,本发明提供一种发光二极管的封装结构及其制法,藉由多层的边框结构,以消除空隙,并能保有高发光效率及较佳的密闭性。
本发明的发光二极管的封装结构,包括:具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片的封装单元;封设于该凹槽中的第一透光件;由内边框及外边框组成并设于该第一透光件及/或该凹槽的边缘上的边框结构,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;填充于该第一容置空间中的第一透光封装材料;以及结合于该边框结构上的第二透光件。
依上述的结构,本发明还提供一种发光二极管的封装结构的制法,包括:提供一封装单元,该封装单元包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;于该凹槽中封设第一透光件;于该第一透光件及/或该凹槽的边缘上设置边框结构,而该边框结构由内边框及外边框组成,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;于该第一容置空间中填充第一透光封装材料,且该第一透光封装材料的体积大于该第一容置空间;以及于该边框结构上结合第二透光件,以使使部分第一透光封装材料挤压至该第二容置空间中。
于本发明另一封装结构及其制法中,该边框结构的内边框设于该第一透光件上,而该外边框设于该凹槽的边缘上。
依上述的发光二极管的封装结构及其制法,该封装单元还包括:设于该凹槽中的导脚,且该导脚并延伸至该座体外部;电性连接该发光芯片与该导脚的导电元件;以及填充于该凹槽中的第二透光封装材料,且该第二透光封装材料并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
于另一实施例,该封装单元还包括:设于该凹槽中的接触垫;电性连接该发光芯片与该接触垫的导电元件;以及填充于该凹槽中并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件的第二透光封装材料。
依上述的发光二极管的封装结构及其制法,该边框结构是以印刷方式、点胶方式、或覆盖干膜并图案化该干膜的方式形成。且实施上,该内边框及外边框可同心圈设于该第一透光件或该凹槽的边缘上;形成该第一透光件的材料为含硅基材;该边框结构可为干膜、紫外线硬化胶、半固化环氧树脂或玻璃介质;形成该第二透光件的材料为含硅基材,又该第二透光件还可包括设于其上的透镜;或者第二透光件具有透镜轮廓;又该第一透光封装材料及第二透光封装材料为硅胶或环氧树脂,且该第一透光封装材料或第二透光封装材料还可包括萤光材料。
由上可知,本发明的发光二极管的封装结构及其制法中,于该封装单元的凹槽中先封设该第一透光件,再于该第一透光件及/或该凹槽的边缘上同心圈设该多层结构的边框结构,再于该边框结构的第一容置空间中填入过量的第一透光封装材料,以于该第二透光件结合于该边框结构上时能将多余的第一透光封装材料挤压至该边框结构的第二容置空间中,使该第一透光封装材料完全充满于第一容置空间中以消除空隙,以免除现有技术中由于间隙导致该第一透光封装材料的厚度不均的问题,以保有高发光效率,并使该第二透光件紧密结合于该边框结构上,而有较佳的密闭性。
附图说明
图1为美国公开专利第2010/0163898号的发光二极管的剖视图;
图2A至图2E为本发明发光二极管的封装结构及其制法的第一实施例剖视示意图;其中,该图2A’为图2A的另一封装单元实施例;该图2E’为图2E的另一实施例;图2E”用于显示具有透镜轮廓的第二透光件;
图3A至图3C为本发明发光二极管的封装结构及其制法的第二实施例剖视示意图;其中,该图3C’为图3C的另一实施例;以及
图4A至图4C’为本发明发光二极管的封装结构及其制法的第三实施例剖视示意图;其中,该图4C’为图4C的另一实施例。
主要元件符号说明
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,所以不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”及“一”等的用语,也仅为便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当也视为本发明可实施的范畴。
第一实施例
请参阅图2A至图2E”,其用于说明本发明的发光二极管封装结构的第一实施例的制法。
如图2A及图2A’所示,首先,提供一封装单元20,该封装单元20包括具有凹槽210的座体21、设于该凹槽210中并延伸至该座体21外部的导脚22、设于该凹槽210中的底面的发光芯片23、电性连接该发光芯片23与该导脚22的导电元件231、及填充于该凹槽210中的第二透光封装材料24,并覆盖该导脚22、发光芯片23及导电元件231,如图2A所示,该导电元件231为焊线(bonding wire),当然发光芯片23也可以覆晶方式透过凸块(bump)电性连接至该导脚22。或如图2A’所示的封装单元20’,该导脚22可改为设于该凹槽210中的接触垫22’,其中,该第二透光封装材料24并覆盖该接触垫22’、发光芯片23及导电元件231。以下即以第2A图所示的封装单元20做例示说明。
如图2B所示,于该凹槽210中嵌设为含硅基材的第一透光件25,而该含硅基材可为玻璃。
如图2C所示,于该第一透光件25的边缘上以印刷方式形成边框结构26,而该边框结构26是由内边框261及外边框262同心圈设组成,且该内边框261中具有第一容置空间26a,且该第一容置空间26a的平面面积大于或等于发光芯片23的出光面积,又于该内边框261及外边框262之间形成有第二容置空间26b;其中,形成该边框结构26为紫外线硬化胶(UV glue)、半固化环氧树脂(B-stage epoxy resin)或玻璃介质(glass frit)。此外,除印刷方式形成边框结构26外,也可透过点胶方式或覆盖干膜并图案化该干膜的方式形成边框结构26。
如图2D所示,于该第一容置空间26a中填充第一透光封装材料27,且该第一透光封装材料27的体积大于该第一容置空间26a,是以,因材质的表面张力,该第一透光封装材料27的高度可高于该边框结构26顶端缘。
如图2E及图2E’所示,于该边框结构26上结合例如为含硅基材(可为玻璃)的第二透光件28,且将部分第一透光封装材料27挤压至该第二容置空间26b中,以使令该第一透光封装材料27完全充满该第一容置空间26a,以免除于该第一透光封装材料27厚度不均的情况,如图2E所示;又该第二透光件28上还可设置透镜280,如图2E’所示。又或者,如图2E”所示相对于与该第一透光封装材料27接触表面的第二透光件28另一表面,可具有透镜轮廓280a。
应可了解的是,常用的第一透光封装材料27和第二透光封装材料24的实例为硅胶或环氧树脂,视选择地该第一透光封装材料或第二透光封装材料中可还包括萤光材料。
第二实施例
请参阅图3A至图3C,其用于说明本发明的发光二极管封装结构的第二实施例的制法,与上述的不同处在于该边框结构的制法。
如图3A所示,提供一前述图2A’所示的结构;接着,于该凹槽210中封设第一透光件25,之后于该凹槽210的边缘上圈设边框结构26。
如图3B所示,于该第一容置空间26a中填充第一透光封装材料27,且该第一透光封装材料27的体积大于该第一容置空间26a。
如图3C及图3C’所示,于该边框结构26上结合第二透光件28,且将多余的第一透光封装材料27挤压至该第二容置空间26b,如图3C所示;又该第二透光件28上还可包括透镜280,如图3C’所示。同样地,相对于与该第一透光封装材料27接触表面的第二透光件28另一表面,可具有透镜轮廓(未图示)。
第三实施例
请参阅图4A至图4C’,其用于说明本发明的发光二极管封装结构的第三实施例的制法,与上述的不同处在于该边框结构的制法。
如图4A所示,提供一如前述图2A’所示的结构;接着,于该凹槽210中封设第一透光件25,的后将内边框261设于该第一透光件25上,而该外边框262设于该凹槽210的边缘上,而该内边框261中具有第一容置空间26a,又该内边框261及外边框262之间形成有第二容置空间26b。
如图4B所示,于该第一容置空间26a中填充第一透光封装材料27,且该第一透光封装材料27的体积大于该第一容置空间26a。
如图4C及图4C’所示,于该边框结构26上结合第二透光件28,且将多余的第一透光封装材料27挤压至该第二容置空间26b,如图4C图所示;又该第二透光件28上还可设置透镜280,如图4C’所示。同样地,相对于与该第一透光封装材料27接触表面的第二透光件28另一表面,可具有透镜轮廓(未图示)。
依上述的制法,本发明还提供一种发光二极管的封装结构,包括:封装单元20、20’、第一透光件25、边框结构26、第一透光封装材料27、及第二透光件28。
所述的封装单元20由具有凹槽210的座体21、设于该凹槽210中并延伸至该座体21外部的导脚22、设于该凹槽210中的底面的发光芯片23、电性连接该发光芯片23与该导脚22的导电元件231、及填充于该凹槽210中的第二透光封装材料24所组成;或用作电性连接路径的导脚22改为设于该凹槽210中的接触垫22’;其中,该第二透光封装材料24并覆盖该导脚22(或接触垫22’)、发光芯片23、及导电元件231。
所述的第一透光件25为含硅基材,并封设于该凹槽210中。
所述的边框结构26,由内边框261及外边框262组成并同心圈设于该第一透光件25或该凹槽210的边缘上,或该内边框261设于该第一透光件25上,而该外边框262设于该凹槽210的边缘上,且该内边框261中具有第一容置空间26a,且于该内边框261及外边框262之间形成有第二容置空间26b,而形成该边框结构26为干膜、紫外线硬化胶、半固化环氧树脂或玻璃介质。
所述的第一透光封装材料27用于填满该第一容置空间26a,且部分第一透光封装材料27填入该第二容置空间26b中。
所述的第二透光件28为含硅基材,并结合于该边框结构26上;又该发光二极管的封装结构还可包括设于该第二透光件28的透镜280。
综上所述,本发明的发光二极管的封装结构及其制法中,于该封装单元的凹槽中先封设该第一透光件,再于该第一透光件及/或该凹槽的边缘上同心圈设该内边框及外边框组成的边框结构,再于该边框结构的第一容置空间中填入过量的第一透光封装材料,以使该第二透光件结合于该边框结构上时将多余的第一透光封装材料挤压至该边框结构的第二容置空间中,以于该第一容置空间中完全充满第一透光封装材料,藉以消除空隙,以免除现有构造因存在间隙而导致该第一透光封装材料的厚度不均的问题,以保有高发光效率。
此外,藉由该内边框及外边框组成的多层的边框结构,能有较佳的结合性,使该第二透光件紧密结合于该边框结构上。
上述实施例用以例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉本领域的技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围,应如权利要求书所列。
Claims (51)
1.一种发光二极管的封装结构,包括:
封装单元,包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
第一透光件,封设于该凹槽中;
边框结构,由内边框及外边框组成并设于该第一透光件上,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
第一透光封装材料,填充于该第一容置空间中;以及
第二透光件,结合于该边框结构上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料还包括萤光材料。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料还包括萤光材料。
8.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该内边框及外边框同心圈设于该第一透光件上。
9.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料填满该第一容置空间,且部分第一透光封装材料填入该第二容置空间中。
10.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光件的材料为含硅基材。
11.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该边框结构的材料为干膜、紫外线硬化胶、半固化环氧树脂或玻璃介质。
12.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光件的材料为含硅基材。
13.一种发光二极管的封装结构,包括:
封装单元,包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
第一透光件,封设于该凹槽中;
边框结构,由内边框及外边框组成并设于该凹槽的边缘上,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
第一透光封装材料,填充于该第一容置空间中;以及
第二透光件,结合于该边框结构上。
14.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
15.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件。
16.根据权利要求14或15所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
17.根据权利要求16所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料还包括萤光材料。
18.根据权利要求13项所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
19.根据权利要求18所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料还包括萤光材料。
20.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该内边框及外边框同心圈设于该凹槽的边缘上。
21.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料填满该第一容置空间,且部分第一透光封装材料填入该第二容置空间中。
22.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光件的材料为含硅基材。
23.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该边框结构的材料为干膜、紫外线硬化胶、半固化环氧树脂或玻璃介质。
24.根据权利要求13所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光件的材料为含硅基材。
25.一种发光二极管的封装结构,包括:
封装单元,包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
第一透光件,封设于该凹槽中;
边框结构,由内边框及外边框组成,其中该内边框设于该第一透光件上,而该外边框设于该凹槽的边缘上,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
第一透光封装材料,填充于该第一容置空间中;以及
第二透光件,结合于该边框结构上。
26.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
27.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件。
28.根据权利要求26或27所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
29.根据权利要求28所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光封装材料还包括萤光材料。
30.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料为硅胶或环氧树脂。
31.根据权利要求30所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料还包括萤光材料。
32.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该内边框圈设于第一透光件上,该外边框同心圈设于该凹槽的边缘上。
33.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光封装材料填满该第一容置空间,且部分第一透光封装材料填入该第二容置空间中。
34.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一透光件的材料为含硅基材。
35.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该边框结构的材料为干膜、紫外线硬化胶、半固化环氧树脂或玻璃介质。
36.根据权利要求25所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第二透光件的材料为含硅基材。
37.一种发光二极管的封装结构的制法,包括:
提供一封装单元,该封装单元包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
于该凹槽中封设第一透光件;
于该第一透光件上设置边框结构,而该边框结构由内边框及外边框组成,且该内边框中具有第一容置空间,该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
于该第一容置空间中填充第一透光封装材料,且该第一透光封装材料的体积大于该第一容置空间;以及
于该边框结构上结合第二透光件,以使部分第一透光封装材料挤压至该第二容置空间中。
38.根据权利要求37所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
39.根据权利要求37所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片、及导电元件。
40.根据权利要求37所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该内边框及外边框同心圈设于该第一透光件上。
41.根据权利要求37所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该边框结构是以印刷方式、点胶方式、或覆盖干膜并图案化该干膜的方式形成。
42.一种发光二极管的封装结构的制法,包括:
提供一封装单元,该封装单元包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
于该凹槽中封设第一透光件;
于该凹槽的边缘上设置边框结构,该边框结构由内边框及外边框组成,且该内边框中具有第一容置空间,该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
于该第一容置空间中填充第一透光封装材料,且该第一透光封装材料的体积大于该第一容置空间;以及
于该边框结构上结合第二透光件,以使使部分第一透光封装材料挤压至该第二容置空间中。
43.根据权利要求42所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
44.根据权利要求42所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件。
45.根据权利要求42所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该内边框及外边框同心圈设于该凹槽的边缘上。
46.根据权利要求42所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该边框结构是以印刷方式、点胶方式、或覆盖干膜并图案化该干膜的方式形成。
47.一种发光二极管的封装结构的制法,包括:
提供一封装单元,该封装单元包括具有凹槽的座体及设于该凹槽中的发光芯片;
于该凹槽中封设第一透光件;
设置由内边框及外边框组成的边框结构,其中该内边框设于该第一透光件上,而该外边框设于该凹槽的边缘上,且该内边框中具有第一容置空间,且于该内边框及外边框之间形成有第二容置空间;
于该第一容置空间中填充第一透光封装材料,且该第一透光封装材料的体积大于该第一容置空间;以及
于该边框结构上结合第二透光件,以使部分第一透光封装材料挤压至该第二容置空间中。
48.根据权利要求47所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
导脚,设于该凹槽中,并延伸至该座体外部;
导电元件,电性连接该发光芯片与该导脚;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该导脚、发光芯片及导电元件。
49.根据权利要求47所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该封装单元还包括:
接触垫,设于该凹槽中;
导电元件,电性连接该发光芯片与该接触垫;以及
第二透光封装材料,填充于该凹槽中,并覆盖该接触垫、发光芯片及导电元件。
50.根据权利要求47所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该内边框圈设于第一透光件上,该外边框同心圈设于该凹槽的边缘上。
51.根据权利要求47所述的发光二极管的封装结构的制法,其特征在于,该边框结构是以印刷方式、点胶方式、或覆盖干膜并图案化该干膜的方式形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100116429A TW201246615A (en) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | Package structure and method of making same |
TW100116429 | 2011-05-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102779815A true CN102779815A (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=47124678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011101452549A Pending CN102779815A (zh) | 2011-05-11 | 2011-05-24 | 发光二极管的封装结构及其制法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120286308A1 (zh) |
CN (1) | CN102779815A (zh) |
TW (1) | TW201246615A (zh) |
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CN110649067A (zh) * | 2018-06-27 | 2020-01-03 | 乐金显示有限公司 | 发光显示装置及其制造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FI20126259L (fi) * | 2012-12-03 | 2014-08-04 | Lumichip Ltd | Hermeettisesti suljettu optoelektroninen komponentti |
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- 2011-05-11 TW TW100116429A patent/TW201246615A/zh unknown
- 2011-05-24 CN CN2011101452549A patent/CN102779815A/zh active Pending
- 2011-09-23 US US13/242,452 patent/US20120286308A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120286308A1 (en) | 2012-11-15 |
TW201246615A (en) | 2012-11-16 |
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C06 | Publication | ||
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C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121114 |