CN106406480A - 一种高电平有效开关复位电路 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种高电平有效开关复位电路，包括总复位电路、至少一子复位电路；子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各子系统的子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。本发明提出的高电平有效开关复位电路，可实现一对多复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。
Description
技术领域
本发明属于开关复位技术领域，涉及一种复位电路，尤其涉及一种高电平有效开关复位电路。
背景技术
随着高新技术的迅速发展，越来越多的场合用到集成芯片，传统对芯片的复位包括上电复位，按钮开关复位，但仅适用于单个芯片的复位，而不能对多个芯片同时进行复位操作。
有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的复位方式，以便克服现有复位方式存在的上述缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种高电平有效开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种高电平有效开关复位电路，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端；
系统上电时，各个子系统的子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容、第一下拉电阻后流入地，子复位信号端为高电平，完成对子电路系统上电复位过程；
当某子系统中的第一开关闭合后，该子系统记为第一子系统，第一子系统的子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端因第一下拉电阻常态为低电平，由于第一子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一子系统的子复位信号端的低电平因第一子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一子系统复位，即实现各个子系统的单独复位功能；
当总开关闭合时，总复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时各子系统的子复位信号端因其第一下拉电阻常态为低电平，因此在各子系统的第一二极管两端产生电势差，致使对应的第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第一二极管、第一下拉电阻后流入地；各个第一二极管均被导通；各个子系统的子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第一二极管的前向导通压降；
为保证可靠复位，各第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子系统。
一种高电平有效开关复位电路，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。
作为本发明的一种优选方案，系统上电时，各个子系统的子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容、第一下拉电阻后流入地，子复位信号端为高电平，完成对子电路系统上电复位过程。
作为本发明的一种优选方案，当某子系统中的第一开关闭合后，该子系统记为第一子系统，第一子系统的子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端因第一下拉电阻常态为低电平，由于第一子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一子系统的子复位信号端的低电平因第一子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一子系统复位，即实现各个子系统的单独复位功能。
作为本发明的一种优选方案，当总开关闭合时，总复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时各子系统的子复位信号端因其第一下拉电阻常态为低电平，因此在各子系统的第一二极管两端产生电势差，致使对应的第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第一二极管、第一下拉电阻后流入地；各个第一二极管均被导通；各个子系统的子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第一二极管的前向导通压降。
作为本发明的一种优选方案，为保证可靠复位，各第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子系统。
本发明的有益效果在于：本发明提出的高电平有效开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。本发明复位电路适用性较广，能够同时对多个复位信号极性相同的电路进行复位操作，且能延伸应用于其他一对多操作的场合。
附图说明
图1为本发明开关复位电路的电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
实施例一
请参阅图1，本发明揭示了一种高电平有效开关复位电路，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端；
系统上电时，各个子系统的子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容、第一下拉电阻后流入地，子复位信号端为高电平，完成对子电路系统上电复位过程；
当某子系统中的第一开关闭合后，该子系统记为第一子系统，第一子系统的子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端因第一下拉电阻常态为低电平，由于第一子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一子系统的子复位信号端的低电平因第一子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一子系统复位，即实现各个子系统的单独复位功能；
当总开关闭合时，总复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时各子系统的子复位信号端因其第一下拉电阻常态为低电平，因此在各子系统的第一二极管两端产生电势差，致使对应的第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第一二极管、第一下拉电阻后流入地；各个第一二极管均被导通；各个子系统的子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第一二极管的前向导通压降；
为保证可靠复位，各第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子系统。
子系统信号端与总信号端的信号流向是单向的，且通过低压降二极管连接实现，不局限于一对多开关复位操作，可拓展作其他用途的高电平有效的一对多操作，如一对多LED灯点亮，一对多入离网等操作。
实施例二
一种高电平有效开关复位电路，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。
实施例三
如图1所示的高电平有效总复位电路结构，包括用于各个子系统复位的独立复位电路，和总复位电路。各个子系统的复位电路由电容、开关和下拉电阻组成，电容与开关并联后一端接VCC电源，另一端作为子复位信号端，并经下拉电阻接至地；总复位电路也具有子系统相同的电路元件，此外，各子系统的子复位信号端分别通过二极管与总复位信号端连接在一起，且各二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。系统上电时，各个子系统(如图2中子系统1)复位电路中的电容(如C1)两端电压从0突变，这时电路对电容充电，电流经电容、电阻后流入地，子复位信号端(如Reset1)为高电平，完成对子电路系统上电复位过程；当子系统(如子系统1)中的开关(如S1)闭合后，子系统(如子系统1)的子复位信号端(如Reset1)被短接至VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端(如Reset2、Reset_H)因下拉电阻(R2、R0)常态为低电平，由于二极管(D1)的单向导电性，此时子复位信号端(如Reset1)的低电平因二极管(D1)处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子电路系统(如子系统1)复位，即实现各个子系统的单独复位功能；当总开关(S0)闭合时，总复位信号端(Reset_H)被短接至VCC，呈高电平，与此同时子系统的子复位信号端(如Reset1)因下拉电阻(R1)常态为低电平，因此在二极管(如D1)两端产生电势差，致使二极管(D1)单向导通，电流从VCC先后流经总开关S0、二极管(D1)、电阻(R1)后流入地；同理各个二极管均被导通，各个子复位信号端的电压均等于VCC的电压值减去所接二极管的前向导通压降，为保证可靠复位，二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子电路系统(二极管的类型和前向导通压降等参数可根据实际应用需要)。
综上所述，本发明提出的开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
Claims (7)
1.一种高电平有效开关复位电路，其特征在于，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端；
系统上电时，各个子系统的子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容、第一下拉电阻后流入地，子复位信号端为高电平，完成对子电路系统上电复位过程；
当某子系统中的第一开关闭合后，该子系统记为第一子系统，第一子系统的子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端因第一下拉电阻常态为低电平，由于第一子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一子系统的子复位信号端的低电平因第一子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一子系统复位，即实现各个子系统的单独复位功能；
当总开关闭合时，总复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时各子系统的子复位信号端因其第一下拉电阻常态为低电平，因此在各子系统的第一二极管两端产生电势差，致使对应的第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第一二极管、第一下拉电阻后流入地；各个第一二极管均被导通；各个子系统的子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第一二极管的前向导通压降；
为保证可靠复位，各第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降约为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子系统。
2.一种高电平有效开关复位电路，其特征在于，所述开关复位电路包括：总复位电路、至少一子复位电路，各子复位电路与总复位电路连接；各子复位电路用于各个子系统复位；
所述子复位电路包括第一下拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为子复位信号端，并经第一下拉电阻接地；
所述总复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、总开关，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为总复位信号端，并经第二下拉电阻接地；
各子系统的子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流出总复位信号端。
3.根据权利要求2所述的高电平有效开关复位电路，其特征在于：
系统上电时，各个子系统的子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容、第一下拉电阻后流入地，对应子复位信号端为高电平，完成对子电路系统上电复位过程。
4.根据权利要求2所述的高电平有效开关复位电路，其特征在于：
当某子系统中的第一开关闭合后，该子系统记为第一子系统，第一子系统的子复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时其他子系统的子复位信号端和总复位信号端因第一下拉电阻常态为低电平，由于第一子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一子系统的子复位信号端的低电平因第一子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他子复位信号端上以及总复位信号端上低电平的影响，保持高电平，从而对子第一子系统复位，即实现各个子系统的单独复位功能。
5.根据权利要求2所述的高电平有效开关复位电路，其特征在于：
当总开关闭合时，总复位信号端被短接至电源端VCC，呈高电平，与此同时各子系统的子复位信号端因其第一下拉电阻常态为低电平，因此在各子系统的第一二极管两端产生电势差，致使对应的第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经总开关、第一二极管、第一下拉电阻后流入地；各个第一二极管均被导通；各个子系统的子复位信号端的电压均等于电源端VCC的电压值减去所接第一二极管的前向导通压降。
6.根据权利要求2所述的高电平有效开关复位电路，其特征在于：
为保证可靠复位，各第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降为0.3V,子系统的子复位信号端的电压依然为高电平，成功复位各个子系统。
7.根据权利要求2所述的高电平有效开关复位电路，其特征在于：
子系统信号端与总信号端的信号流向是单向的，且通过低压降二极管连接实现。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20231221 Address after: 608, Building 2, Shangheng Langxin Industrial Zone, Tongsheng Community, Dalang Street, Longhua District, Shenzhen, Guangdong 518000 Applicant after: Shenzhen wanyang photoelectric Co.,Ltd. Address before: Room 523, No. 188 Changyi Road, Baoshan District, Shanghai, 200441 Applicant before: SHANGHAI ACADIATECH Co.,Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
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