CN106371985A - 信息处理方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种信息处理方法及电子设备，所述信息处理方法包括：检测电子设备的实际温度；确定所述实际温度与期望温度之间的温差；基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

Description

信息处理方法及电子设备

技术领域

本发明涉电子技术领域，尤其涉及一种信息处理方法及电子设备。

背景技术

随着电子技术的发展，为了提高电子设备的响应速度，提出了超频技的概念。超频是：使电子设备内的中央处理器CPU、显卡、内存等硬件的工作频率高于其额定频率，并使电子设备在超频状态下稳定工作，以提高电脑的工作速度。超频的英文名称是“Over Clock”，是一种通过调整硬件设置提高芯片的主频来获得超过额定频率性能的技术手段。以AMD羿龙II X4955黑盒CPU为例，它的额定工作频率是3.2GHz(赫兹)，其作为一款原生四核处理器，仅通过软件方式便稳超4GHz风冷极限频率，系统可以稳定运行，就完成了一次成功的超频。

超频虽然提高了电子设备的响应速度，可是近来发现电子设备工作在超频状态下很容易出现风扇声音过大、容易死机甚至系统被烧毁的故障现象；故再利用控制电子设备工作在超频状态时，如何避免上述故障现象的出现，是现有技术中亟待解决的一个问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种信息处理方法及电子设备，至少部分解决电子设备工作在超频状态下的故障现象。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例第一方面提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：检测电子设备的实际温度；确定所述实际温度与期望温度之间的温差；基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

基于上述方案，所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；所述检测电子设备的实际温度，包括：检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

基于上述方案，所述检测电子设备的实际温度，包括：检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

基于上述方案，所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：依据所述温差形成超频控制指令；将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

基于上述方案，所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：基于所述温差，确定所述温差所在的温差区间；基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

基于上述方案，所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：确定所述实际温度所在温度区间；基于所述温度区间确定调整函数关系；基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

基于上述方案，所述基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数，包括：当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。

基于上述方案，所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括以下至少其中之一：基于所述温差，确定所述电子设备是否工作在超频状态；基于所述温差，确定所述电子设备的超频频率。

本发明实施例第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括：检测单元，用于检测电子设备的实际温度；第一确定单元，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；第二确定单元，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

基于上述方案，所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；所述检测单元，具体用于检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

基于上述方案，所述检测单元，包括：检测模块，用于检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；第一确定模块，用于基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

基于上述方案，所述检测模块位于所述电子设备的壳体内，所述检测模块的红外线探测面朝向所述壳体。

基于上述方案，所述第二确定单元，具体用于依据所述温差形成超频控制指令；及将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

基于上述方案，所述第二确定单元，具体用于基于所述温差，确定所述温差所在的温差区间；及基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

基于上述方案，所述第二确定单元，包括：第二确定模块，用于确定所述实际温度所在温度区间；第三确定模块，用于基于所述温度区间确定调整函数关系；第四确定模块，用于基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

基于上述方案，所述第四确定模块，具体用于当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。

本发明实施例所述信息处理方法及电子设备，将检测电子设备的实际温度，根据实际温度与期望温度的温差，来控制电子设备的超频控制参数，减少电子设备因工作超频状态下，超速运转导致的温度过高，引起风扇负荷重、电子设备壳体发烫、系统当机及烧毁等故障现象；提高用户使用满意度。

附图说明

图1为本发明实施例所述信息处理方法的流程示意图之一；

图2为本发明实施例第一区域的结构示意图；

图3为本发明实施例所述电子设备的结构示意图之一；

图4为本发明实施例所述的迟滞补偿处理的效果示意图；

图5为本发明实施例所述的确定超频控制参数的流程示意图；

图6为本发明实施例所述的温度区间的示意图；

图7为本发明实施例所述电子设备的结构示意图之二；

图8为本发明实施例所述电子设备的结构及处理流程示意图；

图9为本发明实施例所述电子设备的结构示意图之三；

图10为本发明实施例所述电子设备的结构示意图之四；

图11为本发明实施例所述信息处理方法的流程示意图之二。

具体实施方式

以下结合说明书附图及具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述。

方法实施例一：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

本实施例中所述电子设备可为手机、笔记本电脑、台式电脑、平板电脑、电子阅读器或可穿戴式设备等，能够工作在超频状态的电子设备。

本实施例中素数电子设备会检测电子设备的实际温度，在具体的实现过程中，所述步骤S110可包括在所述电子设备处于工作状态时检测所述实际温度。在检测所述实际温度时可以采用温度传感器(如热敏电阻)等电子元气件检测所述电子设备的温度。

在步骤S120中的所述期望温度通常为电子设备工作的理想温度，电子设备工作在该温度下，工作状态温度，不会产生电子设备过热、散热装置过载以及系统宕机或崩溃的问题。所述期望温度可为根据用户指令设置的温度，也可以是电子设备的出厂默认设置。

在步骤S130中将根据实际温度与期望温度之间的温度差，确定出超频控制参数。通产若电子设备处于超频状态，容易出现热累积，且超频频率越高，热累积的现象也越明显。在本实施例中将根据所述温差，确定出超频控制参数，该超频控制参数总的来说，用于电子设备的实际温度高出期望温度时，通过调整电子设备的工作频率，以达到降低电子设备的温度的目的，电子设备的实际温度低于期望温度时，可通过增大电子设备的工作频率，以增强电子设备的响应频率和响应速率。显然本实施例所述的信息处理方法，通过实际温度的检测，实际温度与期望温度之间温差的确定，能够很好的平衡电子设备工作频率与温度之间的关系，从而能够有效的减少超频工作状态下，超频导致的热累积进行造成的故障现象。

本实施例所述的电子设备可包括中央处理器CPU、内存以及显卡等部件，这些部件的工作频率可整体和/或单一控制，在本实施例中所述超频控制参数可用于控制电子设备的各个部件是否工作在超频状态或对应的超频频率，同时还能单一控制每一部件是否工作在超频状态或对应的超频频率，不仅能够很好的解决工超频导致的故障现象，同时还具有控制简单和精确的特点。

作为本实施例的进一步改进，所述步骤S130可包括以下至少其中之一：基于所述温差，确定所述电子设备是否工作在超频状态；基于所述温差，确定所述电子设备的超频频率。

本实施例中所述超频频率为电子设备大于额定频率，处于超频状态下的工作频率。本实施例中所述电子设备根据电子设备的实际温度，能够灵活的智能的控制所述电子设备是否工作在超频状态，或工作在超频状态下的工作频率。这样就能够简便的协调超频与电子设备温度之间的矛盾，进而能够解决该毛段导致的电子设备的机壳温度过高、风扇负荷过大、系统工作混乱等故障现象。

方法实施例二：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；

所述步骤S110包括：

检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

例如笔记本电脑在一个表面设置有键盘、譬如平板电脑和手机在显示屏所在的表面重叠设置有触摸面板。触摸面板可以检测用户的操作手势。该表面所在的区域即为所述第一区域。

如图2中，所述电子设备的第一区域设置有键盘和触摸面板。在步骤S110中检测所述第一区域的实际温度时，可以检测所述第一区域的整个温度，也可以检测所述第一区域内多个子区域的温度，如图2中展示有三个检测区域，分别是检测区域1、检测区域2和检测区域3。所述步骤S110可包括首先分别检测检测区域1、检测区域2及检测区域3的检测温度，在对该3个区域的检测温度求均值得到前述的实际温度。当然在具体的首先过程中，可以根据各个区域被用户触摸的频率的不同，通过权重值的设置之后，在来计算所述实际温度。总之通过各个检测区域温度的检测，再依照预设函数关系式可计算出所述实际温度。

若电子设备工作在超频状态下出现过热的现象，电子设备会由内向外散发热点，而所述第一区域是用户需要通过键盘和/或触控面板，若所述第一区域过热，用户很容易感知到，可能会出现烫手的现象，这显然会导致用户使用更满意度的问题。

在本实施例中在检测所述实际温度时，不是检测所述电子设备各个部件的实际温度，而是优先检测所述第一区域的实际温度，根据第一区域的实际温度至少可以避免用户在与电子设备进行交互出现的烫手等不良使用感受。

方法实施例三：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述步骤S110可包括：

检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；

基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

检测所述实际温度时，可以通过热敏元件直接检测电子设备的实际温度；而在本实施例中利用物体的红外辐射与温度之间的关系，来检测实际温度。通常绝度零度以上的物体对会产生红外辐射形成红外线，且温度越高的物体，红外辐射的强度越大，辐射形成的红外线的能量和密度越大，在不同温度下，物体红外辐射的红外线中能量最大或能力密度最大的波长不同。在本实施例中利用该特点，通过检测红外辐射形成的红外线，来确定所述实际温度。采用检测电子设备辐射的红外线这种红外测温的方式，对电子设备内部本身的温度影响小，故具有测量精度高且具有响应速率高的特点。所述红外辐射检测参数可包括红外线波长或频率及对应的检测能量或能量密度。

图3所示的为本实施例中利用红外测温传感器，通过检测电子设备红外辐射的红外线，确定所述实际温度的一个结构示意图。在所述电子设备的壳体内设置有红外测温传感器，所述红外测温传感器被动接收所述电子设备其他部件红外辐射的红外线，形成所述红外辐射检测参数。在图3中所述虚线箭头表示的红外辐射形成的红外线。

结合上一方法实施例，若需要检测所述第一区域的实际温度，可以通过将红外传感器的检测面朝向所述第一区域，接收所述第一区域的温度，这样就快速精确的测量出所述电子设备第一区域的实际温度，根据第一区域的实际温度来控制电子设备的超频状态，这样能够很好照顾到用户使用键盘和触控面板的感受。

方法实施例四：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述130可包括：

依据所述温差形成超频控制指令；

将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

在本实施例中为了避免因为电子设备快速的实际温度波动，导致的根据实际温度进行电子设备的工作频率的频繁调整，在本实施例中将通过迟滞补偿处理来避免该现象。当检测到实际温度过高时，需要下调电子设备的工作频率，以使处于超频状态的电子设备回归到额定频率工作或以使处于较高超频频率的电子设备下调工作频率以处于较低超频频率工作，以减少热累积。但是可能当前的实际温度过高可能仅是某一个瞬间的事件，如立马进行调整可能会导致电子设备的工作频率的频繁调整，从而导致电子设备的工作状态不稳定。在本实施例中通过所述迟滞补偿处理，则将会使电子设备延缓一段时间来响应所述实际温度过高导致的工作频率的调整。电子设备延缓的一段时间可称为延迟时间。若所述实际温度过高仅是一瞬间的事情，则所述实际温度在延迟时间内又将下来，这时电子设备就不再进行改变电子设备的工作频率，从而能够避免电子设备因实际温度的频繁波动导致的工作频率的频繁调整。

在具体的实现过程中，所述延迟时间可以通过延迟电路从时间维度上来机型控制。所述延迟时间也可以通过迟滞补偿器，在确定实际温度减去期望温度的温差不仅大于0，且大于一定的阈值才进行所述电子设备的工作频率调整，这样也是一种实现所述迟滞补偿处理的方法。

图4所示，为一个迟滞调整的示意图。在图4中横坐标为所述期望温度减去所述实际温度的温差，大于ΔT；所述ΔT不小于所述α则Vr的取值为1，所述ΔT不大于所述β，则所述Vr的取值为-1；若所述ΔT位于所述α和β之间，则所述Vr的取值为0。若所述Vr取回为0则可认为暂时保持所述电子设工作频率不变，若所述Vr为1，则表示要下调所述电子设备的工作频率，若所述Vr为-1，则表示可以继续增大所述电子设备的工作频率，以提高电子设备处理效率和响应速率。所述α和β对应的温差区间即为迟滞补偿处理区间。显然当ΔT为0时，电子设备的实际温度等于期望温度，这个时候不调整电子设备的工作频率，而是需要等到所述电子设备的实际温度与所述期望温度的温差值的绝对值大于一定值，才通过确定所述超频控制参数来调整所述电子设备的温度。显然这样可避免电子设备的工作频率的频繁调整。

方法实施例五：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述130可包括：基于所述温差，确定所述温差所在的温差区间；及基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

不同的温差将对应于不同的超频控制参数；在不同的温差区间可能需要采用不同函数关系来确定出电子设备工作频率的调整幅度，从而能够快速的平衡温度和工作频率之间的关系。故在本实施例中将根据温差，确定所在的温差区间。若所述温差为实际温度减去所述期望温度的差值，则所述温差为正，且温差大的绝度值越大，则对应的温差区间越高，则需要下调所述电子设备的工作频率，这个时候可能对应的调整幅度更大。

例如以下提供一个调整函数关系，Cr(k)＝P(k)·ΔT(k)+D(k)；所述k为所述温差区间的标识；所述Cr(k)表示第k个温差区间对应的工作频率的调整量；所述P(k)表示第k个温差区间对应的比例系数；所述D(k)表示的第k个温差区间对应的调整因子。所述ΔT(k)表示落在第k个温差区间的所述温差。如预先设置有N个温差区间，所述N为不小于2的整数，则所述k的取值从1到所述N的整数。

不同的温差区间对应的所述比例系数和所述调整因子的值不同，这样基于温差调整电子设备的工作频率的幅度就不同。所述Cr(k)可为所述步骤S130中确定出的所述超频控制参数。若所述Cr(k)的最终取值等于或小于电子设备的额定频率时，表示控制所述电子设备退出超频状态，若所述Cr(k)不小于所述额定频率时，表示控制所述电子设备工作在所述超频状态，且超频频率等于所述Cr(k)。

本实施例所述的方法，根据实际需要采用温差区间的分级控制，能够根据温差更加有针对性的进行电子设备的工作频率的调整，有利于调高调整效率和调整效果，尽可能的避免前述故障现象的发生。

方法实施例六：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

如图5所示，所述步骤S130可包括：

步骤S131：确定所述实际温度所在温度区间；

步骤S132：基于所述温度区间确定调整函数关系；

步骤S133：基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

在本实施例中所述步骤S131，首先根据实际温度确定所在的温度区间。不同的温度区间对应的调整函数关系不同。若实际温度很高，则可能需要快速通过下调电子设备的工作频率，以降低电子设备的温度，若实际温度很低，则可通过快速上调电子设备的工作频率，以提高电子设备的工作效率和响应速率。在本实施例中首先确定所述实际温度所在的温度区间。

在步骤S132中将确定出所述调整函数关系。

在步骤S133中将基于温差和所述调整函数关系，计算出电子设备的工作频率调整量或目标工作频率等。

图6所示的展示的一个温度变化曲线，图6中横坐标表示的时间t，在图6中设置了5个温度区间，分别位于是A1、A2、A3、A4及A5。其中所述A1表示的温度区间对应的温度范围为不大于T1，A2表示的温度区间对应的温度范围为大于T1且不大于T2、A3表示的温度区间对应的温度范围大于T2且不大于T3、A4表示的温度区间对应的温度范围大于T3且不大于T4、A4表示的温度区间对应的温度范围大于T3且不大于T4及A5表示的温度区间对应的温度范围大于T4且不大于T5。

所述函数关系式可为前述的Cr(k)＝P(k)·ΔT(k)+D(k)，不过此时，所述k的取值为所述A1到A5。所述ΔT(k)表示在实际温度落在第k个温度区间时的温差。

本实施例中根据实际温度所在的温度区间，分温度区间确定所述超频控制参数，具有控制精确度及稳定性高的特点，能够最大限度的保证所述电子设备的稳定工作，同时避免然用户感觉到电子设备的温度过高的问题。

方法实施例七：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

步骤S110：检测电子设备的实际温度；

步骤S120：确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

步骤S130：基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

如图5所示，所述步骤S130可包括：

步骤S131：确定所述实际温度所在温度区间；

步骤S132：基于所述温度区间确定调整函数关系；

步骤S133：基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

所述步骤S133可包括：

当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；

当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；

当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；

其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。

本实施例中所述第一阈值可为所述图4中的α，所述第二阈值可为图4中的β。若所述函数关系为Cr(k)＝P(k)·ΔT(k)+D(k)，所述k表示对应的温度区间，则可基于如下表格来确定所述超频控制参数。

温差	频率调整量Δf
		ΔT>α	Cr(k)
β≤ΔT≤α	0
		ΔT<β	-Cr(k)

本实施例中首先通过温度区间来确定不同温度区间，进而确定出不同温度区间对应的函数关系，并最终通过第一阈值和第二阈值的设置实现迟滞补偿处理，这样能够避免电子设备的工作频率的频繁调整。

总之在本发明的方法实施例中，提供了一种基于实际温度和期望温度差来控制电子设备超频控制参数的方法，具有实现简便及控制精确的特点，同时解决了超频导致的各种类型的故障现象。

设备实施例一：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

本实施例所述的电子设备可为各种能够工作在超频状态的电子设备，如手机、平板电脑、台式或笔记本电脑或可穿戴式设备等电子设备。这些电子设备能够通过超频提高电子设备的响应速率和工作效率。

在本实施例中所述检测单元110为各种能够检测所述电子设备实际温度的温度传感器，如热敏电阻等器件，能够检测电子设备的温度。

所述第一确定单元120和第二确定单元130的具体结构可包括处理器或处理电路。所述处理器可通过指定代码的执行，实现第一确定单元120和第二确定单元130的功能。所述处理器可包括应用处理器AP、中央处理器CPU、微处理器MCU、数字信号处理器DSP、可编程阵列PLC或嵌入使控制器EC等具有信息处理功能的器件。所述处理电路可包括专用集成处理电路ASIC。

所述第一确定单元120具体可包括减法器或减法电路等结构，通过减法运算确定出所述温差。

总之本实施例提供一种电子设备，能够至少用于实现方法实施例一所述的信息处理方法，同样的能够很好的处理电子设备是否处于超频工作状态或超频频率的调整。所述超频控制参数可包括超频频率和/或电子设备是否工作在超频状态的控制参数等。

设备实施例二：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；

所述检测单元110，具体用于检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

电子设备包括各个部件，电子设备也可分为多个区域，在本实施例将所述电子设备容易被用户接触到的区域视为第一区域；所述第一区域设置有键盘和触控面板的至少其中之一。所述键盘和所述触控面板都可作为人机交互接口，接收用户指令，用户的手指很容易触摸到这些区域，若这些区域温度过高，会灼伤用户的手指，故在本实施例中检测单元110将检测所述第一区域的实际温度，来控制所述电子设备的超频控制参数，这样能够尽可能避免电子设备因工作在超频状态下导致的温度过高形成的用户使用不良感受。

设备实施例三：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述检测单元110，包括：

检测模块，用于检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；

第一确定模块，用于基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

本实施例中所述检测单元110可包括检测模块，所述检测单元具体可包括红外测温传感器。所述红外测温传感器可包括探测头，用于检测所述红外线，将探测的红外线转换成对应的电信号。所述红外测温传感器还可包括处理芯片，形成表征所述实际温度的对应的温度数据。总之本实施例通过红外测温，简便的实现了电子设备的实际温度的测量，由于采用红外测温，这种对电子设备实际温场影响小的测量结果，能够提高测量精度。

设备实施例三：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述检测单元110，包括：

检测模块，用于检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；

第一确定模块，用于基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

所述检测模块位于所述电子设备的壳体内，所述检测模块的红外线探测面朝向所述壳体。

所述电子设备可包括壳体，所述检测模块位于所述壳体内，将红外线他侧面朝向所述壳体。如图3所示，检测模块可位于设置在电子设备壳体内的印刷电路板上，并将探测面朝向其向测量部件的温度，接收该部件红外辐射形成的红外线，检测出红外线的红外辐射检测参数。

本实施例所述的电子设备具有结构简单及检测结果精确的特点。

设备实施例四：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述第二确定单元130，具体用于依据所述温差形成超频控制指令；及将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

在本实施例中所述第二确定单元130还包括迟滞补偿器等结构，将根据所述温差形成超频控制指令，并将超频控制指令输入到迟滞补偿器等结构中进行迟滞补偿处理，以避免电子设备的工作频率的频繁波动，提高电子设备的稳定性。所述第二确定光单元130的具体结果，可如所述第二确定单元可如8中所示的控制器，所述控制器内包括迟滞补偿器。

设备实施例五：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述第二确定单元130，具体用于确定所述温差所在温差区间；及基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

在本实施例中所述第二确定单元130，将根据所述温差进行分温差区间进行有针对性的调整，故在实施例中所述第二确定单元130首先将确定温差所在的温差区间，再基于所述温差区间确定超频控制参数。

对应不同的温差区间，调整电子设备的工作频率的函数关系可能不同，通常若实际温度过高，这样的话，所述实际温度减去所述期望温度的温差就会很大，这个时候就需要快速下调所述电子设备的工作频率，则工作频率的调整步长或调整斜率就会较大，以期快速调整工作频率。这样的话，本实施例所述的电子设备能够快速的通过工作频率的调整，实现电子设备响应速率和工作频率的优化配置，同时实现温度的快速调整避免电子设备过热现象持续时间长的问题。

设备实施例六：

如图7所示，本实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元110，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元120，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元130，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

所述第二确定单元130，包括：

第二确定模块，用于确定所述实际温度所在温度区间；

第三确定模块，用于基于所述温度区间确定调整函数关系；

第四确定模块，用于基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

在本实施例中所述第二确定单元130分为了3个确定模块，分别是第二确定模块、第三确定模块及第四确模块。这些确定模块的具体结构均可包括处理器和处理电路。所述处理器和处理电路可以参见前述实施例中，在此就不重复了。通常所述第二确定单元130还包括存储介质，所述存储介质可存储了各个温度区间的参数以及各个温度区间对应的函数关系式等。所述存储温度介质还可存储了所述处理器执行上述单元的功能的可执行代码等。

总之在本实施例中所述第二确定单元的三个确定模块，首先确定出所述实际温度所处的温度区间，再根据温度区间确定出对应的函数关系，并最终基于温差和函数关系确定出所述超频控制参数；能够精确的不同实际温度下电子设备的超频状态的调整，实现快速协调超频与温度之间的矛盾，避免上述故障现象的出现。

作为本实施例的进一步限定，所述第四确定模块，具体用于当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。

在本实施例中同样为了避免频繁的调整电子设备的工作频率，通过第一阈值和第二阈值的设置，实现迟滞补偿处理，不在所述实际温度大于期望温度时就开始进行调整，而时所述温差大于所述第一阈值或小于所述第二阈值之后才开始调整，避免工作频率的频繁震荡，导致的电子设备的工作状态不稳定的问题。

以下结合上述任意方法实施例提供一个具体的超频频率调整的示例。

示例一：

如图8所示，电子设备将期望温度To+目前的实际温度Tr做减法，得到了温差ΔT，控制器根据ΔT计算得到Cr(k)，并通过迟滞补偿器的迟滞补偿处理之后，确定调整后的电子设备的工作频率f，将f传输给执行结构进行电子设备的工作频率的调整，再返回测量电子设备的实际温度，这样进行多次反复测量，避免电子设备在超频状态下的实际温度过高，导致的各种故障现象。

示例二：

图9提供了一种电子设备，该电子设备包括中央处理器CPU、嵌入式控制器(Embedded Controller，EC)和红外测温传感器。所述红外测温传感器通过检测电子设备的红外辐射，将实际温度传输给EC。所述EC将计算出实际温度与期望温度之间的温差，并根据温差确定是否可工作在超频状态下，或工作在超频状态下时的超频频率或超频级别。不同的超频级别对应的超频频率范围不同。最终所述EC将得到的超频控制参数发送给CPU，控制CPU的工作频率，以控制所述CPU的超频状态。

示例三：

本实施例提供一种电子设备，该电子设备包括检测实际温度的检测单元、EC、CPU、基本输入输出BIOS和应用(Application，APP)。EC接收检测单元采集的实际温度参数，EC通过计算确定出超频控制参数，将超频控制参数发送给BIOS，BIOS上报给APP，APP通过应用层处理，再通过BIOS传给给CPU内核，控制CPU是否进入、保持或退出超频状态，并控制超频频率。

示例四：

本示例在前述任意实施例和任意示例的基础上，做了进一步的限定，在本示例中所述信息处理方法包括：

步骤S1：获取期望温度To；获取方法可包括接收用户输入或从存储介质中读取预先存储的期望温度To。

步骤S2：获取机壳的实际温度Tr，计算ΔT；其中，ΔT＝To-Tr。显然ΔT表示的为温差。在本步骤中利用电子设备的机壳的温度代替了电子设备整体的温度。

步骤S3：判断ΔT是否超出非调控范围。所述非调控范围可为前述的β到α的取值，即β≤ΔT≤α，维持所述电子设备的当前超频状态。

步骤S4：计算调控Vr(k)，此处的k表示的为所述实际温度所处的温度区间。所述Vr(k)的取值分为三种情况。第一种情况，当所述ΔT>α时，所述Vr(k)为M(k)；当所述β≤ΔT≤α，则所述Vr(k)为0；当所述β>ΔT时，所述Vr(k)为-M(k)。所述M(k)的取值根据所述k的不同而不同。

步骤S5：确定Cr(k)，其中，Cr(k)＝Vr(k)*{P(k)*ΔT(k)+D(k)}。

步骤S6：基于所述Cr(k)调整电子设备的工作频率，如调整电子设备的CPU的工作频率。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种信息处理方法，所述信息处理方法包括：

检测电子设备的实际温度；

确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；

所述检测电子设备的实际温度，包括：

检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述检测电子设备的实际温度，包括：

检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；

基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：

依据所述温差形成超频控制指令；

将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

5.根据权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，

所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：

基于所述温差，确定所述温差所在的温差区间；

基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括：

确定所述实际温度所在温度区间；

基于所述温度区间确定调整函数关系；

基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数，包括：

当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；

当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；

当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；

其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。

8.根据权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，

所述基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数，包括以下至少其中之一：

基于所述温差，确定所述电子设备是否工作在超频状态；

基于所述温差，确定所述电子设备的超频频率。

9.一种电子设备，所述电子设备包括：

检测单元，用于检测电子设备的实际温度；

第一确定单元，用于确定所述实际温度与期望温度之间的温差；

第二确定单元，用于基于所述温差，确定所述电子设备的超频控制参数。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，

所述电子设备包括第一区域；所述第一区域上设置有键盘和/或触控面板；

所述检测单元，具体用于检测所述电子设备的第一区域的实际温度。

11.根据权利要求9或10所述的电子设备，其特征在于，

所述检测单元，包括：

检测模块，用于检测电子设备辐射的红外线，形成红外辐射检测参数；

第一确定模块，用于基于所述红外辐射检测参数确定所述实际温度。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

所述检测模块位于所述电子设备的壳体内，所述检测模块的红外线探测面朝向所述壳体。

13.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，

所述第二确定单元，具体用于依据所述温差形成超频控制指令；及将所述超频控制指令进行迟滞补偿处理，输出所述超频控制参数。

14.根据权利要求9、10或13所述的电子设备，其特征在于，

所述第二确定单元，具体用于基于所述温差，确定所述温差所在的温差区间；及基于所述温差区间，确定所述超频控制参数。

15.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，

所述第二确定单元，包括：

第二确定模块，用于确定所述实际温度所在温度区间；

第三确定模块，用于基于所述温度区间确定调整函数关系；

第四确定模块，用于基于所述温差，利用所述调整函数关系确定所述超频控制参数。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，

所述第四确定模块，具体用于当所述期望温度减去所述实际温度的所述温差大于第一阈值时，利用所述函数关系确定出正向增大所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差小于第二阈值时，利用所述函数关系确定出负向减小所述电子设备的工作频率的控制参数；当所述温差不大于所述第一阈值且不小于所述第二阈值时，保持所述电子设备工作频率不变；其中，所述第一阈值大于所述第二阈值。