CN106356413A - 一种薄晶体硅电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种薄晶体硅电池及其制备方法，其中，制备方法包括：步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。通过丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；再丝网印刷点状Ag电极、点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种薄晶体硅电池及其制备方法。
背景技术
基于晶体硅片材料的硅晶光伏技术在相当长的一段时间内都将保持光伏市场的主流地位，而进一步提高效率和降低成本，是光伏行业实现平价上网的必由之路。随着切割技术的飞速进步，晶体硅电池会越做越薄，这符合成本降低，技术发展的趋势，但硅片减薄过程中会使得硅片翘曲。
现有高效电池多为丝网全背场，但此方法造成薄晶体硅片电池翘曲，并且现有的钝化发射极电池多采用激光开槽工艺来打开背面钝化膜，完全开模后会对硅片造成不同程度的损伤，引起电池效率的降低，并且针对薄晶体硅的使用，激光开槽工艺会被放大。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄晶体硅电池及其制备方法，提高了短路电流密度、开路电压及电池效率，避免了激光开槽产生的损伤。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种薄晶体硅电池制备方法，包括：
步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；
步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；
步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；
步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；
步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；
步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；
步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
其中，所述完成正面磷掺杂的硅片的制作方法，包括：
步骤11，对硅片进行制绒，在所述硅片的表面形成金字塔绒面层；
步骤12，对制绒后的所述硅片进行正面磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤13，去除所述硅片表面的磷硅玻璃层。
其中，在所述步骤5和所述步骤6之间，还包括：
步骤51，对镀有所述Al2O3钝化层的硅片进行退火。
其中，在所述步骤6和所述步骤7之间，还包括：
步骤61，对所述硅片的正面镀SiNx膜。
其中，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，对所述硅片的正面常规印刷Ag电极。
其中，在所述步骤8之后，还包括：
步骤9，对所述硅片进行烧结。
其中，所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
其中，所述背面印刷点状B浆、所述背面印刷点状Ag电极和所述印刷点状Al电极为采用同一点状网版印刷。
除此之外，本发明实施例还提供了一种薄晶体硅电池，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极、背面SiNx膜、Al2O3钝化层和背面点状Al电极。
其中，所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
本发明实施例所提供的薄晶体硅电池及其制备方法，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明实施例提供的薄晶体硅电池制备方法，包括：
步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；
步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；
步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；
步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；
步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；
步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；
步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
本发明实施例还提供的薄晶体硅电池，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极、背面钝化层和背面点状Al电极。
所述薄晶体硅电池及其制备方法，通过先在背面丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；然后再丝网印刷点状Ag电极，在背面镀钝化层之后，再丝网印刷背面点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤，这种背面电极能有效降低p型电池片背面串联电阻，提高电池的填充因子，并且可用于薄晶体硅太阳电池，防止全铝背场引起硅片翘曲现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的薄晶体硅电池的制备方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；
图2为本发明实施例提供的薄晶体硅电池的制备方法的另一种具体实施方式的步骤流程示意图；
图3为本发明实施例提供的薄晶体硅电池的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述，现有高效电池多为丝网全背场，但此方法造成薄晶体硅片电池翘曲，并且现有的钝化发射极电池多采用激光开槽工艺来打开背面钝化膜，完全开模后会对硅片造成不同程度的损伤，引起电池效率的降低，并且针对薄晶体硅的使用，激光开槽工艺会被放大。
基于此，本发明实施例所提供了一种薄晶体硅电池制备方法，包括：
步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；
步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；
步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；
步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；
步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；
步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；
步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
本发明实施例还提供了一种薄晶体硅电池，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极、背面钝化层和背面点状Al电极。
综上所述，本发明实施例提供的薄晶体硅电池及其制备方法，通过先在背面丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；然后再丝网印刷点状Ag电极，在背面镀钝化层之后，再丝网印刷背面点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤，这种背面电极能有效降低p型电池片背面串联电阻，提高电池的填充因子，并且可用于薄晶体硅太阳电池，防止全铝背场引起硅片翘曲现象。
请参考图1-2，图1为本发明实施例提供的薄晶体硅电池的制备方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；图2为本发明实施例提供的薄晶体硅电池的制备方法的另一种具体实施方式的步骤流程示意图。
在一种具体实施方式中，所述薄晶体硅电池制备方法，包括：
步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；
步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；
步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；
步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；
步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；
步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；
步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
通过先在背面丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；然后再丝网印刷点状Ag电极，在背面镀钝化层之后，再丝网印刷背面点状Al电极，减少了激光开槽的工艺，避免了激光开槽产生的损伤，这种背面电极能有效降低p型电池片背面串联电阻，提高电池的填充因子，并且可用于薄晶体硅太阳电池，防止全铝背场引起硅片翘曲现象。
其中，所述完成正面磷掺杂的硅片的制作方法，包括：
步骤11，对硅片进行制绒，在所述硅片的表面形成金字塔绒面层；
步骤12，对制绒后的所述硅片进行正面磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤13，去除所述硅片表面的磷硅玻璃层。
在硅片的表面形成金字塔绒面层，增加了表面积，使得后续的丝网印刷正面Ag电极时具有更大的接触面，提高绒面层与正面电极的结合力。
由于在本发明中需要在背面制备两层不同的钝化层，由于不同的钝化层的结构不同，而且厚度都很薄，为提高前者与点状Ag电极的接触，在本发明中在制备完第一层钝化层之后进行了退火，即在所述步骤5和所述步骤6之间，还包括：
步骤51，对镀有所述Al2O3钝化层的硅片进行退火。
在完成背面钝化层的制备之后，再进行正面钝化层的制备以及正面电极的制备，具体过程如下：
在所述步骤6和所述步骤7之间，还包括：
步骤61，对所述硅片的正面镀SiNx膜。
在完成背面，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，对所述硅片的正面常规印刷Ag电极。
现有技术中一般在完成背面钝化层的制作之后需要开窗，使得钝化层两侧电极连接，但是在本发明中，由于使用点状丝网印刷技术，使用烧结的方式即可使得钝化层两侧的电极连接，即在所述步骤8之后，还包括：
步骤9，对所述硅片进行烧结。
本发明中对于点状印刷过程中，点状部分与总体的比例不做具体限定，一般所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
为降低工艺难度、减少制版的数量，使得接触良好，所述背面印刷点状B浆、所述背面印刷点状Ag电极和所述印刷点状Al电极为采用同一点状网版印刷。
需要说明的是，在发明的点状印刷过程中，对每个点的大小、位置分布以及数量不作具体限定。
除此之外，本发明实施例还提供了一种薄晶体硅电池，如图3所示，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层10、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极20、背面钝化层30和背面点状Al电极40。
需要说明的是，背面点状Ag电极20通过烧结穿过背面钝化层30连接，并与背面点状Al电极40在竖直方向的同一位置，即在竖直方向的投影相同。
由于所述薄晶体硅电池是使用上述的薄晶体硅电池的制备方法获得的，具有相同的有益效果，本发明在此不再赘述。
背面钝化层一般为Al2O3钝化膜和SiNx膜组成的钝化层。
其中，所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
综上所述，本发明实施例提供的薄晶体硅电池及其制备方法，通过先在背面丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；然后再丝网印刷点状Ag电极，在背面镀钝化层之后，再丝网印刷背面点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤，这种背面电极能有效降低p型电池片背面串联电阻，提高电池的填充因子，并且可用于薄晶体硅太阳电池，防止全铝背场引起硅片翘曲现象。
以上对本发明所提供的薄晶体硅电池及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；
步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；
步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；
步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；
步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；
步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；
步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
2.如权利要求1所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，所述完成正面磷掺杂的硅片的制作方法，包括：
步骤11，对硅片进行制绒，在所述硅片的表面形成金字塔绒面层；
步骤12，对制绒后的所述硅片进行正面磷扩散，形成磷硅玻璃层；
步骤13，去除所述硅片表面的磷硅玻璃层。
3.如权利要求2所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，在所述步骤5和所述步骤6之间，还包括：
步骤51，对镀有所述Al2O3钝化层的硅片进行退火。
4.如权利要求3所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，在所述步骤6和所述步骤7之间，还包括：
步骤61，对所述硅片的正面镀SiNx膜。
5.如权利要求4所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，对所述硅片的正面常规印刷Ag电极。
6.如权利要求5所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，在所述步骤8之后，还包括：
步骤9，对所述硅片进行烧结。
7.如权利要求6所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
8.如权利要求7所述的薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，所述背面印刷点状B浆、所述背面印刷点状Ag电极和所述印刷点状Al电极为采用同一点状网版印刷。
9.一种薄晶体硅电池，其特征在于，包括从上到下依次设置的正面Ag电极层、正面SiNx膜、完成正面磷掺杂背面点状B掺杂的硅片、背面点状Ag电极、背面钝化层和背面点状Al电极。
10.如权利要求9所述的薄晶体硅电池，其特征在于，所述硅片的背面点状Al电极与所述硅片的背面的面积比为3％～5％。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179100A (zh) * | 2007-01-17 | 2008-05-14 | 江苏林洋新能源有限公司 | 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法 |
| CN103066158A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-24 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法 |
| WO2013103141A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| CN103500774A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-08 | 南京航空航天大学 | 一种利用p型硅球作为硼源制备局部背场的方法 |
| CN206236682U (zh) * | 2016-09-06 | 2017-06-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种薄晶体硅电池 |
-
2016
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179100A (zh) * | 2007-01-17 | 2008-05-14 | 江苏林洋新能源有限公司 | 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法 |
| WO2013103141A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| CN103066158A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-24 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN103500774A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-08 | 南京航空航天大学 | 一种利用p型硅球作为硼源制备局部背场的方法 |
| CN206236682U (zh) * | 2016-09-06 | 2017-06-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种薄晶体硅电池 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170125 |
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