CN106340527A - 背照式图像传感器芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种背照式图像传感器芯片，所述背照式图像传感器芯片包括：至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区。通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头甚至多摄像头模组的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种背照式图像传感器芯片。
背景技术
传统的双摄像头主要有两种模组组合方式：
一种是一体结构，即一个线路板上同时封装两颗摄像头模组(每颗摄像头模组包括一个图像传感器芯片)，然后增加支架固定和校准，如荣耀6plus和华为P9。该结构对两颗摄像头模组的封装精密度要求较高，需要高精密的封装设备，对两颗摄像头模组的偏移度、光轴倾斜度控制极高，需要通过特殊的硬件材料如高平整度的线路板、坚固的底座、消磁的马达，也需要特殊的封装工艺来完成。这种方案硬件成本高、设备投入大、图像合成效果丰富。
另一种是分体结构，即将两颗摄像头模组(每颗摄像头模组包括一个图像传感器芯片)分别安装在两个独立的PCB板(Printed Circuit Board，印刷电路板)上，如HTC OneM8手机采用的方式。这种方案对组装精密度要求相对较低，不需要投入高精密设备，硬件上也只增加了固定支架，生产工序也只增加了摄像头模组校准和支架固定。该方案硬件成本低，生产设备投资小，但图像合成的效果少。
这两种方案在解决两颗摄像头模组相对位置、光轴倾斜度偏移上需要增加模组工艺的成本，在使用时一旦两者偏移容易出现跑焦的问题。并且由于两颗摄像头模组(也即两个图像传感器)相互独立，双摄像头的集成度和运算速度也有待提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种背照式图像传感器芯片，以解决现有的双摄像头方案在解决两颗摄像头模组相对位置、光轴倾斜度偏移上需要增加模组工艺的成本的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种背照式图像传感器芯片，所述背照式图像传感器芯片包括：至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，所述逻辑区的数量为一个，所述像素区的数量为多个，一个所述逻辑区负责多个所述像素区的信号处理。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，多个所述像素区的像素结构全部相同、全部不同或者部分相同部分不同。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，所述像素结构包括像素数量和/或像素色彩。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，所述逻辑区的形状为多边体，所述逻辑区的侧面数量大于等于所述像素区的数量，一个像素区与所述逻辑区的一个侧面贴合。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，所述逻辑区的形状为圆柱体。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，所述逻辑区的数量为多个，所述像素区的数量为多个，所述像素区的数量与所述逻辑区的数量相同，每一个逻辑区负责一个像素区的信号处理。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，多个所述像素区的像素结构全部相同、全部不同或者部分相同部分不同。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，每个逻辑区的形状均为长方体，多个逻辑区合在一起的形状也为长方体。
可选的，在所述的背照式图像传感器芯片中，每个逻辑区的一个侧面贴合一个像素区，每个逻辑区的另外三个侧面为自由面或者贴合一个逻辑区。
在本发明提供的背照式图像传感器芯片中，所述背照式图像传感器芯片包括：至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区，即通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头甚至多摄像头模组的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
附图说明
图1是本发明实施例一的背照式图像传感器芯片的俯视示意图；
图2是本发明实施例二的背照式图像传感器芯片的俯视示意图；
图3是本发明实施例三的背照式图像传感器芯片的俯视示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的背照式图像传感器芯片作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
【实施例一】
请参考图1，其为本发明实施例一的背照式图像传感器芯片的俯视示意图。如图1所示，在本申请实施例一中，所述背照式图像传感器芯片1包括一个逻辑区10，以及位于所述逻辑区10侧的两个像素区，在此分别为第一像素区11a及第二像素区11b。在此，通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
具体的，所述逻辑区10负责所述第一像素区11a及所述第二像素区11b的信号处理。其中，所述信号处理包括信号的转换、信号的合成等。
进一步的，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素结构可以相同也可以不相同。其中，所述像素结构包括像素数量和/或像素色彩等。例如，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素数量相同且均采用彩色像素；又如，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素数量不相同，所述第一像素区11a采用高像素，所述第二像素区11b采用低像素，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b均采用彩色像素；再如，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素数量不相同，所述第一像素区11a采用高像素，所述第二像素区11b采用低像素，同时，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素色彩也不相同，所述第一像素区11a采用彩色像素，所述第二像素区11b采用黑白像素。通过所述第一像素区11a和所述第二像素区11b的像素结构相同或者不相同，可以实现不同的双摄像头功能。例如，当第一像素区11a采用高像素，第二像素区11b采用低像素时，可以使第一像素区11a作为主摄像头的芯片，负责拍摄，第二像素区11b作为副摄像头的芯片，负责测算景深范围；又如，当第一像素区11a和第二像素区11b的像素数量相同且均采用彩色像素时，所述第一像素区11a和所述第二像素区11b均可以作为主摄像头的芯片，负责拍摄。
在本申请实施例中，所述逻辑区10的形状为长方体，第一像素区11a和第二像素区11b分别贴合于所述逻辑区10的两个侧面。在本申请的其他实施例中，所述逻辑区10的形状还可以为其他多边体，例如三棱柱、五边体等，在此，所述逻辑区10的侧面数量大于等于所述像素区的数量，一个像素区与所述逻辑区的一个侧面贴合。此外，所述逻辑区10的形状也可以为圆柱体，此时，所述像素区与所述逻辑区10贴合的侧面可以为弧形面，从而实现所述逻辑区与所述像素区很好的贴合。
【实施例二】
请参考图2，其为本发明实施例二的背照式图像传感器芯片的俯视示意图。如图2所示，在本申请实施例二中，所述背照式图像传感器芯片2包括两个逻辑区，分别为第一逻辑区20a及第二逻辑区20b，以及位于所述逻辑区侧的两个像素区，在此分别为第一像素区21a及第二像素区21b。在此，通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
具体的，所述第一逻辑区20a负责所述第一像素区21a的信号处理，所述第二逻辑区20b负责所述第二像素区21b的信号处理。其中，所述信号处理包括信号的转换、信号的合成等。
进一步的，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素结构可以相同也可以不相同。其中，所述像素结构包括像素数量和/或像素色彩等。例如，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素数量相同且均采用彩色像素；又如，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素数量不相同，所述第一像素区21a采用高像素，所述第二像素区21b采用低像素，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b均采用彩色像素；再如，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素数量不相同，所述第一像素区21a采用高像素，所述第二像素区21b采用低像素，同时，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素色彩也不相同，所述第一像素区21a采用彩色像素，所述第二像素区21b采用黑白像素。通过所述第一像素区21a和所述第二像素区21b的像素结构相同或者不相同，可以实现不同的双摄像头功能。例如，当第一像素区21a采用高像素，第二像素区21b采用低像素时，可以使第一像素区21a作为主摄像头的芯片，负责拍摄，第二像素区21b作为副摄像头的芯片，负责测算景深范围；又如，当第一像素区21a和第二像素区21b的像素数量相同且均采用彩色像素时，所述第一像素区21a和所述第二像素区21b均可以作为主摄像头的芯片，负责拍摄。
在本申请实施例中，所述第一逻辑区20a和所述第二逻辑区20b的形状均为长方体，所述第一逻辑区20a和所述第二逻辑区20b合在一起的形状也为长方体。其中，所述第一像素区21a贴合所述所述第一逻辑区20a的一个侧面，所述第二像素区21b贴合所述第二逻辑区20b的一个侧面，所述第一逻辑区20a的另一个侧面和所述第二逻辑区20b的另一个侧面贴合。即，在本申请实施例中，所述第一逻辑区20a和所述第二逻辑区20b还各有两个自由面。
【实施例三】
请参考图3，其为本发明实施例三的背照式图像传感器芯片的俯视示意图。如图3所示，在本申请实施例三中，所述背照式图像传感器芯片3包括四个逻辑区，分别为第一逻辑区30a、第二逻辑区30b、第三逻辑区30c以及第四逻辑区30d，以及位于所述逻辑区侧的四个像素区，在此分别为第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d。在此，通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现四摄像头模组的功能，不仅解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度，而且还实现了更多摄像头模组的功能。
具体的，所述第一逻辑区30a负责所述第一像素区31a的信号处理，所述第二逻辑区30b负责所述第二像素区31b的信号处理，所述第三逻辑区30c负责所述第三像素区31c的信号处理，所述第四逻辑区30d负责所述第四像素区31d的信号处理。其中，所述信号处理包括信号的转换、信号的合成等。
进一步的，所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d的像素结构可以全部相同、可以全部不相同、也可以部分相同部分不相同。其中，所述像素结构包括像素数量和/或像素色彩等。例如，所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d的像素数量全部相同且均采用彩色像素；又如，所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d的像素数量部分相同部分不相同，所述第一像素区31a和所述第二像素区31b采用高像素(像素数相同)，所述第三像素区31c和所述第四像素区31d采用低像素(像素数相同)，所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d均采用彩色像素；再如，所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d的像素数量全部不相同，所述第一像素区31a采用高像素，所述第二像素区31b采用次高像素，所述第三像素区31c采用次低像素，所述第四像素区31d采用低像素，同时，所述第一像素区31a和所述第二像素区31b可采用彩色像素，所述第三像素区31c和所述第四像素区31d可采用黑白像素。通过所述第一像素区31a、第二像素区31b、第三像素区31c以及第四像素区31d的像素结构全部相同、全部不相同或者部分相同部分不相同，可以实现不同的多摄像头组合功能。
此外，需说明的是，本发明的背照式图像传感器芯片(包括背照式图像传感器芯片1、背照式图像传感器芯片2及背照式图像传感器芯片3)中的逻辑区和像素区均可以通过现有的工艺形成。
综上可见，在本发明实施例提供的背照式图像传感器芯片中，所述背照式图像传感器芯片包括：至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区，即通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头甚至多摄像头模组的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述背照式图像传感器芯片包括：至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述逻辑区的数量为一个，所述像素区的数量为多个，一个所述逻辑区负责多个所述像素区的信号处理。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，多个所述像素区的像素结构全部相同、全部不同或者部分相同部分不同。
4.如权利要求3所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述像素结构包括像素数量和/或像素色彩。
5.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述逻辑区的形状为多边体，所述逻辑区的侧面数量大于等于所述像素区的数量，一个像素区与所述逻辑区的一个侧面贴合。
6.如权利要求2所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述逻辑区的形状为圆柱体。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，所述逻辑区的数量为多个，所述像素区的数量为多个，所述像素区的数量与所述逻辑区的数量相同，每一个逻辑区负责一个像素区的信号处理。
8.如权利要求7所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，多个所述像素区的像素结构全部相同、全部不同或者部分相同部分不同。
9.如权利要求7所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，每个逻辑区的形状均为长方体，多个逻辑区合在一起的形状也为长方体。
10.如权利要求9所述的背照式图像传感器芯片，其特征在于，每个逻辑区的一个侧面贴合一个像素区，每个逻辑区的另外三个侧面为自由面或者贴合一个逻辑区。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170118 |