CN106339519A - 一种双重版图的设计方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种双重版图的设计方法，包括：提供分解版图；将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；调整热点区域中图形的尺寸和/或间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域；将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。该方法在设计过程中优化拆分，避免前期拆分不当产生设计缺陷而导致的反复拆分，简化设计并提高设计效率。

Description

一种双重版图的设计方法及系统

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种双重版图的设计方法。

背景技术

随着集成电路特征尺寸的不断缩小，传统的193nm单次曝光技术难以用于22nm以下图形的光刻，单次曝光光刻达到了分辨率极限，光刻问题成为研究的重点。

目前，双重版图技术(DPL，Double Pattering Lithography)成为进一步缩小光刻尺寸的首选，双重版图技术是将一套高密度的电路图形分解成两套分立的、相对低密度的图形，并分别进行成像和刻蚀，从而将高密度的图形转移到目标晶圆上。

在版图的拆分的过程中，将初始设计的版图按照拆分规则，将版图拆分为不存在冲突的两张版图，由于拆分规则为人为预先设定的规则，在拆分后，并不会完全符合设计要求，只有进行后期的仿真优化时，才能侦测到存在设计缺陷的热点区域，这样，就不得不重新进行设定规则，并进行拆分，需要反复的拆分和仿真，使得设计变得复杂且周期长。

发明内容

本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，提供一种双重版图的设计方法和系统，提高设计效率。

为此，本发明提供了如下技术方案：

一种双重版图的设计方法，包括：

提供分解版图；

将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；

调整热点区域中图形的尺寸和/或间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域；

将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；

将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

在获得光源优化分解版图后，还包括：

对光源优化分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

在获得光源优化分解版图后，还包括：

S06，对分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

还包括：

S07，进行分解版图的掩膜优化，获得优化掩膜版；

S08，对优化掩膜版进行可制造性仿真，若可制造仿真结果满足设计要求，则停止设计，若出现缺陷，则进入步骤S09；

S09，对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域以及OPC成像缺陷区域分别进行参数的调整，以消除成像缺陷区域并获得满足设计要求的仿真结果；

S10，将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库；

S11，按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域分解版图；以及，将缺陷区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图；

重复步骤S02-S11，直至可制造仿真结果满足设计要求。

步骤S09具体包括：

对线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

对OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

若OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷，则调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距，并进行可制造性仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中的步骤包括：

将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中；

将OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，满足设计要求时设定的图形的尺寸和/或间距更新至规则库中。

至少包括热点区域的版图部分为热点区域数倍光学相干半径范围内的版图部分；至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径范围内的版图部分。

本发明还提供了一种双重版图的设计系统，包括：

分解版图提供模块，用于提供分解版图；

热点区域获取模块，用于将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；

光源优化仿真模块，用于调整热点区域中图形的尺寸和/间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域，并将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

热点区域分解版图获取模块，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；

热点区域更新模块，用于将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

还包括：光源获取模块，用于对更新的分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

还包括：

优化掩膜版获取模块，用于进行分解版图的掩膜优化，获得优化掩膜版；

可制造性仿真模块，用于对优化掩膜版进行可制造性仿真；

参数调整模块，用于对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域以及OPC成像缺陷区域分别进行参数的调整，以消除成像缺陷区域并获得满足设计要求的仿真结果，并将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库；

缺陷区域更新模块，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域分解版图；以及，将缺陷区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

参数调整模块包括：

线端补偿调整单元，用于对线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC调整单元，用于对OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC成像缺陷优化模块，用于OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距，并进行可制造性仿真，以使得仿真结果满足设计要求；并将仿真结果满足设计要求时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

参数调整模块中将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中包括：将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中；将OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，满足设计要求时设定的图形的尺寸和/或间距更新至规则库中。

至少包括热点区域的版图部分为热点区域数倍光学相干半径范围内的版图部分；至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径范围内的版图部分。

本发明实施例提供的双重版图的设计方法及系统，在对原始版图进行拆分之后，对拆分后的原始分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，并对限制重叠工艺窗口的热点区域进行优化仿真，将优化仿真中的设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，而后以更新的规则库对热点区域进行再次的拆分，获得更为更新的分解版图，这样，在设计过程中充分考虑完善规则库，在设计过程中优化拆分，避免前期拆分不当产生设计缺陷而导致的反复拆分，简化设计并提高设计效率。

更进一步的，在获得更新的分解版图之后，进行掩膜优化设计，在优化设计过程中，进一步完善规则库，在优化设计过程中进一步优化拆分，提供更为优化的分解版图，进一步提高设计的精确性和设计效率。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本发明实施例的双重版图的设计方法的流程示意图；

图2为根据本发明实施例的原始版图的示意图；

图3为根据本发明实施例的原始版图拆分后的原始分解版图的示意图；

图4为根据本发明实施例的设计系统的结构示意图；

图5为根据本发明实施例的设计系统的掩膜版优化的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

参考图1所示，本发明提出了一种双重版图的设计方法，该方法包括：

在步骤S01，提供分解版图。

在本发明中所述分解版图可以为原始版图经过拆分后的分解版图。原始版图为已经设计好电路图形的版图，如图2所示，原始版图中具有较高密度的图形20。

按照预定规则库中的拆分原则，将原始版图进行拆分，获得分解版图，如图3所示。预定规则库中包含基本的拆分规则，如两图形之间的最小间距、最小节距以及拐角至拐角的最小距离等。根据不同的工艺尺寸和设计要求，设定不同的拆分规则，在一个具体的实施例中，最小间距设定为45nm，最小节距设定为85nm，拐角至拐角最小距离设定为45nm。

在该拆分规则下，将原始版图进行拆分，即将原始的设计好的图形密度较高的版图拆分为两张版图，拆分过程通常包括以下的步骤：

首先，在拆分原则下查找原始版图中的冲突图形，冲突图形为图形间的距离小于拆分原则中设定距离的一对图形，而后，根据冲突图形查找冲突环路，冲突环路为图形数为奇数的图形环路，而后，消除冲突环路，以的得到没有冲突的两套掩膜版，即原始分解版图，如图3所示，该原始分解版图为两套版图，第一套版图包括第一图形21(图3中浅色图形)，第二套版图包括第二图形22(图3中深色图形)。

在消除冲突环路时，通常采用切割的方式消除冲突环路，即违反拆分规则的冲突图形组成了奇数周期的冲突环路，通过将冲突环路中冲突图形变为偶数周期，从而消除冲突环路。

而对于无法使用切割消除的冲突，进一步可以采用更改设计的方式来解决，即通过更改设计，将冲突图形为奇数周期的冲突环路中的冲突减少一个，从而变为偶数周期的冲突环路。在更改设计时，需要有优先级的操作，同时考虑相邻的上下层的设计图形的影响，尽量避免增大修改面积，同时不能改变器件的电学性能，在具体操作时，通常采用以下两种方法：一是通过移动图形或改变图形尺寸来增加奇数周期中相邻图形间的间距，使其不再违反拆分规则；二是通过补图形的方法，将原本相邻的两个图形合并为一个，从而消除奇数周期。对于冲突环路的消除，需要反复进行，直到获得无冲突的拆分结果，得到包括两套掩膜版的原始分解版图。对于无法消除的冲突环路，可以进行更改设计的操作，并将更改的图形结构所对应的解决方案中的图形的尺寸和/间距等更新到拆分规则库中。

至此，完成了本实施例的原始版图的拆分，获得了原始版图的分解版图，此外，该分解版图也可以为经过优化后的分解版图。由于拆分规则的完善性等原因，拆分后的版图在应用中仍然会存在曝光缺陷等问题，为此，本发明通过进行如下步骤，将优化仿真中的设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，而后以更新的规则库对热点区域进行再次的拆分，获得更为优化的分解版图，这样，在设计过程中充分考虑完善规则库，在设计过程中优化拆分，避免前期拆分不当产生设计缺陷而导致的反复拆分，简化设计并提高设计效率。

在步骤S02，将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域。

在该步骤中，进了光源仿真，即光源掩膜协同优化仿真，若该仿真结果满足设计要求，则直接进入后续的掩膜优化步骤，若没有通过，对于仿真中出现的热点区域进行参数的调整。

对于拆分后的分解版图，进行光源掩膜协同优化仿真，即SMO仿真，在该优化仿真中，确定光源，使得参与优化的图形单元的重叠工艺窗口(PW)、光罩错误增强因子(MEEF)、归一化像边缘对数斜率(NILS)等衡量光刻性能的工艺参数达到最优，其中，光源是对拆分后的原始分解版图中的关键图形进行循环计算得到的，计算中考虑实际工艺条件做出的让步，如工艺成本及工艺复杂度等。

在进行光源掩膜协同优化仿真之后，输出仿真结果，对于限制重叠工艺窗口的图形结构，通常是潜在存在缺陷的区域，可以先对该部分图形结构单独进行必要的优化仿真条件的调整，如调整曝光工艺条件、光源类型以及偏振态等参数，若调整后，该部分图形结构仍然不能够满足工艺窗口的要求，则认为该限制重叠工艺窗口为热点区域，将进一步对该热点区域进行设计调整。

在步骤S03，调整热点区域中图形的尺寸和/或间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，直至热点区域消除；

在参数调整的步骤中，将热点区域中图形的尺寸和/或间距进行调整，可以每间隔一定尺寸微调一次，如0.5nm的间隔，改变后，重新进行光源掩膜协同优化仿真，直至热点区域消除，即热点区域能够满足工艺窗口的要求。

在步骤S04，将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库。

在热点区域消除时，即热点区域能够满足工艺窗口的要求时，此时设定的图形的尺寸和/间距作为新的规则，添加至规则库中，从而，获得更新的规则库。

在步骤S05，按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图，并将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

在该步骤中，采用更新的规则库对热点区域进行验证，在验证中，优选热点区域的数倍光学相干半径范围内的图形进行拆分，确保热点区域相邻区域的设计也能满足设计要求。

该热点区域的版图部分为原始版图的部分，即包括了该热点区域的所有图形，而非拆分后的图形，对该热点区域的采用更新后的规则库重新进行拆分，从而获得该热点区域分解版图。

若在拆分过程中，存在无法解决的冲突，可以进行更改设计的操作，并将更改的图形结构所对应的解决方案中的图形的尺寸和/间距等更新到拆分规则库中。

而后，将获得的光源优化分解版图替换到原始分解版图的相同位置处，获得更为优化的更新的分解版图。

而后，在步骤S06，可以对光源优化分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

在获得所需的光源之后，还可以在该光源优化分解版图上继续对分解版图完成掩膜版优化，在掩膜优化的过程中进一步完善拆分规则库，掩膜版优化通常包括步骤：对分解版图进行掩膜优化，获得优化掩膜版；而后，对优化掩膜版进行可制造性仿真，若出现缺陷，则对成像缺陷区域进行参数的调整，以使得仿真结果满足设计要求。在本发明实施例中，将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库，并按照更新的规则库中的拆分原则，对成像缺陷区域的版图部分重新进行拆分，并将重新拆分后的版图更新到分解版图中，并对更新的分解版图再次进行验证。在本实施例中，具体包括以下步骤：

在步骤S07，进行光源优化分解版图的掩膜优化，掩膜优化包括线端补偿(Stitch)和光学临近效应校正(OPC)，线端补偿主要是对分割后的图形的线端进行补偿，这样，获得线端优化的掩膜版，在该线端优化的掩膜版的基础上，进一步进行OPC的掩膜优化，从而获得符合光罩规则检查(MRC)的两张优化掩膜版。在确定光源之后，在优化后的光源的光照条件下进行掩膜优化，获得优化掩膜版。

在步骤S08，对优化掩膜版进行可制造性仿真。

在可制造性仿真(LMC)中，模拟成像轮廓，对关键尺寸(CD)均匀性，是否会出现桥联、颈缩等曝光问题，以及对切割补偿部分是否在两掩膜版交汇处出现成像误差等问题进行检测。

在可制造性仿真中，若仿真结果满足设计要求，则停止设计工作，进一步，可以将获得的优化掩膜版进行制版。

在可制造性仿真之后，若出现缺陷区域，则在步骤S09，进行参数的调整，具体的，首先，对出现线端补偿缺陷的区域进行参数的调整，该缺陷出现在切割区域，对线端补偿的成像缺陷区域，调整线端补偿的参数，如补偿的尺寸参数，在调整后进行可制造性仿真，通过反复调整和仿真，消除线端补偿的成像缺陷。具体的，对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，在调整中设定不同的线端补偿的尺寸参数，并进行可制造性仿真，直到仿真结果满足设计要求，从而，消除线端补偿的成像缺陷。

同时，可以将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中，获得再次更新的规则库，获取更新的规则库，便于提供更为优化的拆分规则，提高设计的精确性和设计效率。若无法消除线端补偿的成像缺陷，则需要通过其他方式来消除成像缺陷，本实施例中，可以采用重新更改切割位置的方法，重新切割时，选取线端补偿成像缺陷区域数倍光学半径范围内的版图部分，进行重新切割，重新切割后，需要对该区域重新进行可制造性仿真的测试。若通过重新切割仍无法消除线端补偿的成像缺陷，则对该线端补偿的成像缺陷区域中的图形的尺寸和/或间距进行调整，并进行可制造性检测仿真，根据仿真结果，选择最优的切割方式，并将该切割方式下设定的图形的尺寸和/或间距以及切割位置更新至规则库，并按照更新的规则库中的拆分规则，将线端补偿的成像缺陷区域数倍光学半径范围内的版图部分进行重新拆分，获得线端补偿缺陷区域分解版图，并将该部分的分解版图更新至分解版图中。

接着，对可制造性仿真中出现的OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以消除OPC成像缺陷。

对可制造性仿真中出现的OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以消除OPC成像缺陷，调整中设定不同的OPC的设计参数，并进行仿真，从而，消除OPC的成像缺陷。若在线端优化及OPC的缺陷区域的参数调整中，成像缺陷都消失了，获得了预期的仿真结果，则，此时的优化参数下的掩膜版为所需的两张优化的掩膜版。

若在调整OPC参数之后，若仍然存在无法消除成像缺陷的区域，则调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距进行可制造性仿真，直到仿真结果满足设计要求。

同时，将仿真结果满足预定要求时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库。

在仿真调试的过程中，将满足仿真要求时设定的参数，更新至规则库中，进一步获得更为优化的规则库，使得后续拆分和验证中采用的规则更为精准、合理。

而后，按照再次更新的规则库中的拆分规则，对至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域的分解版图。

本实施例中，至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径内的版图部分。按照更新的规则库进行进一步的拆分，使得拆分规则更为精准、合理，获得更为优化的分解版图。

对于无法实现拆分的版图，可以进行更改设计的操作，并将更改的图形结构所对应的解决方案中的图形的尺寸和/间距等更新到拆分规则库中。

而后，将缺陷区域分解版图更新至分解版图。

由于对局部版图进行了重新的拆分，需要对拆分的结果继续进行验证，如进行光源掩膜协同优化仿真和可制造性仿真等。本实施例中，重复进行步骤S2至S10，直至获得需要的仿真结果，即光源掩膜协同优化仿真后不存在不能接受的限制重叠工艺窗口区域，可制造性仿真中不存在不能接受的成像缺陷。这样，获得了两张优化的掩膜版，以及不断优化的规则库，该规则库还可以用于具有同样设计节点的其他版图的版图设计中，简化设计并提高设计效率。

此外，本发明还提供了与上述方法对应的设计系统，参考图5所示，该双重版图的设计系统包括：

分解版图提供模块101，用于提供分解版图；

热点区域获取模块102，用于将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；

光源优化仿真模块103，用于调整热点区域中图形的尺寸和/间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域，并将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

热点区域分解版图获取模块104，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；

热点区域更新模块105，用于将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

进一步的，还包括：光源获取模块，用于对更新的分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

还包括：

优化掩膜版获取模块，用于进行分解版图的掩膜优化，获得优化掩膜版；

可制造性仿真模块，用于对优化掩膜版进行可制造性仿真；

参数调整模块，用于对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域以及OPC成像缺陷区域分别进行参数的调整，以消除成像缺陷区域并获得满足设计要求的仿真结果，并将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库；

缺陷区域更新模块，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域分解版图；以及，将缺陷区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

参数调整模块包括：

线端补偿调整单元，用于对线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC调整单元，用于对OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC成像缺陷优化模块，用于OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距，并进行可制造性仿真，以使得仿真结果满足设计要求；并将仿真结果满足设计要求时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

参数调整模块中将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中包括：将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中；将OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，满足设计要求时设定的图形的尺寸和/或间距更新至规则库中。

进一步地，至少包括热点区域的版图部分为热点区域数倍光学相干半径范围内的版图部分；至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径范围内的版图部分。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个仿真窗口上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种双重版图的设计方法，其特征在于，包括：

S01，提供分解版图；

S02，将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；

S03，调整热点区域中图形的尺寸和/或间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域；

S04，将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

S05，按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；以及，将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，在获得光源优化分解版图后，还包括：

S06，对分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

3.根据权利要求2所述的设计方法，其特征在于，还包括：

S07，进行分解版图的掩膜优化，获得优化掩膜版；

S08，对优化掩膜版进行可制造性仿真，若可制造仿真结果满足设计要求，则停止设计，若出现缺陷，则进入步骤S09；

S09，对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域以及OPC成像缺陷区域分别进行参数的调整，以消除成像缺陷区域并获得满足设计要求的仿真结果；以及将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库；

S10，按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域分解版图；以及，将缺陷区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图；

重复步骤S02-S10，直至可制造仿真结果满足设计要求。

4.根据权利要求3所述的设计方法，其特征在于，步骤S09具体包括：

对线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；并将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中；

对OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

若OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷，则调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距，并进行可制造性仿真，以使得仿真结果满足设计要求；并将OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，满足设计要求时设定的图形的尺寸和/或间距更新至规则库中。

5.根据权利要求4所述的设计方法，其特征在于，至少包括热点区域的版图部分为热点区域数倍光学相干半径范围内的版图部分；至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径范围内的版图部分。

6.一种双重版图的设计系统，其特征在于，包括：

分解版图提供模块，用于提供分解版图；

热点区域获取模块，用于将分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，获得限制重叠工艺窗口的热点区域；

光源优化仿真模块，用于调整热点区域中图形的尺寸和/间距，并进行光源掩膜协同优化仿真，以消除热点区域，并将热点区域消除时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

热点区域分解版图获取模块，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括热点区域的版图部分的图形进行拆分，获得热点区域分解版图；

热点区域更新模块，用于将热点区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

7.根据权利要求6所述的设计系统，其特征在于，还包括：光源获取模块，用于对更新的分解版图进行光源掩膜协同优化仿真，直至获得所需的光源。

8.根据权利要求7所述的设计系统，其特征在于，还包括：

优化掩膜版获取模块，用于进行分解版图的掩膜优化，获得优化掩膜版；

可制造性仿真模块，用于对优化掩膜版进行可制造性仿真；

参数调整模块，用于对可制造性仿真中出现的线端补偿成像缺陷区域以及OPC成像缺陷区域分别进行参数的调整，以消除成像缺陷区域并获得满足设计要求的仿真结果，并将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中，获得再次更新的规则库；

缺陷区域更新模块，用于按照更新的规则库中的拆分规则，对至少包括成像缺陷区域的版图部分的图形进行拆分，获得缺陷区域分解版图；以及，将缺陷区域分解版图更新至原始分解版图，获得更新的分解版图。

9.根据权利要求8所述的设计系统，其特征在于，

参数调整模块包括：

线端补偿调整单元，用于对线端补偿成像缺陷区域进行线端补偿参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC调整单元，用于对OPC成像缺陷区域进行OPC参数的调整及仿真，以使得仿真结果满足设计要求；

OPC成像缺陷优化模块，用于OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，调整OPC成像缺陷区域中图形的尺寸和/或间距，并进行可制造性仿真，以使得仿真结果满足设计要求；并将仿真结果满足设计要求时设定的图形的尺寸和/间距添加至规则库中，获得更新的规则库；

参数调整模块中将满足设计要求时的相关参数更新至规则库中包括：将线端补偿成像缺陷消除时设定的线端补偿参数添加至规则库中；将OPC参数调整中存在无法消除成像缺陷时，满足设计要求时设定的图形的尺寸和/或间距更新至规则库中。

10.根据权利要求9所述的设计系统，其特征在于，至少包括热点区域的版图部分为热点区域数倍光学相干半径范围内的版图部分；至少包括OPC成像缺陷区域的版图部分为OPC成像缺陷区域数倍光学相干半径范围内的版图部分。