CN106324895A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法,涉及显示技术领域,可使液晶显示面板的盒厚均匀。该显示面板包括对盒设置的第一衬底和第二衬底;所述第一衬底和所述第二衬底之间设置有金属层、黑矩阵和隔垫物;所述隔垫物、所述黑矩阵和所述金属层中,任意两者在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠;在任意所述隔垫物对应位置处,沿垂直所述第一衬底的方向,所述隔垫物、所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。用于显示面板的制备。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)具有低辐射、体积小及低耗能等优点,被广泛地应用在平板电脑、电视或手机等电子产品中。
液晶显示面板包括阵列基板和对盒基板、以及位于二者之间的液晶层。阵列基板包括金属层,其一般通过磁控溅射(Sputter)来进行金属成膜。即,使通过射频或者直流电压形成的等离子体(Plasma)内具有高能的带电离子,以使所述带电离子撞击金属靶材表面,将靶材粒子从表面撞击出来,从而沉积到基板表面形成金属薄膜。
其中,如图1所示,由于磁控溅射使用的金属靶材一般采用多个条状金属靶材101拼接而成,且与玻璃基板20呈中心对应(将玻璃基板20旋转180o后,与旋转前玻璃基板20和金属靶材10的对应位置完全重合)。
在磁控溅射过程中金属靶材表面撞击出来的粒子在金属靶材中心区102和金属靶材拼接区103必然存在粒子分布差异,表现为金属靶材中心区102和金属靶材拼接区103的金属膜厚差异,导致玻璃基板20上沉积的金属薄膜的厚度呈周期分布,从而导致对盒后的液晶显示面板的盒厚也呈周期性变化,即盒厚不均匀(如图2所示)。其中,盒厚较厚的位置处色温偏小,偏暖色,盒厚较薄的位置处色温偏大,偏冷色,导致在显示面板显示时呈现颜色上的周期分布,严重影响液晶显示面板的画面质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法,可使液晶显示面板的盒厚均匀。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种显示面板,包括对盒设置的第一衬底和第二衬底;所述第一衬底和所述第二衬底之间设置有金属层、黑矩阵和隔垫物;所述隔垫物、所述黑矩阵和所述金属层中,任意两者在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠;在任意所述隔垫物对应位置处,沿垂直所述第一衬底的方向,所述隔垫物、所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
优选的,所述隔垫物的厚度均相同;在任意所述隔垫物对应位置处,所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
进一步优选的,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,所述金属层的厚度不相同;其中,所述第一区域和所述第二区域交替排布;对应所述第一区域和所述第二区域,所述黑矩阵的厚度不相同。
优选的,所述金属层设置在所述第一衬底上;所述黑矩阵和所述隔垫物设置在所述第二衬底上。
基于上述,可选的,所述金属层包括栅金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线;所述隔垫物与所述栅线在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
或者,可选的,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线;所述显示面板上还设置有栅绝缘层和有源层,所述栅极、所述栅绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极构成TFT;所述隔垫物与所述TFT在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
或者,可选的,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极、数据线和辅助图案;所述辅助图案与所述栅线对应;所述隔垫物与所述辅助图案在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
另一方面,提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括对盒的第一衬底和第二衬底;在第一衬底和第二衬底之间有形成金属层、黑矩阵和隔垫物;其中,所述金属层通过磁控溅射工艺和构图工艺形成;所述隔垫物、所述黑矩阵和所述金属层中,任意两者在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠;在任意所述隔垫物对应位置处,沿垂直所述第一衬底的方向,所述隔垫物、所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
优选的,所述隔垫物的厚度均相同;在任意所述隔垫物对应位置处,通过控制形成所述黑矩阵的厚度,使所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
进一步优选的,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,所述金属层的厚度不相同;其中,所述第一区域和所述第二区域交替排布;基于此,形成所述黑矩阵包括:采用涂覆工艺形成黑矩阵薄膜;其中,通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应所述第一区域和所述第二区域的所述黑矩阵薄膜的厚度不相同;采用掩模板对所述黑矩阵薄膜进行曝光,显影后形成所述黑矩阵。
优选的,所述金属层在所述第一衬底上形成;所述黑矩阵和所述隔垫物均在所述第二衬底上形成。
基于上述,可选的,所述金属层包括栅金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线;所述隔垫物与所述栅线在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
或者,可选的,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线;所述显示面板中还形成有栅绝缘层和有源层,所述栅极、所述栅绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极构成TFT;所述隔垫物与所述TFT在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
或者,可选的,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极、数据线和辅助图案;所述辅助图案与所述栅线对应;所述隔垫物与所述辅助图案在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,通过在第一衬底和第二衬底之间设置黑矩阵、隔垫物和金属层,并使在任意隔垫物对应的位置处,黑矩阵、隔垫物和金属层的厚度和相等,可使显示面板的盒厚均匀,从而可以提高显示面板的画面质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中使用金属靶材进行金属成膜的示意图;
图2为现有技术中液晶显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4(a)为本发明实施例提供的一种黑矩阵薄膜的俯视示意图;
图4(b)为图4(a)中AA′向的截面示意图;
图5为本发明实施例提供的一种在第二衬底上设置黑矩阵、彩色滤光层和隔垫物的示意图;
图6(a)为本发明实施例提供的一种隔垫物与栅线对应的显示面板的结构示意图;
图6(b)为本发明实施例提供的一种第一衬底上各膜层的俯视示意图一;
图7为本发明实施例提供的一种隔垫物与TFT对应的显示面板的结构示意图;
图8(a)为本发明实施例提供的一种隔垫物与辅助图案对应的显示面板的结构示意图;
图8(b)为本发明实施例提供的一种第一衬底上各膜层的俯视示意图二。
附图标记:
01-第一区域;02-第二区域;10-金属靶材;101-条状金属靶材;102-金属靶材中心区;103-金属靶材拼接区;20-玻璃基板;30-第一衬底;40-第二衬底;50-金属层;501-栅极;502-栅线;503-源极;504-漏极;505-数据线;506-栅绝缘层;507-有源层;508-辅助图案;60-黑矩阵;601-黑矩阵薄膜;70-隔垫物;81-第一基色滤光图案;82-第二基色滤光图案;83-第三基色滤光图案;91-像素电极;92-公共电极;100-钝化层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板,如图3所示,包括对盒设置的第一衬底30和第二衬底40;第一衬底30和第二衬底40之间设置有金属层50、黑矩阵60和隔垫物70;隔垫物70、黑矩阵60和金属层50中,任意两者在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠;在任意隔垫物70对应位置处,沿垂直第一衬底30的方向,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等。
需要说明的是,第一,不对金属层50、黑矩阵60和隔垫物70具体设置在第一衬底30,还是设置在第二衬底40上进行限定,例如金属层50、黑矩阵60和隔垫物70可以同时设置于第一衬底30或第二衬底40上,也可以分设在第一衬底30和第二衬底40上。
其中,黑矩阵60的材料可以是不透光的有机材料(例如树脂),也可以是不透光的无机材料,只要能起到遮光作用即可。
隔垫物70的材料可以为感光树脂材料,也可以为非感光树脂材料。当隔垫物70的材料为感光树脂材料时,可直接通过成膜、曝光和显影工艺,形成所述隔垫物70;当隔垫物70的材料为非感光树脂材料时,可通过成膜、形成光刻胶、曝光、显影和刻蚀工艺,形成所述隔垫物70。在显示面板中隔垫物70用于支撑第一衬底30和第二衬底40,使显示面板具有一定的盒厚。
对于所述金属层50在此不做限定,只要其与黑矩阵60和隔垫物70在第一衬底30上的正投影重叠即可。
第二,隔垫物70、黑矩阵60和金属层50中,任意两者在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠,即为:隔垫物70和黑矩阵60在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠,隔垫物70和金属层50在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠,黑矩阵60和金属层50在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。其中至少存在部分重叠,即为具有重叠面积。
第三,由背景技术部分可知,受限于制备金属层50时的磁控溅射工艺限制,导致金属层50的厚度不一致,基于此,在任意隔垫物70对应位置处,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等,可以是通过调节黑矩阵60的厚度,来使任意隔垫物70对应位置处,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等,也可以是通过调节隔垫物70,或同时调节黑矩阵60和隔垫物70的厚度,来使任意隔垫物70对应位置处,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等。
其中,图3中仅以通过调节黑矩阵60的厚度,来使任意隔垫物70对应位置处,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等为例进行示意。
本发明实施例提供一种显示面板,通过在第一衬底30和第二衬底40之间设置黑矩阵60、隔垫物70和金属层50,并使在任意隔垫物70对应的位置处,黑矩阵60、隔垫物70和金属层50的厚度和相等,可使显示面板的盒厚均匀,从而可以提高显示面板的画面质量。
优选的,如图3所示,隔垫物70的厚度均相同;在任意隔垫物70对应位置处,金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等。
本发明实施例通过控制隔垫物70的厚度不变,而控制黑矩阵60的厚度变化,以使任意隔垫物70对应的位置处,黑矩阵60和金属层50的厚度和相同。其中,相对同时控制隔垫物70和黑矩阵60的厚度,来使任意隔垫物70对应的位置处,隔垫物70、黑矩阵60和金属层50的厚度和相同,本发明实施例中,由于仅需控制黑矩阵60的厚度变化,因而可简化工艺。
考虑到在金属层50制作时,金属层50的厚度变化是按金属靶材中心区和金属靶材拼接区周期变化的,即,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,金属层50的厚度不相同;其中,第一区域和第二区域交替排布。此处第一区域和第二区域与金属靶材中心区和金属靶材拼接区对应。
在此基础上,优选黑矩阵60的厚度变化也按金属靶材中心区和金属靶材拼接区周期变化,即对应所述第一区域和所述第二区域,所述黑矩阵的厚度不相同,以使对应所述第一区域,黑矩阵60和金属层50的厚度和,与对应所述第二区域,黑矩阵60和金属层50的厚度和相同。
具体的,以第一区域对应金属靶材拼接区,第二区域对应金属靶材中心区为例,由于金属层对应金属靶材拼接区的厚度较薄,对应金属靶材中心区的厚度较厚,因而,如图4(a)和图4(b)所示,在形成黑矩阵60之前的成膜时,即形成黑矩阵薄膜601时,可通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应第一区域01和第二区域02的黑矩阵薄膜601的厚度不相同,即,对应第一区域01的黑矩阵薄膜601的厚度较厚,对应第二区域02的黑矩阵薄膜601的厚度较薄。在此基础上,可采用普通掩模板对所述黑矩阵薄膜进行曝光,显影后形成所述黑矩阵60。
本发明实施例,通过使黑矩阵60的厚度按区域变化,可在制作黑矩阵60时,通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应第一区域01和第二区域02的黑矩阵60的厚度不同,此过程无需进行Mask设计变更,仅从工艺上优化,降低成本。
优选的,如图3所示,金属层50设置在所述第一衬底30上;黑矩阵60和隔垫物70设置在所述第二衬底40上。
此处,优选隔垫物70设置在黑矩阵60远离第二衬底40的一侧。
本发明实施例分别将金属层50与黑矩阵60和隔垫物70位于不同的衬底上,此设计的制作工艺成熟,无需对制造工艺做出较大调整,避免生产成本的提高。
进一步优选的,如图5所示,彩色滤光层设置在第二衬底40上。其中,彩色滤光层包括第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83三种基色的滤光图案。其中,每个第一基色滤光图案81、每个第二基色滤光图案82、每个第三基色滤光图案83分别位于一个子像素中。
具体的,可先在第二衬底40上形成黑矩阵60;之后分别形成第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83,其中,第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83分别形成在每个像素的三个子像素中,相邻子像素中的滤光图案通过黑矩阵60隔开;之后,形成隔垫物70,隔垫物70与黑矩阵60在第二衬底40上的正投影重合。
基于上述,可选的,如图6(a)和图6(b)所示,金属层50包括栅金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502;隔垫物70与栅线502在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
其中,图6(a)中以栅金属层设置在第一衬底30上为例进行说明,在此基础上,如图6(b)所示,第一衬底30上还应设置栅绝缘层、有源层、源漏金属层,源漏金属层包括源极503、漏极504和数据线505;栅极501、栅绝缘层、有源层、源极503和漏极504构成TFT。
此处,以第一区域01对应金属靶材拼接区,第二区域02对应金属靶材中心区为例,如图6(a)所示,可将在第一区域01中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Da,可将在第二区域02中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Db。由于对应第一区域01,栅线502的厚度较薄,而对应第二区域02,栅线502的厚度较厚,因此,可使对应第一区域01的黑矩阵厚度为D1,对应第二区域02的黑矩阵厚度,相对第一区域01的黑矩阵厚度进行适量减薄,其厚度记为D2,使D1-D2=Db-Da,保证显示面板的盒厚均为GapA的水平,从而实现显示面板盒厚的均匀性。
需要说明的是,上述厚度可以为垂直于第一衬底或第二衬底方向的厚度。
进一步的,如图6(b)所示,第一衬底30上还设置有像素电极91和公共电极92。当然,公共电极92也可设置在第二衬底40上。
本发明实施例通过使隔垫物70与栅线502在第一衬底30上的正投影至少部分重叠,在使隔垫物70用于支撑盒厚的情况下,还可以避免对有效显示区域的影响。
或者,可选的,如图7和图6(b)所示,金属层50包括栅金属层和源漏金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502,源漏金属层包括源极503、漏极504和数据线505;所述显示面板上还设置有栅绝缘层506和有源层507,栅极501、栅绝缘层506、有源层507、源极503和漏极504构成TFT;隔垫物70与所述TFT在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
其中,图7中以栅金属层、源漏金属层、栅绝缘层506、有源层507均设置在第一衬底30上为例进行说明,
此处,以第一区域01对应金属靶材拼接区,第二区域02对应金属靶材中心区为例,如图7所示,可将在第一区域01中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Da,可将在第二区域02中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Db。由于对应第一区域01,栅金属层和源漏金属层的厚度较薄,而对应第二区域02,栅金属层和源漏金属层的厚度较厚,因此,可使对应第一区域01的黑矩阵厚度为D1,对应第二区域02的黑矩阵厚度,相对第一区域01的黑矩阵厚度进行适量减薄,其厚度记为D2,使D1-D2=Db-Da,保证显示面板的盒厚均为GapA的水平,从而实现显示面板盒厚的均匀性。
需要说明的是,本发明中不对TFT的类型进行限定,可以是底栅型,也可以是顶栅型。
本发明实施例中通过使隔垫物70与所述TFT在第一衬底30上的正投影至少部分重叠,在使隔垫物70用于支撑盒厚的情况下,还可以避免对有效显示区域的影响。
或者,可选的,如图8(a)和图8(b)所示,金属层50包括栅金属层和源漏金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502,源漏金属层包括源极503、漏极504、数据线505和辅助图案508;辅助图案508与栅线502对应;隔垫物70与辅助图案508在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
其中,图8(a)和图8(b)中以栅金属层、源漏金属层均设置在第一衬底30上为例进行说明,在此基础上,第一衬底30上还应设置栅绝缘层、有源层,栅极501、栅绝缘层、有源层、源极503和漏极504构成TFT。
此处,以第一区域01对应金属靶材拼接区,第二区域02对应金属靶材中心区为例,如图8(a)所示,可将在第一区域01中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Da,可将在第二区域02中与隔垫物70对应的第一衬底30上的膜层厚度总和记为Db。由于对应第一区域01,栅金属层和源漏金属层的厚度较薄,而对应第二区域02,栅金属层和源漏金属层的厚度较厚,因此,可使对应第一区域01的黑矩阵厚度为D1,对应第二区域02的黑矩阵厚度,相对第一区域01的黑矩阵厚度进行适量减薄,其厚度记为D2,使D1-D2=Db-Da,保证显示面板的盒厚均为GapA的水平,从而实现显示面板盒厚的均匀性。
需要说明的是,辅助图案508与源极503和漏极504通过同一次构图工艺形成。
由于隔垫物的材料为具有一定弹性的树脂材料,且辅助图案508在第一衬底30上的正投影面积小于隔垫物70在第一衬底30上的正投影面积,使隔垫物70可以卡在辅助图案508上,从而减少隔垫物70与第一衬底30上膜层之间的相对运动,避免支撑不稳定,以及由摩擦带来的静电对液晶显示面板的影响。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,如图3所示,所述显示面板包括对盒的第一衬底30和第二衬底40;在第一衬底30和第二衬底40之间有形成金属层50、黑矩阵60和隔垫物70;其中,金属层50通过磁控溅射工艺和构图工艺形成;隔垫物70、黑矩阵60和金属层50中,任意两者在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠;在任意隔垫物70对应位置处,沿垂直第一衬底30的方向,隔垫物70、金属层50与黑矩阵60的厚度和均相等。
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法,通过在第一衬底30和第二衬底40之间制备黑矩阵60、隔垫物70和金属层50,并使在任意隔垫物70对应的位置处,黑矩阵60、隔垫物70和金属层50的厚度和相等,可使显示面板的盒厚均匀,从而可以提高显示面板的画面质量。
优选的,如图3所示,隔垫物70的厚度均相同;在任意隔垫物70对应位置处,通过控制形成黑矩阵60的厚度,使金属层03与黑矩阵60的厚度和均相等。
本发明实施例通过控制隔垫物70的厚度不变,而控制黑矩阵60的厚度变化,以使任意隔垫物70对应的位置处,黑矩阵60和金属层50的厚度和相同。其中,相对同时控制隔垫物70和黑矩阵60的厚度,来使任意隔垫物70对应的位置处,隔垫物70、黑矩阵60和金属层50的厚度和相同,本发明实施例中,由于仅需控制黑矩阵60的厚度变化,因而可简化工艺。
进一步优选的,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,金属层50的厚度不相同;其中,第一区域和第二区域交替排布。
在此基础上,形成黑矩阵60;包括:如图4(a)和图4(b)所示,采用涂覆工艺形成黑矩阵薄膜601;其中,通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应所述第一区域01和所述第二区域02的所述黑矩阵薄膜601的厚度不相同;采用掩模板对所述黑矩阵薄膜601进行曝光,显影后形成所述黑矩阵。
此处第一区域01和第二区域02与金属靶材中心区和金属靶材拼接区对应。
具体的,当第一区域01对应金属靶材拼接区时,通过增大控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的涂覆量增多,使对应第一区域01的黑矩阵薄膜601的厚度变厚;当第二区域02对应金属靶材中心区时,通过减小控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的涂覆量减少,使对应第二区域02的黑矩阵薄膜601的厚度变薄。在采用涂覆工艺制备黑矩阵薄膜时,通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应第一区域和第二区域的黑矩阵薄膜的厚度不同,此过程无需进行Mask设计变更,便可形成厚度按区域变化的黑矩阵60,因而可降低成本。
需要说明的是,形成所述黑矩阵60,也可通过形成厚度一致的黑矩阵薄膜,采用灰阶掩模板对黑矩阵薄膜曝光,显影,形成厚度按区域变化的黑矩阵60。此外,也可通过喷墨打印工艺形成所述黑矩阵。
优选的,如图3和图5所示,金属层50在第一衬底30上形成;黑矩阵60和隔垫物70均在第二衬底40上形成。
此处,优选隔垫物70形成在黑矩阵60远离第二衬底40的一侧。
本发明实施例分别将金属层50与黑矩阵60和隔垫物70位于不同的衬底上,此设计的制作工艺成熟,无需对制造工艺做出较大调整,避免生产成本的提高。
进一步的,如图5所示,第二衬底40上还可形成彩色滤光层。彩色滤光层包括第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83三种基色的滤光图案。
具体的,可先在第二衬底40上形成黑矩阵60;之后分别形成第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83,其中,第一基色滤光图案81、第二基色滤光图案82和第三基色滤光图案83分别形成在每个像素的三个子像素中,相邻子像素中的滤光图案通过黑矩阵60隔开;之后,形成隔垫物70,隔垫物70与黑矩阵60在第二衬底40上的正投影重合。
基于上述,可选的,如图6(a)和图6(b)所示,金属层50包括栅金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502;隔垫物70与栅线502在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
本发明实施例通过使隔垫物70与栅线502在第一衬底30上的正投影至少部分重叠,在使隔垫物70用于支撑盒厚的情况下,还可以避免对有效显示区域的影响。
或者,可选的,如图7和图6(b)所示,金属层50包括栅金属层和源漏金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502,源漏金属层包括源极503、漏极504和数据线505;所述显示面板中上还形成有栅绝缘层506和有源层507,栅极501、栅绝缘层506、有源层507、源极503和漏极504构成TFT;隔垫物70与所述TFT在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
发明实施例通过使隔垫物70与所述TFT在第一衬底30上的正投影至少部分重叠,在使隔垫物70用于支撑盒厚的情况下,还可以避免对有效显示区域的影响。
或者,可选的,如图8(a)和图8(b)所示,金属层50包括栅金属层和源漏金属层,栅金属层包括栅极501和栅线502,源漏金属层包括源极503、漏极504、数据线505和辅助图案508;辅助图案508与栅线502对应;隔垫物70与辅助图案508在第一衬底30上的正投影至少存在部分重叠。
其中,辅助图案508与源极503和漏极504通过同一次构图工艺形成。
由于隔垫物的材料为具有一定弹性的树脂材料,且辅助图案508在第一衬底30上的正投影面积小于隔垫物70在第一衬底30上的正投影面积,可使隔垫物70卡在辅助图案508上,从而减少隔垫物70与第一衬底30上膜层之间的相对运动,避免支撑不稳定、以及由摩擦带来的静电对液晶显示面板的影响。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种显示面板,其特征在于,包括对盒设置的第一衬底和第二衬底;
所述第一衬底和所述第二衬底之间设置有金属层、黑矩阵和隔垫物;
所述隔垫物、所述黑矩阵和所述金属层中,任意两者在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠;在任意所述隔垫物对应位置处,沿垂直所述第一衬底的方向,所述隔垫物、所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物的厚度均相同;
在任意所述隔垫物对应位置处,所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,所述金属层的厚度不相同;其中,所述第一区域和所述第二区域交替排布;
对应所述第一区域和所述第二区域,所述黑矩阵的厚度不相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属层设置在所述第一衬底上;
所述黑矩阵和所述隔垫物设置在所述第二衬底上。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属层包括栅金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线;
所述隔垫物与所述栅线在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
6.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线;
所述显示面板上还设置有栅绝缘层和有源层,所述栅极、所述栅绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极构成TFT;
所述隔垫物与所述TFT在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
7.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极、数据线和辅助图案;所述辅助图案与所述栅线对应;
所述隔垫物与所述辅助图案在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
8.一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括对盒的第一衬底和第二衬底;其特征在于,在第一衬底和第二衬底之间有形成金属层、黑矩阵和隔垫物;其中,所述金属层通过磁控溅射工艺和构图工艺形成;
所述隔垫物、所述黑矩阵和所述金属层中,任意两者在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠;在任意所述隔垫物对应位置处,沿垂直所述第一衬底的方向,所述隔垫物、所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述隔垫物的厚度均相同;
在任意所述隔垫物对应位置处,通过控制形成所述黑矩阵的厚度,使所述金属层与所述黑矩阵的厚度和均相等。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,对应所述显示面板的第一区域和第二区域,所述金属层的厚度不相同;其中,所述第一区域和所述第二区域交替排布;
形成所述黑矩阵包括:
采用涂覆工艺形成黑矩阵薄膜;其中,通过控制涂覆设备的工作电压来控制黑矩阵材料的吐出量,使对应所述第一区域和所述第二区域的所述黑矩阵薄膜的厚度不相同;
采用掩模板对所述黑矩阵薄膜进行曝光,显影后形成所述黑矩阵。
11.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述金属层在所述第一衬底上形成;
所述黑矩阵和所述隔垫物均在所述第二衬底上形成。
12.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金属层包括栅金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线;
所述隔垫物与所述栅线在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
13.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线;
所述显示面板中还形成有栅绝缘层和有源层,所述栅极、所述栅绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极构成TFT;
所述隔垫物与所述TFT在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
14.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金属层包括栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅线,所述源漏金属层包括源极、漏极、数据线和辅助图案;所述辅助图案与所述栅线对应;
所述隔垫物与所述辅助图案在所述第一衬底上的正投影至少存在部分重叠。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170111 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |