CN106319454A - 梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法 - Google Patents

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赵盼盼
朱圣龙
王世臣
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Abstract

本发明涉及梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,属于涂层技术领域,可用于制备抗高温氧化和热腐蚀涂层及热障涂层的粘结层等。MCrAlX:M包括但不限于Fe、Co、Ni、Ti、Pt、Zr、W、Nb、B或其组合,X为稀土元素包括但不限于Y、La、Hf、Ce、Gd、Dy或其组合。利用二次溅射现象,通过在镀膜过程中实时调节偏压,可由单一MCrAlX靶,不借助于其他工艺,一步获得铝、铬成分由涂层表面到内部呈梯度变化的梯度MCrAlX涂层。本发明利用了电弧离子镀高离化率及高偏压下涂层反溅射的特点,使得梯度MCrAlX涂层可由单一靶材获得,并且所制备涂层组织致密,工艺稳定性和制备效率高,远优于其他多个工艺组合制备梯度涂层的方法,成本较低,适于工业化应用。

Description

梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法
技术领域
本发明涉及涂层技术,特别提供了梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法。
背景技术
梯度涂层,亦即化学成分由涂层表面到内部呈梯度变化的一类涂层,具有均质涂层所不具备的优异的抵御力学和腐蚀破坏的能力。作为典型的高温防护涂层,MCrAlX(M为Ni、Co等基体金属元素,X为稀土和其他亲氧性元素)的梯度设计又被称为智能涂层[参见文献:J.R.Nicholls,N.J.Simms,W.Y.Chan,H.E.Evans,Smart overlaycoatings-concept and practice,Surface and Coatings Technology,2002,149,236-244],既可在热腐蚀环境下形成富铬氧化膜以抗高温腐蚀,又可在氧化性气氛中形成氧化铝膜以减缓高温氧化的进程,亦即具有适应环境的能力。显然,涂层的梯度设计是获得高性能涂层的有效途径。
然而,现有制备梯度涂层的技术均需要多个工艺步骤,如热喷涂NiCrAlY底层+热扩散渗铝处理[参见文献:J.R.Nicholls,N.J.Simms,W.Y.Chan,H.E.Evans,Smart overlay coatings-concept and practice,Surface and Coatings Technology,2002,149,236-244],电弧离子镀MCrAlY涂层+气相渗铝处理[参见文献:孙超等,一种MCrAlY加复合梯度涂层及制备工艺,中国专利ZL200710011431,Xu Liu,L.Huang,Z.B.Bao,X.F.Sun,H.R.Guan,Z.Q.Hu,Preparation and cyclicoxidation of gradient NiCrAlYRe coatings on Ni-based superalloys,Surface and Coatings Technology,2008,202,4709-4713],以及电弧离子镀NiCrAlY+电弧离子镀AlNiY+高温扩散退火处理[参见文献:于大千,卢旭阳,马军,姜肃猛,刘山川,宫骏,孙超,梯度NiCrAlY涂层的1000和1100℃氧化行为研究,金属学报,2012,6,759-768]等。可见现有制备技术工艺繁琐,在制造成本、生产效率、工艺可控性等方面难以满足工业应用要求。梯度MCrAlX涂层的高效制备是当前所急需解决的难题。
因此,开发由一步工艺制备梯度MCrAlX涂层的技术,实现该涂层的高效制备,对提升工艺可靠性,并显著降低制造成本具有重要意义,并可满足相关产业对高温防护涂层升级换代的迫切需求。本发明利用电弧离子镀沉积涂层过程中,基片偏压引起涂层成分偏析的规律,特别是在高真空电弧离子镀工艺过程中的显著偏析效应,在沉积MCrAlX涂层期间,通过连续调节偏压幅值,可由单一靶材一步工艺获得铝、铬含量呈梯度分布的梯度MCrAlX涂层。工艺简单,可控性高,较之于其他梯度涂层制备工艺,具有显著的成本优势,适合工业化应用。
发明内容
本发明的目的是为了解决当前梯度MCrAlX涂层制备工艺繁琐、效率低下、可控性差的问题,而提供的梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法。
梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法:由单一MCrAlX合金靶材,在电弧离子镀膜过程中,通过实时增加或降低基片偏压,不借助于其他工艺一步获得铝、铬含量由涂层表面到内部呈梯度分布的梯度MCrAlX涂层。
所述MCrAlX合金靶材,M包括Fe、Co、Ni、Ti、Pt、Ag、Si、Zr、W、Nb、B或其组合,X为稀土元素包括Y、La、Hf、Ce、Gd、Dy或其组合。其中Cr含量的质量比为20%-60%,Al含量的质量比为5%-30%;此外,靶材中还可含有钨、钼、钽、铌高熔点组元。
电弧离子镀电弧电流为50-400A;电流为直流或脉冲直流;当采用脉冲直流时,脉冲电流频率优选为1-1000Hz,占空比为10%-90%。
基体施加直流或脉冲负偏压;偏压幅值为10-800V;脉冲负偏压频率为100Hz-50kHz,占空比10%-80%;偏压幅值随镀膜时间以线性或非线性方式增加或降低。
电弧离子镀可在惰性气体、无气或低压氧气气氛中沉积涂层,优选为无气气氛,亦即高真空10-3Pa。
本发明优点:
本发明所述梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,可由单一MCrAlX靶材,不借助于其他工艺一步获得铝、铬含量由涂层表面到内部呈梯度分布的梯度MCrAlX涂层。并且所制备涂层组织致密,工艺稳定性和制备效率高,远优于其他多个工艺组合制备梯度涂层的方法,成本较低,适于工业规模应用。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1为按本发明方法制备的表面富铬内层低铬高铝的双层梯度NiCrAlY涂层的扫描电镜截面照片及能谱成分分析,靶材:NiCrAlY;
图2为按本发明方法制备的表面低铬高铝内层富铬的双层梯度NiCrAlY涂层的扫描电镜截面照片及能谱成分分析,靶材:NiCrAlY;
图3为按本发明方法制备的表面到内部铬含量逐渐降低、铝含量逐渐升高的梯度NiCrAlY涂层;
图4为按本发明方法制备的表面到内部铬含量逐渐升高、铝含量逐渐降低的梯度NiCrAlY涂层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例对表面富铬内层低铬高铝的双层梯度NiCrAlY涂层的制备方法进行说明。首先将NiCrAlY,Ni-27Cr-11Al-0.5Y,质量百分比wt%,靶安装于阴极水冷靶套,将基体试片挂于靶前,关闭真空室门,进行抽气;镀膜室真空度达到5×10-3Pa或更高时,引燃阴极电弧;首先对基体施加脉冲高负偏压进行镀膜,幅值为400-800V,占空比10%-80%。当偏压幅值在400-600V时,占空比应较大为30%-80%,当当偏压幅值在600-800V时,占空比应较小为10%-30%。偏压幅值的选择依据是所要求沉积涂层中铬的富集程度,偏压越高,涂层中铬含量越高,同时铝含量越低,涂层沉积速率也降低。本例底层选择脉冲偏压-50V,表层脉冲偏压-450V。电弧电流为50-400A,电流大小可影响涂层沉积速率,沉积速率与电流大小大致呈线性关系,本例采用200A直流电流。对基体施加的脉冲负偏压频率为40kHz,占空比40%。镀膜时间取决于所要求涂层的厚度大小,本例每层镀膜2小时后关闭弧源。由此得到表面富铬内层低铬高铝的双层梯度NiCrAlY涂层,涂层截面的扫描电镜照片及能谱成分分析如图1所示。可清晰的分辨出涂层组织由两层构成,而且两层之间界面结合较紧密,不存在孔洞等界面缺陷。由于靶材铝含量相对较低,涂层中铝的梯度变化相对较弱。
实施例2
本实施例对表面低铬高铝内层富铬的双层梯度NiCrAlY涂层的制备方法进行说明。首先将NiCrAlY,Ni-27Cr-11Al-0.5Y,质量百分比wt%,靶安装于阴极水冷靶套,将基体试片挂于靶前,关闭真空室门,进行抽气;镀膜室真空度达到5×10-3Pa或更高时,引燃阴极电弧;本例底层选择脉冲偏压-450V,表层脉冲偏压-50V。电弧电流为200A,脉冲负偏压频率为40kHz,占空比40%。镀膜时间取决于所要求涂层的厚度大小,本例每层镀膜2小时后关闭弧源。由此得到表面低铬高铝内层富铬的双层梯度NiCrAlY涂层,涂层截面的扫描电镜照片及能谱成分分析如图2所示。同样可清晰的分辨出涂层组织由两层构成,层间界面结合紧密,不存在孔洞等界面缺陷。
实施例3
本实施例对表面到内部铬含量逐渐降低、铝含量逐渐升高的梯度NiCrAlY涂层的制备方法进行说明。同样在5×10-3Pa或更高时,引燃阴极电弧;对基体施加幅值随时间呈连续或阶梯式升高的脉冲负偏压进行镀膜,本例采用间隔0.5小时阶梯式由-50V到-450V升高偏压幅值的方式进行沉积。电流与前例相同。对基体施加的脉冲负偏压频率为20kHz,占空比40%。由此得到表面到内部铬含量逐渐降低、铝含量逐渐升高的梯度NiCrAlY涂层,涂层截面的扫描电镜照片及能谱成分分析如图3所示。由于靶材铝含量相对较低,涂层中铝的梯度变化相对较弱。在靶材铝含量较高时可获得铝含量梯度变化较明显的结果。
实施例4
本实施例对表面到内部铬含量逐渐升高、铝含量逐渐降低的梯度NiCrAlY涂层的制备方法进行说明。同样在5×10-3Pa或更高时,引燃阴极电弧;对基体施加幅值随时间呈连续或阶梯式降低的脉冲负偏压进行镀膜,本例仍采用间隔0.5小时阶梯式由-450V到-50V降低偏压幅值的方式进行沉积。电流与前例相同。对基体施加的脉冲负偏压频率为20kHz,占空比40%。由此得到表面到内部铬含量逐渐升高、铝含量逐渐降低的梯度NiCrAlY涂层,涂层截面的扫描电镜照片及能谱成分分析如图4所示。同样由于靶材铝含量相对较低,涂层中铝的梯度变化相对较弱。
实施例5
其他成分的MCrAlX靶材可按照与上述实施例类似的制备工艺制备相应的梯度MCrAlX涂层,如下表所示。
表1.靶材及涂层梯度变化主要元素
以上结合附图对本发明的具体实施方式作了说明,但这些说明不能被理解为限制了本发明的范围,本发明的保护范围由随附的权利要求书限定,任何在本发明权利要求基础上的改动都是本发明的保护范围。

Claims (4)

1.梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,其特征在于:由单一MCrAlX合金靶材,在电弧离子镀膜过程中,通过实时增加或降低基片偏压,不借助于其他工艺,一步获得铝、铬含量由涂层表面到内部呈梯度分布的梯度MCrAlX涂层;
所述MCrAlX合金靶材,M包括Fe、Co、Ni、Ti、Pt、Ag、Si、Zr、W、Nb、B或其组合,X为稀土元素包括Y、La、Hf、Ce、Gd、Dy或其组合;
其中:Cr含量的质量比为20%-60%,Al含量的质量比为5%-30%;此外,靶材中还能含有钨、钼、钽、铌高熔点组元。
2.按照权利要求1所述梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,其特征在于:电弧离子镀电弧电流为50-400A;电流为直流或脉冲直流;当采用脉冲直流时,脉冲电流频率优选为1-1000Hz,占空比为10%-90%。
3.按照权利要求1所述梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,其特征在于:基体施加直流或脉冲负偏压;偏压幅值为10-800V;脉冲负偏压频率为100Hz-50kHz,占空比10%-80%;偏压幅值随镀膜时间以线性或非线性方式增加或降低。
4.按照权利要求1所述梯度MCrAlX涂层单靶电弧离子镀一步制备方法,其特征在于:所述电弧离子镀在惰性气体、无气或低压氧气气氛中沉积涂层。
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