CN106299017A - 一种x射线感测器及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明关于一种X射线感测器及其制作方法。X射线感测器包括感测基板及铅玻璃基板。感测基板上设置有复数个感测单元。铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面,第一面固定于感测基板上,第二面上具有与复数个感测单元一一对应的复数个凹槽,铅玻璃基板还包括:第一反射层,该第一反射层设置于复数个凹槽的侧壁;闪烁体荧光粉,该闪烁体荧光粉填充于该复数个凹槽中;以及第二反射层,该第二反射层设置于该第二面上。本发明的X射线感测器通过在闪烁体荧光粉与复数个感测单元之间增加铅玻璃的方式,可有效地阻隔X射线对于复数个感测单元的损伤;并且由于铅玻璃具有较高的穿透率及高折射率,还可有效地减少因光散射导致的光学干扰。
Description
技术领域
本发明涉及一种X射线感测器及其制作方法,尤其涉及一种低损伤的X射线感测器及其制作方法。
背景技术
X射线影像是医疗诊断的一个重要工具。数字X射线成像正日益取代传统的摄影X射线胶片。数字X射线成像有两个重要的参考指标,分别为影响影像质量的敏感度与分辨率。闪烁体的厚度越厚越有利于增加敏感度;但闪烁体发出的可见光会造成光学干扰,影像的分辨率会下降。
为解决上述问题,业内将闪烁体做成微结构的方式来提升影像质量的敏感度与分辨率,请参照图1。X射线感测器100包括感测基板110、复数个感测单元120、粘着层130、玻璃基板140、反射层150、复数个闪烁体160以及白色树脂(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯)层170。复数个闪烁体160与复数个感测单元120一一对应,不会因为光散射而产生光学干扰。
但是X射线经过闪烁体160时,只会被闪烁体160吸收一部分,而相当大的一部分X射线会直接照射到复数个感测单元120上,这样会造成复数个感测单元120的损伤。
发明内容
为解决上述X射线直接照射感测单元导致感测单元受损的问题,本发明提供一种X射线感测器。
上述的X射线感测器包括:
感测基板,其上设置有复数个感测单元;以及
铅玻璃基板,该铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面,该第一面固定于该感测基板上,该第二面上具有与该复数个感测单元一一对应的复数个凹槽,该铅玻璃基板还包括:
第一反射层,该第一反射层设置于该复数个凹槽的侧壁;
闪烁体荧光粉,该闪烁体荧光粉填充于该复数个凹槽中;以及
第二反射层,该第二反射层设置于该第二面上。
作为可选的技术方案,该复数个凹槽的底面与该第一面的距离小于100微米。
作为可选的技术方案,该闪烁体荧光粉具有4.5-5.0wt%的硫氧化钆。
作为可选的技术方案,该闪烁体荧光粉的高度范围为50-300微米。
作为可选的技术方案,该第一反射层的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬,该第二反射层的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬。
作为可选的技术方案,该第一反射层的厚度范围为100-300微米,该第二反射层的厚度范围为100-300微米。
作为可选的技术方案,该X射线感测器还包括:
高分子膜,该高分子膜覆盖于该第二反射层上;或者该高分子膜包覆该铅玻璃基板;或者该高分子膜包覆该铅玻璃基板及该感测基板。
作为可选的技术方案,该高分子膜的材质为环氧基树脂、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺树脂或者硅基树脂。
本发明还提供一种X射线感测器的制作方法,该制作方法包括:
提供感测基板,该感测基板具有复数个感测单元;
提供铅玻璃基板,该铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面;
固定该第一面与该感测基板;
于该第二面上镭射形成与该复数个感测单元一一对应的复数个凹槽;
于该复数个凹槽的侧壁斜角蒸镀第一反射层;
于该复数个凹槽填充闪烁体荧光粉;
于该第二面蒸镀第二反射层;以及
于该第二反射层包覆高分子层。
作为可选的技术方案,该闪烁体荧光粉的填充方式为刮刀方式。
相比于现有技术,本发明的X射线感测器通过在闪烁体荧光粉与复数个感测单元之间增加铅玻璃的方式,可有效地阻隔X射线对于复数个感测单元的损伤;并且由于铅玻璃具有较高的穿透率及高折射率,还可有效地减少因光散射导致的光学干扰。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有技术的X射线感测器的示意图;
图2为本发明的X射线感测器的示意图。
具体实施方式
请参照图2,图2为本发明的X射线感测器的示意图。X射线感测器200包括感测基板210及铅玻璃基板220。感测基板210上设置有复数个感测单元211。
铅玻璃基板220具有相对的第一面2201与第二面2202。第一面2201固定于感测基板210上,例如,在本实施方式中,X射线感测器200还包括粘着层230,第一面2201可通过粘着层230固定于感测基板210上,当然,在其他实施方式中,也可为其他固定方式,只需满足能将第一面2201固定于感测基板210上即可。铅玻璃基板220的第二面2202上具有与复数个感测单元211一一对应的复数个凹槽221。
铅玻璃基板220还包括第一反射层222、闪烁体荧光粉223以及第二反射层224。第一反射层222设置于复数个凹槽221的侧壁,闪烁体荧光粉223填充于复数个凹槽221中;第二反射层224设置于第二面2202上,第二反射层224用以提高亮度。
凹槽(非贯穿槽)221形成于第二面2202上,即凹槽221的底面并不会接触第一面2201,也就是说闪烁体荧光粉223填充完毕后,闪烁体荧光粉223与复数个感测单元211间隔有一定厚度的铅玻璃,如此,由于铅的原子序数较大,上述的一定厚度的铅玻璃可对未被闪烁体荧光粉223吸收的X射线形成有效的阻隔,从而减少X射线对于复数个感测单元211的损伤。
在本实施方式中,复数个凹槽221的底面与第一面2201的距离小于100微米,如此,再加上铅玻璃的较高的穿透率及高折射率,可有效地减少因光散射导致的光学干扰。
在本实施方式中,闪烁体荧光粉223具有4.5-5.0wt%的硫氧化钆。作为闪烁体荧光粉223的溶剂混合物,可选择具有45-50wt%的去离子水、40-45wt%的异丙醇、1.5wt%的表面活性剂、4.5-5.0wt%的聚乙烯醇的混合物,当然在其他实施方式中,溶剂混合物也可不同。
在本实施方式中,闪烁体荧光粉223的高度范围为50-300微米。
在本实施方式中,第一反射层222的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬,第二反射层224的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬,第一反射层222与第二反射层224的材质可相同或不同,端视实际需求而定。
在本实施方式中,第一反射层222的厚度范围为100-300微米,第二反射层224的厚度范围为100-300微米,第一反射层222与第二反射层224的厚度可相同或不同,端视实际需求而定。
在本实施方式中,X射线感测器200还包括高分子膜(未示出),高分子膜覆盖于第二反射层224上;或者高分子膜包覆铅玻璃基板220;又或者高分子膜同时包覆铅玻璃基板220及感测基板210。高分子膜用以对X射线感测器200形成有效的保护。高分子膜的材质可以为环氧基树脂、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺树脂或者硅基树脂。
此外,本发明还提供上述X射线感测器200的制作方法,制作方法包括:
提供感测基板210,感测基板210具有复数个感测单元211;
提供铅玻璃基板220,铅玻璃基板220具有相对的第一面2201与第二面2202;
固定第一面2201与感测基板210;
于第二面2202上镭射形成与复数个感测单元211一一对应的复数个凹槽221;
于复数个凹槽221的侧壁斜角蒸镀第一反射层222;
于复数个凹槽中填充闪烁体荧光粉223;
于第二面2202蒸镀第二反射层224;以及
于第二反射层224上包覆高分子层。
上述闪烁体荧光粉223的填充方式可采用刮刀的填充方式。实际操作中,固定第一面2201与感测基板210这一步骤可与镭射凹槽221、斜角蒸镀第一反射层222、填充闪烁体荧光粉223及蒸镀第二反射层224的顺序互换,使用者可根据实际需要自行选择。
综上所述,本发明的X射线感测器通过在闪烁体荧光粉与复数个感测单元之间增加铅玻璃的方式,可有效地阻隔X射线对于复数个感测单元的损伤;并且由于铅玻璃具有较高的穿透率及高折射率,还可有效地减少因光散射导致的光学干扰。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种X射线感测器,其特征在于,该X射线感测器包括:
感测基板,其上设置有复数个感测单元;以及
铅玻璃基板,该铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面,该第一面固定于该感测基板上,该第二面上具有与该复数个感测单元一一对应的复数个凹槽,该铅玻璃基板还包括:
第一反射层,该第一反射层设置于该复数个凹槽的侧壁;
闪烁体荧光粉,该闪烁体荧光粉填充于该复数个凹槽中;以及
第二反射层,该第二反射层设置于该第二面上。
2.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该复数个凹槽的底面与该第一面的距离小于100微米。
3.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该闪烁体荧光粉具有4.5-5.0wt%的硫氧化钆。
4.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该闪烁体荧光粉的高度范围为50-300微米。
5.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该第一反射层的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬,该第二反射层的材质为铝、银、铜、镍、钛、镁、铂、金或铬。
6.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该第一反射层的厚度范围为100-300微米,该第二反射层的厚度范围为100-300微米。
7.如权利要求1所述的X射线感测器,其特征在于,该X射线感测器还包括:
高分子膜,该高分子膜覆盖于该第二反射层上;或者该高分子膜包覆该铅玻璃基板;或者该高分子膜包覆该铅玻璃基板及该感测基板。
8.如权利要求7所述的X射线感测器,其特征在于,该高分子膜的材质为环氧基树脂、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺树脂或者硅基树脂。
9.一种X射线感测器的制作方法,其特征在于,该制作方法包括:
提供感测基板,该感测基板具有复数个感测单元;
提供铅玻璃基板,该铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面;
固定该第一面与该感测基板;
于该第二面上镭射形成与该复数个感测单元一一对应的复数个凹槽;
于该复数个凹槽的侧壁斜角蒸镀第一反射层;
于该复数个凹槽中填充闪烁体荧光粉;
于该第二面蒸镀第二反射层;以及
于该第二反射层上包覆高分子层。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,该闪烁体荧光粉的填充方式为刮刀方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610658016.0A CN106299017A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种x射线感测器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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Family
ID=57669446
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
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2016
- 2016-08-12 CN CN201610658016.0A patent/CN106299017A/zh active Pending
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170104 |