CN106297887B - 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法 - Google Patents

一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106297887B
CN106297887B CN201610597211.7A CN201610597211A CN106297887B CN 106297887 B CN106297887 B CN 106297887B CN 201610597211 A CN201610597211 A CN 201610597211A CN 106297887 B CN106297887 B CN 106297887B
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch array
eeprom
memory
mos tube
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610597211.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106297887A (zh
Inventor
刘吉平
唐伟
张怀东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Hangshun Chip Technology R&D Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Hangshun Chip Technology R&D Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Hangshun Chip Technology R&D Co Ltd filed Critical Shenzhen Hangshun Chip Technology R&D Co Ltd
Priority to CN201610597211.7A priority Critical patent/CN106297887B/zh
Publication of CN106297887A publication Critical patent/CN106297887A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106297887B publication Critical patent/CN106297887B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50004—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of threshold voltage

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明所涉及一种用于提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法，包括：寄存器、MOS管开关阵列、基准源、电荷泵以及EEPROM存储器。本发明充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点，在EEPROM存储区专门划分出一小部分作为修正专用区域。其特点在于：芯片测试模式时，先用普通寄存器来调整升压电路的精度，当得到准确的升压电路的电压值时，EEPROM可以正常编程，把寄存器中的数据存储在EEPROM修正专用区域。本发明电路所占芯片面积小，成本低。除此之外，电路中的寄存器可以反复扫描，且可以修正位数比较高，所以修正精度高。

Description

一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法
技术领域
本发明涉及高精度升压电路，具体涉及一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法。
背景技术
EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），或写作E2PROM，全称电子抹除式可复写只读存储器，是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。
EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
现有的用于EEPROM存储器编程使用的高精度升压电路，使用熔丝阵列来调节基准源的电压，如图1所示，这种的电路结构缺点是：
1，熔丝阵列及其探针压点所占芯片面积比较大，芯片成本高。
2，熔丝修正精度低。
发明内容
为了解决背景技术所存在的问题，本发明的目的是提供一种EEPROM存储器编程使用的高精度升压电路，本发明采用以下技术方案：
一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路，包括：
基准源、电荷泵、EEPROM存储器，其特征在于，还包括：寄存器以及MOS管开关阵列；
所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据；
所述MOS管开关阵列通过控制开关控制基准源的电压；
所述基准源通过改变电阻大小控制输出电压；
所述电荷泵输出用于存储器编程的输出电压；
所述存储器中存入能正常写入存储器时的电压所对应的MOS管开关阵列数据，存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域；
在读取模式时，读取存储器中存入的数据，直接输出适于写入的电荷泵电压。
一种提升EEPROM存储器编程精度的升压方法，包括：
基准源、电荷泵、寄存器以及MOS管开关阵列；
包括如下步骤：
S101，在EEPROM存储器的存储区域划出一部分作为修正专用区域；
S102，判断EEPROM存储器是否处于测试模式，是，则执行S103，否则执行S108;
S103，向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据，并控制MOS管开关阵列的开关；
S104，通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压；
S105，输出电荷泵的输出电压；
S106，判断EEPROM存储器是否可以正常编程，是，则执行S107，否则执行S103；
S107，将寄存器中的MOS管开关阵列数据存储到修正专用区域中；
S108，根据EEPROM存储器中修正专用区域的MOS管开关阵列数据控制MOS管开关阵列；
S109，MOS管开关阵列通过电阻变化控制电荷泵输出用于EEPROM存储器正常编程的电压。
进一步地，所述S104通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压为：通过控制MOS管开关阵列来控制MOS管电阻，然后通过控制MOS管的电阻值变化开控制基准源的基准电压值变化。
进一步地，所述测试模式下先用粗略扫描数据的方式控制MOS管开关阵列，判断数据的大体范围。
进一步地，所述测试模式下在前期测试基础上，在小范围内用精确扫描数据的方式控制MOS管开关阵列，得到精确的数据值。
进一步地，所述在EEPROM存储器中划分出来修正专用区域的面积大小可以忽略不计。
鉴于以上电路和EEPROM存储器进入深亚微米工艺时，逻辑电路和存储单元面积很小的特点，本发明有以下特点：
1、电路所占芯片面积小，成本低。
2、寄存器可以反复扫描，且可以修正位数比较高，所以修正精度高。
附图说明
图1为本发明电路的步骤流程图。
图2为背景技术的结构示意图。
图3为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图及具体实施方式对本发明做进一步描述。
下面结合附图3对本发明的实施例进行说明：
目前EEPROM存储器进入深亚微米时代，EEPROM集成和工艺复杂性度越来越高，特别是一些高性能新型EEPROM存储器，对编程电压的要求也越来越高。
本发明充分利用EEPROM存储器数据在芯片掉电时可以保存足够长时间的特点，在EEPROM存储区专门划出一小部分作为修正专用区，划出部分的面积可以小到忽略不计。如图2所示，芯片测试模式时，先用普通寄存器来控制MOS管开关阵列，再由MOS管开关阵列调整基准源的基准电压。当基准源的基准电压调整时，电荷泵输出的用于EEPROM存储器编程使用的输出电压跟着调整，当得到电荷泵符合要求的输出的电压值时，EEPROM可以正常编程，把这时的寄存器数据存储在EEPROM修正专用区域。当电路不在测试模式，而在正常模式时，MOS管开管阵列由EEPROM修正专用区域的数据控制，进而在正常模式时，得到电荷泵输出符合EEPROM存储器编程的使用要求的精准电压值。
下面结合附图2对本发明的实施例进行说明：
芯片测试模式下，先用粗略扫描数据的方式，用普通寄存器来控制MOS管开关阵列。寄存器通过向MOS管输入不同的阵列值，如（1，1,0,1）、（0，0，0，0，1）等阵列值数据，来控制不同的MOS管工作，通过不同的数据来找到合适的阵列值。MOS管通过控制电阻阵列来控制电阻值，通过电阻值来控制电压值。以此来调节基准源的基准电压。基准源的基准电压控制着电荷泵的输出电压。与此同时，观察电荷泵输出的输出电压，判断适于EEPROM存储器编程的电压数据的大体范围。
芯片测试模式下，在前期测试得到的适于EEPROM存储器编程的电压数据的大体范围的基础上，在小范围内，用精确扫描数据的方式，继续用普通寄存器来控制MOS管开关阵列，MOS管开关阵列同时记下电荷泵输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准电压值时，普通寄存器的数据值。
把电荷泵输出的符合EEPROM存储器编程使用要求的精准电压值对应的普通寄存器的数据值，写入EEPROM修正专用区。

Claims (5)

1.一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路，包括：
基准源、电荷泵、EEPROM存储器，其特征在于，还包括：寄存器以及MOS管开关阵列；
所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据，所述的用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据是在测试模式下通过下列测试步骤更新的；
S103，向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据，并控制MOS管开关阵列的开关；
S104，通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压；
S105，输出电荷泵的输出电压；
S106，判断EEPROM存储器是否可以正常编程，是，则结束测试，保持寄存器中的数据即为控制MOS管开关阵列的矩阵数据，否则执行S103；
所述MOS管开关阵列通过控制开关控制基准源的电压；
所述基准源通过改变电阻大小控制输出电压；
所述电荷泵输出用于存储器编程的输出电压；
所述存储器中存入能正常写入存储器时的电压所对应的MOS管开关阵列数据，存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域；
在读取模式时，读取存储器中存入的数据，直接输出适于写入的电荷泵电压。
2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述S104通过MOS管开关阵列调整基准源的基准电压为：通过控制MOS管开关阵列来控制MOS管电阻，然后通过控制MOS管的电阻值变化来控制基准源的基准电压值变化。
3.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述测试模式下先用粗略扫描数据的方式控制MOS管开关阵列，判断数据的大体范围。
4.根据权利要求3所述的升压电路，其特征在于，所述测试模式下在前期测试基础上，在小范围内用精确扫描数据的方式控制MOS管开关阵列，得到精确的数据值。
5.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述在EEPROM存储器中划分出来修正专用区域的面积大小可以忽略不计。
CN201610597211.7A 2016-07-27 2016-07-27 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法 Active CN106297887B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610597211.7A CN106297887B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610597211.7A CN106297887B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106297887A CN106297887A (zh) 2017-01-04
CN106297887B true CN106297887B (zh) 2020-05-19

Family

ID=57652572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610597211.7A Active CN106297887B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106297887B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109599049B (zh) * 2019-01-28 2022-02-08 惠科股份有限公司 一种显示面板的测试系统和测试方法
CN112259150B (zh) * 2020-10-20 2023-08-04 深圳市泰祺科技有限公司 一种eeprom存储器编程精度校正电路及方法
CN113314180B (zh) * 2020-12-31 2024-02-09 乐鑫信息科技（上海）股份有限公司 一种多次编程电子熔丝装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1251683A (zh) * 1997-03-31 2000-04-26 英特尔公司 减小编程易变性的闪速存储器vds补偿技术
CN101017708A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 三星电子株式会社 根据温度变化控制高压生成器输出电压的半导体存储装置
CN102682852A (zh) * 2011-02-07 2012-09-19 罗姆股份有限公司 半导体存储装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1251683A (zh) * 1997-03-31 2000-04-26 英特尔公司 减小编程易变性的闪速存储器vds补偿技术
CN101017708A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 三星电子株式会社 根据温度变化控制高压生成器输出电压的半导体存储装置
CN102682852A (zh) * 2011-02-07 2012-09-19 罗姆股份有限公司 半导体存储装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106297887A (zh) 2017-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9224482B2 (en) Hot-carrier injection programmable memory and method of programming such a memory
EP0328918B1 (en) Electrically erasable non-volatile semiconductor memory device
JP7422205B2 (ja) 抵抗変化素子アレイにおける抵抗変化素子にアクセスするためのデバイスおよび方法
KR100205309B1 (ko) 비휘발성 메모리셀 및 이 비휘발성 메모리셀을 프로그래밍하는 방법
TW529028B (en) Single chip computer and method for renewing data therein
TW201743331A (zh) 半導體記憶裝置及記憶體系統
CN106297887B (zh) 一种提升eeprom存储器编程精度的升压电路及其方法
TWI494930B (zh) 記憶體裝置之數個操作
CN105283919A (zh) 半导体装置、预写程序以及复原程序
JP4726033B2 (ja) 不揮発性メモリ、不揮発性メモリの制御方法、及びｉｃカード
US8064263B2 (en) Current sink system for source-side sensing
WO2005055243A3 (en) Low voltage eeprom memory arrays with isolated wells for each colum
US20180053568A1 (en) Nand flash memory and reading method thereof
CN104520933B (zh) 快闪记忆体自适应演算法的方法、设备以及制成品
US9054683B2 (en) Boosting circuit
TWI549134B (zh) Ｎａｎｄ型快閃記憶體及其程式化方法
TWI352994B (zh)
US8000140B2 (en) Random access memory with CMOS-compatible nonvolatile storage element
US9442842B2 (en) Memory system performance configuration
US7212438B2 (en) Semiconductor device and method of operating a semiconductor device
JP2606941B2 (ja) 不揮発性メモリの書込み回路
CN106251902B (zh) 一种提升eeprom编程精度的振荡器电路
TW201443898A (zh) 非揮發性記憶體電路
US7009890B2 (en) Non-volatile semiconductor memory array and method of reading the same memory array
CN110610942B (zh) 用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 518000 E Times Building, 159 Heng Road, North Pingji Avenue, Hehua Community, Pinghu Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province 2201

Patentee after: SHENZHEN AIRLINES CHIP TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co.,Ltd.

Address before: 518000 A-15G, Huaqiang Plaza, Huaqiang North Road, Shenzhen, Guangdong, Futian District 2, China

Patentee before: SHENZHEN AIRLINES CHIP TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co.,Ltd.

CP02 Change in the address of a patent holder