CN106217234B - 用于抛光衬底的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于抛光衬底的抛光系统和方法。抛光系统包括具有压盘和压盘上方的抛光垫的抛光装置。抛光系统还包括被配置为使衬底与抛光垫接合的衬底承载装置。抛光系统还包括被配置为监控抛光垫的厚度的厚度感测装置。

Description

用于抛光衬底的系统和方法
技术领域
本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及抛光系统及方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC。每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂度。在IC演进过程中，功能密度(即，单位芯片面积中互连器件的数量)通常在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供很多益处。
近几十年，已经使用化学机械抛光(CMP)工艺来平坦化用于建立IC的多层，从而有助于提供更精确地构建的IC的器件部件。CMP工艺是结合化学去除和机械抛光的平坦化工艺。因为CMP工艺实现了在整个晶圆表面上的全局平坦化，所以它是一种受欢迎的工艺。CMP抛光晶圆并且从晶圆上去除材料，并且作用在多个材料表面上。
由于CMP工艺是用于形成IC的重要工艺之一，所以希望具有维持CMP工艺的可靠性和效率的机制。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种抛光系统，包括：抛光装置，具有压盘和所述压盘上方的抛光垫；衬底承载装置，被配置为使衬底与所述抛光垫接合；以及厚度感测装置，被配置为监控所述抛光垫的厚度。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于执行抛光工艺的方法，包括：使用抛光垫抛光衬底；监控所述抛光垫的厚度；以及如果所述抛光垫的厚度小于预定值，则使用第二抛光垫替换所述抛光垫。
根据本发明的又一方面，提供了一种用于执行化学机械抛光(CMP)工艺的方法，包括：使用抛光垫抛光衬底；在所述衬底与所述抛光垫之间提供研磨液；调节所述抛光垫；监控所述抛光垫的厚度；以及如果所述抛光垫的厚度小于预定值，则使用第二抛光垫替换所述抛光垫。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据以下详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该注意的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1是根据一些实施例的抛光系统的透视图。
图2A是根据一些实施例的抛光系统的一部分的截面图。
图2B是根据一些实施例的抛光系统的一部分的截面图。
图2C是根据一些实施例的抛光系统的一部分的截面图。
图3是示出根据一些实施例的用于执行抛光工艺的方法的流程图。
图4是示出根据一些实施例的用于执行抛光工艺的方法的流程图。
图5是根据一些实施例的抛光系统的透视图。
图6是根据一些实施例的抛光系统的透视图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成为直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。
描述本发明的一些实施例。图1是根据一些实施例的抛光系统100的透视图。附加部件可以添加在抛光系统中。对于不同的实施例，可以替换或去除下文描述的一些部件。在一些实施例中，抛光系统100是化学机械抛光(CMP)系统。CMP系统使用化学反应和机械研磨的组合，以从半导体器件的表面去除材料。
如图1所示，根据一些实施例，抛光系统100包括抛光装置102和衬底承载装置(substrate carrying assembly)104。衬底承载装置104配置为将衬底118保持在抛光装置102上，以执行抛光工艺，诸如CMP工艺。在一些实施例中，衬底118是半导体晶圆。在一些实施例中，衬底承载装置104包括机械臂114和衬底载体116。衬底载体116也可以叫做抛光头。在一些实施例中，机械臂114包括可旋转轴。
抛光装置102被配置为抛光衬底118的表面。在一些实施例中，抛光装置102包括压盘108和安装或固定在压盘108上方的抛光垫110。在一些实施例中，压盘108是被配置为在一个或多个方向上旋转的可旋转压盘。压盘108能够在顺时针方向和/或逆时针方向上旋转。在一些实施例中，抛光装置102还包括研磨液输送单元112。研磨液输送单元112用于将研磨液111供应至抛光垫110上。
研磨液111可以包括具有特殊尺寸和形状的研磨颗粒并且可以悬浮在水溶液中。研磨颗粒可以大致与要被抛光的衬底118的材料层一样硬。根据要被抛光的材料，可以将酸或碱添加到水溶液中。其他添加剂(诸如表面活性剂和/或缓冲剂)可以添加到水溶液中。
衬底载体116适应于保持衬底118，以使衬底118的表面与抛光垫110接合。衬底载体116也可以适应于在衬底118上提供向下的压力。在一些实施例中，当正在执行抛光工艺(诸如CMP工艺)时，抛光垫110与衬底118直接接触并且通过压盘108进行旋转。在一些实施例中，在抛光工艺期间，通过研磨液输送单元112将研磨液111连续不断地提供在抛光垫110上。
在一些实施例中，在抛光工艺期间，衬底118通过衬底承载装置104也进行旋转。在一些实施例中，衬底118和抛光垫110在相同方向上同时旋转。例如，衬底118和抛光垫110都在顺时针方向上旋转。可选地，衬底118和抛光垫110都在逆时针方向上旋转。在一些实施例中，衬底118和抛光垫110在不同方向上(即，一个在顺时针方向上而另一个在逆时针方向上)同时旋转。在一些其他实施例中，衬底118在抛光工艺期间不旋转。
可以通过各种参数来影响抛光速率。这些参数可以包括衬底118上的向下压力、压盘108和衬底载体116的转速、研磨液111的化学成分、研磨液111中研磨颗粒的浓度、研磨液111的温度和研磨液111中研磨颗粒的形状、尺寸和/或分布。
在一些实施例中，抛光垫110是多孔结构，并且具有粗糙的抛光表面。在一些实施例中，抛光垫110包括多个凹槽。这些凹槽可以用于保持研磨液111，以确保在抛光工艺期间足量的研磨液111提供在抛光垫110与衬底118之间。图2A是根据一些实施例的抛光系统(诸如抛光系统100)的一部分的截面图。在一些实施例中，如图2A所示，抛光垫110包括多个凹槽210。在一些实施例中，凹槽210是沟槽。
在执行抛光工艺后，抛光屑(例如，来自衬底去除的部分和/或研磨颗粒)可以填充抛光垫110的孔。因此，抛光表面变得光滑，并且抛光垫110的表面粗糙度减小。结果，降低了抛光速率。
根据一些实施例，为了维持抛光速率，调节抛光垫110，以恢复抛光垫110的纹理。对抛光垫110执行修整操作(或调节操作)。在一些实施例中，如图1所示，抛光系统100还包括调节装置106。根据一些实施例，调节装置106包括机械臂120、修整头122和调节盘124。在一些实施例中，机械臂120包括可旋转轴。在一些实施例中，如图1所示，沿着压盘108的旋转方向顺序布置研磨液输送单元112、衬底承载装置104和调节装置106。在一些实施例中，在衬底118抛光期间，执行抛光垫110的调节。
在一些实施例中，调节盘124是金刚石盘。金刚石盘包括嵌入金属层的金刚石。将金属层固定至调节盘124的支撑板。例如，金属层是Ni层和/或Cr层。调节盘124用于刮除并且去除抛光垫110在抛光工艺后积累太多抛光屑的表面部分。因此，抛光垫110的干净的下部被暴露并且用于继续抛光工艺。由于通过调节盘124进行修整，所以抛光垫110的表面被复原。由于恢复了抛光垫110的纹理，所以维持抛光速率。
如上所述，通过调节装置106调节抛光垫110，以恢复抛光垫110的纹理。因此，抛光垫110在调节操作之后被消耗。因为抛光垫110的厚度减小，所以凹槽210的深度也减小。结果，当抛光垫110消耗太多时，抛光垫110不能保持足量的研磨液111。抛光工艺会受到不利的影响。
根据一些实施例，如图1所示，抛光系统100还包括厚度感测装置200。将厚度感测装置200配置为监控抛光垫110的厚度。在一些实施例中，通过厚度感测装置200检测和监控抛光垫110的厚度。在一些实施例中，在抛光垫110的厚度和/或凹槽210的深度变得太小之前，使用第二抛光垫(诸如新抛光垫)替换抛光垫110。因此，可以及时地使用新抛光垫来替换抛光垫110，并且维持抛光工艺的质量。
在一些实施例中，厚度感测装置200包括涡流感测装置。在一些实施例中，将涡流感测装置配置为检测由位于抛光垫110中或下方的导电元件生成的涡流。在一些实施例中，导电元件包括导电纤维、导电颗粒、一个或多个导电层、其他合适的导电元件或它们的组合。
根据一些实施例，如图2A所示，导电元件209分散在抛光垫110中。在一些实施例中，抛光垫110包括顶部垫208和底部垫206。在一些实施例中，导电元件209分散在顶部垫208中。在一些实施例中，导电元件209均匀地分散在顶部垫208中。在一些其他的实施例中，导电元件209分散在底部垫206中。在一些实施例中，导电元件均匀地分散在底部垫206中。在一些其他的实施例中，导电元件209分布在顶部垫208和底部垫206中。导电元件209可以包括金属纤维、碳纤维、金属颗粒、碳颗粒、其他合适的材料或它们的组合。
在一些实施例中，如图2A或图1所示，厚度感测装置200位于压盘108下方。在一些实施例中，厚度感测装置200包括第一线圈202和第二线圈203。第二线圈203可以用于生成磁场B1。响应于磁场B1，抛光垫110中的导电元件209可以生成涡流。反过来，生成的涡流创建新的磁场B2。第一线圈202可以用于感测磁场B2。磁场B2与由导电元件209生成的涡流成比例。因为抛光垫110变得更薄，所以导电元件209的总量也减少，从而导致更小的涡流和更小的磁场B2。感测的信息可以用于计算抛光垫110的厚度T。因此，通过检测磁场B2，检测并且监控抛光垫110的厚度T。
图3是示出了根据一些实施例的用于执行抛光工艺的方法300的流程图。参考图1、图2A和图3，方法300开始于操作302，其中使用抛光垫110抛光衬底118。方法300继续操作304，其中监控抛光垫110的厚度T。在一些实施例中，通过厚度感测装置200检测和监控厚度T。在一些实施例中，在通过抛光垫110抛光衬底118的同时执行对抛光垫110的厚度T的监控。在一些其他的实施例中，抛光衬底118之前，执行对厚度T的监控。在一些其他的实施例中，抛光衬底118之后，执行对厚度T的监控。
在一些实施例中，如图3所示，方法300继续操作306，其中如果抛光垫110的厚度T小于预定值，则使用第二抛光垫替换抛光垫110。可以根据需要设置该预定值。当厚度T大于预定值时，凹槽210足够深以保持足量的研磨液111。可以很好地执行抛光工艺，并且没有必要替换抛光垫110。当厚度T小于预定值时，凹槽210不能保持足量的研磨液111。因此，如果检测到厚度T小于预定值，则厚度感测装置200可以指示该状态。因此，可以及时地使用第二抛光垫(诸如新的抛光垫)替换抛光垫110。维持抛光工艺的质量。不必太早替换抛光垫110。因此，减少制造成本和制造时间。
在一些实施例中，厚度感测装置200包括控制单元204。控制单元204可以用于向和/或从第一线圈202和第二线圈203发送和/或接收电信号。在一些实施例中，控制单元204电连接至或能够控制报警单元(未示出)。报警单元可以用于指示应该使用新的抛光垫来替换抛光垫。在一些其他的实施例中，控制单元204电连接至或能够控制机械臂(未示出)。一旦抛光垫110的厚度T小于预定值，机械臂就开始执行抛光垫替换操作。
根据一些实施例，如图1所示，厚度感测装置200电连接至或能够控制调节装置106。在一些实施例中，厚度感测装置200的控制单元204电连接至或能够控制调节装置106。在一些实施例中，调节装置106由控制单元204控制。
图4是示出根据一些实施例的用于执行抛光工艺的方法400的流程图。参考图1、图2A和图4，方法400开始于操作402，其中使用抛光垫110抛光衬底118。方法400继续操作404，其中使用调节盘124调节抛光垫110。在一些实施例中，同时地执行抛光垫110的调节和衬底118的抛光。
方法400继续操作406，其中监控抛光垫110的厚度T。在一些实施例中，通过厚度感测装置200来检测和监控厚度T。在一些实施例中，在抛光衬底118和调节抛光垫110期间，执行对抛光垫110的厚度T的监控。
在一些实施例中，方法400继续操作408，其中，如果抛光垫110的厚度T小于第一预定值，则减小由调节盘124施加于抛光垫110的力。因此，抛光垫110的消耗速率减小，以增大抛光垫110的使用寿命。如图4所示，方法400继续操作410，其中，如果抛光垫110的厚度T小于第二预定值，则使用第二抛光垫替换抛光垫110。在一些实施例中，操作410中提到的第二预定值小于操作408中提到的第一预定值。
如上所述，可以根据需要设置第二预定值。当厚度T大于第二预定值时，凹槽210足够深以保持足量的研磨液111。可以很好的执行抛光工艺，并且不必替换抛光垫110。当厚度T小于第二预定值时，凹槽210不能保持足量的研磨液111。因此，如果检测到的厚度T小于第二预定值，则可以及时地使用第二抛光垫(诸如新的抛光垫)替换抛光垫110。维持抛光工艺的质量。抛光垫110不会太早被替换掉。因此，降低了制造成本并减少了制造时间。
可以对本发明的实施例进行许多变化和/或修改。图5是根据一些实施例的抛光系统100’的透视图。在一些实施例中，如图5所示，厚度感测装置200位于抛光垫110上方。图6是根据一些实施例的抛光系统100”的透视图。在一些其他的实施例中，如图6所示，厚度感测装置200位于压盘108中。
可以对本发明的实施例进行许多变化和/或修改。例如，导电元件不限于导电纤维和/或导电颗粒。在一些实施例中，导电元件包括导电层。图2B是根据一些实施例的抛光系统(诸如抛光系统100’)的一部分的截面图。
根据一些实施例，如图2B所示，在抛光垫110中形成导电元件209’。在一些实施例中，导电元件209’是介于抛光垫110的顶部垫208与底部垫206之间的导电层。在一些实施例中，抛光垫110包括被用作导电元件的一个或多个导电层。在一些实施例中，导电元件209’是形成线圈状图案的一个或多个导电层。在一些实施例中，图2B所示的抛光系统用于执行图3所描述的方法300。在一些实施例中，图2B所示的抛光系统用于执行图4所描述方法400。
如上所述，第二线圈203可以用于生成磁场B1。响应于磁场B1，抛光垫110中的导电元件209’生成涡流。反过来，生成的涡流创建新的磁场B2。第一线圈202可以用于感测磁场B2。磁场B2与由导电元件209’生成的涡流成比例。由于抛光垫110的屏蔽，所以第一线圈202感测到的磁场B2的值低于实际值。由于抛光和调节使得抛光垫110被消耗之后变得更薄，所以抛光垫110对磁场B2的屏蔽变得更弱。因此，由于抛光垫110变得更薄，所以第一线圈202可以感测更大的磁场B2。因此，通过检测磁场B2，可以检测和监控抛光垫110的厚度T。
可以对本发明的实施例进行许多变化和/或修改。例如，导电元件不限于分散或形成在抛光垫110中。在一些实施例中，导电元件位于抛光垫110的外部。在一些实施例中，导电元件位于抛光垫110的下方。图2C是根据一些实施例的抛光系统的一部分的截面图。
根据一些实施例，如图2C所示，导电元件209”形成在抛光垫110下方。在一些实施例中，导电元件209”是介于抛光垫110与压盘108之间的导电层。在一些其他的实施例中，导电元件209”包括多个导电层。在一些实施例中，导电元件209”是形成线圈状图案的一个或多个导电层。在一些实施例中，图2C所示的抛光系统用于执行图3中所描述的方法300。在一些实施例中，图2C所示的抛光系统用于执行图4中所描述的方法400。
类似地，第二线圈203可以用于生成磁场B1，以感应抛光垫110下方的导电元件209”而生成涡流。反过来，生成的涡流创建新的磁场B2。第一线圈202可以用于感测磁场B2。磁场B2与由导电元件209”生成的涡流成比例。由于抛光垫110的屏蔽，第一线圈202检测到的磁场B2的值低于实际值。由于抛光垫110变得更薄，所以抛光垫110对磁场B2的屏蔽变得更弱。因此，由于抛光垫110变得更薄，所以第一线圈202可以感测更大的磁场B2。因此，通过检测磁场B2，检测和监控抛光垫110的厚度T。
本发明的实施例提供了一种用于使用抛光垫抛光衬底的系统和方法。抛光系统包括厚度感测装置。将厚度感测装置配置为检测和监控抛光垫的厚度。厚度感测装置包括涡流感测装置。将涡流感测装置配置为检测由位于抛光垫中或下方的导电元件生成的涡流。检测值用于计算抛光垫的厚度。由于厚度感测装置的帮助，在抛光垫的厚度变得太小之前，使用第二抛光垫(诸如新的抛光垫)替换抛光垫。因此，可以及时地使用新的抛光垫替换抛光垫，并且维持了抛光工艺的质量。
根据一些实施例，提供一种抛光系统。抛光系统包括具有压盘和压盘上方的抛光垫的抛光装置。抛光系统还包括被配置为使衬底与抛光垫接合的衬底承载装置。抛光系统还包括被配置为监控抛光垫的厚度的厚度感测装置。
优选地，抛光系统还包括：导电元件，位于所述抛光垫中或下方。
优选地，所述厚度感测装置包括：涡流感测装置，被配置为检测由所述导电元件生成的涡流。
优选地，所述涡流感测装置位于所述抛光垫上面。
优选地，所述涡流感测装置位于所述压盘下面。
优选地，所述涡流感测装置位于所述压盘中。
优选地，所述抛光垫包括顶部垫和底部垫，并且所述导电元件是介于所述顶部垫与所述底部垫之间的导电层。
优选地，所述导电元件是介于所述抛光垫与所述压盘之间的导电层。
优选地，所述导电元件包括导电纤维、导电颗粒或它们的组合，并且所述导电元件分散在所述抛光垫中。
优选地，抛光系统还包括：研磨液输送单元，被配置为将研磨液提供至所述抛光垫上；以及调节装置，被配置为恢复所述抛光垫的纹理，其中，所述调节装置电连接至所述厚度感测装置。
根据一些实施例，提供一种用于执行抛光工艺的方法。方法包括使用抛光垫抛光衬底。方法还包括监控抛光垫的厚度。方法还包括：如果抛光垫的厚度小于预定值，则使用第二抛光垫替换抛光垫。
优选地，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的厚度的监控。
优选地，通过检测由所述抛光垫中或下方的导电元件生成的涡流来执行对所述抛光垫的厚度的监控。
优选地，用于执行抛光工艺的方法还包括：向所述导电元件施加磁场，使得生成所述涡流。
优选地，用于执行抛光工艺的方法还包括：使用调节盘调节所述抛光垫；以及如果所述抛光垫的厚度小于第二预定值，则减小由所述调节盘施加于所述抛光垫的力，其中，所述第二预定值大于所述预定值。
根据一些实施例，提供一种用于执行CMP工艺的方法。方法包括使用抛光垫抛光衬底并且在衬底与抛光垫之间提供研磨液。方法还包括调节抛光垫并且监控抛光垫的厚度。方法还包括：如果抛光垫的厚度小于预定值，则使用第二抛光垫替换抛光垫。
优选地，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的厚度的监控。
优选地，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的调节。
优选地，通过检测由所述抛光垫中或下方的导电元件生成的涡流来执行对所述抛光垫的厚度的监控。
优选地，用于执行CMP工艺的方法还包括：如果所述抛光垫的厚度小于第二预定值，则在调节所述抛光垫期间减小施加于所述抛光垫的力，其中，所述第二预定值大于所述预定值。
上面论述了若干实施例的部件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。

Claims (17)

1.一种抛光系统，包括：
抛光装置，具有压盘和所述压盘上方的抛光垫，所述抛光垫包括用于保持研磨液的凹槽；
衬底承载装置，被配置为使衬底与所述抛光垫接合；以及
厚度感测装置，被配置为监控所述抛光垫的厚度，如果所述抛光垫的厚度小于预定值并且所述凹槽的深度小于预定深度，则由第二抛光垫替换所述抛光垫；
导电元件，包括导电纤维、导电颗粒或它们的组合并且位于所述抛光垫中或下方，其中，所述厚度感测装置被配置为通过检测所述导电元件的涡流来监控所述抛光垫的厚度。
2.根据权利要求1所述的抛光系统，其中，所述厚度感测装置包括：涡流感测装置，被配置为检测由所述导电元件生成的所述涡流。
3.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述涡流感测装置位于所述抛光垫上面。
4.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述涡流感测装置位于所述压盘下面。
5.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述涡流感测装置位于所述压盘中。
6.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述抛光垫包括顶部垫和底部垫，并且所述导电元件是介于所述顶部垫与所述底部垫之间的导电层。
7.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述导电元件是介于所述抛光垫与所述压盘之间的导电层。
8.根据权利要求2所述的抛光系统，其中，所述导电元件分散在所述抛光垫中。
9.根据权利要求1所述的抛光系统，还包括：
研磨液输送单元，被配置为将研磨液提供至所述抛光垫上；以及
调节装置，被配置为恢复所述抛光垫的纹理，其中，所述调节装置电连接至所述厚度感测装置。
10.一种用于执行抛光工艺的方法，包括：
使用抛光垫抛光衬底，所述抛光垫包括用于保持研磨液的凹槽；
监控所述抛光垫的厚度，其中，通过检测导电元件的涡流来监控所述抛光垫的厚度，所述导电元件包括导电纤维、导电颗粒或它们的组合并且位于所述抛光垫中或下方；以及
如果所述抛光垫的厚度小于预定值并且所述凹槽的深度小于预定深度，则使用第二抛光垫替换所述抛光垫。
11.根据权利要求10所述的用于执行抛光工艺的方法，其中，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的厚度的监控。
12.根据权利要求10所述的用于执行抛光工艺的方法，还包括：向所述导电元件施加磁场，使得生成所述涡流。
13.根据权利要求10所述的用于执行抛光工艺的方法，还包括：
使用调节盘调节所述抛光垫；以及
如果所述抛光垫的厚度小于第二预定值，则减小由所述调节盘施加于所述抛光垫的力，其中，所述第二预定值大于所述预定值。
14.一种用于执行化学机械抛光(CMP)工艺的方法，包括：
使用抛光垫抛光衬底，所述抛光垫包括用于保持研磨液的凹槽；
在所述衬底与所述抛光垫之间提供研磨液；
调节所述抛光垫；
监控所述抛光垫的厚度，其中，通过检测导电元件的涡流来监控所述抛光垫的厚度，所述导电元件包括导电纤维、导电颗粒或它们的组合并且位于所述抛光垫中或下方；以及
如果所述抛光垫的厚度小于预定值并且所述凹槽的深度小于预定深度，则使用第二抛光垫替换所述抛光垫。
15.根据权利要求14所述的用于执行化学机械抛光工艺的方法，其中，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的厚度的监控。
16.根据权利要求15所述的用于执行化学机械抛光工艺的方法，其中，在抛光所述衬底期间，执行对所述抛光垫的调节。
17.根据权利要求14所述的用于执行化学机械抛光工艺的方法，还包括：如果所述抛光垫的厚度小于第二预定值，则在调节所述抛光垫期间减小施加于所述抛光垫的力，其中，所述第二预定值大于所述预定值。
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