CN106207010B - 掩模框架组件、其制造方法及有机发光显示装置制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式公开了掩模框架组件、掩模框架组件制造方法以及有机发光显示装置的制造方法。所述掩模框架组件的特征在于，包括具有供沉积物质通过的沉积区域的掩模和具有基底部、第一支承部和第二支承部的框架，其中，第一支承部从基底部凸出并具有倾斜的侧面，第二支承部从第一支承部凸出并支承掩模，其中，掩模的边缘朝着基底部弯曲。

Description

掩模框架组件、其制造方法及有机发光显示装置制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及掩模框架组件、其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
通常，作为有源发光型显示元件，作为平坦式显示器之一的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度优异的优点，而且还具有能够通过低电压驱动、呈轻量的扁平状并且响应速度快的优点，由此作为下一代显示元件而备受瞩目。
这种发光元件根据形成发光层的物质划分为无机发光元件和有机发光元件，并且相比于无机发光元件，有机发光元件具有亮度、响应速度等特性优秀、能够以彩色显示等的优点，因此对其的开发最近广为进行。
有机发光显示装置通过真空沉积法形成有机膜和/或电极。然而，随着有机发光显示装置逐渐被高分辨率化，沉积工艺中所用的掩模的开放式狭缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也需要被进一步减小。
此外，为了制造高分辨率有机发光显示装置，需要减少或去除阴影现象(shadoweffect)。为此，目前在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在兴起用于提升衬底与掩模的紧贴度的技术的开发。
上述的背景技术是发明人为得出本发明的实施方式而拥有或者在得出过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的实施方式的申请前已公开于一般公众的公知技术。
发明内容
本发明的实施方式提供掩模框架组件、其制造方法和有机发光显示装置的制造方法。
本发明的实施方式公开了一种掩模框架组件，其特征在于，包括具有供沉积物质通过的沉积区域的掩模和具有基底部、第一支承部和第二支承部的框架，其中，第一支承部从基底部凸出并具有倾斜的侧面，第二支承部从第一支承部凸出并支承掩模，其中，掩模的边缘朝着基底部弯曲。
在本实施方式中，沉积区域可包括外围区域被第二支承部支承的主体部和贯穿主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。
在本实施方式中，其特征可在于，主体部的外围区域的边缘以朝着基底部的方向弯曲。
在本实施方式中，其特征可在于，第一支承部和第二支承部中的至少一个中形成有凹陷部。
在本实施方式中，沉积区域可包括外围区域被第二支承部支承的主体部和贯穿主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。
在本实施方式中，其特征可在于，主体部的外围区域的边缘以朝着凹陷部的方向弯曲。
在本实施方式中，还可包括：接合掩模与框架的第二支承部的焊接部。
本发明的实施方式公开了一种掩模框架组件制造方法，包括以下步骤：准备包括基底部、第一支承部和第二支承部的框架，其中，第一支承部从基底部凸出并具有倾斜的侧面，第二支承部从第一支承部凸出并支承掩模；准备包括沉积区域和盈余区域的掩模，其中，沉积区域供沉积物质通过，盈余区域与沉积区域的外侧连接；将掩模接合到框架；用模具部从掩模的与框架接触的面的相反侧对沉积区域的外围部施压；以及切割盈余区域。
在本实施方式中，其特征可在于，在将掩模接合到框架的步骤中，将沉积区域与盈余区域相接的界面定位成与第二支承部的外围区域的边缘相对应。
在本实施方式中，沉积区域可包括外围区域被第二支承部支承的主体部和贯穿主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。
在本实施方式中，其特征可在于，在切割盈余区域后，主体部的外围区域的边缘以朝着基底部的方向弯曲。
在本实施方式中，其特征可在于，第一支承部和第二支承部中的至少一个中形成有凹陷部。
在本实施方式中，其特征可在于，在将掩模接合到框架的步骤中，将沉积区域与盈余区域相接的界面定位在凹陷部处。
在本实施方式中，沉积区域可包括外围区域被第二支承部支承的主体部和贯穿主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。
在本实施方式中，其特征可在于，在切割盈余区域后，主体部的外围区域的边缘以朝着凹陷部的方向弯曲。
在本实施方式中，其特征可在于，切割盈余区域的方法为利用机械切割器(mechanical cutter)切割沉积区域与盈余区域的界面。
本发明的又一实施方式公开了一种有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底和掩模框架组件载入腔室内部；对齐衬底与掩模框架组件；以及使从沉积源喷射的沉积物质通过掩模框架组件的图案部并沉积到衬底上，其中，掩模框架组件包括具有供沉积物质通过的沉积区域的掩模和具有基底部、第一支承部和第二支承部的框架，其中，第一支承部从基底部凸出并具有倾斜的侧面，第二支承部从第一支承部凸出并支承掩模，其中，掩模的边缘朝着基底部弯曲。
通过下面的附图、权利要求书和发明的详细说明，除了上述以外的其他方面、特征、优点将变得明确。
根据本发明的实施方式，掩模框架组件、其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法提升了衬底与掩模的紧贴度，从而能够将沉积物质精密地沉积到衬底上。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件的立体图。
图2是分解示出在制造图1中掩模框架组件的工艺之前的掩模和框架的分解立体图。
图3至图6是示出根据本发明实施方式的掩模框架组件的制造方法的剖视图。
图7是示出根据本发明另一实施方式的掩模框架组件的立体图。
图8是分解示出在制造图7中掩模框架组件的工艺之前的掩模和框架的分解立体图。
图9至图12是示出根据本发明另一实施方式的掩模框架组件的制造方法的剖视图。
图13是示出使用图1和图7中所示掩模框架组件制造的有机发光显示装置的视图。
具体实施方式
本发明可以实施多种变型并且可以具有多种实施方式，并且旨在附图中示出特定实施方式并对其进行详细说明。通过参照结合附图详细说明的实施方式，本发明的效果和特征以及实现其的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下面所公开的实施方式，而是可以多种形态实现。在下面的实施方式中，“第一”、“第二”等的措辞并不具有限定的含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的使用。此外，除非文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辞是指说明书中所述记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
此外，为了说明的便利，附图中构成要素的大小可以被夸大或被缩小。例如，为了说明的便利，附图中所示的各构件的大小和厚度被任意示出，因此本发明并不一定限定于图中所示。此外，当能够以不同的方式实现某些实施方式时，特定的工艺可以按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。
下面，将参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，将对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复描述。
图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件10的立体图，图2是分解示出在制造图1的掩模框架组件10的工艺之前的掩模100和框架200的分解立体图。
参照图1和图2，掩模框架组件10包括掩模100和框架200。这种掩模100和框架200通过焊接部130接合为一体，并且在将薄膜(thin film)沉积到显示衬底(未示出)上的工艺中布置在沉积源(未示出)与显示衬底之间，以起到使沉积物质根据期望的图案形状通过并移至显示衬底的作用。
掩模100包括供沉积物质通过的沉积区域110和在掩模框架组件10的制造过程中被切割的盈余区域120。沉积区域110可包括外围区域被框架200的第二支承部230支承的主体部111，以及形成为孔(hole)或狭缝(slit)形状以贯穿主体部111并且供沉积物质通过的一个以上的图案部112。
这种沉积区域110布置成与框架200的开口部240相对应，图案部112形成贯穿掩模100的沉积用图案。此外，主体部111形成在各个图案部112之间以及形成在沉积区域110的外围，以阻断从沉积源放射的沉积物质。因此，从沉积源放射的沉积物质通过图案部112并沉积到显示衬底上，而这意味着沉积到显示衬底上的沉积物质的形状将随着图案部112的形状而变化。
即，如图1中所示，图案部112可形成为条纹(stripe)形态，不仅如此，而且还可形成为例如多个点状(dot)形态。此外，图1中所示的图案部112的数量或位置也仅仅为一个示例，本发明的实施方式并不受限于此，而是能够根据待沉积有沉积物质的显示衬底的大小来进行各种选择。
此外，掩模100可形成为一个大部件并接合到框架200上，但是本发明并不限于此。例如，掩模100可形成为多个条状(stick)形态以分散掩模100的自身重量。然而，为了说明的便利，下文中将主要对如图1中所示的单张形态的掩模100进行详细说明。
另外，焊接部130形成在沉积区域110的外围并对掩模100与框架200进行接合。形成焊接部130的方法，换言之，接合掩模100与框架200的方法通常为焊接(welding)方式，此外，还可使用如电铸法(electroforming)或非电解镀层法(electroless plating)等广为人知的各种方法。
接着，框架200与掩模100接合并支承掩模100，框架200包括基底部210、从基底部210凸出并具有倾斜的侧面的第一支承部220、和从第一支承部220凸出并支承掩模100的第二支承部230。
这种框架200作为形成掩模框架组件10的外围框架的部件，其可形成为中央形成有开口部240的框状形态。此外，框架200可由金属或合成树脂等制成，并且除了图中所示的四边形形态以外，还可形成为诸如圆形或多边形的各种形态。
基底部210作为充当框架200的本体的部件，其支承在框架200中凸出形成的第一支承部220和第二支承部230以及接合到第二支承部230的掩模100。
第一支承部220可从基底部210凸出形成，并且可形成有倾斜的侧面。此外，第二支承部230从第一支承部220凸出形成，并且通过上述的焊接部130与掩模100接合。
此时，与第二支承部230接合的掩模100的边缘朝着基底部210弯曲。这是因为在后述的掩模框架组件10的制造工艺中，在切割盈余区域120的过程中主体部111的外围区域的边缘会以朝着基底部210的方向弯曲，而在沉积工艺中使用具有这种结构的掩模框架组件10时将获得如下效果。
通常，根据以往的技术，在通过焊接部130接合掩模100与框架200后，将会用激光切割存在于焊接部130外侧的掩模100的盈余区域120。在这种情况下，通过照射激光切割的盈余区域120的切割面上将形成从掩模100凸出的、作为掩模100因热变形导致的残余物的毛刺(burr)。
在将沉积物质沉积到显示衬底上的后续工艺中对掩模100与显示衬底进行紧贴时，这种毛刺(burr)将成为问题。即，因为存在有从掩模100凸出一定间隔的毛刺(burr)，掩模100与显示面板无法彼此均匀地紧贴，而是在掩模100与显示面板之间形成与毛刺(burr)的高度相当的空的空间。因此，由于毛刺(burr)而导致掩模100与显示面板无法紧贴，并且在这种情况下沉积物质将被沉积到显示衬底上作为不期望的区域的盲区(dead zone)上，由此导致显示器产品的生产率和像素的准确性下降。
无法将沉积物质精密地沉积到显示衬底上的这种现象被称之为阴影现象(shadoweffect)。为了制造出要求大型化和高分辨率化的显示器产品，需要减少或去除这种阴影现象的方法。
因此，为了减少或去除阴影现象，有必要提升掩模100与显示衬底的紧贴度。换言之，在掩模100的制造工艺中，当去除盈余区域120时需要使形成在掩模100的表面上的毛刺(burr)不与显示衬底接触，或者需要不同于激光切割的方法以使毛刺(burr)不会存在于掩模100上。
另外，在切割掩模100的盈余区域120后，也可附加地实施切削毛刺(burr)的工艺来替代这种方法。然而，这种方法作为附加工艺，可能会导致生产效率的下降和生产成本的上升。
因此，为了解决这种问题，作为特征，根据本发明的实施方式的掩模框架组件10将掩模100的边缘朝着基座部210弯曲。
图3至图6是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件10的制造方法的剖视图。
参照图3至图6，掩模框架组件10的制造方法可包括准备框架200的步骤、准备掩模100的步骤、接合掩模100与框架200的步骤、用模具部50a对掩模100施压的步骤、和切割掩模100的盈余区域120的步骤。因为准备框架200的步骤和准备掩模100的步骤是制造上述的掩模100和框架200的步骤，因此下文中将省略其详细说明。
首先，参照图3，掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B被定位成与第二支承部230的外围区域的边缘相对应。此时，掩模100的盈余区域120不与第二支承部230接触，相应地，盈余区域120被布置成与基底部210相隔一定间隔，因此盈余区域120与基底部210之间可形成一定的空的空间。
参照图4，掩模100可通过焊接部130接合到框架200。具体地，焊接部130形成在掩模100的主体部111的外围区域并且与第二支承部230接触，从而可对掩模100与第二支承部230进行接合。
如上所述，这种焊接部130的形成方法通常为焊接(welding)方式，此外，还可使用如电铸法(electroforming)或非电解镀层法(electroless plating)等广为人知的各种方法。通过这种方式形成焊接部130来接合掩模100与框架200是为了在掩模框架组件10的制造工艺中在精密地对齐掩模100与框架200的情况下进行工艺。
接着，参照图5和图6，对用模具部50a对掩模100施压的步骤和切割掩模100的盈余区域120的步骤进行说明。
参照图5，在掩模100的与框架200彼此接触的面的相反侧方向上准备用于对掩模100施压的模具部50a。模具部50a布置成对掩模100的沉积区域110的外围区域施压，具体地，布置成对沉积区域110的主体部111的外围区域施压，并且模具部50a的最外围端部布置在沉积区域110与盈余区域120的界面B处。
接着，在模具部50a对主体部111的外围区域施压的状态下，使机械切割器(mechanical cutter)70在沿着模具部50a的侧面朝着框架200侧移动的同时向沉积区域110与盈余区域120的界面B施加剪切力(shearing force)，以将盈余区域120从掩模100切除。
当通过这种方式用机械切割器70切割沉积区域110与盈余区域120的界面B时，如图6中所示，能够制造出主体部111的外围区域的边缘以朝着基底部210的方向弯曲的掩模框架组件10。
当在沉积工艺中使用具有这种结构的掩模框架组件10时，能够在沉积工艺中提升掩模100与显示衬底的紧贴度，由此能够如上所述、改善阴影现象来防止显示器产品的不良，而且能够省去如去除毛刺(burr)的、不必要的工艺来节省生产成本。
图7是示出根据本发明的另一实施方式的掩模框架组件20的立体图，图8是分解示出制造图7的掩模框架组件20的工艺之前的掩模100和框架300的分解立体图。
当对图7和图8中所示的掩模框架组件20与图1和图2中所示的根据本发明的实施方式的掩模框架组件10进行比较时，除了形成在框架300中的凹陷部335以外，其余的构件均相同。
因此，为了说明的便利，下文中将主要对凹陷部335进行详细说明，并且因为其余的构件与图1和图2中所示的掩模框架组件10的结构相同，因此将省略其详细说明。
凹陷部335可形成在凸出形成于框架300中的第一支承部320和第二支承部330中的任一个中。虽然在图7和图8中示出了这种凹陷部335形成在第二支承部330中的形态，但是本实施方式并不限于此，并且凹陷部335也可形成在第一支承部320中。
然而，无论凹陷部335形成在第一支承部320和第二支承部330中的哪一个中，掩模100的主体部111均会以朝着所述凹陷部335的方向弯曲。在具有这种结构的根据本实施方式的掩模框架组件20中，如上所述，在接合掩模100与框架300后，使在切割掩模100的盈余区域120的工艺中所产生的毛刺(burr)形成在比掩模100与显示衬底相接触的面更低的位置处，从而能够提升掩模100与显示衬底的紧贴度。
图9至图12是示出根据本发明的另一实施方式的掩模框架组件20的制造方法的剖视图。
参照图9至图12，掩模框架组件20的制造方法可包括准备框架300的步骤、准备掩模100的步骤、接合掩模100与框架300的步骤、用模具部50b对掩模100施压的步骤、和切割掩模100的盈余区域120的步骤。因为准备框架300的步骤和准备掩模100的步骤是制造上述的掩模100和框架300的步骤，因此下文中将省略其详细说明。
首先，参照图9，掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B’定位在形成于第二支承部330中的凹陷部335处。另外，虽然未在图中示出，但是这种凹陷部335也可形成在第一支承部320中，而在这种情况下，沉积区域110与盈余区域120的界面B’可定位在形成于第一支承部320中的凹陷部335处。
参照图10，在将掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B’定位在凹陷部335处后，通过焊接部130将掩模100接合到框架300。具体地，焊接部130形成在掩模100的主体部111的外围区域且相比于凹陷部335处于内侧，因此在之后切割盈余区域120后，沉积区域110的外围区域的边缘朝着凹陷部335弯曲。
这种焊接部130的形成方法如上所述、通常为焊接(welding)方式，此外，还可使用如电铸法(electroforming)或非电解镀层法(electroless plating)等广为人知的各种方法。通过这种方式形成焊接部130来接合掩模100与框架300是为了在掩模框架组件20的制造工艺中在精密地对齐掩模100与框架300的情况下进行工艺。
接着，参照图11和图12对用模具50b对掩模100施压的步骤和切割掩模100的盈余区域120的步骤进行说明。
参照图11，在掩模100的与框架300彼此接触的面的相反侧方向上准备用于对掩模100施压的模具部50b。图11中所示的模具部50b具有与图5中所示的模具部50a不同的形状，像这样，模具部50a、50b可具有多种变型例。
模具部50b布置成对掩模100的沉积区域110的外围区域施压，具体地，布置成对沉积区域110的主体部111的外围区域施压，并且模具部50b的最外围端部布置在沉积区域110与盈余区域120的界面B’处。
接着，在模具部50b对主体部111的外围区域施压的状态下，使机械切割器(mechanical cutter)70在沿着模具部50b的侧面朝着框架300侧移动的同时向沉积区域110与盈余区域120的界面B’施加剪切力，以将盈余区域120从掩模100切除。
当通过这种方式用机械切割器70切割沉积区域110与盈余区域120的界面B’时，如图12中所示，能够制造出主体部111的外围区域的边缘以朝着凹陷部335的方向弯曲的掩模框架组件20。
当在沉积工艺中使用具有这种结构的掩模框架组件20时，能够在沉积工艺中提升掩模100与显示衬底的紧贴度，由此能够如上所述、改善阴影现象来防止显示器产品的不良，而且能够省去如去除毛刺(burr)的不必要的工艺来节省生产成本。
图13是示出使用图1和图7中所示的掩模框架组件制造的有机发光显示装置400的视图。
参照图13，有机发光显示装置400设置有衬底411。衬底411包括具有柔性的绝缘材料。例如，衬底411可以是玻璃衬底。此外，衬底411可以由聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚醚砜(polyethersulphone；PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephtalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(poluethylenenaphtalate；PEN)、聚芳酯(polyarylate；PAR)或玻璃纤维增强塑料(fiber glass reinforcedplastic；FRP)等的高分子材料构成。衬底411可以是透明的、半透明的或不透明的。
阻挡膜412可形成在衬底411上。阻挡膜412可形成为能够整体地覆盖衬底411的上部面。阻挡膜412可包括无机膜或有机膜。阻挡膜412可形成为单层膜、或者层叠为多层膜。例如，阻挡膜412可以由选自诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(AlO)、铝氮氧化物(AlON)等的无机物和诸如丙烯酸树脂聚酰亚胺、聚酯等的有机物中的至少一种形成。
阻挡膜412执行阻挡氧气和水分的功能，防止水分或杂质通过衬底411扩散，并且为衬底411的上部提供平坦的表面。薄膜晶体管(Thin film transistor；TFT)可形成在阻挡膜412上。虽然图8中所示的薄膜晶体管示出为顶栅(top gate)型薄膜晶体管，但是应明确，也可以包括底栅(bottom gate)型等的其他结构的薄膜晶体管。
半导体有源层413可形成在阻挡膜412上。根据掺杂N型杂质离子或P型杂质离子，半导体有源层413上可形成源区域414和漏区域415。源区域414与漏区域415之间的区域为不掺杂杂质的沟道区域416。
在半导体有源层413由多晶硅形成的情况下，可通过形成非晶硅并且使其结晶化来转变为多晶硅。此外，半导体有源层413可以由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可包含如下物质的氧化物，其中所述物质选自诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)的4、12、13、14族金属元素及其组合。
栅极绝缘膜417可被沉积在半导体有源层413上。栅极绝缘膜417包括诸如硅氧化物、硅氮化物或金属氧化物的无机膜。栅极绝缘膜417可以是单层或者可以是多层结构。
栅电极418可形成在栅极绝缘膜417上的一定区域中。栅电极418可以包含Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的单层膜或多层膜，或者可包含如Al:Nd、Mo:W的合金。
层间绝缘膜419可形成在栅电极418上。层间绝缘膜419可由硅氧化物或硅氮化物等的绝缘材料形成。此外，上述的层间绝缘膜419可由绝缘有机膜形成。
源电极420和漏电极421可形成在层间绝缘膜419上。具体地，接触孔可通过去除栅极绝缘膜417和层间绝缘膜419的一部分而形成在栅极绝缘膜417和层间绝缘膜419中，并且源电极420可通过接触孔电连接到源区域414，漏电极421可通过接触孔电连接到漏区域415。
钝化膜422可以形成在源电极420和漏电极421上。钝化膜422可由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机膜形成或者由有机膜形成。
平坦化膜423可以形成在钝化膜422上。平坦化膜423可包括丙烯酸树脂(acryl)、聚酰亚胺(polyimide)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene；BCB)等的有机膜。
有机发光元件OLED可形成在薄膜晶体管TFT上。有机发光元件OLED包括第一电极425、第二电极427和介于第一电极425与第二电极427之间的中间层426。
第一电极425通过接触孔与源电极420和漏电极421中的任一个电连接。第一电极425对应于像素电极。
第一电极425充当阳极，其可由多种导电材料形成。第一电极425可以形成为透明电极或反射电极。
例如，当第一电极425以透明电极使用时，第一电极425包括ITO、IZO、ZnO、In2O3等。当第一电极425以反射电极使用时，第一电极425可在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成反射膜后在上述的反射膜上形成ITO、IZO、ZnO、In2O3等。
像素限定膜(pixel define layer；PDL)424可形成在平坦化膜423上以覆盖有机发光元件OLED的第一电极425的边缘位置。像素限定膜424通过围绕第一电极425的边缘位置来限定各个子像素的发光区域。
像素限定膜424由有机物或无机物形成。例如，上述的像素限定膜424可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、丙烯酸树脂、酚醛树脂等的有机物形成、或者由如SiNx的无机物形成。像素限定膜424可形成为单层膜，或者可形成为多层膜。
中间层426可形成在通过蚀刻像素限定膜424的一部分而暴露的所述第一电极425的区域中。中间层426可以通过沉积工艺形成。
中间层426可以由低分子有机物或高分子有机物形成。中间层426可以包括有机发光层(emissive layer；EML)。作为可选的其他示例，除了包括有机发光层以外，中间层426还可包括空穴注入层(hole injection layer；HIL)、空穴传输层(hole transport layer；HTL)、电子传输层(electron transport layer；ETL)、电子注入层(electron injectionlayer；EIL)中的任一个。本实施方式并不限于此，中间层426包括有机发光层，并且还可包括其他多种功能层。
第二电极427可形成在中间层426上。第二电极427对应于公共电极。与第一电极425相似，第二电极427可形成为透明电极或反射电极。
当第一电极425形成为透明电极或反射电极时，其可形成为与各个子像素的开口对应的形态。相反，第二电极427可将透明电极或反射电极整面地沉积在显示部上。可选地，第二电极427也可由特定图案形成以替代整面沉积。应明确，第一电极425和第二电极427也可以位置倒置而层叠。
另外，第一电极425与第二电极427通过中间层426彼此绝缘。当向第一电极425和第二电极427施加电压时，中间层426中发出可见光来实现用户可识别的图像。
封装部(encapsulation)440可以形成在有机发光元件OLED上。封装部440是为了保护中间层426和其他薄膜免受外部水分或氧气等的影响而形成的。
封装部440可以是至少各层叠有一个有机膜和无机膜的结构。例如，封装部440可以是层叠有诸如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯酸酯等的至少一个有机膜441、442和诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、锆氧化物(ZrOx)、锌氧化物(ZnO)等的至少一个无机膜443、444、445的结构。
封装部440可以是具有至少一个有机膜441、442和至少两个无机膜443、444、445的结构。封装部440中暴露到外部的最上层445可以由无机膜形成以防止水分渗进有机发光元件OLED。
如上所述，虽然参照附图中所示的实施方式对本发明进行了说明，但这仅仅是示例性的，本领域的普通技术人员应理解，能够由此进行多种变型和实施方式的变型。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附权利要求书中的技术思想来定义。
符号说明
10：掩模框架组件 130：焊接部
200：框架
70：机械切割器 210：基底部
100：掩模 220：第一支承部
110：沉积区域 230：第二支承部
111：主体部
112：图案部 335：凹陷部
120：盈余区域 240：开口部

Claims (18)

1.一种掩模框架组件，其特征在于，包括：
掩模，包括供沉积物质通过的沉积区域；
框架，包括基底部、第一支承部和第二支承部，其中，所述第一支承部从所述基底部凸出并具有倾斜的侧面，所述第二支承部从所述第一支承部凸出并支承所述掩模；以及
焊接部，使得所述掩模与所述第二支承部接合，
其中，所述掩模的边缘朝着所述基底部弯曲，以及
所述焊接部从所述掩模的沉积区域的上表面穿过所述沉积区域至所述第二支承部的上表面，
其中，所述掩模的沉积区域的布置有所述焊接部的上表面与所述掩模的上表面为同一个平面。
2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其特征在于，所述沉积区域包括：
主体部，其外围区域被所述第二支承部支承；以及
一个以上的图案部，贯穿所述主体部并且供所述沉积物质通过。
3.如权利要求2所述的掩模框架组件，其特征在于，所述主体部的所述外围区域的边缘以朝着所述基底部的方向弯曲。
4.如权利要求1所述的掩模框架组件，其特征在于，所述第一支承部和所述第二支承部中的至少一个中形成有凹陷部。
5.如权利要求4所述的掩模框架组件，其特征在于，所述沉积区域包括：
主体部，其外围区域被所述第二支承部支承；以及
一个以上的图案部，贯穿所述主体部并且供所述沉积物质通过。
6.如权利要求5所述的掩模框架组件，其特征在于，所述主体部的所述外围区域的边缘以朝着所述凹陷部的方向弯曲。
7.一种掩模框架组件制造方法，包括以下步骤：
准备包括基底部、第一支承部和第二支承部的框架，其中，所述第一支承部从所述基底部凸出并具有倾斜的侧面，所述第二支承部从所述第一支承部凸出并支承掩模；
准备包括沉积区域和盈余区域的所述掩模，其中，所述沉积区域供沉积物质通过，所述盈余区域与所述沉积区域的外侧连接；
将所述掩模接合到所述框架；
用模具部从所述掩模的与所述框架接触的面的相反侧对所述沉积区域的外围部施压；以及
切割所述盈余区域，使得所述掩模的边缘朝着所述基底部弯曲。
8.如权利要求7所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，在将所述掩模接合到所述框架的步骤中，将所述沉积区域与所述盈余区域相接的界面定位成与所述第二支承部的外围区域的边缘相对应。
9.如权利要求7所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，所述沉积区域包括：
主体部，其外围区域被所述第二支承部支承；以及
一个以上的图案部，贯穿所述主体部并且供所述沉积物质通过。
10.如权利要求9所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，在切割所述盈余区域后，所述主体部的所述外围区域的边缘以朝着所述基底部的方向弯曲。
11.如权利要求7所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，所述第一支承部和所述第二支承部中的至少一个中形成有凹陷部。
12.如权利要求11所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，在将所述掩模接合到所述框架的步骤中，将所述沉积区域与所述盈余区域相接的界面定位在所述凹陷部处。
13.如权利要求11所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，所述沉积区域包括：
主体部，其外围区域被所述第二支承部支承；以及
一个以上的图案部，贯穿所述主体部并且供所述沉积物质通过。
14.如权利要求13所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，在切割所述盈余区域后，所述主体部的所述外围区域的边缘以朝着所述凹陷部的方向弯曲。
15.如权利要求7所述的掩模框架组件制造方法，其特征在于，切割所述盈余区域的方法为利用机械切割器切割所述沉积区域与所述盈余区域的界面。
16.一种有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
将衬底和掩模框架组件载入腔室内部；
对齐所述衬底与所述掩模框架组件；以及
使从沉积源喷射的沉积物质通过掩模框架组件的图案部并沉积到所述衬底上，
其中，所述掩模框架组件包括：
掩模，包括供沉积物质通过的沉积区域；
框架，包括基底部、第一支承部和第二支承部，其中，所述第一支承部从所述基底部凸出并具有倾斜的侧面，所述第二支承部从所述第一支承部凸出并支承所述掩模；以及
焊接部，使所述掩模与所述第二支承部接合，
其中，所述掩模的边缘朝着所述基底部弯曲，以及
所述焊接部从所述掩模的沉积区域的上表面穿过所述沉积区域至所述第二支承部的上表面，
其中，所述掩模的沉积区域的布置有所述焊接部的上表面与所述掩模的上表面为同一个平面。
17.一种掩模框架组件，其特征在于，包括：
多个条形掩模，每个所述条形掩膜包括供沉积物质通过的沉积区域；
框架，包括基底部、第一支承部和第二支承部，其中，所述第一支承部从所述基底部凸出并具有倾斜的侧面，所述第二支承部从所述第一支承部凸出并被配置为支承所述多个条形掩模，以及
焊接部，配置为将所述多个条形掩模接合至所述框架的所述第二支承部，
其中，每个所述条形掩模的边缘朝着所述基底部弯曲，以及
所述焊接部从所述多个条形掩模的沉积区域的上表面穿过所述沉积区域至所述第二支承部的上表面，
其中，所述条形掩模的沉积区域的布置有所述焊接部的上表面与所述条形掩模的上表面为同一个平面。
18.如权利要求17所述的掩模框架组件，其特征在于，所述沉积区域包括：
主体部，具有由所述第二支承部支承的外围区域；以及
一个或多个图案部，贯穿所述主体部并被配置为允许所述沉积物质通过所述一个或多个图案部。
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