CN103203551A - 去除掩模板辅助图形的方法 - Google Patents
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Abstract
一种去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，将相对位置固定好的掩模板及掩模框架放在切割基台上；通过CCD定位掩模板，通过原始文件确定切割基线的坐标，调整切割参数和激光切割头的纵向高度，使其激光焦点落在掩模板厚的中间位置，以保证尽量垂直的切割边；通过激光切割头发射出激光，沿切掩模板上的割基线进行切割。本发明所涉及的掩模板及其制作方法，通过激光切割技术将辅助图形区域从主图形区域分离，工艺简单，并且保证剥离边缘光滑整齐、无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差。
Description
技术领域
本发明涉及一种去除掩模板辅助图形的方法，属于掩模板应用领域。
背景技术
具有由通过附加电压而发光的低分子有机EL（Organic Electro-Luminescence：OEL，有机发光电子板）材料形成的有机发光层的有机EL显示面板是通过下述方式制造成的，即，在透明基板上形成透明电极层，在该透明电极层上形成由低分子有机EL材料形成的有机发光层，还有该有机发光层上形成金属电极层。在该有机EL显示面板的制造工序中，在透明电极层上的有机发光层的形成通常是通过采用具有规定图案的多个细微通孔的蒸镀金属掩模，将低分子有机EL材料蒸镀于基板上的方法而进行的。
这种有机电致发光显示器包括有机电致发光装置，有机电致发光装置具有分别堆叠在基底上的阳极、有机材料层和阴极。有机材料层包括有机发射层，有机发射层由于复合空穴和电子得到的激光而发光。此外，为了将空穴和电子平稳的传输到发射层并提高发射效率，电子注入层和电子传输层可设置在阴极和有机发射层之间，空穴注入层和空穴传输层可设置在阳极和有机发射层之间。
通常，可通过诸如真空沉积、离子电镀、溅射等物理气相沉积法和采用气象反应的化学气相沉积法来制造具有这种构造的有机电致发光装置。此外，当通过这些方法来制造有机电致发光装置时，需要具有预定图案的掩模以在正确的位置堆叠有机材料层。关于这个问题，掩模在收向外的拉力的状态下固定在掩模框上。
由于传统工艺中，将掩模板固定在掩模框架上时掩模受外向拉力，需要在掩模板的边料设计辅助图形以完成绷网，实现外向拉力的施加，该绷网孔区，即辅助图形区域要在掩模板固定在掩模框架后分离出掩模板有效区域，即主图形区域。
现有技术是用剪刀对掩模板的辅助图形区域进行裁减，但裁减的边存在不齐整，外观不美观，对于一些通过掩模板外边框进行对位的情况，外边框的不平整必会导致对位时的位置偏差。
发明内容
本发明的目的是提供一种去除掩模板辅助图形的方法，通过激光切割技术将辅助图形区域从主图形区域分离，可以解决现有技术中掩模板外边框存在不齐整、外观不美观的问题。
针对以上技术问题，本发明提出以下技术方案：
一种去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，将相对位置固定好的掩模板及掩模框架放在切割基台上；通过CCD定位掩模板，通过原始文件确定切割基线的坐标，调整切割参数和激光切割头的纵向高度，使其激光焦点落在掩模板厚的中间位置，以保证尽量垂直的切割边；通过激光切割头发射出激光，沿切掩模板上的割基线进行切割。
所述掩膜板包括主图形区域、辅助图形区域、及位于所述主图形开口区域与辅助图形区域之间的切割基线；将所述掩膜板绷紧后，通过胶水固定在所述掩模框上，即成为相对位置固定好的掩模板及掩模框架。
优选的，在CCD定位时要作出切割坐标补偿，避免激光切割到掩模框架上，保证切割后的掩模板与掩模框架外边界对齐。
优选的，激光切割的具体参数如下：激光频率为6000-8000Hz；电流为10000mA；气体压力为0-2MPa；直线切割速度为100-200cm/min。
优选的，所述掩模板材料为镍铁合金、纯镍、因瓦合金或不锈钢。
优选的，有效切割面积范围为600mm*800mm。
优选的，切割保护气体为氧气。
本发明所提及的CCD是电荷耦合器件图像传感器的简称。将掩模板与掩模框固定结合后成为掩膜组件。
本发明所涉及的掩模板及其制作方法，通过激光切割技术将辅助图形区域从主图形区域分离，工艺简单，并且保证剥离边缘光滑整齐、无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1为掩模板结构图；
图2为掩模组件结构图；
图3为掩模组件背面视图；
图4为切割示意图；
图中1为掩模板， 1-1为辅助图形开口（绷网孔），1-2为主图形区域开口，1-3为辅助图形区域，1-4为主图形区域，1-5为切割基线，2为掩模框架，2-1为掩模框架边框（切割边界），3为激光切割头，4为激光，5为切割基台。
具体实施方式
实施例
如图1-4所述，一种去除掩模板辅助图形的方法，将掩膜板1绷紧后，通过胶水固定在所述掩模框2上，构成掩膜组件；将相对位置固定好的掩模板1及掩模框架2（即掩膜组件）放在切割基台5上；通过CCD定位掩模板1，通过原始文件确定切割基线1-5的坐标，调整切割参数和激光切割头3的纵向高度，使其激光4焦点落在掩模板1厚的中间位置，以保证尽量垂直的切割边；通过激光切割头3发射出激光4，沿切掩模板1上的割基线1-5进行切割。将掩模板1上的辅助图形区域1-3切除并脱离掩模板1上的主图形区域1-4。工艺简单，并且保证剥离边缘光滑整齐、无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差。
如图1所示，掩膜板1包括辅助图形开口（绷网孔）1-1、主图形区域开口1-2、辅助图形区域1-3、主图形区域1-4和1-5为切割基线。将掩膜板1固定在掩模框架2上（如图2所示）。
由于激光4光斑有一定的直径，在CCD定位时要作出切割坐标补偿，避免激光4切割到掩模框架2上，保证切割后的掩模板1与掩模框架2外边界对齐；切割保护气体为氧气。
激光切割的具体参数如下：
激光频率：6000-8000Hz；
电流：10000mA；
气体压力：0-2MPa；
直线切割速度：100-200cm.min-1。
掩模板材料可以为镍铁合金、纯镍、因瓦合金、不锈钢中的任意一种。
有效切割面积范围：600mm*800mm。
以上实施例目的在于说明本发明，而非限制本发明的保护范围，所有在不违背本发明精神原则的条件下做出的简单变换均落入本发明的保护范围内。
Claims (7)
1.一种去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，将相对位置固定好的掩模板及掩模框架放在切割基台上；通过CCD定位掩模板，通过原始文件确定切割基线的坐标，调整切割参数和激光切割头的纵向高度，使其激光焦点落在掩模板厚的中间位置，以保证尽量垂直的切割边；通过激光切割头发射出激光，沿切掩模板上的割基线进行切割。
2.根据权利要求1所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，所述掩膜板包括主图形区域、辅助图形区域、及位于所述主图形开口区域与辅助图形区域之间的切割基线；将所述掩膜板绷紧后，通过胶水固定在所述掩模框上，即成为相对位置固定好的掩模板及掩模框架。
3.根据权利要求1所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，在CCD定位时要作出切割坐标补偿，避免激光切割到掩模框架上，保证切割后的掩模板与掩模框架外边界对齐。
4.根据权利要求1所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，激光切割的具体参数如下：激光频率为6000-8000Hz；电流为10000mA；气体压力为0-2MPa；直线切割速度为100-200cm/min。
5.根据权利要求1所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，所述掩模板材料为镍铁合金、纯镍或不锈钢。
6.根据权利要求1-4任一项所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，有效切割面积范围为600mm*800mm。
7.根据权利要求1-4任一项所述的去除掩模板辅助图形的方法，其特征在于，切割保护气体为氧气。
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