CN106205737A - 一种测试Nand flash生命周期的方法 - Google Patents

一种测试Nand flash生命周期的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106205737A
CN106205737A CN201610529751.1A CN201610529751A CN106205737A CN 106205737 A CN106205737 A CN 106205737A CN 201610529751 A CN201610529751 A CN 201610529751A CN 106205737 A CN106205737 A CN 106205737A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bad block
virtual
life cycle
block table
nand flash
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610529751.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106205737B (zh
Inventor
孙日欣
孙成思
李振华
黄善勇
叶欣
张翔
邝祖智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc
Original Assignee
Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc filed Critical Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc
Priority to CN201610529751.1A priority Critical patent/CN106205737B/zh
Publication of CN106205737A publication Critical patent/CN106205737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106205737B publication Critical patent/CN106205737B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种测试Nand flash生命周期的方法，包括以下步骤:建立Nand flash的虚拟坏块表；根据虚拟坏块表进行生命周期检测。本发明利用一份虚拟坏块表代替现有技术中实际扫描得到的原始坏块表，根据虚拟坏块表进行生命周期测试，大大减小了测试时间。

Description

一种测试Nand flash生命周期的方法
技术领域
本发明涉及Nand flash存储器领域，尤其涉及一种测试Nand flash生命周期的方法。
背景技术
数码产品要用到存储介质，就有机会用到Nand flash，每一个固件演算法对于Nand flash读写次数皆不相同，Nand flash的生命周期也不同，RD端量产前要对Nandflash的生命周期进行测试。现有技术中测试生命周期的方法如图1所示，首先擦除所有块，扫描建立一个Nand flash坏块表，然后使用读写测试工具检测Nand flash生命周期，具体的，根据坏块表逐个测试好的块可写入和抹除的次数，直至测试完所有好的块，计算出Nandflash的生命周期，并反馈至测试系统。上述方法需要将Nand flash每个好的块读写全盘至生命周期结束，需花費的时间非常冗长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种可大大降低测试时间的Nand flash的生命周期测试方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种测试Nand flash生命周期的方法，包括以下步骤：
建立Nand flash的虚拟坏块表；
根据虚拟坏块表进行生命周期检测。
进一步的，建立虚拟坏块表前还包括建立原始坏块表的步骤。
进一步的，建立原始坏块表前还包括擦除所有块步骤。
进一步的，根据虚拟坏块表进行生命周期检测具体包括：根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期，并结合虚拟坏块表和原始坏块表估算实际生命周期。
进一步的，虚拟坏块表是系统随机产生的虚拟坏块序列。
进一步的，所述虚拟坏块表中虚拟坏块的数量大于原始坏块表中的坏块数量，且覆盖原始坏块表中的所有坏块。
进一步的，根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期中使用读写测试工具进行检测。
本发明的有益效果在于：本发明通过生成一虚拟坏块表，并根据虚拟坏块表进行生命周期测试，最后根据虚拟坏块表的坏块数量推导得到Nand flash的生命周期，与现有技术根据原始坏块表进行测试相比，本发明可需要扫描的块数大大减少，也就是说，需要测试的读/写/擦除块数大大减少，可有效降低测试时间。
附图说明
图1为现有技术测试Nand flash生命周期的具体流程图；
图2为本发明测试Nand flash生命周期的方法框图；
图3为本发明测试Nand flash生命周期的具体流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于:利用一份虚拟坏块表代替现有技术中实际扫描得到的原始坏块表，根据虚拟坏块表进行生命周期测试，大大减小了测试时间。
请参照图2，一种测试Nand flash生命周期的方法，包括以下步骤：
建立Nand flash的虚拟坏块表；
根据虚拟坏块表进行生命周期检测。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：本发明通过生成一虚拟坏块表，并根据虚拟坏块表进行生命周期测试，最后根据虚拟坏块表的坏块数量推导得到Nand flash的生命周期，与现有技术根据原始坏块表进行测试相比，本发明可需要扫描的块数大大减少，也就是说，需要测试的读/写/擦除块数大大减少，可有效降低测试时间。
进一步的，建立虚拟坏块表前还包括建立原始坏块表的步骤。
进一步的，建立原始坏块表前还包括擦除所有块步骤。
进一步的，根据虚拟坏块表进行生命周期检测具体包括：根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期，并结合虚拟坏块表和原始坏块表确定实际生命周期。
进一步的，虚拟坏块表是系统随机产生的虚拟坏块序列。
进一步的，所述虚拟坏块表中虚拟坏块的数量大于原始坏块表中的坏块数量，且覆盖原始坏块表中的所有坏块。
由上述描述可知，由于虚拟坏块表的坏块数量较大，而测试中仅对好块进行扫描，因此可大大减少测试时间。
进一步的，根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期中使用读写测试工具进行检测。
实施例
请参照图3，本发明的实施例为一种测试Nand flash生命周期的方法，具体包括以下步骤：
(1)擦除所有块，建立原始坏块表，其中原始坏块表根据现有技术方法扫描生成；
(2)在工具端建立一个虚拟坏块表，所述工具端是指例如在windows系统的量产工具，所述量产工具即在计算机上运行的开卡工具，例如U盘的开卡工具，虚拟坏块表是由系统随机产生坏块序列，这些虚拟坏块的总数大于原始坏块表的坏块数量，并且虚拟坏块包括原始坏块表的所有坏块，以避免后续测试时将数据写入真实的坏块中而影响测试结果。所述虚拟坏块表中的坏块数量可根据希望减少的测试时间而定，例如若想将测试时间减少一半，则可将真实的好块的一半列为虚拟坏块；
(3)根据虚拟坏块表，使用读写测试工具检测Nand flash的虚拟生命周期。由于固件在写入资料时会先确认可以写入的块，建立虚拟坏块表之后，固件搜寻可以写入及擦除的块变少了，因此可以减少测试的时间。具体的，固件按序读写好块，完成一个块后判断是否是最后一个好块，若是则进入下一步，若否则返回继续下一个块；
(4)根据步骤(3)测试得到的虚拟生命周期，结合虚拟坏块表和原始坏块表确定Nand flash的实际生命周期。具体的，假如有一半的真实好块被列为虚拟坏块，则实际生命周期可以估算为虚拟生命周期的两倍。最后将实际生命周期回复反馈至测试系统。
综上所述，本发明生成一虚拟坏块数量大于原始坏块表的虚拟坏块表，并根据虚拟坏块表进行虚拟生命周期检测，最后结合虚拟坏块表和原始坏块表确定的好块数量比估算得到Nand flash的实际生命周期。由于虚拟坏块表中坏块数量较大，固件搜寻可以写入及擦除的好块变少了，因此可以减少测试的时间。本发明还可根据需要减少的测试时间调整虚拟坏块表中的虚拟坏块数量，使用灵活。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于，包括以下步骤：
建立Nand flash的虚拟坏块表；
根据虚拟坏块表进行生命周期检测。
2.根据权利要求1所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：建立虚拟坏块表前还包括建立原始坏块表的步骤。
3.根据权利要求2所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：建立原始坏块表前还包括擦除所有块步骤。
4.根据权利要求2或3所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：根据虚拟坏块表进行生命周期检测具体包括：根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期，并结合虚拟坏块表和原始坏块表估算实际生命周期。
5.根据权利要求1或2所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：虚拟坏块表是系统随机产生的虚拟坏块序列。
6.根据权利要求5所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：所述虚拟坏块表中虚拟坏块的数量大于原始坏块表中的坏块数量，且覆盖原始坏块表中的所有坏块。
7.根据权利要求4所述的测试Nand flash生命周期的方法，其特征在于：根据虚拟坏块表得到虚拟生命周期中使用读写测试工具进行检测。
CN201610529751.1A 2016-07-06 2016-07-06 一种测试Nand flash生命周期的方法 Active CN106205737B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610529751.1A CN106205737B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 一种测试Nand flash生命周期的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610529751.1A CN106205737B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 一种测试Nand flash生命周期的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106205737A true CN106205737A (zh) 2016-12-07
CN106205737B CN106205737B (zh) 2019-04-26

Family

ID=57472339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610529751.1A Active CN106205737B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 一种测试Nand flash生命周期的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106205737B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107481764A (zh) * 2017-07-31 2017-12-15 深圳芯邦科技股份有限公司 一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101329900A (zh) * 2008-07-09 2008-12-24 钰创科技股份有限公司 控制动态随机存取存储器的方法
CN101567220A (zh) * 2008-04-22 2009-10-28 群联电子股份有限公司 闪存的损坏区块辨识方法、储存系统及其控制器
US8560922B2 (en) * 2011-03-04 2013-10-15 International Business Machines Corporation Bad block management for flash memory
CN104991867A (zh) * 2015-08-12 2015-10-21 深圳芯邦科技股份有限公司 一种eMMC使用寿命管理方法及系统
CN105679369A (zh) * 2015-12-28 2016-06-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存寿命预测方法和筛选方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567220A (zh) * 2008-04-22 2009-10-28 群联电子股份有限公司 闪存的损坏区块辨识方法、储存系统及其控制器
CN101329900A (zh) * 2008-07-09 2008-12-24 钰创科技股份有限公司 控制动态随机存取存储器的方法
US8560922B2 (en) * 2011-03-04 2013-10-15 International Business Machines Corporation Bad block management for flash memory
CN104991867A (zh) * 2015-08-12 2015-10-21 深圳芯邦科技股份有限公司 一种eMMC使用寿命管理方法及系统
CN105679369A (zh) * 2015-12-28 2016-06-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存寿命预测方法和筛选方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107481764A (zh) * 2017-07-31 2017-12-15 深圳芯邦科技股份有限公司 一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN106205737B (zh) 2019-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110148435B (zh) 一种闪存颗粒筛选分级方法
US20140269052A1 (en) System and method of determining reading voltages of a data storage device
CN105097050B (zh) 一种存储器寿命测试方法
KR101005002B1 (ko) 플래시 메모리에서의 테스트를 위한 방법, 시스템 및컴퓨터 판독가능한 코드를 저장한 저장 매체
CN106158047A (zh) 一种nand flash测试方法
CN105469834A (zh) 嵌入式闪存的测试方法
CN112133357B (zh) 一种eMMC的测试方法及装置
CN110764960A (zh) 一种固态硬盘固件测试方法
CN111028881B (zh) 一种Open Block测试装置、方法及系统
CN110517718B (zh) 一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统
CN114283868A (zh) 闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质
CN107632778A (zh) 一种Nand Flash扫描检测方法和系统
CN106971757A (zh) 一种检验Nand Flash质量的方法及系统
CN106205737B (zh) 一种测试Nand flash生命周期的方法
CN116884469B (zh) 一种闪存性能的检测方法、装置、设备及介质
CN107680632B (zh) 一种固态硬盘的寿命测试方法及装置
CN107577440A (zh) 提高存储器寿命的方法
CN107481764B (zh) 一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统
CN109686397B (zh) 具有自检功能的存储器及其检测方法
CN108665942A (zh) 一种nand闪存芯片的测试方法及设备
CN101556552A (zh) 基本输入输出系统的测试方法
CN115509442A (zh) 闪存颗粒调试方法、闪存颗粒调试设备和可读存储介质
CN110826114B (zh) 基于ssd安全擦除后的用户数据测试方法和装置
CN114153670A (zh) 一种随机测试方法、装置、设备及存储介质
CN112289364A (zh) eMMC质量检测修复方法、装置及其存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 518055 floor 1-3 and floor 4, building 8, zone 2, Zhongguan honghualing Industrial South Zone, No. 1213, Liuxian Avenue, Pingshan community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong

Patentee after: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518055 1st floor, 2nd floor, 4th floor, 5th floor, No.4 factory building, tongfuyu industrial city, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP02 Change in the address of a patent holder