CN110517718B - 一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统；其中，方法，包括：进行出厂坏块检测；将检测出的坏块移至坏块表中；对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；将新增坏块移至坏块表中。本发明通过采取SLC模式，TLC模式，SLC模式和TLC模式，进行36轮全盘擦/写/读测试，数据采取固定数据/随机数据/固定和随机数据方式填入，块擦写读按照顺序/倒序/顺序和倒序折半方式，可以有效的筛查出易损坏、弱性坏块，将新增坏块或弱块更新到坏块表中，为SSD正常运行提供有效的保障，保证SSD固件长久稳定正常运行，能够更好地满足需求。

Description

一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统
技术领域
本发明涉及颗粒坏块筛选技术领域，更具体地说是指一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统。
背景技术
SSD作为数据存储硬盘，数据出现丢失或损坏，会直接造成不可预估的破坏结果；为保证SSD固件正常运行，NandFlash颗粒坏块筛选成为不可缺少的重要一环；NandFlash颗粒坏块主要由三部分组成，一种是颗粒出厂时即出现坏块，即factory bad block(FBB，出厂坏块)；一种是运行过程中出现的坏块；最后一种是弱块，即固件运行中，此块稳定性很差，对数据完整性存在潜在的风险。
为了保证SSD数据能够安全保存，在烧录固件之前，需要对NandFlash颗粒存在的三种坏块场景进行有效识别，这样才不会影响后续固件的长期稳定执行；由于FBB是出厂固定坏块，因此，如何有效识别出第二种(运行过程中产生的坏块)和第三种坏块(弱块)，成为提升SSD高效稳定使用的关键；而现有技术，只能将出厂已有坏块检查出来，但是无法对存在的潜在坏块或弱块进行筛选，如果固件运行中检查出坏块，需要固件重新更新坏块表，并且涉及到数据搬移，而数据频繁的搬移，对数据的稳定性产生极大损害；因此，无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种有效筛选颗粒新增坏块的方法及其系统。
为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：
一种有效筛选颗粒新增坏块的方法，包括以下步骤：
进行出厂坏块检测；
将检测出的坏块移至坏块表中；
对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
将新增坏块移至坏块表中。
其进一步技术方案为：所述S3中，所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
一种有效筛选颗粒新增坏块的系统，包括：检测单元，第一移动单元，擦写读单元，及第二移动单元；
所述检测单元，用于进行出厂坏块检测；
所述第一移动单元，用于将检测出的坏块移至坏块表中；
所述擦写读单元，用于对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
所述第二移动单元，用于将新增坏块移至坏块表中。
其进一步技术方案为：所述擦写读单元中，所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其进一步技术方案为：所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
本发明与现有技术相比的有益效果是：通过采取SLC模式，TLC模式，SLC模式和TLC模式，进行36轮全盘擦/写/读测试，数据采取固定数据/随机数据/固定和随机数据方式填入，块擦写读按照顺序/倒序/顺序和倒序折半方式，可以有效的筛查出易损坏、弱性坏块，将新增坏块或弱块更新到坏块表中，为SSD正常运行提供有效的保障，保证SSD固件长久稳定正常运行，能够更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为现有技术的应用示意图；
图2为本发明一种有效筛选颗粒新增坏块的方法流程图；
图3为以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作的流程图；
图4为以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作的流程图；
图5为以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作的流程图；
图6为本发明一种有效筛选颗粒新增坏块的系统方框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如图1到图6所示的具体实施例，其中，如图1所示的现有技术，在烧录固件之前，依据颗粒使用说明书，对出厂坏块进行扫描，并将出厂坏块放到bad block table(bb table，坏块表)中，然后更新bb table，确保出厂坏块能够正常统计。而现有技术中，简单的筛选只能将出厂已有坏块检查出来，但是无法对存在的潜在坏块或弱块进行筛选，如果固件运行中检查出坏块，需要固件重新更新bb table，并且涉及到数据搬移，而数据频繁的搬移，对数据的稳定性产生极大损害。
其中，如图2至图5所示，本发明公开了一种有效筛选颗粒新增坏块的方法，包括以下步骤：
S1，进行出厂坏块检测；
S2，将检测出的坏块移至坏块表中；
S3，对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
S4，将新增坏块移至坏块表中。
其中，SSD硬盘作为存储介质，应用非常广泛，使用方式也是非常灵活，本发明充分考虑颗粒自身特性及SSD使用场景，列出影响block(块)寿命的相关因素，如下表所示，擦写读方式、写入数据内容及block执行方式都存在很大灵活性，为有效识别潜在坏块和弱块，需要多场景、多方式筛选，其中，下表如下：
Figure BDA0002175648050000091
Figure BDA0002175648050000101
其中，所述S3中，所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作。
其中，如图3所示，所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
A1，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
A2，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
A3，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
A4，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
A5，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
A6，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
A7，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
A8，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
A9，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
A10，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
A11，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
A12，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其中，使用SLC模式，写入数据分别为固定数据、随机数据、固定数据和随机数据混合方式，全盘block的执行方式采用全盘所有block顺序执行，全盘所有block倒序执行，全盘一半block采取顺序执行和全盘另一半block采取倒序执行方式，将运行过程中产生的bad block记录下来。
其中，如图4所示，所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
B1，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
B2，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
B3，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
B4，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
B5，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
B6，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
B7，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
B8，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
B9，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
B10，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
B11，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
B12，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其中，使用TLC模式，写入数据分别为固定数据、随机数据、固定数据和随机数据混合方式，全盘block的执行方式采用全盘所有block顺序执行，全盘所有block倒序执行，全盘一半block采取顺序执行和全盘另一半block采取倒序执行方式，并将运行过程中产生的bad block记录下来。
其中，如图5所示，所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
C1，以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
C2，以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
C3，以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
C4，以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
C5，以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
C6，以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
C7，以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
C8，以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
C9，以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
C10，以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
C11，以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
C12，以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其中，使用SLC和TLC混合模式，写入数据分别为固定数据、随机数据、固定数据和随机数据混合方式，全盘block的执行方式采用全盘所有block顺序执行，全盘所有block倒序执行，全盘一半block采取顺序执行和全盘另一半block采取倒序执行方式，并将运行过程中产生的bad block(坏块)记录下来。
其中，执行完SLC模式、TLC模式和SLC模式TLC模式各自12轮(共计36轮)之后，将36轮产生的新增坏块或弱块更新到bb table中，从而将潜在的坏块有效的筛选出来，保证SSD固件长久稳定正常运行。
如图6所示，本发明还公开了一种有效筛选颗粒新增坏块的系统，包括：检测单元10，第一移动单元20，擦写读单元30，及第二移动单元40；
所述检测单元10，用于进行出厂坏块检测；
所述第一移动单元20，用于将检测出的坏块移至坏块表中；
所述擦写读单元30，用于对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
所述第二移动单元40，用于将新增坏块移至坏块表中。
其中，所述擦写读单元30中，所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作。
其中，所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其中，所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
其中，所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
本发明通过采取SLC模式，TLC模式，SLC模式和TLC模式，进行36轮全盘擦/写/读测试，数据采取固定数据/随机数据/固定和随机数据方式填入，块擦写读按照顺序/倒序/顺序和倒序折半方式，可以有效的筛查出易损坏、弱性坏块，将新增坏块或弱块更新到坏块表中，为SSD正常运行提供有效的保障，保证SSD固件长久稳定正常运行，能够更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (6)

1.一种有效筛选颗粒新增坏块的方法，其特征在于，包括以下步骤：
进行出厂坏块检测；
将检测出的坏块移至坏块表中；
对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
将新增坏块移至坏块表中；
所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”步骤中，包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作；
所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
2.根据权利要求1所述的一种有效筛选颗粒新增坏块的方法，其特征在于，所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
3.根据权利要求1所述的一种有效筛选颗粒新增坏块的方法，其特征在于，所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
4.一种有效筛选颗粒新增坏块的系统，其特征在于，包括：检测单元，第一移动单元，擦写读单元，及第二移动单元；
所述检测单元，用于进行出厂坏块检测；
所述第一移动单元，用于将检测出的坏块移至坏块表中；
所述擦写读单元，用于对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块；
所述第二移动单元，用于将新增坏块移至坏块表中；
所述擦写读单元中，所述“对颗粒进行多轮次全盘擦/写/读操作，以检测出新增坏块”包括：以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作，及以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作；
所述“以SLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
5.根据权利要求4所述的一种有效筛选颗粒新增坏块的系统，其特征在于，所述“以TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
6.根据权利要求4所述的一种有效筛选颗粒新增坏块的系统，其特征在于，所述“以SLC和TLC模式执行12轮全盘擦/写/读操作”的步骤如下：
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入固定数据和随机数据，全盘块按顺序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块的前一半块按顺序执行擦/写/读操作，后一半块按倒序执行擦/写/读操作；
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以SLC模式，对颗粒写入随机数据，全盘块按倒序执行擦/写/读操作；
以TLC模式，对颗粒写入固定数据，全盘块的前一半块按倒序执行擦/写/读操作，后一半块按顺序执行擦/写/读操作。
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