CN106910529A - 一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，方法包括：判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

Description

一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统。

背景技术

Nand闪存作为一种低价、大容量的存储设备，在嵌入式系统中使用越来越广泛。SLC(Single-Level Cell)闪存为Nand闪存中的一种，SLC利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储一个字节的信息，约10万次擦写寿命。TLC(Triple-LevelCell)闪存为目前市面上应用较为普遍的一种Nand闪存，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个字节的信息，约500-1000次擦写寿命，对于TLC闪存来说，由于本身的擦写次数有限，频繁的大量写入数据是TLC闪存不能承受的。由此可见，如何提高TLC闪存的擦写寿命是亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种可以增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，可以大大降低数码产品的成本。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明采用的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明的有益效果在于：由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以增加TLC闪存的使用周期，大大降低数码产品的成本。

附图说明

图1为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图2为本发明实施例一的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图3为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

图4为本发明实施例二的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

标号说明：

1、判断模块；2、设置模块；3、创建模块；4、添加模块；5、新建模块；6、调用模块；11、读取单元；12、判断单元；13、判定单元。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命。

请参照图1，一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：首先判断TLC Nand闪存中是否存在坏块，由于TLC Nand闪存可以操作在SLC存储模式，SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以可将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，大大降低数码产品的成本。

进一步的，所述“将所述坏块设置为SLC存储模式”之后还包括：

创建坏块表；

将所述坏块添加至所述坏块表。

由上述描述可知，将坏块添加至坏块表方便对坏块进行记录和查找。

进一步的，所述“判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块”具体为：

若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

若否，则判定所述一块为坏块。

由上述描述可知，当通过错误更正码不能更正块的错误时，即判断所述块为坏块。

进一步的，所述“将所述坏块添加至所述坏块表”之后还包括：

新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

由上述描述可知，SLC空块列表中可以显示哪些SLC块为空块，即哪些SLC块可以调用替代TLC坏块进行存储。

请参照图3，本发明涉及的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

进一步的，还包括：

创建模块，用于创建坏块表；

添加模块，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

进一步的，所述判断模块包括：

读取单元，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断单元，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

判定单元，用于若否，则判定所述一块为坏块。

进一步的，还包括：

新建模块，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

实施例一

请参照图2，本发明的实施例一为：一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，既可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，又可以大大降低数码产品的生产成本。包括：

S1、判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块，若是，则执行步骤S2。由于Nand闪存的工艺不能保证Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此，Nand闪存在生产和使用过程中都会产生坏块。在生产过程中产生的坏块成为固有坏块，在使用过程中产生的坏块成为使用坏块。如果在第一个块的某个Page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他号的page里面的内容备份到另一个空的好块里面，然后，将这个块标记为坏块，当然这可能会犯“错杀”的错误。本实施例中，判断某一块是否为坏块的具体过程为：若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；若否，则判定所述一块为坏块。所述错误更正码即为ECC(Error Checking andCorrecting，错误检查和纠正)码，ECC码是将信息进行8比特位的编码，采用这种方式可以恢复1比特的错误，每一次数据写入内存时，ECC码使用一种特殊的算法对数据进行计算，其结果成为校验位。ECC码可以从逻辑上分离错误并通知系统，当只出现单比特错误的时候，ECC码才可以把错误改正过来，且不影响系统运行，此时ECC码满足可进行错误更正的预设条件。当ECC码不能对块的错误进行更正时，即判断所述块为坏块。

S2、将所述坏块设置为SLC存储模式。即，将坏块的存储模式设置为SLC模式继续使用，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以可以延长TLCNand闪存的使用寿命。

S3、创建坏块表。若TLC Nand闪存在出厂时自带坏块表，那么可以省略该步骤。

S4、将所述坏块添加至所述坏块表。

S5、新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中。即，所述SLC空块列表用于将已经替代了TLC存储模式的SLC块记录下来。

S6、当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。SLC空块列表中由于记录了已经使用了的SLC块，所以可以显示哪些SLC块为空块，即哪些SLC块可以调用出来替代TLC坏块进行存储。

本实施例中，当TLC Nand闪存的坏块比率达到预设值时，就停止进行步骤S2，例如，当坏块比率达到50％时，停止将坏块设置为SLC存储模式的步骤，TLC Nand闪存就视为报废。

本实施例中，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

实施例二

请参照图4，本发明的实施例二与实施例一中的方法相对应，为一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块1，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；所述判断模块包括：读取单元11，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；判断单元12，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；判定单元13，用于若否，则判定所述一块为坏块；

设置模块2，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

创建模块3，用于创建坏块表；

添加模块4，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

新建模块5，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块6，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

综上所述，本发明提供的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

2.根据权利要求1所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块”具体为：

若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

若否，则判定所述一块为坏块。

3.根据权利要求1所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“将所述坏块设置为SLC存储模式”之后还包括：

创建坏块表；

将所述坏块添加至所述坏块表。

4.根据权利要求3所述的增加TLC Nand闪存使用周期的方法，其特征在于，所述“将所述坏块添加至所述坏块表”之后还包括：

新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

5.一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

6.根据权利要求5所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，所述判断模块包括：

读取单元，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断单元，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

判定单元，用于若否，则判定所述一块为坏块。

7.根据权利要求5所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，还包括：

创建模块，用于创建坏块表；

添加模块，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

8.根据权利要求7所述的增加TLC Nand闪存使用周期的系统，其特征在于，还包括：

新建模块，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。