CN106205493A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

在包含在有机发光二极管(OLED)的显示面板中的像素中，第n像素行上的每一个像素(n为自然数)包括：OLED，所述OLED包括连接至节点C的阳极电极电极和连接至低电位驱动电压的输入端的阴极电极电极；驱动TFT，所述驱动TFT包括连接至节点A的栅极、连接至节点B的漏极以及连接至节点D的源极；连接在所述节点A和所述节点B之间的第一TFT；连接至所述节点C的第二TFT；连接在数据线和所述节点D之间的第三TFT；连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间的第四TFT以及连接在所述节点D和所述节点C之间的第五TFT。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
本公开内容涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器包括能够自发光和具有快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角等等优点的有机发光二极管。
OLED作为自发光元件具有如图1所示的结构。OLED包括阳极电极、阴极电极、以及在阳极电极和阴极电极之间的有机化合物层。有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。当将驱动电压施加到阳极电极和阴极电极时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子移动到发射层EML，并形成激子。作为结果，发射层EML产生可见光。
OLED显示器以矩阵形式布置各自包括OLED的像素，并基于视频数据的灰度调整像素的亮度。每一个像素包括：驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管(TFT)基于驱动TFT的栅-源电压来控制OLED中流动的驱动电流；电容器，所述电容器用于在一帧期间内均匀保持驱动TFT的栅-源电压；和至少一个开关TFT，所述开关TFT响应于栅极信号来安排(program)驱动TFT的栅-源电压。在OLED中流动的驱动电流，是通过驱动TFT的阈值电压以及驱动TFT的基于数据电压而受控制的栅-源电压来确定的。像素的亮度与驱动电流的大小成比例。
在OLED显示器中，像素的驱动TFT可由于工艺差异变化、随时间推移造成的栅偏应力等原因具有不同的阈值电压。如上所述，因为像素的亮度与驱动电流的大小成比例，所以像素的驱动TFT的阈值电压的变化导致像素的亮度变化。
发明内容
本公开内容提供了有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器能够通过补偿像素的阈值电压中的变化提高显示质量。
在一个方面，提供一种有机发光二极管显示器，包括：显示面板，所述显示面板包括多个像素；栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A，所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动薄膜晶体管用于控制施加到所述有机发光二极管的驱动电流；第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；第二TFT连接至所述节点C；第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且存储电容器连接在所述节点A和所述节点C之间。
在另一个方面，提供一种有机发光二极管显示器，包括：显示面板，所述显示面板包括多个像素；栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；第二TFT连接至所述节点C；第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且存储电容器连接在所述节点A和初始化电压的输入端之间。
在又一个另一方面中，提供一种有机发光二极管显示器，包括：显示面板，所述显示面板包括多个像素；栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，其中，多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B且所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且存储电容器连接至所述节点A。
附图说明
被引入以提供对本发明的进一步理解以及被并入和构成此说明书部分的附图示出了本发明的多个实施方式并与所述说明书一起用来解释本发明的原理。在所述附图中：
图1示出了有机发光二极管(OLED)和所述OLED的发射原理；
图2示出了依据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)；
图3为等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构；
图4为波形图，示出了施加到图3中所示像素的数据信号和栅极信号；
图5A、5B和5C分别示出了与图4的初始周期、采样周期和发射周期一致的像素的等效电路图；
图6示出了在初始周期、采样周期和发射周期中的节点A、D和C处像素电压值；
图7和8为等效电路图，示出了在图3中所示的像素结构的变型例；
图9为波形图，示出了施加到图7和图8中所示像素的数据信号和栅极信号；
图10为等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构；
图11为波形图，示出了施加到图10中所示像素的数据信号和栅极信号；
图12A、12B和12C分别示出了与图11的初始周期、采样周期和发射周期一致的像素的等效电路图；
图13和14为等效电路图，示出了在图10中所示的像素结构的变型例；
图15为等效电路图，示出了在图10中所示的像素结构的另一变型例；
图16为波形图，示出了施加到图15中所示像素的数据信号和栅极信号；
图17和18为等效电路图，示出了在图15中所示的像素结构的其它改良范例；
图19和20为等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构；
图21为波形图，示出了施加到图19和20中所示像素的数据信号和栅极信号；
图22到24为等效电路图，示出了在图19和20中所示的像素结构的变型例；
图25为波形图，示出了施加到图22到24中所示像素的数据信号和栅极信号；
图26到28为等效电路图，示出了其中水平方向上相邻的像素彼此共享预定薄膜晶体管的范例。
具体实施方式
现在将详细介绍本发明的实施方式以及在附图中示出范例。只要有可能，相同的参考标号会使用在整个所述附图中以指代相同或者相似的部件。值得注意的是，如果确定已知技术能够误导本发明的实施方式，则所述已知技术的详细描述将被省略。本发明的示例性实施方式描述了构成像素的所有薄膜晶体管(TFT)是作为n型TFT实现的。但也可以使用其它构造。例如构成像素的TFT也可作为p型TFT实现。
将参照图2至28描述本发明的示例性实施方式。
图2示出了依据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)。
参照图2，依据本发明的示例性实施方式的OLED显示器包括：其上形成有多个像素PXL的显示面板10；数据驱动电路12，用于驱动显示面板10的数据线14；栅极驱动电路13，用于驱动显示面板10的栅线15；以及时序控制器11，用于控制数据驱动电路12和栅极驱动电路13的驱动时序。
在显示面板10上，多条数据线14和多条栅线15彼此交叉，并且像素PXL以矩阵形式分别设置在数据线14和栅线15的交叉点。相同水平线上的像素PXL形成一个像素行。一个像素行上的像素PXL被连接至一条栅线15，并且一条栅线15可以包括至少一条扫描线和至少一条发射线。换句话说，每一个像素PXL可以连接至一条数据线14、至少一条扫描线和至少一条发射线。像素PXL可公共地接收来自电源(未示出)的高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit。优选的，但不是必需的，在充分低于有机发光二极管(OLED)的工作电压的范围内选择初始化电压Vinit，以防止每一个像素PXL的OLED在初始周期和采样周期期间不必要的发光。此外，初始化电压Vinit可以设置为等于或者小于低电位驱动电压ELVSS。
构成像素PXL的薄膜晶体管(TFT)可以作为包括氧化物半导体层的氧化物TFT实现。从电子迁移率、工艺差异变化等等所有方面来考虑，氧化物TFT对于大面积的显示面板10而言都是有利的。本发明的实施方式并不仅限于此。例如，TFT的半导体层可以由非晶硅或多晶硅形成。
每一个像素PXL包括用于补偿驱动TFT的阈值电压以及存储电容器的变化的多个TFT。本发明的实施方式提出了一种能够提高像素集成度并且容易补偿高电位驱动电压的IR降的像素结构。稍后参照图3到28详细描述所述像素结构。
每一个像素PXL可以包括TFT，所述TFT的源极或漏极与存储电容器的一侧电极相连接，所述TFT包括至少两个子TFT，所述至少两个子TFT彼此串联连接，以便最大限度地降低或防止漏电流的影响。在此种情况下，所述至少两个子TFT响应于相同控制信号而导通或者截止。例如，如图3中所示，TFT T1可以设计为包括子TFT T1A和T1B的双栅TFT，所述子TFTT1A和T1B响应于相同控制信号而导通或者截止、并且彼此串联连接；而TFT T2可以设计为包括子TFT T2A和T2B的双栅TFT，所述子TFT T2A和T2B响应于相同控制信号而导通或者截止、并且彼此串联连接。此外，如图24中所示，除了TFT T1和T2之外，还可以将TFT T6设计为包括子TFT T6A和T6B的双栅TFT。
时序控制器11依据显示面板10分辨率而对从外部接收的数字视频数据RGB进行重新整理，并且将重新整理后的数字视频数据RGB提供至数据驱动电路12。时序控制器11基于诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、点时钟DCLK和数据使能信号DE之类的时序信号，产生用于控制数据驱动电路12的操作时序的数据控制信号DDC和用于控制栅极驱动电路13的操作时序的栅极控制信号GDC。
数据驱动电路12基于数据控制信号DDC，将从时序控制器11接收的数字视频数据RGB转换为模拟数据电压。
栅极驱动电路13可以基于所述栅极控制信号GDC，产生扫描信号和发射信号。栅极驱动电路13可以包括扫描驱动器和发射驱动器。扫描驱动器可以以连续线的方式产生扫描信号，以便驱动与每一像素行连接的至少一条扫描线，并可以将扫描信号提供至所述扫描线。所述发射驱动器可以以连续线的方式产生发射信号，以便驱动与每一像素行连接的至少一条发射线，并可以将发射信号提供至所述发射线。
可以通过面板栅极驱动(GIP)工艺，直接在显示器面板的非显示区上形成栅极驱动电路13。
图3是等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构。图4为波形图，示出了施加到图3中所示像素的数据信号和栅极信号。
参照图3，第n像素行中的每一个像素PXL(n为自然数)包括OLED、驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5以及存储电容器Cst。第n像素行中的每一个像素PXL响应于第n个栅极信号操作。第n个栅极信号包括第n个第一扫描信号SCAN1(n)、第n个第二扫描信号SCAN2(n)、第n个第一发射信号EM1(n)以及第n个第二发射信号EM2(n)。
OLED利用从驱动TFT DT提供的驱动电流Ioled来发光。如图1所示，OLED包括阳极电极、阴极电极、以及位于阳极电极和阴极电极之间的多层有机化合物层。所述多层有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL以及电子注入层EIL。OLED的阳极电极连接至节点C，且OLED的阴极电极连接至低电位驱动电压ELVSS的输入端。
驱动TFT DT依据驱动TFT DT的栅-源电压Vgs，来控制施加到OLED的驱动电流Ioled。驱动TFT DT的栅极连接至节点A，且驱动TFT DT的漏极连接至节点B。驱动TFT DT的源极连接至节点D。
第一TFT T1连接在节点A和节点B之间，并且响应于第n个第一扫描信号SCAN1(n)导通或截止。第一TFT T1的栅极连接到第n像素行的第一扫描线(此后，称为“第n条第一扫描线”)，第n个第一扫描信号SCAN1(n)施加到所述第n条第一扫描线。第一TFT T1的漏极连接至节点B，且第一TFT T1的源极连接至节点A。
第二TFT T2连接在节点C和初始化电压Vinit的输入端之间，并且响应于第n个第一扫描信号SCAN1(n)导通或截止。第二TFT T2的栅极连接到第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号SCAN1(n)施加到所述第n条第一扫描线。第二TFT T2的漏极连接至节点C，且第二TFT T2的源极连接至初始化电压Vinit的输入端。
第三TFT T3连接在数据线14和节点D之间，并且响应于第n个第二扫描信号SCAN2(n)导通或截止。第三TFT T3的栅极连接到第n像素行的第二扫描线(此后，称为“第n条第二扫描线”)，第n个第二扫描信号SCAN2(n)施加到所述第n条第二扫描线。第三TFT T3的漏极连接至数据线14，且第三TFT T3的源极连接至节点D。
第四TFT T4连接在高电位驱动电压ELVDD的输入端和节点B之间，并且响应于第n个第一发射信号EM1(n)导通或截止。第四TFT T4的栅极连接到第n像素行的第一发射线(此后，称为“第n条第一发射线”)，第n个第一发射信号EM1(n)施加到所述第n条第一发射线。第四TFT T4的漏极连接至高电位驱动电压ELVDD的输入端，且第四TFT T4的源极连接至节点B。
第五TFT T5连接在节点D和节点C之间，并且响应于第n个第二发射信号EM2(n)导通或截止。第五TFT T5的栅极连接到第n像素行的第二发射线(此后，称为“第n条第二发射线”)，第n个第二发射信号EM2(n)施加到所述第n条第二发射线。第五TFT T5的漏极连接至节点D，且第五TFT T5的源极连接至节点C。
存储电容器Cst连接在节点A和节点C之间。
下面参照图4、5A到5C和6描述如图3中所示的像素PXL的操作。
如图4所示，一个帧周期可以被分为：初始周期Pi，在所述初始周期中，节点A和节点C被初始化；采样周期Ps，在所述采样周期中，驱动TFT DT的阈值电压Vth被采样，并被存储在节点A中；以及发射周期Pe，在所述发射周期中，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被安排，以包括所采样的阈值电压Vth，并且OLED利用已基于所述安排的栅-源电压Vgs控制后的OLED的驱动电流Ioled发光。如图4所示，因为在第(n-1)水平周期(Hn-1)期间执行了初始化操作，所以可以将第n个水平周期Hn的整个期间分配给采样操作。当如上所述充分地确保采样周期Ps时，可以更加精准地对驱动TFT DT的阈值电压Vth进行采样。
更具体地，参照图5A，在分配用于向第(n-1)像素行写入数据的第(n-1)水平周期中，包括初始周期Pi。在初始周期Pi中，以导通(ON)电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第一发射信号EM1(n)，并且以截止(OFF)电平施加第n个第二扫描信号SCAN2(n)和第n个第二发射信号EM2(n)。在初始周期Pi中，第一TFT T1和第二TFT T2响应于第n个第一扫描信号SCAN1(n)而导通，且第四TFT T4响应于第n个第一发射信号EM1(n)而导通。因此，节点A被初始化到高电位驱动电压ELVDD，且节点C被初始化到初始化电压Vinit。在采样操作之前初始化节点A和C的原因，是为了提高采样操作的可靠性，并且防止OLED不必要地发光。为此，优选的，但不是必需的，在充分低于OLED工作电压的范围内选择初始化电压Vinit。此外，初始化电压Vinit可以设置为等于或者小于低电位驱动电压ELVSS。在初始周期Pi中，节点D被保持在前一帧的数据电压Vdata(n)。
参照图5B，在分配用于向第n像素行写入数据的第n水平周期中，包括采样周期Ps。在采样周期Ps中，以导通(ON)电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)，且以截止(OFF)电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)。在采样周期Ps中，第一TFT T1和第二TFT T2响应于第n个第一扫描信号SCAN1(n)而导通，且第三TFT T3响应于第n个第二扫描信号SCAN2(n)而导通。因此，驱动TFT DT以二极管方式连接。换句话说，驱动TFT DT的栅极和漏极被短路，因此驱动TFT DT像二极管一样工作。此外，数据电压Vdata(n)被施加到节点D。在公开的本实施方式中，数据电压Vdata(n)是以足够低的电压施加的(例如，Vdata(n)＜ELVDD-Vth)，从而驱动TFT DT能够在采样周期Ps期间导通。在采样周期Ps中，电流Ids在驱动TFT DT的漏极和源极之间流动，并且节点A的电压由于所述电流Ids而从初始状态的高电位驱动电压ELVDD降低到数据电压Vdata(n)与驱动TFT DT的阈值电压Vth的相加之和(Vdata(n)+Vth)。在采样周期Ps中，节点C的电压被保持在初始化电压Vnit，并提供电流Ids的路径。
参照图5C，发射周期Pe对应于一个帧周期中的除了初始周期Pi和采样周期Ps之外的剩余时期。在发射周期Pe中，以导通(ON)电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)，并且以截止(OFF)电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)。在发射周期Pe中，第四TFT T4响应于第n个第一发射信号EM1(n)而导通，并由此将驱动TFT DT的漏极连接到低电位驱动电压ELVSS的输入端。此外，第五TFT T5响应于第n个第二发射信号EM2(n)而导通，并且因此节点C和D具有与OLED的工作电压Voled相同的电压。在发射周期Pe中，节点C的电压从初始状态的初始化电压Vinit变为OLED的工作电压Voled。在发射周期Pe中，因为节点A是浮置的、并且经由存储电容器Cst而与节点C耦合，因此节点A的电压从在采样周期Ps期间设置的节点A的电压(Vdata(n)+Vth)改变了如下的量：即节点C的电压变化量(Voled-Vinit)。换句话说，在发射周期Pe中，节点A的电压被设置为“Vdata(n)+Vth+Voled-Vinit”，且节点C的电压被设置为OLED的工作电压Voled。因此，栅-源电压Vgs(驱动TFT DT的栅电压Vg减去源电压Vs)被安排为“Vdata(n)+Vth-Vinit”。
在发射周期Pe中在OLED中流动的驱动电流Ioled的关系公式由下面的公式1表示。OLED利用驱动电流Ioled来发光，并实现所需要的灰度级。
【公式1】
I o l e d = k 2 [ ( V g s - V t h ) ] 2 = k 2 [ V d a t a ( n ) - V i n i t ] 2
在上述公式1中，“k”是通过驱动TFT DT的电子迁移率、寄生电容和沟道容量(channel capacity)等确定的比例常数。
依据上述公式1，驱动电流Ioled是通过k/2(Vgs-Vth)2表示的。但是，由于在发射周期Pe中安排的栅-源电压Vgs中包括驱动TFT DT的阈值电压Vth，因此从如上述公式1所示的驱动电流Ioled的关系公式中去除了驱动TFT DT的阈值电压Vth。换句话说，消除了阈值电压Vth的改变对于驱动电流Ioled的影响。
阻碍OLED显示器的亮度均匀性的另一个原因是IR降变化。IR降变化导致施加到每一个像素的高电位驱动电压ELVDD的变化。但是，由于通过图3到6中所示的不同配置，由上述公式1表示的驱动电流Ioled中并不包括高电位驱动电压ELVDD的成分，因此本发明的实施方式能够消除IR降变化对于驱动电流Ioled的影响。
图7和8为等效电路图，示出了在图3中所示的像素结构的变型例；图9为波形图，示出了施加到图7和图8中所示像素的数据信号和栅极信号。
对显示面板10的像素阵列进行简化，对于提高像素的集成集成度、更容易地执行制造工艺、或者增加产量来说是很重要的。
如图7所示，第n像素行的像素PXL可以如下构造：第四TFT T4和第五TFT T5响应于相同的发射信号EM(n)而导通或者截止，以便简化像素阵列。为此，可以将第四TFT T4的栅极和第五TFT T5的栅极连接至第n条发射线，其中第n个发射信号EM(n)施加到所述第n条发射线。当通过去除一些栅极信号来减少提供栅极信号所需的信号线的数量时，可以通过信号线的数量的减少，来增加像素的孔径比。此外，可以通过栅极信号的数量的减少，来降低产生所述栅极信号的栅极驱动电路的大小。这对实现窄边框是非常重要的。
如图8所示，显示面板10的每一个像素PXL可以如下构造：第二TFT T2的漏极连接至低电位驱动电压ELVSS的输入端，以便进一步简化像素阵列。因为初始化电压Vinit在包括如图8所示的像素PXL的像素阵列中不是必需的，可以去除提供初始化电压Vinit所需的信号线。
由于图7和8中所示的像素PXL中的其它部件基本上与在图3中所示的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
参照图9，一个帧周期可以被分为：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，节点A和节点C被初始化；采样周期Ps，在所述采样周期Ps中，驱动TFT DT的阈值电压Vth被采样，并且被存储在节点A中；以及发射周期Pe，在所述发射周期Pe中，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被安排为包括所采样的阈值电压Vth，并且OLED利用已基于所述安排的栅-源电压Vgs控制后的OLED的驱动电流Ioled发光。
在初始周期Pi中，以导通电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个发射信号EM(n)，且以截止电平施加第n个第二扫描信号SCAN2(n)。由于在图9的初始周期Pi中获得的操作效果基本上与图5A中的初始周期Pi相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在采样周期Ps中，以导通电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)，且以截止电平施加第n个发射信号EM(n)。由于在图9的采样周期Ps中获得的操作效果基本上与图5B中的采样周期Ps相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在发射周期Pe中，以导通电平施加第n个发射信号EM(n)，且以截止电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)。由于在图9的发射周期Pe中获得的操作效果基本上与图5C中的发射周期Pe相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图10为等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构。图11为波形图，示出了施加到图10中所示像素的数据信号和栅极信号。图12A、12B和12C分别示出了与图11的初始周期、采样周期和发射周期对应的像素的等效电路图。
参照图10，第n像素行中的每一个像素PXL(n为自然数)包括OLED、驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5以及存储电容器Cst。
除了存储电容器Cst的连接构造之外，图10中所示的像素PXL的构造基本上与图3中所示的PXL的构造相同。在图10中所示的像素PXL中，存储电容器Cst连接在节点A和初始化电压Vinit的输入端之间。
参照图11，一个帧周期可以被分为：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，节点A和节点C被初始化；采样周期Ps，在所述采样周期Ps中，驱动TFT DT的阈值电压Vth被采样、并且被存储在节点A中；以及发射周期Pe，在所述发射周期Pe中，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被安排以包括所采样的阈值电压Vth，并且OLED利用已基于所述安排的栅-源电压Vgs控制后的OLED的驱动电流Ioled发光。如图11所示，初始化操作和采样操作两者都是在第n水平周期Hn期间执行的。换句话说，初始周期Pi和采样周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。
参照图12A，在初始周期Pi中，以导通电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第一发射信号EM1(n)，且以截止电平施加第n个第二扫描信号SCAN2(n)和第n个第二发射信号EM2(n)。由于在图12A的初始周期Pi中获得的操作效果基本上与图5A中的初始周期Pi相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
参照图12B，在采样周期Ps中，以导通电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)，且以截止电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)。由于在图12B的采样周期Ps中获得的操作效果基本上与图5B中的采样周期Ps相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
发射周期Pe对应于一个帧周期中的除了初始周期Pi和采样周期Ps之外的剩余时期。参照图12C，在发射周期Pe中，以导通电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)，且以截止电平施加第n个第一扫描信号SCAN1(n)和第n个第二扫描信号SCAN2(n)。由于在图12C的发射周期Pe中获得的操作效果基本上与图5C中的发射周期Pe相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图13和14为等效电路图，示出了图10中所示的像素结构的变型例。
图13的像素PXL与图10的像素PXL的不同之处在于，图13的像素PXL进一步包括第六TFT T6。在图13的像素PXL中，第二TFT T2连接在节点E和节点C之间，所述节点E连接至存储电容器Cst，并且第六TFT T6连接在节点E和初始化电压Vinit的输入端之间。第二TFT T2和第六TFT T6每一个的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号SCAN1(n)施加到所述第n条第一扫描线。图13的像素PXL进一步包括第六TFT T6，因而提高了电路的操作稳定性。由于图13的像素PXL的其它部件基本上与图10的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图14的像素PXL与图10的像素PXL的不同之处在于，图14的像素PXL进一步包括第七TFT T7。在图14的像素PXL中，第二TFT T2连接在初始化电压Vinit的输入端和节点C之间，并且第七TFT T7连接在存储电容器Cst和初始化电压Vinit的输入端之间。第二TFT T2和第七TFT T7每一个的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号SCAN1(n)施加到所述第n条第一扫描线。图14的像素PXL进一步包括第七TFT T7，因而提高了电路的操作稳定性。由于图14的像素PXL其它部件基本上与图10的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图15为等效电路图，示出了在图10中所示的像素结构的另一变型例。图16为波形图，示出了施加到图15中所示像素的数据信号和栅极信号。
对显示面板10的像素阵列进行简化，对于提高像素的集成集成度、更容易地执行制造工艺、或者增加产量来说是很重要的。
如图15所示，第n个像素行的像素PXL可以如下构造：第二TFT T2和第三TFT T3响应于相同的扫描信号SCAN(n)导通或者截止，以便简化像素阵列。为此，第二TFT T2的栅极和第三TFT T3的栅极可以连接至第n条扫描线，第n个扫描信号SCAN(n)施加到所述第n条扫描线。当通过去除一些栅极信号来减少提供栅极信号所需的信号线的数量时，可以通过信号线的数量的减少，来增加像素的孔径比。此外，可以通过栅极信号的数量的减少，来降低产生栅极信号的栅极驱动电路的大小。这对实现窄边框是非常重要的。
由于图15中所示的像素PXL的其它部件基本上与图10中所示的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
参照图16，一个帧周期可以被分为：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，节点A和节点C被初始化；采样周期Ps，在所述采样周期Ps中，驱动TFT DT的阈值电压Vth被采样，并且被存储在节点A中；以及发射周期Pe，在所述发射周期Pe中，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被安排为包括所采样的阈值电压Vth，并且OLED利用已基于所述安排的栅-源电压Vgs控制后的OLED的驱动电流Ioled发光。
在初始周期Pi中，以导通电平施加第n个扫描信号SCAN(n)和第n个第一发射信号EM1(n)，且以截止电平施加第n个第二发射信号EM2(n)。由于在图16的所述初始周期Pi中获得的操作效果基本上与图12A的初始周期Pi相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在所述采样周期Ps中，以导通电平施加第n个扫描信号SCAN(n)，且以截止电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)。由于在图16的采样周期Ps中获得的操作效果基本上与图12B的采样周期Ps相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在所述发射周期Pe中，以导通电平施加第n个第一发射信号EM1(n)和第n个第二发射信号EM2(n)，且以截止电平施加第n个扫描信号SCAN(n)。由于在图16的所述发射周期Pe中获得的操作效果基本上与图12C的所述发射周期Pe相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图17和18为等效电路图，示出了在图15中所示的像素结构的变型例。
图17的像素PXL与图15的像素PXL的不同之处在于，图17的像素PXL进一步包括第六TFT T6。在图13的像素PXL中，第二TFT T2连接在节点E和节点C之间，所述节点E连接至存储电容器Cst，并且第六TFT T6连接在节点E和初始化电压Vinit的输入端之间。第二TFT T2和第六TFT T6每一个的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号SCAN(n)施加到所述第n条扫描线。图17的像素PXL进一步包括第六TFT T6，因而提高了电路的操作稳定性。由于图17的像素PXL的其它部件基本上与图15的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图18的像素PXL与图15的像素PXL的不同之处在于，图18的像素PXL进一步包括第七TFT T7。在图18的像素PXL中，第七TFT T7连接在存储电容器Cst和初始化电压Vinit的输入端之间。第二TFT T2和第七TFT T7每一个的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号SCAN(n)施加到所述第n条扫描线。图18的像素PXL进一步包括第七TFT T7，因而提高了电路的操作稳定性。由于图18的像素PXL的其它部件基本上与图15的像素PXL相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图19和20为等效电路图，示出了依据本发明的示例性实施方式的像素结构。图21为波形图，示出了施加到图19和20中所示像素的数据信号和栅极信号。
参照图19，第n像素行中的每一个像素PXL(n为自然数)包括OLED、驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5以及存储电容器Cst。图19的像素PXL与图10的像素PXL的不同之处在于，图19的像素PXL不包括第二TFT T2，第一TFT T1和第三TFT T3是利用相同扫描信号SCAN(n)驱动的，且第四TFT T4和第五TFT T5是利用相同发射信号EM(n)驱动的。由于图19的像素PXL与上文所述的像素结构相比具有最小数量的TFT和最小数量的栅极信号，因此图19的像素结构对于提高集成度是最有利的。在图19的像素PXL中，存储电容器Cst连接在节点A与初始化电压Vinit的输入端之间。
与图19的像素PXL不同，图20的像素PXL包括连接在节点C与低电位驱动电压ELVSS的输入端之间的第二TFT T2。在图20的像素PXL中，存储电容器Cst连接在节点A与低电位驱动电压ELVSS的输入端之间。
图20的像素PXL进一步包括第二TFT T2，以便在初始周期Pi中初始化节点C，由此确保操作稳定性。在图20的像素PXL中，由于第二TFT T2的漏极直接连接至低电位驱动电压ELVSS的输入端，因此可以去除提供初始化电压Vinit所需的信号线。
参照图21，一个帧周期可以被分为：初始周期Pi，在所述初始周期Pi中，节点A和节点C被初始化；采样周期Ps，在所述采样周期Ps中，驱动TFT DT的阈值电压Vth被采样，并且被存储在节点A中；以及发射周期Pe，在所述发射周期Pe中，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被安排为包括所采样的阈值电压Vth，并且OLED利用已基于所述安排的栅-源电压Vgs控制后的OLED的驱动电流Ioled发光。如图21所示，初始化操作和采样操作两者都是在第n水平周期Hn期间执行。换句话说，初始周期Pi和采样周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。
在初始周期Pi中，以导通电平施加第n个扫描信号SCAN(n)和第n个发射信号EM(n)。由于在图21的初始周期Pi中获得的操作效果基本上与图12A的初始周期Pi相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在采样周期Ps中，以导通电平施加第n个扫描信号SCAN(n)，且以截止电平施加第n个发射信号EM(n)。由于在图21的采样周期Ps中获得的操作效果基本上与图12B中的采样周期Ps相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
在所述发射周期Pe中，以导通电平施加第n个发射信号EM(n)，且以截止电平施加第n个扫描信号SCAN(n)。由于在图21的发射周期Pe中获得的操作效果基本上与图12C中的发射周期Pe相同，因此可以简化或者可以完全省略进一步的说明。
图22到24为等效电路图，示出了在图19和20中所示的像素结构的变型例。图25为波形图，示出了施加到图22到24中所示像素的数据信号和栅极信号。
图22的像素PXL与图19的像素PXL相比进一步包括第六TFT T6，且图24的像素PXL与图20的像素PXL相比进一步包括第六TFT T6。第六TFT T6包括与高电位驱动电压ELVDD的输入端连接的漏极、以及与节点A连接的源极。第六TFT T6的栅极连接至第(n-1)条扫描线，第(n-1)个扫描信号SCAN(n-1)施加到所述第(n-1)条扫描线，从而在第(n-1)水平周期Hn-1中执行初始化操作。结果，如图25所示，由于将第n水平周期Hn的整个期间分配给图22和24的像素PXL的采样操作，因此能够充分地确保采样周期Ps，并且能够改善采样操作的可靠性。在图22的像素PXL中，存储电容器Cst连接在节点A与初始化电压Vinit的输入端之间。在图24的像素PXL中，存储电容器Cst连接在节点A与低电位驱动电压ELVSS的输入端之间。
图23的像素PXL与图22的像素PXL的不同之处在于存储电容器Cst的一侧电极直接连接至低电位驱动电压ELVSS的输入端。因此，图23的像素PXL可以去除提供初始化电压Vinit所需的信号线。
在图22到24中所示的像素PXL中的一个像素PXL中，第一TFT T1、第二TFT T2和第三TFT T3中每一个的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号SCAN(n)施加到所述第n条扫描线；第四TFT T4和第五TFT T5中每一个的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号EM(n)施加到所述第n条发射线；以及第六TFT T6的栅极连接至第(n-1)条扫描线，第(n-1)个扫描信号SCAN(n-1)施加到所述第(n-1)条扫描线。
参看图25，在初始周期Pi中，以导通电平施加第(n-1)个扫描信号SCAN(n-1)和第n个发射信号EM(n)，且以截止电平施加第n个扫描信号。在采样周期Ps中，以导通电平施加第n个扫描信号SCAN(n)，且以截止电平施加第(n-1)个扫描信号SCAN(n-1)和第n个发射信号EM(n)。在发射周期Pe中，以导通电平施加第n个发射信号EM(n)，且以截止电平施加第(n-1)个扫描信号SCAN(n-1)和第n个扫描信号SCAN(n)。
初始周期Pi被包括在第(n-1)水平周期Hn-1中，且采样周期Ps被包括在第n水平周期Hn中。
图26到28为等效电路图，示出了水平方向上相邻的像素彼此共享预定TFT以便提高像素集成度。
图26示出了基于图3的像素结构的共享结构，图27示出了基于图10的像素结构的共享结构，且图28示出了基于图20的像素结构的共享结构。
在图26到28中，水平方向上相邻的像素PXL1和PXL2包括连接至第一数据线14A的第一像素PXL1、和连接至与第一数据线14A相邻的第二数据线14B的第二像素PXL2。在这种情况下，第一像素PXL1和第二像素PXL2可以彼此共享一个第四TFT T4，第四TFT T4连接在第一像素PXL1和第二像素PXL2的节点B与高电位驱动电压ELVDD的输入端之间，以便提高像素集成度。具体来讲，第四TFT T4的漏极连接至高电位驱动电压ELVDD的输入端，且第四TFTT4的源极共同连接至第一像素PXL1和第二像素PXL2的节点B。因此，本发明的实施方式能够通过所述共享结构，将像素阵列中全部所需的第四TFT T4的数量降低到一半。
此外，本技术也可被如下所述地构造。
(1)一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A，所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动薄膜晶体管用于控制施加到所述有机发光二极管的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第二TFT连接至所述节点C；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接在所述节点A和所述节点C之间。
(2)根据(1)所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二TFT连接在初始化电压的输入端和所述节点C之间，或者连接在低电位驱动电压的输入端和所述节点C之间。
(3)根据(2)所述的有机发光二极管显示器，其中一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；以及所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号和所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
(4)根据(2)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT和第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
(5)根据(3)或(4)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述初始周期被包括在第(n-1)水平周期中，且所述采样周期被包括在第n水平周期中。
(6)一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第二TFT连接至所述节点C；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接在所述节点A和初始化电压的输入端之间。
(7)根据(6)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二TFT连接在节点E和所述节点C之间，所述节点E连接至所述存储电容器，且
其中，每一个像素进一步包括第六TFT，所述第六TFT连接在所述节点E和所述初始化电压的输入端之间。
(8)根据(6)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二TFT连接在所述初始化电压的输入端和所述节点C之间，且
其中，每一个像素进一步包括第七TFT，所述第七TFT连接在所述存储电容器和所述初始化电压的输入端之间。
(9)根据(7)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第六TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；以及所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号和所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
(10)根据(8)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第七TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；以及所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号和所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
(11)根据(6)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号。
(12)根据(7)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT、第三TFT和第六TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号。
(13)根据(8)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT、第三TFT和第七TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号。
(14)根据(10)至(13)中任一项所述的有机发光二极管显示器，其中，所述初始周期和所述采样周期被包括在第n水平周期中。
(15)一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B且所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接至所述节点A。
(16)根据(15)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述存储电容器连接在所述节点A和初始化电压的输入端之间，或者连接在所述节点A和所述低电位驱动电压的输入端之间。
(17)根据(15)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第三TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT和所述第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和所述第n个发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和，且以截止电平施加所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号。
(18)根据(15)所述的有机发光二极管显示器，其中，每一个像素进一步包括第二TFT，所述第二TFT连接在所述节点C和所述低电位驱动电压的输入端之间。
(19)根据(18)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT和所述第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和所述第n个发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号和，且以截止电平施加所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号。
(20)根据(17)或(19)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述初始周期和所述采样周期被包括在第n水平周期中。
(21)根据(15)所述的有机发光二极管显示器，其中，每一个像素进一步包括第六TFT，所述第六TFT连接在所述高电位驱动电压的输入端和所述节点A之间。
(22)根据(21)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第三TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT和第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线；所述第六TFT的栅极连接至第(n-1)条扫描线，第(n-1)个扫描信号施加到所述第(n-1)条扫描线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号，且以截止电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个扫描信号。
(23)根据(21)所述的有机发光二极管显示器，其中，每一个像素进一步包括第二TFT，所述第二TFT连接在所述节点C和所述低电位驱动电压的输入端之间。
(24)根据(23)所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第三TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条扫描线，第n个扫描信号施加到所述第n条扫描线；所述第四TFT和第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线；所述第六TFT的栅极连接至第(n-1)条扫描线，第(n-1)个扫描信号施加到所述第(n-1)条扫描线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个扫描信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个扫描信号，且以截止电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第(n-1)个扫描信号和所述第n个扫描信号。
(25)根据(22)或(24)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述初始周期被包括在第(n-1)水平周期中，且所述采样周期被包括在第n水平周期中。
(26)根据(1)、(6)或(12)所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个像素包括第一像素和第二像素，所述数据线包括第一数据线和与所述第一数据线相邻的第二数据线，所述第一像素连接至所述第一数据线，所述第二像素连接至所述第二数据线，且
其中，所述第一像素和所述第二像素彼此共享所述第四TFT。
(27)根据(1)、(6)或(12)所述的有机发光二极管显示器，其中，每一个像素被如下构造：源极或漏极连接至所述存储电容器的一侧电极的TFT包括至少两个TFT，所述至少两个TFT彼此串联连接、并响应于相同的控制信号而导通或截止。
虽然已经参考许多示例性实施方式对于实施方式进行了描述，应该了解地是，可以被本领域技术人员设计的许多其它改良和实施方式将落在本公开内容原理的范围内。更特别地是，在本公开内容、本附图和附加的权利要求范围中的主体组合安排的组成部分和/或者安排中的各种变化和改良是可能的。除了在所述组成部分和/或安排中的变化和改良，可选的应用对本领域技术人员来说也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A，所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动薄膜晶体管用于控制施加到所述有机发光二极管的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第二TFT连接至所述节点C；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接在所述节点A和所述节点C之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二TFT连接在初始化电压的输入端和所述节点C之间，或者连接在低电位驱动电压的输入端和所述节点C之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；以及所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号和所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT和第二TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT和第五TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条发射线，第n个发射信号施加到所述第n条发射线；
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
5.根据权利要求3或4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述初始周期被包括在第(n-1)水平周期中，且所述采样周期被包括在第n水平周期中。
6.一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，所述多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B，所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第二TFT连接至所述节点C；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接在所述节点A和初始化电压的输入端之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二TFT连接在节点E和所述节点C之间，所述节点E连接至所述存储电容器，且
其中，每一个像素进一步包括第六TFT，所述第六TFT连接在所述节点E和所述初始化电压的输入端之间。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二TFT连接在所述初始化电压的输入端和所述节点C之间，且
其中，每一个像素进一步包括第七TFT，所述第七TFT连接在所述存储电容器和所述初始化电压的输入端之间。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，一个帧周期包括初始周期、采样周期、和发射周期，在所述初始周期中，所述节点A和所述节点C被初始化，在所述采样周期中，所述驱动TFT的阈值电压被采样并且被存储在所述节点A中，在所述发射周期中，所述驱动TFT的栅-源电压被安排以包括所采样的阈值电压，并且所述OLED利用已基于所述安排的栅-源电压控制后的驱动电流发光，
其中，所述第一TFT、第二TFT和第六TFT中的每一个TFT的栅极连接至第n条第一扫描线，第n个第一扫描信号施加到所述第n条第一扫描线；所述第三TFT的栅极连接至第n条第二扫描线，第n个第二扫描信号施加到所述第n条第二扫描线；所述第四TFT的栅极连接至第n条第一发射线，第n个第一发射信号施加到所述第n条第一发射线；以及所述第五TFT的栅极连接至第n条第二发射线，第n个第二发射信号施加到所述第n条第二发射线，
其中，在所述初始周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第一发射信号，且以截止电平施加所述第n个第二扫描信号和所述第n个第二发射信号，
其中，在所述采样周期中，以导通电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号，且以截止电平施加所述第n个第一发射信号和所述第n个第二发射信号，以及
其中，在所述发射周期中，以导通电平施加所述第n个第一发射信号和第n个第二发射信号，且以截止电平施加所述第n个第一扫描信号和所述第n个第二扫描信号。
10.一种有机发光二极管显示器，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用于驱动所述显示面板的扫描线和发射线；以及
数据驱动电路，所述数据驱动电路用于驱动所述显示面板的数据线，
其中，多个像素之中的第n像素行的每一个像素包括如下部件，其中n为自然数：
有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极连接至节点C，所述阴极电极连接至低电位驱动电压的输入端；
驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述栅极连接至节点A、所述漏极连接至节点B且所述源极连接至节点D，所述驱动TFT用于控制施加到所述OLED的驱动电流；
第一TFT连接在所述节点A和所述节点B之间；
第三TFT连接在所述数据线和所述节点D之间；
第四TFT连接在高电位驱动电压的输入端和所述节点B之间；
第五TFT连接在所述节点D和所述节点C之间；且
存储电容器连接至所述节点A。
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