CN106200280A - 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法 - Google Patents

一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106200280A
CN106200280A CN201610810265.7A CN201610810265A CN106200280A CN 106200280 A CN106200280 A CN 106200280A CN 201610810265 A CN201610810265 A CN 201610810265A CN 106200280 A CN106200280 A CN 106200280A
Authority
CN
China
Prior art keywords
slit
mask plate
liquid
sheathed
curtain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610810265.7A
Other languages
English (en)
Inventor
熊启龙
鄢红军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
QINGYI PRECISION MASKMAKING (SHENZHEN) CO Ltd
Original Assignee
QINGYI PRECISION MASKMAKING (SHENZHEN) CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by QINGYI PRECISION MASKMAKING (SHENZHEN) CO Ltd filed Critical QINGYI PRECISION MASKMAKING (SHENZHEN) CO Ltd
Priority to CN201610810265.7A priority Critical patent/CN106200280A/zh
Publication of CN106200280A publication Critical patent/CN106200280A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，是通过以下的步骤实现的：(1)将掩膜版装载至旋转载盘上，并将狭缝出液臂移动至所述掩膜版上方指定位置；(2)控制所述狭缝出液臂开始出显影液，即刻形成均匀的显影液帘并在足够短的时间内完全覆盖所述掩膜版以达到在掩膜版上覆盖足够厚的显影液层。本发明的显影方法采用独特配备的装置结构，可以保证出液压力、出液面积以及出液角度的一致性，在极短的时间内在大尺寸掩膜版上完全覆盖足够厚的显影液层，阻止显影液收缩，满足图形精度和精度均匀性的要求。

Description

一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法
技术领域
本发明涉及一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，属于掩膜版制造工艺中显影方法的技术领域。
背景技术
LTPS低温多晶硅技术已经成为一项发展相对完整的技术，现已广泛的应用于发光面板中，其优点是发光面板具有更大的可视角度(如应用于曲屏智能手机)，色彩还原好，画面更加逼真绚丽。该技术陆续推出的第5.5代，第6代生产线对掩膜版的图形精度要求越来越高。随着市场的需求，LTPS推出了第8.5代甚至10.5代液晶生产线，这些生产线对掩膜版尺寸要求越来越大，这就提出了对显示图形精细度要求越来越高的要求。其中，6代的TFT掩膜版尺寸为800*920*10(mm),CF掩膜版尺寸为850*1200*10(mm)；7.5代的TFT掩膜版尺寸为850*1400*10(mm),CF掩膜版尺寸为1100*1100*10(mm)；而8.5代的TFT掩膜版尺寸已经为1220*1400*13(mm),CF掩膜版尺寸已经为1300*1500*12(mm)，并且该趋势会不断的推陈出新。
在显影工艺中，显影液的化学成分已经在不断的改进从而适应市场变化的需求，而显影的方法却没有得到足够的改进。现有技术常用给的显影方法是旋转与喷射的结合，该方法对大尺寸掩膜版精度控制能力较差，难以控制中心与边缘的CD精度差异，尺寸越大，差异越明显，每个喷嘴之间的喷液压力、喷液面积以及喷液角度难以控制，显影液在掩膜版上与光刻胶反应不均匀，造成图形精度及精度均匀性的差异，同时无法再短时间内覆盖足够厚的显影液，容易出现显影液收缩，导致产生液晶MURA。
发明内容
本发明提供一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，保证出液压力、出液面积以及出液角度的一致性，在短时间内在掩膜版上覆盖一层足够厚的显影液，提高图形精度和精度均匀性。
本发明是通过以下的技术方案实现的：
一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，是通过以下的步骤实现的：
(1)将掩膜版装载至旋转载盘上，并控制狭缝出液臂移动至所述掩膜版上方指定位置；
(2)控制所述狭缝出液臂开始出显影液，即刻形成均匀的显影液帘并在足够短的时间内完全覆盖所述掩膜版以达到在掩膜版上覆盖足够厚的显影液层。
所述旋转载盘在装载了掩膜版之后，进行自身旋转，旋转的速度为10～100RPM。
所述狭缝出液臂有两个，分别沿着所述掩膜版矩形对角方向向中心移动，同时两个狭缝出液臂的自身长度的延伸能够覆盖所述掩膜版矩形对角线长度的延伸。
所述狭缝出液臂通过安装在其上，朝向于掩膜版放置方向的若干狭缝的列阵进行出显影液。
所述每一个狭缝直径为1～10mm，狭缝圆间距为1～10mm。
所述狭缝的列阵距离所述掩膜版间距在5～20mm。
所述显影液帘的流量为10～100L/min。
所述即刻形成的显影液帘在低于2秒钟内完全覆盖所述掩膜版。
所述显影方法适用于尺寸为长*宽为800～1220*920～1400mm的掩膜版。
本发明另外提供一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备，包括可以装载掩膜版并且能够进行自身旋转的旋转载盘和两根具有朝自身长度方向延伸的狭缝出液臂，所述狭缝出液臂能够移动至所述旋转载盘的上方任意位置；所述狭缝出液臂朝向旋转载盘的一侧安装狭缝列阵，所述狭缝列阵由若干个狭缝组成。
本发明的有益效果为：
1.该显影方法保证出液压力、出液面积以及出液角度的一致性，能够适应大尺寸掩膜版的即时显影液覆盖工艺。不会出现显影液收缩，从而导致MURA。
2.图形精度高，图形精度均匀性高。
附图说明
图1-1和1-2是旋覆与狭缝液帘配合的显影设备的俯视图与侧视图
图2是狭缝出液臂具有狭缝列阵一侧的示意图
图3是旋覆与狭缝液帘配合的显影方法的控制流程图
具体实施方式
以下结合附图，对本发明做进一步说明。
在掩膜版的制备中，显影是一个重要环节。如图1-1和1-2，分别是旋覆与狭缝液帘配合的显影设备的俯视图与侧视图。本发明使用该显影设备进行显影。如图2，是狭缝出液臂具有狭缝列阵一侧的示意图。
如图3，是旋覆与狭缝液帘配合的显影方法的控制流程图。将一定尺寸的掩膜版2装载并固定至旋转载盘1上，设置旋转载盘1至一定的旋转速度，沿着支撑旋转轴5进行旋转。控制狭缝出液臂3开始移动，从图1-1中可知，所述狭缝出液臂有两个，分别是出液臂(301,302)，通过控制主机分别沿着掩膜版2矩形对角方向向中心移动，出液臂(301,302)需移动至彼此间具有一定的重叠接触位置，从而显影液能够覆盖完全，防止显影液层不均匀，同时出液臂(301,302)的自身长度的延伸能够覆盖所述掩膜版2矩形对角线长度的延伸。在上述对于出液臂(301,302)水平方向位置调整完成后，还需要调制垂直位置，即狭缝列阵4距离掩膜版2的垂直距离。水平与垂直位置的调整使得显影液最终是平顺的流到掩膜版2的表面上，而非形成冲击或者碰撞。在出液臂(301,302)移动到位后，准备进行显影。
通过控制主机的设置，开始喷洒显影液。如图1-2可知，狭缝出液臂3通过安装在其上，朝向于掩膜版2放置方向的若干狭缝的列阵进行出显影液。本发明的显影能够即刻形成均匀的显影液帘并在足够短的时间内完全覆盖掩膜版2以达到在掩膜版上覆盖足够厚的显影液层。
为此，本发明还设置了以下参数：
旋转载盘的旋转速度：10～100RPM；
狭缝出液臂流量：10～100L/min；
每一个狭缝直径：1～10mm；
每一个狭缝圆间距：1～10mm；
狭缝的列阵距离所述掩膜版间距：5～20mm。
上述参数的设置，同时配合旋覆与狭缝结构的该显影设备，保证了显影液出液能够连成一片，形成了一个“液帘”，并且没有断帘，显影液能够平顺的流到掩膜版2的表面上，而非形成冲击或者碰撞。在本发明优选的实验中，能够在低于2秒钟的时间内，完全覆盖足够的显影液，不会形成反应时间差。其中，显影液层的厚度，是可以根据本发明设置的各项参数进行调整的，并且根据掩膜版光刻的不同图形，不同的产品对显影液层也具有不同的要求，本领域技术人员可以根据实际情况进行厚度的调整。而无论怎样调整显影液层的厚度和出液总量，本发明均可以完成瞬时覆盖。通常本发明的工艺中覆盖显影液的厚度能够达到1-2mm。
如图3，在显影完成后，应当将出液臂(301,302)复位，掩膜版应当冲洗DIW(去离子水)，完成冲洗后进行旋转甩干，最后将掩膜版卸载出本显影装置，完成显影工艺。

Claims (10)

1.一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于是通过以下的步骤实现的：
(1)将掩膜版装载至旋转载盘上，并控制狭缝出液臂移动至所述掩膜版上方指定位置；
(2)控制所述狭缝出液臂开始出显影液，即刻形成均匀的显影液帘并在足够短的时间内完全覆盖所述掩膜版以达到在掩膜版上覆盖足够厚的显影液层。
2.如权利要求1所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述旋转载盘在装载了掩膜版之后，进行自身旋转，旋转的速度为10～100RPM。
3.如权利要求1所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述狭缝出液臂有两个，分别沿着所述掩膜版矩形对角方向向中心移动，同时两个狭缝出液臂的自身长度的延伸能够覆盖所述掩膜版矩形对角线长度的延伸。
4.如权利要求1所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述狭缝出液臂通过安装在其上，朝向于掩膜版放置方向的若干狭缝的列阵进行出显影液。
5.如权利要求4所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述每一个狭缝直径为1～10mm，狭缝圆间距为1～10mm。
6.如权利要求4或5所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述狭缝的列阵距离所述掩膜版间距在5～20mm。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述显影液帘的流量为10～100L/min。
8.如权利要求1所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述即刻形成的显影液帘在低于2秒钟内完全覆盖所述掩膜版。
9.如权利要求1或8所述的一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，其特征在于，所述显影方法适用于尺寸为长*宽为800～1220*920～1400mm的掩膜版。
10.一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备，其特征在于包括可以装载掩膜版并且能够进行自身旋转的旋转载盘和两根具有朝自身长度方向延伸的狭缝出液臂，所述狭缝出液臂能够移动至所述旋转载盘的上方任意位置；所述狭缝出液臂朝向旋转载盘的一侧安装狭缝列阵，所述狭缝列阵由若干个狭缝组成。
CN201610810265.7A 2016-09-07 2016-09-07 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法 Pending CN106200280A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610810265.7A CN106200280A (zh) 2016-09-07 2016-09-07 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610810265.7A CN106200280A (zh) 2016-09-07 2016-09-07 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106200280A true CN106200280A (zh) 2016-12-07

Family

ID=58066814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610810265.7A Pending CN106200280A (zh) 2016-09-07 2016-09-07 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106200280A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108469718A (zh) * 2018-04-20 2018-08-31 无锡中微掩模电子有限公司 一种掩模的显影方法及装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162424A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルタ基板現像装置
JP2003086494A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Toshiba Corp 平面表示素子の製造方法及び製造装置
CN201828770U (zh) * 2010-10-13 2011-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显影装置
JP2012047808A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Toppan Printing Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN102540769A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 显影方法
CN103034076A (zh) * 2012-11-28 2013-04-10 上海华力微电子有限公司 一种新型显影处理单元结构
CN103809388A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 显影方法
CN103809390A (zh) * 2012-11-14 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种显影喷头
CN105278265A (zh) * 2014-07-25 2016-01-27 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN206209293U (zh) * 2016-09-07 2017-05-31 深圳清溢光电股份有限公司 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162424A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルタ基板現像装置
JP2003086494A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Toshiba Corp 平面表示素子の製造方法及び製造装置
JP2012047808A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Toppan Printing Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN201828770U (zh) * 2010-10-13 2011-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显影装置
CN102540769A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 显影方法
CN103809388A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 显影方法
CN103809390A (zh) * 2012-11-14 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种显影喷头
CN103034076A (zh) * 2012-11-28 2013-04-10 上海华力微电子有限公司 一种新型显影处理单元结构
CN105278265A (zh) * 2014-07-25 2016-01-27 东京毅力科创株式会社 显影方法和显影装置
CN206209293U (zh) * 2016-09-07 2017-05-31 深圳清溢光电股份有限公司 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108469718A (zh) * 2018-04-20 2018-08-31 无锡中微掩模电子有限公司 一种掩模的显影方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW454229B (en) Film forming method and film forming apparatus
KR101255294B1 (ko) 인쇄장비 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법
US20060292295A1 (en) Coating apparatus and method of fabricating liquid crystal display device using the same
US7803720B2 (en) Coating process and equipment for reduced resist consumption
KR100365042B1 (ko) 도포액 도포방법 및 장치
TW200424699A (en) Method of forming alignment layer for liquid crystal display device
KR100835470B1 (ko) 감광물질 도포 방법
CN102019266A (zh) 涂层材料的涂布方法
US9581939B2 (en) Developing device and developing method
KR100257282B1 (ko) 도포액 도포방법
JP6148210B2 (ja) 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN106200280A (zh) 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法
CN106773215A (zh) 一种彩膜基板、其制作方法、液晶显示器及显示装置
CN206209293U (zh) 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备
CN101393401A (zh) 光刻工艺的显影方法
JP6764713B2 (ja) 塗布方法
CN105436056A (zh) 半导体晶片的旋转涂胶方法
CN103809388B (zh) 显影方法
JP6545464B2 (ja) 現像方法
CN209028410U (zh) 光阻旋涂装置
CN103424997B (zh) 光刻工艺的显影方法
JP2010042325A (ja) 塗布方法および塗布装置
CN105774235B (zh) 一种制造有机发光显示器的设备以及制造方法
JP3951750B2 (ja) 物質充填方法、膜形成方法、デバイスおよびデバイスの製造方法
CN210742674U (zh) 光阻涂布装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination