CN103034076A - 一种新型显影处理单元结构 - Google Patents

一种新型显影处理单元结构 Download PDF

Info

Publication number
CN103034076A
CN103034076A CN2012104941217A CN201210494121A CN103034076A CN 103034076 A CN103034076 A CN 103034076A CN 2012104941217 A CN2012104941217 A CN 2012104941217A CN 201210494121 A CN201210494121 A CN 201210494121A CN 103034076 A CN103034076 A CN 103034076A
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
joint face
development treatment
cellular construction
spray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012104941217A
Other languages
English (en)
Inventor
何伟明
邢精成
朱骏
张旭昇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2012104941217A priority Critical patent/CN103034076A/zh
Publication of CN103034076A publication Critical patent/CN103034076A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供的一种新型显影处理单元结构，包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴，所述显影臂与所述平台连接，所述平台上设有连接面，所述喷嘴设于所述连接面上，所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。本发明的新型显影处理单元结构的技术方案，其结构简单、制作方便、使用和制作均较为简便。运用多个喷嘴形成多个喷涂通道，可以很好的控制面内的CDU问题，有效的节约成本。

Description

一种新型显影处理单元结构
技术领域
本发明属于半导体领域，涉及一种显影过程中的装置，尤其涉及一种新型显影处理单元结构。
背景技术
集成电路制造技术随着摩尔定律快速向前发展，在关键尺寸的不断缩小的同时，对于光刻胶的要求也越来越高，因此对于定义不同的图形时就需要研发出不同特性的光刻胶，而不同特性的光刻胶对于显影液的反应特性又随之不同，从而对于传统的DEV（develop，显影） nozzle（喷嘴） 的运动方式而言，出现一个CDU（特征尺寸均匀性）的问题，对于不同的光刻胶，甚至不同层次需要研发出不同的显影程式来解决CDU的问题。
如图1中所示，对于传统的LD nozzle而言，显影液从显影喷头1中喷洒到wafer（晶圆）2上，同时显影喷头1会开始沿直径的方向扫过整个wafer 2表面。显影喷头1移动速度的快慢直接影响到显影液涂布到wafer 2表面时的均一性。对于反应速度慢的，移动速度应当设定较慢；对于反应速度较快的，移动速度应当设定较快。另如图2中所示，对于传统的GP、MGP nozzle而言，单一喷嘴（nozzle） 3在wafer 2中心喷洒显影液。同时，旋转wafer 2将显影液散开，而达到均匀涂布的目的。而对于不同反应速度的光刻胶，wafer 2旋转的时机以及转速都需要做相应的调整，且调整的过程需要反复做实验并收集数据。
上述的解决面内CDU的问题的装置和方法，会耗费很多的人力和物力，产生较大的成本。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种有效节约成本的新型显影处理单元结构。
发明内容
鉴于上述的现有技术中的问题，本发明所要解决的技术问题是现有的技术解决CDU较复杂、成本较高。
本发明提供的一种新型显影处理单元结构，包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴，所述显影臂与所述平台连接，所述平台上设有连接面，所述喷嘴设于所述连接面上，所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。
在本发明的一个较佳实施方式中，所述喷嘴均匀分布于所述连接面上。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述连接面为圆形。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述连接面的面积为8-12寸。
在本发明的另一较佳实施方式中，还包括喷淋通道，所述喷淋通道的数量与所述喷嘴的数量相等，每一所述喷嘴分别与每一所述喷淋通道连接。
在本发明的另一较佳实施方式中，还包括多个喷淋马达，每一所述喷淋通道设有一个喷淋马达。
在本发明的另一较佳实施方式中，还包括保护槽和隔板，所述保护槽和隔板配合形成保护罩，所述保护罩设于所述平台的上方，当不使用所述平台时，将所述平台置于所述保护罩中。
本发明的新型显影处理单元结构的技术方案，其结构简单、制作方便、使用和制作均较为简便。运用多个喷嘴形成多个喷涂通道，可以很好的控制面内的CDU问题，有效的节约成本。
附图说明
图1是现有技术的显影喷头的结构示意图；
图2是现有技术的单一喷嘴的结构示意图；
图3是本发明的实施例的结构示意图；
图4是本发明的实施例的保护罩的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明做具体阐释。
如图3中所示的本发明的实施例的新型显影处理单元结构，包括显影臂4、平台5、两个或两个以上喷嘴6。显影臂4与平台5连接，显影臂4用于移动平台5。平台5上设有连接面51，喷嘴6均匀分布的设于连接面51上，连接面51设于需喷淋显影液的晶圆的上方，连接面51的面积大于或等于晶圆的面积。
本发明的新型显影处理单元结构的技术方案，其结构简单、制作方便、使用和制作均较为简便。运用多个喷嘴形成多个喷涂通道，可以很好的控制面内的CDU问题，有效的节约成本。
如图3中所示，在本发明的实施例中，连接面51可以是正方形、圆形等，优选连接面51为圆形。并优选连接面的面积为8-12寸，以适应需喷淋显影液的晶圆的面积大小。
在本发明的实施例中，还包括喷淋通道。喷淋通道的数量与喷嘴的数量相等，每一喷嘴分别与每一喷淋通道连接。并优选每一喷淋通道设有一个喷淋马达。即每一喷嘴可单独进行喷涂控制，对于正常的wafer，所有的喷嘴设置一样的喷涂速率，可以保证到达wafer表面的均一性，从而达到很好的面内CDU；对于特殊的制程，可能由于wafer面内本身就有的问题，而导致就算设定同样的喷涂速率，做出的CDU也有special map，此时可以通过修改不同通道的喷涂速率来解决，且只需要单次收集数据，不需要反复的实验。调控CDU变得可控且可以量化。
如图4中所示，在本发明的实施例中，还包括保护槽7和隔板8。保护槽7和隔板8配合形成保护罩，保护罩设于平台5的上方。当不使用平台5时，将平台5置于保护罩中。即当显影完成，显影臂4向上方移动到保护槽7内，然后隔板8会向左移动并将平台5隔绝起来，有效的防止环境中的污染物。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (7)

1.一种新型显影处理单元结构，其特征在于，包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴，所述显影臂与所述平台连接，所述平台上设有连接面，所述喷嘴设于所述连接面上，所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。
2.如权利要求1所述的显影处理单元结构，其特征在于，所述喷嘴均匀分布于所述连接面上。
3.如权利要求2所述的显影处理单元结构，其特征在于，所述连接面为圆形。
4.如权利要求3所述的显影处理单元结构，其特征在于，所述连接面的面积为8-12寸。
5.如权利要求4所述的显影处理单元结构，其特征在于，还包括喷淋通道，所述喷淋通道的数量与所述喷嘴的数量相等，每一所述喷嘴分别与每一所述喷淋通道连接。
6.如权利要求5所述的显影处理单元结构，其特征在于，还包括多个喷淋马达，每一所述喷淋通道设有一个喷淋马达。
7.如权利要求6所述的显影处理单元结构，其特征在于，还包括保护槽和隔板，所述保护槽和隔板配合形成保护罩，所述保护罩设于所述平台的上方，当不使用所述平台时，将所述平台置于所述保护罩中。
CN2012104941217A 2012-11-28 2012-11-28 一种新型显影处理单元结构 Pending CN103034076A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012104941217A CN103034076A (zh) 2012-11-28 2012-11-28 一种新型显影处理单元结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012104941217A CN103034076A (zh) 2012-11-28 2012-11-28 一种新型显影处理单元结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103034076A true CN103034076A (zh) 2013-04-10

Family

ID=48021085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012104941217A Pending CN103034076A (zh) 2012-11-28 2012-11-28 一种新型显影处理单元结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103034076A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106200280A (zh) * 2016-09-07 2016-12-07 深圳清溢光电股份有限公司 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法
CN112650032A (zh) * 2020-12-25 2021-04-13 上海华力微电子有限公司 一种改善光刻显影t型缺陷的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63199424A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Hitachi Ltd ホトレジスト処理装置
JPH10246967A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Sony Corp 現像装置
JP2000232059A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nec Kyushu Ltd 現像液供給装置
JP2009128867A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Toppan Printing Co Ltd 現像方法及び現像装置
CN101644903A (zh) * 2008-08-07 2010-02-10 和舰科技(苏州)有限公司 一种显影液喷头
CN202307830U (zh) * 2011-10-20 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 单片晶圆湿法刻蚀装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63199424A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Hitachi Ltd ホトレジスト処理装置
JPH10246967A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Sony Corp 現像装置
JP2000232059A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nec Kyushu Ltd 現像液供給装置
JP2009128867A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Toppan Printing Co Ltd 現像方法及び現像装置
CN101644903A (zh) * 2008-08-07 2010-02-10 和舰科技(苏州)有限公司 一种显影液喷头
CN202307830U (zh) * 2011-10-20 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 单片晶圆湿法刻蚀装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106200280A (zh) * 2016-09-07 2016-12-07 深圳清溢光电股份有限公司 一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法
CN112650032A (zh) * 2020-12-25 2021-04-13 上海华力微电子有限公司 一种改善光刻显影t型缺陷的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103586754A (zh) 一种光学元件抛光装置
CN106098589B (zh) 半导体装置和洗涤方法
CN103034076A (zh) 一种新型显影处理单元结构
CN104161486B (zh) 一种清洗装置
CN203643740U (zh) 一种涂胶显影机
CN103219232A (zh) 湿法刻蚀机台装置
CN107278815A (zh) 一种适合多种异形面积的园林喷灌系统及控制方法
CN102760672B (zh) 蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法
CN205288854U (zh) 银胶涂布设备
CN105413956A (zh) 一种mems气体传感器生产用自动点胶系统及其生产方法
CN103809388B (zh) 显影方法
CN203764494U (zh) 涂胶机
CN104570502A (zh) 液晶面板之间隔物的制造方法及制造间隔物的设备
CN102873640A (zh) 研磨垫修整器
CN102430495A (zh) 提高光刻胶膜与衬底表面粘合度的装置及其应用方法
CN103365100A (zh) 光刻工艺分配系统及分配方法
CN111739823A (zh) 光刻胶涂布喷嘴及具有其的光刻胶涂布设备
CN100385632C (zh) 避免研磨浆料残留的化学机械研磨方法及设备
CN104838480B (zh) 晶圆抛光方法
CN115346882A (zh) 一种铟柱起球控制方法、装置和设备
CN113093473A (zh) 一种mems芯片喷匀胶设备及其工艺方法
CN204294389U (zh) 喷头
CN103915314A (zh) 晶圆边缘清洗方法
CN206727061U (zh) 半导体晶圆清洗设备
CN114671489A (zh) 半导体清洗装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130410