CN106199365A - Oled掺杂浓度的选择方法及oled漏电点的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED掺杂浓度的选择方法及OLED漏电点的检测方法，该OLED掺杂浓度的选择方法通过对若干OLED显示器件施加正向电压，利用红外传感器感测各个OLED显示器件表面的温度并利用计算机对各个OLED显示器件表面的温度进行对比分析，得到OLED最佳掺杂浓度，OLED最佳掺杂浓度检测准确。该OLED漏电点的检测方法通过对OLED显示面板上的若干OLED显示器件施加反向电压，利用红外传感器感测OLED显示面板上各个OLED显示器件表面的温度并利用计算机对各个OLED显示器件表面的温度进行对比分析，得到OLED显示面板上漏电点的准确位置，能够为漏电点的修复提供依据，减少漏电，提高OLED显示器件的良率及寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED掺杂浓度的选择方法及OLED漏电点的检测方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示器件属于自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、与阴极的像素电极、和公共电极、以及设在像素电极与公共电极之间的有机发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，从有机发光层发光。有机发光层包括了设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层，其发光机理为在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
为使OLED显示器件具有较高的发光效率，需要使注入OLED显示器件的电子与空穴均衡，同时需要使电子与空穴能够在有机发光层内进行有效的输运及复合。一般通过对有机发光层进行掺杂的方法来控制电子与空穴的注入效率及平衡电子与空穴的注入速率，进而提升OLED显示器件的发光效率。现有技术中，为了检测OLED的最佳掺杂浓度，通常利用探头或积分球对OLED显示器件在点亮时各电流密度下的光强进行检测，并利用光强计算OLED显示器件的外量子化效率(External Quantunm Efficiency，EQE)，通过衡量外量子化效率的高低来得到OLED显示器件的最佳掺杂浓度。由于OLED显示器件的外量子化效率一般低于其内量子化效率(Internal Quantunm Efficiency，IQE)，无法准确地体现实际的发光效率，同时由于受到后续光提取等制程稳定性影响，检测得到的最佳掺杂浓度存在误差。
当OLED显示器件的阳极与阴极接入反向电压时，若OLED显示器件上有漏电(leakage)点，会在该漏电点位置产生漏电流使漏电点的温度升高，增加OLED显示器件的功耗，影响OLED显示器件的良率及寿命，因此需要对OLED显示器件的漏电点进行修复。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED掺杂浓度的选择方法，能够准确检测OLED显示器件的内量子化效率和发光效率，得到准确的最佳掺杂浓度，为OLED显示器件的制作提供依据。
本发明的另一目的在于提供一种OLED漏电点的检测方法，能够准确检测OLED显示器件中漏电点的位置，为漏电点的修复提供依据，可减少漏电，提高OLED显示器件的良率及寿命。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED掺杂浓度的选择方法，包括以下步骤：
步骤1、提供若干掺杂浓度不同的OLED显示器件12，所述若干掺杂浓度不同的OLED显示器件设于同一衬底基板上或若干不同的衬底基板上；
步骤2、提供一温度检测系统；
所述温度检测系统包括：若干红外传感器、及与所述若干红外传感器电性相连的计算机；
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件施加相同的正向电压，使所述若干OLED显示器件在相同电流密度下被点亮；
步骤4、将所述温度检测系统的红外传感器设置在所述若干OLED显示器件的上方，对各个OLED显示器件表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机；
步骤5、利用计算机对各个OLED显示器件表面的温度进行对比分析，找出温度最低的OLED显示器件，进而查找该OLED显示器件的掺杂浓度，得出OLED显示器件的OLED最佳掺杂浓度。
所述步骤1中若干OLED显示器件具有预留导线。
所述步骤2中若干红外传感器呈点排布、线排布、或面排布。
所述步骤3中测试探针为若干OLED显示器件施加相同正向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件的预留导线，在若干OLED显示器件上施加相同的正向电压。
本发明还提供一种OLED漏电点的检测方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一待检测的OLED显示面板；
所述OLED显示面板包括：衬底基板、及设置在所述衬底基板上的若干呈阵列排布的OLED显示器件；
步骤2、提供一温度检测系统；
所述温度检测系统包括：若干红外传感器、及与所述若干红外传感器电性相连的计算机；
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件施加相同的反向电压，使OLED显示面板反向通电；
步骤4、将所述温度检测系统的红外传感器设置在所述OLED显示面板的上方，对OLED显示面板上各个OLED显示器件表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机；
步骤5、利用计算机对OLED显示面板上各个OLED显示器件表面的温度进行对比分析，将各个OLED显示器件表面的温度与预设的正常温度进行对比，找出OLED显示面板上表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件的位置，即OLED显示面板上漏电点的位置。
所述步骤1中若干OLED显示器件具有预留导线。
所述步骤2中若干红外传感器呈点排布、线排布、或面排布。
所述步骤3中测试探针为若干OLED显示器件施加相同反向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件的预留导线，在若干OLED显示器件上施加相同的反向电压。
本发明的有益效果：本发明提供的OLED掺杂浓度的选择方法，对若干OLED显示器件施加正向电压使其在相同电流密度下点亮，利用红外传感器感测若干OLED显示器件表面的温度，并利用计算机对若干OLED显示器件表面的温度进行对比分析，得到最低温度的OLED显示器件，通过查找该OLED显示器件的掺杂浓度，得到OLED最佳掺杂浓度，能够准确检测OLED显示器件的内量子化效率，获得准确的OLED最佳掺杂浓度，为OLED显示器件的制作提供依据。本发明提供的OLED漏电点的检测方法，对OLED显示面板上的若干OLED显示器件施加反向电压，利用红外传感器感测OLED显示面板上表面的温度，并利用计算机对若干OLED显示器件表面的温度进行对比分析，找出表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件的位置，从而确定漏电点的位置，漏电点的位置检测准确，为漏电点的修复提供依据，能够减少漏电，提高OLED显示器件的良率及寿命。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的OLED掺杂浓度的选择方法的流程图；
图2为本发明的OLED掺杂浓度的选择方法的步骤4的示意图；
图3为本发明的OLED掺杂浓度的选择方法的步骤5的示意图；
图4为本发明的OLED漏电点的检测方法的流程图；
图5为本发明的OLED漏电点的检测方法的步骤4的示意图；
图6为本发明的OLED漏电点的检测方法的步骤5的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1至图3，本发明首先提供一种OLED掺杂浓度的选择方法，
包括以下步骤：
步骤1、请参阅图2，步骤1、提供若干掺杂浓度不同的OLED显示器件12，所述若干掺杂浓度不同的OLED显示器件12设于同一衬底基板11上或若干不同的衬底基板11上；
具体地，所述步骤1中若干OLED显示器件12具有预留导线，便于后续步骤中对OLED显示器件12施加电压以对其进行检测。
步骤2、请参阅图2，提供一温度检测系统20；
所述温度检测系统20包括：若干红外传感器21、及与所述若干红外传感器21电性相连的计算机22。
具体地，所述红外传感器21用于对所述若干OLED显示器件12表面的温度进行检测。所述计算机22用于对所述若干OLED显示器件12表面的温度对比分析，得到OLED最佳掺杂浓度。
具体地，所述若干红外传感器21呈点排布、线排布、或面排布。
进一步地，所述红外传感器21可直接设置在制程设备或最终测试设备上，可减少制程数目，提高生产效率。
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件12施加相同的正向电压，使所述若干OLED显示器件12在相同电流密度下被点亮。
具体地，所述测试探针为若干OLED显示器件12施加相同的正向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件12的预留导线，在若干OLED显示器件12上施加相同的正向电压。
步骤4、将所述温度检测系统20的红外传感器21设置在所述若干OLED显示器件12的上方，对各个OLED显示器件12表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机22。
具体地，请参阅图2，红外传感器21检测每一个OLED显示器件12表面的温度，并将所有OLED显示器件12的表面温度传输至计算机22。
步骤5、利用计算机20对各个OLED显示器件12表面的温度进行对比分析，找出温度最低的OLED显示器件12，进而查找该OLED显示器件12的掺杂浓度，得出OLED显示器件12的OLED最佳掺杂浓度。
具体地，请参阅图3，当OLED显示器件12中的掺杂浓度不合适时，OLED显示器件12内部的电子与空穴耦合后大部分不能激发光子，电子与空穴耦合的能量以热能方式向外散发，使OLED显示器件12的表面温度较高，降低OLED显示器件12的内量子化效率和发光效率，因此OLED显示器件12的表面温度高低可作为衡量OLED显示器件12的内量子化效率的依据，以获取内量子化效率和发光效率最高的OLED最佳掺杂浓度。在若干OLED显示器件12中表面温度最低的OLED显示器件12其内量子化效率最高，其所具有的掺杂浓度即为OLED最佳掺杂浓度。计算机22通过分析毒对比若干OLED显示器件12表面的温度，可得出温度最低的OLED显示器件12，进而查找该OLED显示器件12的掺杂浓度，得出OLED最佳掺杂浓度。该方法得到的最佳掺杂浓度由于是依据准确的内量子化效率得到，准确度高，可为OLED显示器件的制作提供依据。
请参阅图4至图6，本发明还提供一种OLED漏电点的检测方法，包括以下步骤：
步骤1、请参阅图5，提供一待检测的OLED显示面板10；
所述OLED显示面板10包括：衬底基板11、及设置在所述衬底基板11上的若干呈阵列排布的OLED显示器件12。
具体地，所述步骤1中若干OLED显示器件12具有预留导线，便于后续步骤中对OLED显示器件12施加电压以对其进行检测。
步骤2、请参阅图5，提供一温度检测系统20；
所述温度检测系统20包括：若干红外传感器21、及与所述若干红外传感器21电性相连的计算机22。
具体地，所述红外传感器21用于对OLED显示面板10上各个OLED显示器件12表面的温度进行检测。所述计算机22用于对各个OLED显示器件12表面的温度对比分析，得到OLED漏电点的位置。
具体地，所述若干红外传感器21呈点排布、线排布、或面排布。
进一步地，所述红外传感器21可直接设置在制程设备或最终测试设备上，可减少制程数目，提高生产效率。
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件12施加相同的反向电压，使OLED显示面板10反向通电。
具体地，所述测试探针为若干OLED显示器件12施加相同的反向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件12的预留导线，在若干OLED显示器件12上施加相同的反向电压。
步骤4、将所述温度检测系统20的红外传感器21设置在所述OLED显示面板10的上方，对OLED显示面板10上各个OLED显示器件12表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机22；
具体地，请参阅图5，红外传感器21检测OLED显示面板10上表面各点的温度，并将OLED显示面板10上表面各点的温度及对应点在OLED显示面板10上的坐标传输至计算机22。
步骤5、利用计算机20对OLED显示面板10上各个OLED显示器件12表面的温度进行对比分析，将各个OLED显示器件12表面的温度与预设的正常温度进行对比，找出OLED显示面板10上表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件12的位置，即OLED显示面板10上漏电点的位置。
具体地，请参阅图6，当OLED显示面板10上存在漏电点且接入反向电压时，漏电点位置会产生漏电流使漏电点的温度升高，使其表面的温度高于预设的正常温度，因此OLED显示面板10上表面的温度分布可作为检测漏电点的依据，即OLED显示面板10上表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件12的所在位置，即为漏电点。计算机22通过将OLED显示面板10上各个OLED显示器件12表面的温度与预设的正常温度进行对比，可以很容易地找到温度高于预设的正常温度的异常点的位置，即为漏电点的准确位置，为漏电点的修复提供依据，能够减少漏电，提高OLED显示器件的良率及寿命。
综上所述，本发明提供的OLED掺杂浓度的选择方法，对若干OLED显示器件施加正向电压使其在相同电流密度下点亮，利用红外传感器感测若干OLED显示器件表面的温度，并利用计算机对若干OLED显示器件表面的温度进行对比分析，得到最低温度的OLED显示器件，通过查找该OLED显示器件的掺杂浓度，得到OLED最佳掺杂浓度，能够准确检测OLED显示器件的内量子化效率，获得准确的OLED最佳掺杂浓度，为OLED显示器件的制作提供依据。本发明提供的OLED漏电点的检测方法，对OLED显示面板上的若干OLED显示器件施加反向电压，利用红外传感器感测OLED显示面板上表面的温度，并利用计算机对若干OLED显示器件表面的温度进行对比分析，找出表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件的位置，从而确定漏电点的位置，漏电点的位置检测准确，为漏电点的修复提供依据，能够减少漏电，提高OLED显示器件的良率及寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种OLED掺杂浓度的选择方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供若干掺杂浓度不同的OLED显示器件(12)，所述若干掺杂浓度不同的OLED显示器件(12)设于同一衬底基板(11)上或若干不同的衬底基板(11)上；
步骤2、提供一温度检测系统(20)；
所述温度检测系统(20)包括：若干红外传感器(21)、及与所述若干红外传感器(21)电性相连的计算机(22)；
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件(12)施加相同的正向电压，使所述若干OLED显示器件(12)在相同电流密度下被点亮；
步骤4、将所述温度检测系统(20)的红外传感器(21)设置在所述若干OLED显示器件(12)的上方，对各个OLED显示器件(12)表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机(22)；
步骤5、利用计算机(20)对各个OLED显示器件(12)表面的温度进行对比分析，找出温度最低的OLED显示器件(12)，进而查找该OLED显示器件(12)的掺杂浓度，得出OLED显示器件(12)的OLED最佳掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的OLED掺杂浓度的选择方法，其特征在于，所述步骤1中若干OLED显示器件(12)具有预留导线。
3.如权利要求1所述的OLED掺杂浓度的选择方法，其特征在于，所述步骤2中若干红外传感器(21)呈点排布、线排布、或面排布。
4.如权利要求2所述的OLED掺杂浓度的选择方法，其特征在于，所述步骤3中测试探针为若干OLED显示器件(12)施加相同正向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件(12)的预留导线，在若干OLED显示器件(12)上施加相同的正向电压。
5.一种OLED漏电点的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一待检测的OLED显示面板(10)；
所述OLED显示面板(10)包括：衬底基板(11)、及设置在所述衬底基板(11)上的若干呈阵列排布的OLED显示器件(12)；
步骤2、提供一温度检测系统(20)；
所述温度检测系统(20)包括：若干红外传感器(21)、及与所述若干红外传感器(21)电性相连的计算机(22)；
步骤3、提供一测试探针，利用所述测试探针为若干OLED显示器件(12)施加相同的反向电压，使OLED显示面板(10)反向通电；
步骤4、将所述温度检测系统(20)的红外传感器(21)设置在所述OLED显示面板(10)的上方，对OLED显示面板(10)上各个OLED显示器件(12)表面的温度进行检测，并将检测结果传输至计算机(22)；
步骤5、利用计算机(20)对OLED显示面板(10)上各个OLED显示器件(12)表面的温度进行对比分析，将各个OLED显示器件(12)表面的温度与预设的正常温度进行对比，找出OLED显示面板(10)上表面的温度高于预设的正常温度的OLED显示器件(12)的位置，即OLED显示面板(10)上漏电点的位置。
6.如权利要求5所述的OLED漏电点的检测方法，其特征在于，所述步骤1中若干OLED显示器件(12)具有预留导线。
7.如权利要求5所述的OLED漏电点的检测方法，其特征在于，所述步骤2中若干红外传感器(21)呈点排布、线排布、或面排布。
8.如权利要求5所述的OLED漏电点的检测方法，其特征在于，所述步骤3中测试探针为若干OLED显示器件(12)施加相同反向电压的具体方法为：所述测试探针连接OLED显示器件(12)的预留导线，在若干OLED显示器件(12)上施加相同的反向电压。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109342915A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种漏电led芯片的检测方法 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| CN110379842A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110456247A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 测试器件及其测试方法 |
| WO2023160122A1 (zh) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 荣耀终端有限公司 | 一种电子器件的漏电检测方法、电子设备及存储介质 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1506676A (zh) * | 2002-12-09 | 2004-06-23 | 铼宝科技股份有限公司 | 检测修复系统及检测修复方法 |
| CN201837702U (zh) * | 2010-11-01 | 2011-05-18 | 保定天威英利新能源有限公司 | 一种太阳能电池的漏电检测设备 |
| CN102708770A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 宏濑科技股份有限公司 | 平面显示器的缺陷检测系统及方法 |
| CN102939527A (zh) * | 2010-06-04 | 2013-02-20 | Imec公司 | 用于确定掺杂的半导体区域的有效掺杂浓度的方法 |
| CN103927954A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器件的测试方法及测试系统 |
| US20140252957A1 (en) * | 2008-06-17 | 2014-09-11 | Panasonic Corporation | Display apparatus and control method for display apparatus |
| CN104467663A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 河海大学常州校区 | 一种检测光伏热斑损害的太阳电池漏电流的系统及方法 |
| CN105679219A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板检测方法及检测装置 |
-
2016
- 2016-06-17 CN CN201610439468.XA patent/CN106199365B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1506676A (zh) * | 2002-12-09 | 2004-06-23 | 铼宝科技股份有限公司 | 检测修复系统及检测修复方法 |
| US20140252957A1 (en) * | 2008-06-17 | 2014-09-11 | Panasonic Corporation | Display apparatus and control method for display apparatus |
| CN102939527A (zh) * | 2010-06-04 | 2013-02-20 | Imec公司 | 用于确定掺杂的半导体区域的有效掺杂浓度的方法 |
| CN201837702U (zh) * | 2010-11-01 | 2011-05-18 | 保定天威英利新能源有限公司 | 一种太阳能电池的漏电检测设备 |
| CN102708770A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 宏濑科技股份有限公司 | 平面显示器的缺陷检测系统及方法 |
| CN103927954A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器件的测试方法及测试系统 |
| CN104467663A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 河海大学常州校区 | 一种检测光伏热斑损害的太阳电池漏电流的系统及方法 |
| CN105679219A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板检测方法及检测装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 仲琳等: "AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析", 《光电子.激光》 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109342915A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种漏电led芯片的检测方法 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| CN110379842A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110456247A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 测试器件及其测试方法 |
| CN110456247B (zh) * | 2019-07-29 | 2021-08-13 | 云谷（固安）科技有限公司 | 测试器件及其测试方法 |
| CN110379842B (zh) * | 2019-07-29 | 2021-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| US11953537B2 (en) | 2019-07-29 | 2024-04-09 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Test device and test method thereof |
| WO2023160122A1 (zh) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 荣耀终端有限公司 | 一种电子器件的漏电检测方法、电子设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106199365B (zh) | 2018-11-23 |
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